JPH0479330A - 積層配線の形成方法 - Google Patents
積層配線の形成方法Info
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は積層配線の形成方法とくに、信頼性の高い積層
配線の形成方法に関するものである。
配線の形成方法に関するものである。
従来の技術
半導体装置の配線材料として高融点金属のシリサイド化
合物が耐熱性、耐腐食性、微細加工などの面から広く使
用されるようになってきた。
合物が耐熱性、耐腐食性、微細加工などの面から広く使
用されるようになってきた。
以下、従来の積層配線の製造方法を第４図を用いて説明
する。第４図（ａ）に示すように、段差を有する半導体
基板１上に熱フローできる薄いガラス膜として、ボロン
・フォスファ・シリケート・ガラス（ＢＰＳＧ）膜２を
例えば常圧ＣＶＤ法により４５００人堆積し、次に第４
図（ｂｌに示すようにＢＰＳＧ膜の熱フローを例えば窒
素雰囲気中で９００℃３０分行なう。その後多結晶シリ
コン膜３を１５００人例えば減圧ＣＶＤ法により堆積し
、さらにコールドウオール型の減圧ＣＶＤ法によりタン
グステンシリサイド膜４を２５００人堆積する。その後
、周知の写真食刻法により多結晶シリコン膜３とタング
ステンシリサイド膜４の二層よりなるポリサイド配線を
形成する。
する。第４図（ａ）に示すように、段差を有する半導体
基板１上に熱フローできる薄いガラス膜として、ボロン
・フォスファ・シリケート・ガラス（ＢＰＳＧ）膜２を
例えば常圧ＣＶＤ法により４５００人堆積し、次に第４
図（ｂｌに示すようにＢＰＳＧ膜の熱フローを例えば窒
素雰囲気中で９００℃３０分行なう。その後多結晶シリ
コン膜３を１５００人例えば減圧ＣＶＤ法により堆積し
、さらにコールドウオール型の減圧ＣＶＤ法によりタン
グステンシリサイド膜４を２５００人堆積する。その後
、周知の写真食刻法により多結晶シリコン膜３とタング
ステンシリサイド膜４の二層よりなるポリサイド配線を
形成する。
発明が解決しようとする課題
上記したようにこのような従来技術の構成では、下地凹
凸のある層間絶縁膜上にシリサイド膜４を被着しポリサ
イド配線を形成するとシリサイド膜４の内部応力の為に
タングステンシリサイド膜にクラックが生じ、熱処理を
行なうと下層の多結晶シリコン膜３まで切断してしまい
断線になる。微細化が行なわれると、さらに内部応力が
集中し断線が発生しやすくなる。
凸のある層間絶縁膜上にシリサイド膜４を被着しポリサ
イド配線を形成するとシリサイド膜４の内部応力の為に
タングステンシリサイド膜にクラックが生じ、熱処理を
行なうと下層の多結晶シリコン膜３まで切断してしまい
断線になる。微細化が行なわれると、さらに内部応力が
集中し断線が発生しやすくなる。
本発明は以上述べた問題を解決し、信頼性の高いポリサ
イド配線の形成方法を提供するものである。
イド配線の形成方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明では、上記課題を解決するために、ポリサイド配
線を形成する際に多結晶シリコン膜とシリサイド膜の膜
厚比を適正化し、またシリサイド膜の組成比の適正化を
行なう。
線を形成する際に多結晶シリコン膜とシリサイド膜の膜
厚比を適正化し、またシリサイド膜の組成比の適正化を
行なう。
作用
本発明では、多結晶シリコン膜とシリサイド膜の膜厚比
を適正化し、シリサイド膜の組成比を適正化することに
よりシリサイド膜の膜はかれやポリサイド配線の断線を
防止でき高い信頼性をもつ積層配線を形成できる。
を適正化し、シリサイド膜の組成比を適正化することに
よりシリサイド膜の膜はかれやポリサイド配線の断線を
防止でき高い信頼性をもつ積層配線を形成できる。
実施例
本発明の第１の実施例を第１図、第２図を用いて詳細に
説明する。
説明する。
１は凹凸を有する半導体基板又は半導体素子、２はボロ
ン・フォスファ・シリケート・ガラス、３は多結晶シリ
コン膜、４はタングステンシリサイド膜である。
ン・フォスファ・シリケート・ガラス、３は多結晶シリ
コン膜、４はタングステンシリサイド膜である。
第１図（ａ）において半導体基板１上に常圧ＣＶＤヲ用
イて熱フローできるガラス膜としてボロン・フォスファ
・シリケート・ガラス（以下Ｂ Ｐ Ｓ Ｇ）膜２を成
長する。ＢＰＳＧ膜２の堆積は、例えば常圧ＣＶＤ法な
どにより行ない、ＢＰＳＧ膜２の膜厚は４５００人を用
いた。
イて熱フローできるガラス膜としてボロン・フォスファ
・シリケート・ガラス（以下Ｂ Ｐ Ｓ Ｇ）膜２を成
長する。ＢＰＳＧ膜２の堆積は、例えば常圧ＣＶＤ法な
どにより行ない、ＢＰＳＧ膜２の膜厚は４５００人を用
いた。
次に第１図ｆｂ）に示すように、ＢＰＳＧ膜２を水蒸気
雰囲気中で熱処理を例えば９００℃３０分行ない、溶融
平坦化を行なう。次に多結晶シリコン膜３を約１５００
人例えば減圧ＣＶＤ法により堆積し、さらにタングステ
ンシリサイド膜４を例えば、シラン８００ｓｅｃｍ、六
弗化タングステン５ｓｅｃｍを使用したコールドウオー
ル型の減圧ＣＶＤ法により１５００人堆積する。その後
、周知の写真食刻法とドライエツチングにより、多結晶
シリコン膜３とタングステンシリサイド膜４０２層から
なるポリサイド配線を形成する。このとき、タングステ
ンシリサイド膜４にクラック５がポリサイド配線には生
じない。
雰囲気中で熱処理を例えば９００℃３０分行ない、溶融
平坦化を行なう。次に多結晶シリコン膜３を約１５００
人例えば減圧ＣＶＤ法により堆積し、さらにタングステ
ンシリサイド膜４を例えば、シラン８００ｓｅｃｍ、六
