JPH0266962A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0266962A JPH0266962A JP63219489A JP21948988A JPH0266962A JP H0266962 A JPH0266962 A JP H0266962A JP 63219489 A JP63219489 A JP 63219489A JP 21948988 A JP21948988 A JP 21948988A JP H0266962 A JPH0266962 A JP H0266962A
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
え匪立玖亙豆1
本発明は、半導体素子がパッケージ体内に気密に封止さ
れた半導体装置を加圧接着もしくは溶着方式により生産
性良く製造する方法に関する。
れた半導体装置を加圧接着もしくは溶着方式により生産
性良く製造する方法に関する。
の tらびに の
IC,LSI等の半導体素子は、周囲の温度変化、湿度
変化およびゴミやほこりの存在によって、その特性が微
妙に変化すると共に、機械的振動や衝撃によって破損し
易いことから、何らかの手段でその外側を被覆密封して
外部の影響を遮断することが要求される。そのために、
半導体素子を封止するための種々のパッケージング方式
が提案されている。
変化およびゴミやほこりの存在によって、その特性が微
妙に変化すると共に、機械的振動や衝撃によって破損し
易いことから、何らかの手段でその外側を被覆密封して
外部の影響を遮断することが要求される。そのために、
半導体素子を封止するための種々のパッケージング方式
が提案されている。
パッケージング方式には、大別して、気密封止方式と樹
脂封止方式とがある。気密封止方式では、金属、ガラス
、セラミックなどによって外気と遮断された気体の中に
半導体素子が収容され、樹脂封止方式では、半導体素子
やコネクタ部品が樹脂中に埋込まれたバラゲージング形
式をとっている。
脂封止方式とがある。気密封止方式では、金属、ガラス
、セラミックなどによって外気と遮断された気体の中に
半導体素子が収容され、樹脂封止方式では、半導体素子
やコネクタ部品が樹脂中に埋込まれたバラゲージング形
式をとっている。
それぞれの方式には一長一短があり、一般に、気密封止
方式では電子部品の信頼性に優れるが、製造コストが高
くなるという性質を有し、樹脂封止方式ではその逆の性
質を有する。
方式では電子部品の信頼性に優れるが、製造コストが高
くなるという性質を有し、樹脂封止方式ではその逆の性
質を有する。
そこで最近では、気密封止方式と樹脂封止方式との中間
の性質を有する封止方式が開発されている(特開昭62
−21 、250号公報)。この方式では、樹脂で成形
されたパッケージ体に設けられた開口部内に半導体素子
を収容し、この開口部を蓋材で封止することにより、半
導体素子を気密状態に保持している。
の性質を有する封止方式が開発されている(特開昭62
−21 、250号公報)。この方式では、樹脂で成形
されたパッケージ体に設けられた開口部内に半導体素子
を収容し、この開口部を蓋材で封止することにより、半
導体素子を気密状態に保持している。
しかしながら、このような最近開発された封止方式を含
めて、従来の気密封止方式の半導体装置を製造する際に
は、パッケージ体と蓋材とを接着もしくは溶着する際に
、金型等の加圧体を用いて、これらパッケージ体と蓋材
とを加圧するが、その際に、加圧体による加圧が不均一
であると、蓋材の破損を引き起す虞があり、このため生
産性を低下させる虞があった0、tた蓋材は、内部が見
えるように透明なガラス等で構成されることもあり、前
記加圧体による加圧によって破損し易いという不都合を
有している。
めて、従来の気密封止方式の半導体装置を製造する際に
は、パッケージ体と蓋材とを接着もしくは溶着する際に
、金型等の加圧体を用いて、これらパッケージ体と蓋材
とを加圧するが、その際に、加圧体による加圧が不均一
であると、蓋材の破損を引き起す虞があり、このため生
産性を低下させる虞があった0、tた蓋材は、内部が見
えるように透明なガラス等で構成されることもあり、前
記加圧体による加圧によって破損し易いという不都合を
有している。
九肌立旦賃
本発明は、このような従来技術が有する不都合を解消す
るためになされ、半導体素子が収容される凹所が形成さ
れたパッケージ体の表面に蓋材を接着もしくは溶着する
際に、蓋材の破損を防止し、生産性の向上を図ることが
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
