JPH0263138A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0263138A JPH0263138A JP21471588A JP21471588A JPH0263138A JP H0263138 A JPH0263138 A JP H0263138A JP 21471588 A JP21471588 A JP 21471588A JP 21471588 A JP21471588 A JP 21471588A JP H0263138 A JPH0263138 A JP H0263138A
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Links
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- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置、特に、その配線ＩＩＩ造に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
半導体装置の配線材料として、へΩ合金が一般に用いら
れている。そして第２図に示すように、シリコン基板１
の上に回路素子（図示せず）を覆うように形成された酸
化ケイ素膜２の上に設けられたへρ合金配線３には、さ
らに素子を保護するだめのパッシベーション膜４が被覆
すれている。
れている。そして第２図に示すように、シリコン基板１
の上に回路素子（図示せず）を覆うように形成された酸
化ケイ素膜２の上に設けられたへρ合金配線３には、さ
らに素子を保護するだめのパッシベーション膜４が被覆
すれている。
このパッシベーション膜４としては、酸化ケイ素膜や窒
化ケイ素膜が用いられるが、耐湿性、耐汚染の点で優れ
た窒化ケイ素膜が用いられることが多い。
化ケイ素膜が用いられるが、耐湿性、耐汚染の点で優れ
た窒化ケイ素膜が用いられることが多い。
発明が解決しようとする課題
近年、配線の多層化や、微細化にともない、半導体装置
表面の凹凸が激しくなり、パッシベーション膜４にクラ
ックあるいはピンホールが増加する傾向にある。窒化ケ
イ素膜にクラックが生じた場合、水分や不純物が半導体
装置内に侵入し、ＡＱ合金配線３が腐食し断線するとい
う故障がしばしば起った。また、パッシベーション膜４
として酸化ケイ素膜を用いた場合、酸化ケイ素膜自身が
水分を透過するため、ＡＱ合金配線３が腐食し断線に至
るという問題が発生しやすい。
表面の凹凸が激しくなり、パッシベーション膜４にクラ
ックあるいはピンホールが増加する傾向にある。窒化ケ
イ素膜にクラックが生じた場合、水分や不純物が半導体
装置内に侵入し、ＡＱ合金配線３が腐食し断線するとい
う故障がしばしば起った。また、パッシベーション膜４
として酸化ケイ素膜を用いた場合、酸化ケイ素膜自身が
水分を透過するため、ＡＱ合金配線３が腐食し断線に至
るという問題が発生しやすい。
本発明は上記問題を解決するもので、ＡΩ合金配線の腐
食を防止できる半導体装置を提供することを目的とする
ものである。
食を防止できる半導体装置を提供することを目的とする
ものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために、本発明の半導体装置は、Ａ
Ｑ合金配線部分において、Ａ２合金配線の上面および側
面を有機分子被膜で覆った構造を有するものである。
Ｑ合金配線部分において、Ａ２合金配線の上面および側
面を有機分子被膜で覆った構造を有するものである。
作用
上記構成により、水分や不純物がパッシベーション膜を
通温して侵入しても、Ａ２合金配線は有機分子被膜で覆
われているため、へρ腐食を防止でき、半導体装置の信
頼性が向上する。
通温して侵入しても、Ａ２合金配線は有機分子被膜で覆
われているため、へρ腐食を防止でき、半導体装置の信
頼性が向上する。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の要部断面
図である、第１図に示すように、シリコン基板１の上の
回路素子（図示せず）を覆うように形成された酸化ケイ
素Ｗｊ！（ＰＳＧ）２上にアルミニウム（Ａρ）合金配
線３が設けられている。
図である、第１図に示すように、シリコン基板１の上の
回路素子（図示せず）を覆うように形成された酸化ケイ
素Ｗｊ！（ＰＳＧ）２上にアルミニウム（Ａρ）合金配
線３が設けられている。
さらに、このへΩ合金配線３の上面および側面を覆うよ
うに有機分子膜ＷＡ５が設けられている。この有機分子
被膜５を覆うようにしてパッシベーション膜４が形成さ
れている。この有機分子被膜５はそのＷＡ厚が２０〜２
０００Ａの範囲にあり、Ａ４２合金配線形成侵、ＣＦ４
ガスを用いてプラズマ放電・することによって容易に形
成できる。このように、有機分子被Ｗｊ！５中には少な
くとも炭素（Ｃ′）およびフッ素（Ｆ）原子が含まれ・
ている。
うに有機分子膜ＷＡ５が設けられている。この有機分子
被膜５を覆うようにしてパッシベーション膜４が形成さ
れている。この有機分子被膜５はそのＷＡ厚が２０〜２
０００Ａの範囲にあり、Ａ４２合金配線形成侵、ＣＦ４
ガスを用いてプラズマ放電・することによって容易に形