弗化タングステン５ｓｅｃｍを使用したコールドウオー
ル型の減圧ＣＶＤ法により１５００人堆積する。その後
、周知の写真食刻法とドライエツチングにより、多結晶
シリコン膜３とタングステンシリサイド膜４０２層から
なるポリサイド配線を形成する。このとき、タングステ
ンシリサイド膜４にクラック５がポリサイド配線には生
じない。
次に第２図に上記実施例で形成したポリサイド配線の多
結晶シリコン膜３とタングステンシリサイド膜４の膜厚
比とポリサイド配線の断線率を示す。この結果、多結晶
シリコン膜３とタングステンシリサイド膜４の膜厚比が
、１．３以上でポリサイド配線の断線が発注する。本実
施例では多結晶シリコン膜３とタングステンシリサイド
膜４を共に１５００人とし断線は発生しない。またタン
グステンシリサイド膜４と多結晶シリコン膜３の膜厚比
を０．２以下にすると配線抵抗が増加するため膜厚比は
０．２以上１．３以下であることか適当であり、最適値
として多結晶シリコン膜３とタングステンシリサイド膜
４の膜厚比か１．０の時は応力による不良発生率が低く
さらに配線抵抗も低い。
結晶シリコン膜３とタングステンシリサイド膜４の膜厚
比とポリサイド配線の断線率を示す。この結果、多結晶
シリコン膜３とタングステンシリサイド膜４の膜厚比が
、１．３以上でポリサイド配線の断線が発注する。本実
施例では多結晶シリコン膜３とタングステンシリサイド
膜４を共に１５００人とし断線は発生しない。またタン
グステンシリサイド膜４と多結晶シリコン膜３の膜厚比
を０．２以下にすると配線抵抗が増加するため膜厚比は
０．２以上１．３以下であることか適当であり、最適値
として多結晶シリコン膜３とタングステンシリサイド膜
４の膜厚比か１．０の時は応力による不良発生率が低く
さらに配線抵抗も低い。
さらに、第１図に示した構成で、従来問題となっていた
タングステンシリサイド膜４の内部応力によるタングス
テンシリサイド膜４中のクラックの発生を防止できる。
タングステンシリサイド膜４の内部応力によるタングス
テンシリサイド膜４中のクラックの発生を防止できる。
次に第３図にタングステンシリサイド膜４のタングステ
ンとシリコンの組成比と断線率の関係を示す。この結果
タングステンとシリコンの組成比が２．５以上で断線が
発生しない。本実施例ではシランを８００ｓｃｃｍ六弗
化タングステン６ｓｅｃｍでタングステンシリサイドを
堆積し組成比を２．６としているので断線は発生しない
。また、組成比を３．０以上とするとタングステンンリ
サイド膜の比抵抗が増加し配線抵抗か増加するため、組
成比は２．５以上３．０以下か適している。
ンとシリコンの組成比と断線率の関係を示す。この結果
タングステンとシリコンの組成比が２．５以上で断線が
発生しない。本実施例ではシランを８００ｓｃｃｍ六弗
化タングステン６ｓｅｃｍでタングステンシリサイドを
堆積し組成比を２．６としているので断線は発生しない
。また、組成比を３．０以上とするとタングステンンリ
サイド膜の比抵抗が増加し配線抵抗か増加するため、組
成比は２．５以上３．０以下か適している。
以上のように本実施例によれば、
（１） ポリサイド配線のタングステンシリサイド膜
と多結晶シリコン膜の膜厚比を０．２以上１．３以下に
することによりタングステンシリサイド膜のクラックを
防止できポリサイド配線の断線を防止できる。
と多結晶シリコン膜の膜厚比を０．２以上１．３以下に
することによりタングステンシリサイド膜のクラックを
防止できポリサイド配線の断線を防止できる。
（２） ポリサイド配線のタングステンシリサイド膜
のタングステンシリサイドとシリコンの組成比を２．５
以上３．０以下にすることによりタングステンシリサイ
ド膜のクラックを防止しポリサイド配線の断線を防止で
きる。
のタングステンシリサイドとシリコンの組成比を２．５
以上３．０以下にすることによりタングステンシリサイ
ド膜のクラックを防止しポリサイド配線の断線を防止で
きる。
また、本実施例では、シリサイド化合物としてタングス
テンシリサイドを用いたが、それ以外のＴｉ、Ｍｏなと
のケイ化物などでも同様な効果が期待できる。
テンシリサイドを用いたが、それ以外のＴｉ、Ｍｏなと
のケイ化物などでも同様な効果が期待できる。
発明の効果
本発明によってポリサイド配線のクラックを防止するこ
とで、断線を起こさない信頼性の高い配線を形成できる
。
とで、断線を起こさない信頼性の高い配線を形成できる
。
第１図は本発明の一実施例における積層配線の製造方法
を示す図、第２図はタングステンシリサイド膜と多結晶
シリコン膜の膜厚比と断線率を示す図、第３図はタング
ステンシリサイド膜の組成比と断線の関係を示す図、第
４図は従来例を説明するための図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ＢＰＳ’Ｇ
膜、３・・・・・・多結晶シリコン膜、４・・・・・・
タングステンシリサイド膜、５・・・・・・クラック。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 第 ２ 図 〃θＬ 第３ ｆ７１ ！θ１ ７ンクステンンリプＡトヒ夛奪を晶ンリコンｎ月貧ＡＩ
乙タ ノじり文テン シソゾイド８罠
を示す図、第２図はタングステンシリサイド膜と多結晶
シリコン膜の膜厚比と断線率を示す図、第３図はタング
ステンシリサイド膜の組成比と断線の関係を示す図、第
４図は従来例を説明するための図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ＢＰＳ’Ｇ
膜、３・・・・・・多結晶シリコン膜、４・・・・・・