るためになされ、半導体素子が収容される凹所が形成さ
れたパッケージ体の表面に蓋材を接着もしくは溶着する
際に、蓋材の破損を防止し、生産性の向上を図ることが
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
九肌ム且I
このような目的を達成するために、本発明は、半導体素
子が収容される凹所が形成されたパッケージ体の表面に
蓋材を接着らしくは溶着し、前記凹所内を気密に封止し
てなる半導体装置の製造方法において、前記パッケージ
体と蓋材とを加圧体により加圧して、これらを接着もし
くは溶着するに際して、加圧体と蓋材との間にMm材を
介装させたことを特徴としている。
子が収容される凹所が形成されたパッケージ体の表面に
蓋材を接着らしくは溶着し、前記凹所内を気密に封止し
てなる半導体装置の製造方法において、前記パッケージ
体と蓋材とを加圧体により加圧して、これらを接着もし
くは溶着するに際して、加圧体と蓋材との間にMm材を
介装させたことを特徴としている。
このような本発明に係る半導体装置の製造方法によれば
、加圧体と蓋材との間に緩衝材を介装させるようにして
いるので、たとえ加圧体による加圧が不均一であるとし
ても、加圧体による加圧力が#!街衝打介して蓋材に略
均−に伝達し、蓋材が破損することはない、したがって
、製品の歩留りが向上し、半導体装置の生産性が向上す
る。
、加圧体と蓋材との間に緩衝材を介装させるようにして
いるので、たとえ加圧体による加圧が不均一であるとし
ても、加圧体による加圧力が#!街衝打介して蓋材に略
均−に伝達し、蓋材が破損することはない、したがって
、製品の歩留りが向上し、半導体装置の生産性が向上す
る。
九朋ヱ」U幻凱反用
以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
を示す要部断面図、第2図は本発明の他の実施例に係る
半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。
を示す要部断面図、第2図は本発明の他の実施例に係る
半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。
第1図に示す本発明の一実施例では、まず、たとえば樹
脂で成形されたパッケージ体1を準備する。パッケージ
体1の略中央には、半導体素子2が収容される凹所3が
形成されている。
脂で成形されたパッケージ体1を準備する。パッケージ
体1の略中央には、半導体素子2が収容される凹所3が
形成されている。
パッケージ体1は、たとえばプラスチックに充填剤とし
て無機粉末を加えた混合物をトランスファー成形、射出
成形または加圧成形して得ることができる。パッケージ
体1を形成するために用いられるプラスチックとしては
、耐熱性プラスチックであり、具体的には、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフ
ェニレンオキシド(ppo) 、ポリエーテルスルホン
(PES) 、ポリエーテルエーテルゲトン(PEEに
)、ポリフェニレンサルファイド(pps) 、ポリア
リルスルホン、ポリアミド・イミドなどの加熱歪温度(
11,D、T、)が180℃以上である熱可塑性樹脂が
挙げられる。プラスチックの形状としては粉末、ベレッ
トなどの固型であっても、また液状であってもよい、ま
た、上記無機粉末としては、たとえばアルミナ粉末、シ
リカ粉末、ボロンナイトライド粉末などの耐熱性無機粉
末が挙げられる。
て無機粉末を加えた混合物をトランスファー成形、射出
成形または加圧成形して得ることができる。パッケージ
体1を形成するために用いられるプラスチックとしては
、耐熱性プラスチックであり、具体的には、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフ
ェニレンオキシド(ppo) 、ポリエーテルスルホン
(PES) 、ポリエーテルエーテルゲトン(PEEに
)、ポリフェニレンサルファイド(pps) 、ポリア
リルスルホン、ポリアミド・イミドなどの加熱歪温度(
11,D、T、)が180℃以上である熱可塑性樹脂が
挙げられる。プラスチックの形状としては粉末、ベレッ
トなどの固型であっても、また液状であってもよい、ま
た、上記無機粉末としては、たとえばアルミナ粉末、シ
リカ粉末、ボロンナイトライド粉末などの耐熱性無機粉
末が挙げられる。
次に、本実施例では、凹部3が形成されたパッケージ体
1の表面に接着剤を塗布して第1接着剤層4を形成する