成できる。このように、有機分子被Ｗｊ！５中には少な
くとも炭素（Ｃ′）およびフッ素（Ｆ）原子が含まれ・
ている。
このように構成された本実施例では、有機分子被膜５が
Ａρ合金配８１３と侵入した水との反応のバリアーとな
るため、ＡΩ合金配８３の腐食を防止できる。
Ａρ合金配８１３と侵入した水との反応のバリアーとな
るため、ＡΩ合金配８３の腐食を防止できる。
次に、実験例について説明する。シリコン基板上に形成
した酸化ケイ素膜上にｌｌｌが０．８μｍ１長ｅ６ｘｌ
ｏ’ μｍノＡｊ２−１．０ｗｔ％Ｓ ｉ −０，５ｗ
ｔ％Ｃｕ配線を形成し、厚さ約５０人の有機分子被膜に
より上記配線を被覆し、さらにその上にパッシベーショ
ン膜として厚さ０．５μｍの酸化ケイ素膜を形成した。
した酸化ケイ素膜上にｌｌｌが０．８μｍ１長ｅ６ｘｌ
ｏ’ μｍノＡｊ２−１．０ｗｔ％Ｓ ｉ −０，５ｗ
ｔ％Ｃｕ配線を形成し、厚さ約５０人の有機分子被膜に
より上記配線を被覆し、さらにその上にパッシベーショ
ン膜として厚さ０．５μｍの酸化ケイ素膜を形成した。
この試料を温度８５℃、相対湿度８５％の条件下で保存
し、その断線不良率を測定した。その結果、第３図に示
すように、配線幅が１．８μｍの場合は、折れ線Ａを、
また、配線幅が３．０μｍの場合、折れＩＢをそれぞれ
冑だ。一方、有機分子膜で被覆しない従来のＡρ−１，
０ｗ ｔ％５ｉ−０，５ｗｔ％ＣＵ配轢では、同様のパ
ッシベーション膜および信頼性加速条件のもとて断線不
良率を測定した結果、配線幅が、１．８μｍの場合、折
れｍＣを、また、配線幅が３．０μｍの場合、折れｌ１
ｌＤをそれぞれ得た。なお、パッシベーション膜が窒化
ケイ素膜の場合も同様の効果が期待できる。
し、その断線不良率を測定した。その結果、第３図に示
すように、配線幅が１．８μｍの場合は、折れ線Ａを、
また、配線幅が３．０μｍの場合、折れＩＢをそれぞれ
冑だ。一方、有機分子膜で被覆しない従来のＡρ−１，
０ｗ ｔ％５ｉ−０，５ｗｔ％ＣＵ配轢では、同様のパ
ッシベーション膜および信頼性加速条件のもとて断線不
良率を測定した結果、配線幅が、１．８μｍの場合、折
れｍＣを、また、配線幅が３．０μｍの場合、折れｌ１
ｌＤをそれぞれ得た。なお、パッシベーション膜が窒化
ケイ素膜の場合も同様の効果が期待できる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、Ａ４合金配線を有機分
子被膜で覆うことにより、へρ腐食による断線を防止す
ることができ、半導体装置の信頼性を高めることができ
る。
子被膜で覆うことにより、へρ腐食による断線を防止す
ることができ、半導体装置の信頼性を高めることができ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の要部断面
図、第２図は従来例の要部断面図、第３図は本発明の詳
細な説明するための特性図である。 １・・・シリコン基板、２・・・酸化ケイ素膜、３・・
・Ａ１合金配線、４・・・パッシベーション膜、５・・
・有機分子被膜。
図、第２図は従来例の要部断面図、第３図は本発明の詳
細な説明するための特性図である。 １・・・シリコン基板、２・・・酸化ケイ素膜、３・・
・Ａ１合金配線、４・・・パッシベーション膜、５・・
・有機分子被膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子に設けたアルミニウム合金配線の上面お
よび側面が有機分子被膜で覆われている半導体装置。 ２、有機分子被膜は、少なくとも炭素およびフッ素を含
んでいる請求項１記載の半導体 装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21471588A JPH0263138A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21471588A JPH0263138A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263138A true JPH0263138A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16660421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21471588A Pending JPH0263138A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0263138A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015220348A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP21471588A patent/JPH0263138A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015220348A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
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