JP2006108162A - 気密封止方法及び該方法を用いた気密封止体、並びに該方法に用いる加熱装置 - Google Patents
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Abstract
空間系を有する光通信用部品及び装置において気密封止時の熱による筐体などの歪みを抑制し、低温で気密封止を可能とする気密封止方法及び該方法を用いた気密封止体、並びに該方法に用いる加熱装置を提供すること。
【解決手段】
筐体1と蓋2との気密封止方法において、筐体側と蓋側との各々の封止領域に濡れ層4,5を形成する工程と、筐体と蓋とが接触する部分に低融点材料層3を配置する工程と、不活性ガス雰囲気中にて、筐体と蓋とを組み合わせ、筐体又は蓋の該低融点材料が配置された近傍全体を同時に加熱・加圧し、該低融点材料を溶かし、該濡れ層の領域をロウ接して気密封止する工程とを含むことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
しかも、半田が溶融する温度まで周囲を加熱するため、常温から加熱する場合には加熱時間が長くなり、筐体などの歪みが発生し易くなる上、特許文献3が対象とする小さな筐体(縦3.2mm×横2.5mm×高さ0.7mm)と比較し、光変調器モジュールなどは、縦70mm×横10mm×高さ5mmと大型化するため、前記加熱による歪みの影響は無視できない程、大きなものとなる。
図1(a)は、気密封止した状態の筐体及び蓋の断面を示す図である。本発明の特徴の一つは、筐体と蓋との間に、半田等の低融点材料を用いた接合層3(低融点材料層という)を用い、両者を接合することであり、これにより、気密封止時に筐体など掛る温度を低下させることが可能とするものである。
ただし、気密封止時において蓋全体を加熱することが好ましい場合には、図3の上部加熱手段12の形状に代えて、蓋全体に接触する平面を有する上部加熱手段を採用することも可能である。
さらに、上部加熱手段の蓋への押圧力を調整するため、例えば、加熱板10に加わる圧力変化やカム24の回転トルク変化を検出し、蓋への押圧力を測定し、上記温度コントローラと同様に、所定の押圧力となるようカム24の回転角を調整するよう構成することも可能である。
濡れ層を形成した筐体1と蓋2を用意し、該筐体1内に光学部品等を配置すると共に、筐体1と蓋2との間に低融点材料層3を挟んで、加熱板10上のマット11上に配置する。
第1の加熱工程では、加熱板10を電熱器14により加熱し、筐体1及び蓋を、低融点材料の融点以下かつ融点に近い温度まで加熱する。
このように、低融点材料層3の溶融工程を第1の加熱工程と第2の加熱・加圧工程とに分離することにより、第2の加熱・加圧工程における、融点到達までの温度差を小さくでき、筐体などの歪み量も極力抑制することが可能となる。また、低融点材料層が均質に加熱されるため材料の浸透性が高まり、生産の歩留まりの向上にも寄与する。さらに、上記温度差が小さいため、第2の加熱・加圧工程に掛る作業時間の短縮化も達成することができる。
低融点材料層としては、筐体又は蓋の形状に応じて任意の形状が採用できるが、特に棒状・線状・リボン状・シート状・ボール状・ペースト状又はこれらの形状を2次加工した形状、あるいは筐体又は蓋の少なくとも一方にプリント形成された形状などが好適に使用可能である。なお、ペースト状の場合はディスペンサーを使用すると定量的に塗布するのに有効である。また、リボン状・シート状などの場合は予め筐体と蓋の形状に2次加工しておくと良い。
さらに、図4の(a)〜(d)のようにように段差面を形成することで、低融点材料と筐体1との接触面積を増加し、低融点材料層3との接合強度を高く保つことも可能となる。
なお、図4(a)〜(d)は、いずれも筐体側に凹凸を形成したが、これに限らず、接合部における蓋側に凹凸を形成したり、あるいは、筐体と蓋の両者に凹凸を形成することも可能である。
2 蓋
3 低融点材料層
4,5 濡れ層
10 加熱板
11 マット(熱伝導性材料)
12 上部加熱手段
13 熱伝導性材料
14 電熱器
15 ヒータ
16,17 サーミスタ
18 温度コントローラ
Claims (11)
- 筐体と蓋との気密封止方法において、
筐体側と蓋側との各々の封止領域に濡れ層を形成する工程と、
筐体と蓋とが接触する部分に低融点材料層を配置する工程と、
不活性ガス雰囲気中にて、筐体と蓋とを組み合わせ、筐体又は蓋の該低融点材料が配置された近傍全体を同時に加熱・加圧し、該低融点材料を溶かし、該濡れ層の領域をロウ接して気密封止する工程とを含むことを特徴とする気密封止方法。 - 請求項1に記載の気密封止方法において、該濡れ層は、Ni,Au,Cu,のいずれか又はこれらの合金よりなることを特徴とする気密封止方法。
- 請求項1に記載の気密封止方法において、該低融点材料層は、Sn,Ag,Cu,Bi,Zn,In,Sbのいずれか又はこれらの合金よりなることを特徴とする気密封止方法。
- 請求項3に記載の気密封止方法において、該低融点材料層は、棒状・線状・リボン状・シート状・ボール状・ペースト状又はこれらの形状を2次加工した形状、あるいは筐体又は蓋の少なくとも一方にプリント形成された形状のいずれかであることを特徴とする気密封止方法。
- 請求項1に記載の気密封止方法において、前記加熱・加圧を行う工程は、筐体又は蓋の少なくとも一方を、低融点材料の融点以下かつ融点に近い温度まで加熱する第1の加熱工程を有することを特徴とする気密封止方法。
- 請求項1に記載の気密封止方法において、前記加熱・加圧を行う工程は、筐体又は蓋の少なくとも一方に対し、低融点材料層付近の温度を低融点材料の融点以上に短時間で加熱すると共に、筐体と蓋とを圧接するように両者を加圧する第2の加熱・加圧工程を有することを特徴とする気密封止方法。
- 請求項5又は6に記載の気密封止方法において、第1の加熱工程又は第2の加熱・加圧工程は、加熱する際に、熱源と筐体又は蓋との間に柔軟性のある熱伝導性材料を挟み込むことを特徴とする気密封止方法。
- 請求項1に記載の気密封止方法において、前記加熱・加圧を行う工程は、熱源又は加圧源の温度及び圧力を検知し、該検知結果に基づき該熱源又は該加圧源の温度又は圧力を調整する自動制御方法を含むことを特徴とする気密封止方法。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の気密封止方法を用いて製造した気密封止体。
- 請求項9に記載の気密封止体において、筐体と蓋が接触する部分において、筐体又は蓋の少なくとも一方に凹凸が形成されていることを特徴とする気密封止体。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の気密封止方法に用いる加熱装置において、蓋に接触する加熱手段の形状が、低融点材料が配置される領域に対応して蓋側に凸部が形成されていることを特徴とする加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006108162A true JP2006108162A (ja) | 2006-04-20 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2006108162A (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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