。接着剤4としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられる。
1の表面に接着剤を塗布して第1接着剤層4を形成する
。接着剤4としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられる。
次に、第1図に示す実施例では、接着剤KJ4の表面に
リードフレーム5をその端部がバラゲージ体1外に突出
するように載置した後、加圧加熱してリードフレーム5
をパッケージ体1に接着する。
リードフレーム5をその端部がバラゲージ体1外に突出
するように載置した後、加圧加熱してリードフレーム5
をパッケージ体1に接着する。
次に、本実施例では、凹所3の最低部に形成されたパッ
ド部6に半導体素子2をダイボンディングするとともに
、半L9(+素子2とリードフレーム5とをワイヤーボ
ンディングして電気的に接続する。
ド部6に半導体素子2をダイボンディングするとともに
、半L9(+素子2とリードフレーム5とをワイヤーボ
ンディングして電気的に接続する。
次に、本実施…fでは、パッケージ体1の゛表面周囲に
接着剤を塗布して第2接着剤層7を形成し、その後蓋材
8をその上に8置する。あるいは蓋材8の表面周囲に接
着剤を塗布してパラゲージ上に蓋材8を載置する。第2
接着剤層7を構成する接着剤は、第1接着剤層7を構成
する接着剤と同種のものが用いられるか、全く同一のも
のである必要はない、これら第1.第2接着剤層4.7
を構成する接着剤は、凹所3内を密封するシール材とし
ての機能をも有する。
接着剤を塗布して第2接着剤層7を形成し、その後蓋材
8をその上に8置する。あるいは蓋材8の表面周囲に接
着剤を塗布してパラゲージ上に蓋材8を載置する。第2
接着剤層7を構成する接着剤は、第1接着剤層7を構成
する接着剤と同種のものが用いられるか、全く同一のも
のである必要はない、これら第1.第2接着剤層4.7
を構成する接着剤は、凹所3内を密封するシール材とし
ての機能をも有する。
第2接着剤層7上に接着さぜる蓋材8は、凹所3内に収
容された半導体素子2が外部から見えるように透明であ
ることが好ましいが、必ずしも透明でなくともよい、蓋
材8としては、たとえば石英ガラス板、サファイア板、
透明アルミナ板、透明プラスチyり板などの透明蓋材、
着色ガラス板、着色プラスチック板などの不透明蓋材が
用いられる。
容された半導体素子2が外部から見えるように透明であ
ることが好ましいが、必ずしも透明でなくともよい、蓋
材8としては、たとえば石英ガラス板、サファイア板、
透明アルミナ板、透明プラスチyり板などの透明蓋材、
着色ガラス板、着色プラスチック板などの不透明蓋材が
用いられる。
次に本実施例では、蓋材8をパッケージ体1に強固に接
着するため、蓋材8とパッケージ体1とを金型等の加圧
体9.10により両側から加圧する。加圧力は、パッケ
ージ体1と蓋材8との材質や形状によっても異なるが、
一般に、5〜20kg/dが好ましい。
着するため、蓋材8とパッケージ体1とを金型等の加圧
体9.10により両側から加圧する。加圧力は、パッケ
ージ体1と蓋材8との材質や形状によっても異なるが、
一般に、5〜20kg/dが好ましい。
本発明では、このような加圧体9.10による加圧の際
には、蓋材8と上側の加圧体9との間に、シート状の緩
衝材11を介装させた状態で加圧を行なう、緩衝材11
の材質としては、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ウレタ
ンゴム、ブチルゴム、天然ゴムなどのゴム材が好ましく
、特に耐熱性をi+J上さぜるためにクロスが含有され
たシリコーンゴムが好ましい、この緩衝材11の材質お
よび厚みは、窓Hの材質や加圧体9.10の加圧力によ
って適宜決定されるが、MWr材11の厚みは、一般に
、0.05〜100i+n、特に0.5〜5柑であるこ
とが好ましい、シリコーンゴム中に含有されるクロスは
、アラミド繊維、ガラス繊維、カーボン繊維などから構
成されていることが好ましい。
には、蓋材8と上側の加圧体9との間に、シート状の緩
衝材11を介装させた状態で加圧を行なう、緩衝材11
の材質としては、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ウレタ
ンゴム、ブチルゴム、天然ゴムなどのゴム材が好ましく
、特に耐熱性をi+J上さぜるためにクロスが含有され
たシリコーンゴムが好ましい、この緩衝材11の材質お
よび厚みは、窓Hの材質や加圧体9.10の加圧力によ
って適宜決定されるが、MWr材11の厚みは、一般に
、0.05〜100i+n、特に0.5〜5柑であるこ
とが好ましい、シリコーンゴム中に含有されるクロスは
