JPH0262630A - メモリ及びメモリの使用方法 - Google Patents
メモリ及びメモリの使用方法Info
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- JPH0262630A JPH0262630A JP63214608A JP21460888A JPH0262630A JP H0262630 A JPH0262630 A JP H0262630A JP 63214608 A JP63214608 A JP 63214608A JP 21460888 A JP21460888 A JP 21460888A JP H0262630 A JPH0262630 A JP H0262630A
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- JP
- Japan
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- memory
- program
- mask rom
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000010923 batch production Methods 0.000 abstract 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 3
- 101150083561 nop-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
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- Stored Programmes (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は書き換え可能なメモリ及びメモリの使用方法に
関し、特に部分的に書き換え可能にした経済的なメモリ
と、このメモリを使用してプログラムの一部を変更する
メモリの使用方法に関する。
関し、特に部分的に書き換え可能にした経済的なメモリ
と、このメモリを使用してプログラムの一部を変更する
メモリの使用方法に関する。
数値制御装置（ＣＮＣ）やロボット装置では、各種のプ
ログラムによって運転が制御されており、電源切断後も
それらを記憶しておく必要がある。
ログラムによって運転が制御されており、電源切断後も
それらを記憶しておく必要がある。
一方、このような装置ではプログラムの誤りの修正時、
あるいは装置の性能のレベルアップ時にプログラムの一
部を変更する必要がある。このため、これらのプログラ
ムデータはＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭ等の書き換え可能
な不揮発性メモリに格納して、プログラムの変更ができ
るようにしている。
あるいは装置の性能のレベルアップ時にプログラムの一
部を変更する必要がある。このため、これらのプログラ
ムデータはＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭ等の書き換え可能
な不揮発性メモリに格納して、プログラムの変更ができ
るようにしている。
ところで、これらのプログラムデータを格納するために
は大容量のメモリが必要であるが、このような大容量の
ＥＰＲＯＭあるいはＥＥＰＲＯＭは高価である。また、
始めにプログラムデータを全て書き込む必要があり、Ｉ
Ｍビット程度の容量になると書き込みに要する時間が数
分から数十分のオーダになり、これにかかる費用も相当
なものになる。
は大容量のメモリが必要であるが、このような大容量の
ＥＰＲＯＭあるいはＥＥＰＲＯＭは高価である。また、
始めにプログラムデータを全て書き込む必要があり、Ｉ
Ｍビット程度の容量になると書き込みに要する時間が数
分から数十分のオーダになり、これにかかる費用も相当
なものになる。
これに対し、マスクＲＯＭにプログラムデータを格納す
ればメモリ自体の価格も安く、書き込みも不要になる。
ればメモリ自体の価格も安く、書き込みも不要になる。
しかし、プログラムデータの一部を変更する場合でも、
旧版のものは使用できないため、必ずしも経済的である
とは言えない。
旧版のものは使用できないため、必ずしも経済的である
とは言えない。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、マ
スクＲＯＭ部と不揮発性メモリ部とを結合して部分的に
書き換え可能にした経済的なメモリと、このメモリを使
用してプログラムの一部を変更するメモリの使用方法と
、を提供することを目的とする。
スクＲＯＭ部と不揮発性メモリ部とを結合して部分的に
書き換え可能にした経済的なメモリと、このメモリを使
用してプログラムの一部を変更するメモリの使用方法と
、を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明では上記課題を解決するために、部分的に書き換
え可能なメモリにおいて、一定容量毎に分割配置された
複数のマスクＲＯＭ部と、 該各マスクＲＯＭ部の先頭に配置された複数の書き換え
可能な不揮発性メモリ部と、 を有することを特徴とするメモリが、 提供され、 また、 該メモリの前記不揮発性メモリ部にジャンプ命令を書き
込み、 該ジャンプ命令により、前記メモリのアドレスから別の