タングステンシリサイド膜、５・・・・・・クラック。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 第 ２ 図 〃θＬ 第３ ｆ７１ ！θ１ ７ンクステンンリプＡトヒ夛奪を晶ンリコンｎ月貧ＡＩ
乙タ ノじり文テン シソゾイド８罠
Claims (2)
- （１）段差を有する半導体基板の主面上にガラス膜を形
成した後、前記ガラス膜をマニールし熱フローする工程
と、前記熱フローしたガラス膜上に多結晶シリコン膜を
被着する工程と、前記多結晶シリコン膜上に高融点金属
のシリサイド化合物を被着する工程を備え、前記シリサ
イド化合物が、前記多結晶シリコン膜の膜厚に対し０．
２以上１．３以下の膜厚であることを特徴とする積層配
線の形成方法。 - （２）段差を有する半導体基板の主面上にガラス膜を形
成した後、前記ガラス膜をマニールし熱フローする工程
と前記熱フローしたガラス膜上に多結晶シリコン膜を被
着する工程と、前記多結晶シリコン膜上に高融点金属の
シリサイド化合物を被着する工程を備え、前記シリサイ
ド化合物の高融点金属に対するシリコンの組成比が２．
５以上３．０以下であることを特徴とする積層配線の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19530390A JPH0479330A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 積層配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19530390A JPH0479330A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 積層配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479330A true JPH0479330A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16338913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19530390A Pending JPH0479330A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 積層配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479330A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6970226B2 (en) | 2003-02-21 | 2005-11-29 | Au Optronics Corp. | Liquid crystal display having vacuum layer for isolating heat |
| US7832916B2 (en) | 2004-06-21 | 2010-11-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Back chassis integrating reflector, back light and liquid crystal display |
| US8279375B2 (en) | 2007-04-16 | 2012-10-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus, driving apparatus of display apparatus, and electronic device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281350A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS6347950A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-02-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS63133672A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS63143841A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Nec Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP19530390A patent/JPH0479330A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4726783B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2011-07-20 | 出光興産株式会社 | バックシャーシ一体型反射器、バックライト装置及び液晶表示装置 |
| US8279375B2 (en) | 2007-04-16 | 2012-10-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus, driving apparatus of display apparatus, and electronic device |
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