、アラミド繊維、ガラス繊維、カーボン繊維などから構
成されていることが好ましい。
このような本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方
法によれば、加圧体つと蓋材8との間に!l’i材11
全11させるようにしているので、たとえ加圧体9によ
る加圧が不均一であるとしても、加圧体9による加圧力
が緩衝材11を介して蓋材8に略均−に伝達し、蓋材8
が破損することはない、したがって、製品の歩留りが向
上し、半導体装置12の生産性が向上する。
法によれば、加圧体つと蓋材8との間に!l’i材11
全11させるようにしているので、たとえ加圧体9によ
る加圧が不均一であるとしても、加圧体9による加圧力
が緩衝材11を介して蓋材8に略均−に伝達し、蓋材8
が破損することはない、したがって、製品の歩留りが向
上し、半導体装置12の生産性が向上する。
なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものでは
なく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
なく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
たとえば、本発明方法により製造される半導体装置は、
第1図に示すものに限らず、半導体素子が収容される凹
所が形成されたパッケージ体の表面に器材を接着もしく
は溶着して前記凹所内を気密に封止してなる半導体装1
全てに対して適用することが可能である。
第1図に示すものに限らず、半導体素子が収容される凹
所が形成されたパッケージ体の表面に器材を接着もしく
は溶着して前記凹所内を気密に封止してなる半導体装1
全てに対して適用することが可能である。
たとえば第2図に示すように、リードフレーム5aがパ
ッケージ体1aを射出成形する際にインサート成形して
なる半導体装置12aを製造する際に、本発明方法を適
用することが可能である。
ッケージ体1aを射出成形する際にインサート成形して
なる半導体装置12aを製造する際に、本発明方法を適
用することが可能である。
この場合も、第1図に示す実施例と同様にして本発明方
法を適用することが可能である。ただし、蓋材8とパッ
ケージ体1aとの接着剤層7aは一層で良い。
法を適用することが可能である。ただし、蓋材8とパッ
ケージ体1aとの接着剤層7aは一層で良い。
実験によれば、第2図に示すような合成樹脂製のパッケ
ージ体1aに、エポキシ系接着剤を用いて、透明ガラス
製の蓋材8を接着する場合に、クロス入りシリコーンゴ
ム(厚さIIWl)から成る緩衝材を加圧体9と蓋材8
との間に介装させた本発明の一実施例では、接着工程の
歩留り(回数N=20)は100%であった。
ージ体1aに、エポキシ系接着剤を用いて、透明ガラス
製の蓋材8を接着する場合に、クロス入りシリコーンゴ
ム(厚さIIWl)から成る緩衝材を加圧体9と蓋材8
との間に介装させた本発明の一実施例では、接着工程の
歩留り(回数N=20)は100%であった。
これに対して、クロス入りシリコーンゴムから成るMf
R材11を用いないで同様な半導体装置を製造する従来
例の場合には、歩留り(N=20)は70%であった。
R材11を用いないで同様な半導体装置を製造する従来
例の場合には、歩留り(N=20)は70%であった。
この実験結果からも、本発明の有用性が確認された。
几曹しυ弧工
以上説明してきたように、本発明によれば、加圧体と蓋
材との間にgi材を介装させるようにしているので、た
とえ加圧体による加圧が不均一であるとしても、加圧体
による加圧力が緩衝材を介して蓋材に略均−に伝達し、
蓋材が破損することはない、したがって、製品の歩留り
が向上し、半導体装置の生産性が向上する。
材との間にgi材を介装させるようにしているので、た
とえ加圧体による加圧が不均一であるとしても、加圧体
による加圧力が緩衝材を介して蓋材に略均−に伝達し、
蓋材が破損することはない、したがって、製品の歩留り
が向上し、半導体装置の生産性が向上する。
第1図は本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
を示す要部断面図、第2図は本発明の他の実施例に係る
半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。 第 第 図 図 、la・・・バラゲージ体 2・・・半導体素子3・・
・凹所 4・・・接着剤 5.5a・・・リードフレーム 6・・・パッド部7.
7a・・・接着剤 8・・・蓋材9.10・・・加