メモリのアドレスにジャンプさせ、パッチ処理によって
プログラムの一部を変更することを特徴とするメモリの
使用方法が、提供される。
え可能なメモリにおいて、一定容量毎に分割配置された
複数のマスクＲＯＭ部と、 該各マスクＲＯＭ部の先頭に配置された複数の書き換え
可能な不揮発性メモリ部と、 を有することを特徴とするメモリが、 提供され、 また、 該メモリの前記不揮発性メモリ部にジャンプ命令を書き
込み、 該ジャンプ命令により、前記メモリのアドレスから別の
メモリのアドレスにジャンプさせ、パッチ処理によって
プログラムの一部を変更することを特徴とするメモリの
使用方法が、提供される。
一定の容量毎にマスクＲＯＭ部を分割配置し、これらの
各マスクＲＯＭ部の先頭に、書き換え可能な不揮発性メ
モリ部をそれぞれ配置してメモリを構成する。なお、各
マスクＲＯＭ部には所定のプログラムデータを一定容量
毎に分割して格納し、また不揮発性メモリ部にはＮＯＰ
命令を書き込んでおく。
各マスクＲＯＭ部の先頭に、書き換え可能な不揮発性メ
モリ部をそれぞれ配置してメモリを構成する。なお、各
マスクＲＯＭ部には所定のプログラムデータを一定容量
毎に分割して格納し、また不揮発性メモリ部にはＮＯＰ
命令を書き込んでおく。
プログラムの一部を変更する場合には、変更すべき部分
のプログラムデータを格納しているマスクＲＯＭ部の先
頭の不揮発性メモリ部のＮＯＰ命令を、別のメモリのア
ドレスにジャンプさせるジャンプ命令に書き換える。別
のメモリに変更したプログラムデータを格納しておくこ
とによって、プログラムがパッチ処理されて所定の内容
に変更される。
のプログラムデータを格納しているマスクＲＯＭ部の先
頭の不揮発性メモリ部のＮＯＰ命令を、別のメモリのア
ドレスにジャンプさせるジャンプ命令に書き換える。別
のメモリに変更したプログラムデータを格納しておくこ
とによって、プログラムがパッチ処理されて所定の内容
に変更される。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例のメモリの構成を示すメモリ
マツプである。図において、ｌはアドレスを示す。２は
プログラムデータの内容である。
マツプである。図において、ｌはアドレスを示す。２は
プログラムデータの内容である。
なお、本実施例ではプログラムデータは２バイト、１６
ビツトで構成されている＊ ３ ａ １３ ｂ ％ ３
ｃ・・−・−・・・−・・−は不揮発性メモリ部であ
る。不揮発性メモリ部３ａにはアドレスｒｏｏ００００
Ｈ」及び７０００００１）１１が割り当てられており、
予めそれぞれにＮＯＰ命令Ｎ０ＰｌａＳＮＯＰ２ａが書
き込まれている。
ビツトで構成されている＊ ３ ａ １３ ｂ ％ ３
ｃ・・−・−・・・−・・−は不揮発性メモリ部であ
る。不揮発性メモリ部３ａにはアドレスｒｏｏ００００
Ｈ」及び７０００００１）１１が割り当てられており、
予めそれぞれにＮＯＰ命令Ｎ０ＰｌａＳＮＯＰ２ａが書
き込まれている。
不揮発性メモリ部３ｂにはアドレスｒ０００２００Ｈ」
及びｒ０００２０１Ｈ」が割り当テラしており、予めＮ
ＯＰ命令ＮＯＰ １ ｂ、Ｎ０Ｐ２ ｂが書き込まれて
いる。以下、同様に一箇所の不運発性メモリ部毎に、Ｎ
ＯＰ命令が２バイト分ずつ書き込まれている。なお、こ
れらの不揮発性メモリ部３ ａ 、 ３ ｂ 、 ３
ｃ・−−−−−−−−−−−−−はＥＰＲＯＭあるいは
ＥＥＰＲＯＭで構成されている。
及びｒ０００２０１Ｈ」が割り当テラしており、予めＮ
ＯＰ命令ＮＯＰ １ ｂ、Ｎ０Ｐ２ ｂが書き込まれて
いる。以下、同様に一箇所の不運発性メモリ部毎に、Ｎ
ＯＰ命令が２バイト分ずつ書き込まれている。なお、こ
れらの不揮発性メモリ部３ ａ 、 ３ ｂ 、 ３
ｃ・−−−−−−−−−−−−−はＥＰＲＯＭあるいは
ＥＥＰＲＯＭで構成されている。
４ａ、４ ｂ 、 ４ ｃ 、−−−−−−−−−−−
はマスクＲＯＭ部である。マスクＲＯＭ部４ａにはアド
レスｒＯＯ０００２Ｈ」〜アドレスｒＯ００１ＦＦＨ１
が割り当てられており、プログラムの一部のプログラム
データＡが格納されている。マスクＲＯＭ部４ｂにはア
ドレスｒｏ ＯＯ２０２ＨＪ〜アドレスｒｏｏ０３ＦＦ
Ｈ」が割り当てられており、プログラムの別の一部のプ
ログラムデータＢが格納されている。以下、同様にそれ
ぞれのマスクＲＯＭ部に所定のプログラムデータが格納
されている。
はマスクＲＯＭ部である。マスクＲＯＭ部４ａにはアド
レスｒＯＯ０００２Ｈ」〜アドレスｒＯ００１ＦＦＨ１
が割り当てられており、プログラムの一部のプログラム
データＡが格納されている。マスクＲＯＭ部４ｂにはア
ドレスｒｏ ＯＯ２０２ＨＪ〜アドレスｒｏｏ０３ＦＦ
Ｈ」が割り当てられており、プログラムの別の一部のプ
ログラムデータＢが格納されている。以下、同様にそれ
ぞれのマスクＲＯＭ部に所定のプログラムデータが格納
されている。
ここで、マスクＲＯＭ部４ｂに格納されているプログラ
ムデータＢの部分を変更した内容のプログラムを作成す
る場合について説明する。この場合には、マスクＲＯＭ
部４ｂの先頭にある不揮発性メモリ部３ｂのＮＯＰ命令
Ｎ０Ｐ１ｂ及びＮ０Ｐ２ｂを、別のメモリの所定のアド
レスにジャンプさせるジャンプ命令に書き換える。
ムデータＢの部分を変更した内容のプログラムを作成す
る場合について説明する。この場合には、マスクＲＯＭ
部４ｂの先頭にある不揮発性メモリ部３ｂのＮＯＰ命令
Ｎ０Ｐ１ｂ及びＮ０Ｐ２ｂを、別のメモリの所定のアド
レスにジャンプさせるジャンプ命令に書き換える。
第２図にこの書き換えを行ったメモリマツプを示す。図
において、第１図と同じ番号を示したものは、第１図と
同じものであり、説明を省略する。
において、第１図と同じ番号を示したものは、第１図と
同じものであり、説明を省略する。
３１ｂは図示されていない別のメモリの所定のアドレス
にジャンプさせるジャンプ命令である。
にジャンプさせるジャンプ命令である。
別のメモリは小容量のＥＰＲＯＭあるいはＥＥＰＲＯＭ
等で構成し、変更したプログラムデータを所定のアドレ
スに格納しておく、また、そのプログラムデータの最後
には本メモリのプログラムデータＣへのリターン命令を
設けておく。
等で構成し、変更したプログラムデータを所定のアドレ
スに格納しておく、また、そのプログラムデータの最後
には本メモリのプログラムデータＣへのリターン命令を
設けておく。
この結果、５に示す本メモリのアドレスｒ０００２０２
ＨＪ 〜ｒｏ ００３ ＦＦＨＪ （Ｄチー’ｌカハッ
チ処理され、所定の変更されたプログラムデータが得ら
れる。
ＨＪ 〜ｒｏ ００３ ＦＦＨＪ （Ｄチー’ｌカハッ
チ処理され、所定の変更されたプログラムデータが得ら
れる。
なお、上記した各不運発性メモリ部の容量及び各マスク
ＲＯＭ部の容量は一例であり、使用される装置のプログ
ラムの大きさ等に応じて増減させることができる。
ＲＯＭ部の容量は一例であり、使用される装置のプログ
ラムの大きさ等に応じて増減させることができる。
以上説明したように本発明のメモリは、各マスクＲＯＭ
部の先頭に書き換え可能な不揮発性メモリ部を配置しで
あるので、このメモリの不揮発性メモリ部に別のメモリ
へのジャンプ命令を書き込むことによって、マスクＲＯ
Ｍ部をパッチ処理することが可能となる。従って、プロ
グラムの一部を変更する場合でも、旧版のメモリを無駄
にすることがないので、経済的である。
部の先頭に書き換え可能な不揮発性メモリ部を配置しで
あるので、このメモリの不揮発性メモリ部に別のメモリ
へのジャンプ命令を書き込むことによって、マスクＲＯ
Ｍ部をパッチ処理することが可能となる。従って、プロ
グラムの一部を変更する場合でも、旧版のメモリを無駄
にすることがないので、経済的である。
また、この場合に使用する別のメモリは小容量のＥＰＲ
ＯＭ等で良いので、プログラムデータ全体を大容量のＥ
ＰＲＯＭに格納する場合に比べ、低価格となる。さらに
、全プログラムデータを書き込む必要がないので、従来
の書き込みに要していた時間、及び費用が節約できる。
ＯＭ等で良いので、プログラムデータ全体を大容量のＥ
ＰＲＯＭに格納する場合に比べ、低価格となる。さらに
、全プログラムデータを書き込む必要がないので、従来
の書き込みに要していた時間、及び費用が節約できる。
・−−−−−一−−−−−・−・マスクＲＯＭ部５・・
・・−−−−−−−−・−パッチ処理部ＮＯＰ １ ａ
Ｓ ＮＯＰ １ ｂ−・−−−−−一・−・−・−ＮＯ
Ｐ命令 ３１ｂ−−−・・・−−一−−−−・−ジャンプ命令特
許出願人 ファナック株式会社 代理人 弁理士 服部毅巖
・・−−−−−−−−・−パッチ処理部ＮＯＰ １ ａ
Ｓ ＮＯＰ １ ｂ−・−−−−−一・−・−・−ＮＯ
Ｐ命令 ３１ｂ−−−・・・−−一−−−−・−ジャンプ命令特
許出願人 ファナック株式会社 代理人 弁理士 服部毅巖
第１図は本発明の一実施例のメモリのメモリマツプ図、
第２図は本発明の一実施例のメモリを使用して、プログ
ラムを変更する場合のメモリマツプ図である。 １−・〜・−−−−−−一・・−アドレス２・−・−・
・・・−・−データ内容 ３ ａ、 ３ ｂ、 ３ （− ・不揮発性メモリ部
ラムを変更する場合のメモリマツプ図である。 １−・〜・−−−−−−一・・−アドレス２・−・−・
・・・−・−データ内容 ３ ａ、 ３ ｂ、 ３ （− ・不揮発性メモリ部
Claims (3)
- （１）部分的に書き換え可能なメモリにおいて、一定容
量毎に分割配置された複数のマスクＲＯＭ部と、 該各マスクＲＯＭ部の先頭に配置された複数の書き換え
可能な不揮発性メモリ部と、 を有することを特徴とするメモリ。 - （２）前記不揮発性メモリ部はＥＰＲＯＭあるいはＥＥ
ＰＲＯＭで構成されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のメモリ。 - （３）特許請求の範囲第１項記載のメモリの不揮発性メ
モリ部にジャンプ命令を書き込み、 該ジャンプ命令により、前記メモリのアドレスから別の
メモリのアドレスにジャンプさせ、パッチ処理によって
プログラムの一部を変更することを特徴とするメモリの
使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214608A JPH0262630A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | メモリ及びメモリの使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214608A JPH0262630A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | メモリ及びメモリの使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262630A true