圧体 11・・・[面材12.12a・・・半導体装
置 手 続 補 正帯 昭和63年10月12日 7、補正の内容 (1)明細書第6頁第8行目において、「ボロンナイト
ライド」とあるのを、 「ボロンナイトライド」と補正する。 半 導 体 装 置 の 製 造 方 法 名 称 三井石油化学工業株式会社 自 発 補 正
を示す要部断面図、第2図は本発明の他の実施例に係る
半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。 第 第 図 図 、la・・・バラゲージ体 2・・・半導体素子3・・
・凹所 4・・・接着剤 5.5a・・・リードフレーム 6・・・パッド部7.
7a・・・接着剤 8・・・蓋材9.10・・・加
圧体 11・・・[面材12.12a・・・半導体装
置 手 続 補 正帯 昭和63年10月12日 7、補正の内容 (1)明細書第6頁第8行目において、「ボロンナイト
ライド」とあるのを、 「ボロンナイトライド」と補正する。 半 導 体 装 置 の 製 造 方 法 名 称 三井石油化学工業株式会社 自 発 補 正
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)半導体素子が収容される凹所が形成されたパッケー
ジ体の表面に蓋材を接着もしくは溶着し、前記凹所内を
気密に封止してなる半導体装置の製造方法において、前
記パッケージ体と蓋材とを加圧体により加圧して、これ
らを接着もしくは溶着するに際して、加圧体と蓋材との
間に緩衝材を介装させたことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 2)前記緩衝材が、厚さ0.05〜100mmのゴム材
である請求項第1項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63219489A JPH0266962A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63219489A JPH0266962A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0266962A true JPH0266962A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16736248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63219489A Pending JPH0266962A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0266962A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993016883A1 (en) * | 1992-02-26 | 1993-09-02 | Seiko Epson Corporation | Additional electronic device and electronic system |
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KR100401628B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2003-10-17 | 현대자동차주식회사 | 마그네틱 클램핑 장치 |
KR100472240B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2005-03-08 | 기아자동차주식회사 | 마그네틱 브레이크를 구비한 브랭크 센터링 스테이션 |
JP2006108162A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 気密封止方法及び該方法を用いた気密封止体、並びに該方法に用いる加熱装置 |
JP2006196799A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Fujitsu Media Device Kk | 電子部品及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63219489A patent/JPH0266962A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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