JPH0262630A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16658534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63214608A Pending JPH0262630A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | メモリ及びメモリの使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0262630A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008234863A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 照光シート構造体及び操作スイッチ |
| JP2009037848A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Alps Electric Co Ltd | スイッチ用照光部材およびそれを用いたスイッチ装置 |
| US7589292B2 (en) | 2005-05-13 | 2009-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Keypad with light guide layer, keypad assembly and portable terminal |
| US7635819B2 (en) | 2005-05-19 | 2009-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Keypad assembly having reflection pattern |
| US20120047322A1 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Chung Shine C | Method and System of Using One-Time Programmable Memory as Multi-Time Programmable in Code Memory of Processors |
| US8369151B2 (en) | 2009-06-18 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
| US9349773B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-05-24 | Shine C. Chung | Memory devices using a plurality of diodes as program selectors for memory cells |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP63214608A patent/JPH0262630A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7589292B2 (en) | 2005-05-13 | 2009-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Keypad with light guide layer, keypad assembly and portable terminal |
| US7635819B2 (en) | 2005-05-19 | 2009-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Keypad assembly having reflection pattern |
| JP2008234863A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 照光シート構造体及び操作スイッチ |
| JP2009037848A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Alps Electric Co Ltd | スイッチ用照光部材およびそれを用いたスイッチ装置 |
| US8369151B2 (en) | 2009-06-18 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
| US20120047322A1 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Chung Shine C | Method and System of Using One-Time Programmable Memory as Multi-Time Programmable in Code Memory of Processors |
| US9349773B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-05-24 | Shine C. Chung | Memory devices using a plurality of diodes as program selectors for memory cells |
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