JPH0262630A - Memory and its using method - Google Patents
Memory and its using methodInfo
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- JPH0262630A JPH0262630A JP63214608A JP21460888A JPH0262630A JP H0262630 A JPH0262630 A JP H0262630A JP 63214608 A JP63214608 A JP 63214608A JP 21460888 A JP21460888 A JP 21460888A JP H0262630 A JPH0262630 A JP H0262630A
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- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 3
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は書き換え可能なメモリ及びメモリの使用方法に
関し、特に部分的に書き換え可能にした経済的なメモリ
と、このメモリを使用してプログラムの一部を変更する
メモリの使用方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a rewritable memory and a method of using the memory, and particularly to an economical partially rewritable memory and a program using this memory. Some changes regarding memory usage.
数値制御装置(CNC)やロボット装置では、各種のプ
ログラムによって運転が制御されており、電源切断後も
それらを記憶しておく必要がある。The operations of numerical control units (CNC) and robot devices are controlled by various programs, and these programs need to be stored even after the power is turned off.
一方、このような装置ではプログラムの誤りの修正時、
あるいは装置の性能のレベルアップ時にプログラムの一
部を変更する必要がある。このため、これらのプログラ
ムデータはEPROMやEEPROM等の書き換え可能
な不揮発性メモリに格納して、プログラムの変更ができ
るようにしている。On the other hand, with this kind of equipment, when correcting program errors,
Alternatively, it may be necessary to change part of the program when upgrading the performance of the device. For this reason, these program data are stored in a rewritable nonvolatile memory such as an EPROM or an EEPROM so that the program can be changed.
ところで、これらのプログラムデータを格納するために
は大容量のメモリが必要であるが、このような大容量の
EPROMあるいはEEPROMは高価である。また、
始めにプログラムデータを全て書き込む必要があり、I
Mビット程度の容量になると書き込みに要する時間が数
分から数十分のオーダになり、これにかかる費用も相当
なものになる。Incidentally, a large capacity memory is required to store these program data, but such a large capacity EPROM or EEPROM is expensive. Also,
First, it is necessary to write all the program data.
When the capacity is on the order of M bits, the time required for writing will be on the order of several minutes to several tens of minutes, and the cost involved will also be considerable.
これに対し、マスクROMにプログラムデータを格納す
ればメモリ自体の価格も安く、書き込みも不要になる。On the other hand, if program data is stored in a mask ROM, the cost of the memory itself will be low and writing will become unnecessary.
しかし、プログラムデータの一部を変更する場合でも、
旧版のものは使用できないため、必ずしも経済的である
とは言えない。However, even when changing part of the program data,
Since the old version cannot be used, it cannot necessarily be said that it is economical.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、マ
スクROM部と不揮発性メモリ部とを結合して部分的に
書き換え可能にした経済的なメモリと、このメモリを使
用してプログラムの一部を変更するメモリの使用方法と
、を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of these points, and provides an economical memory in which a mask ROM part and a non-volatile memory part are combined to make it partially rewritable, and a program using this memory. The purpose is to provide a memory usage method that changes some parts.
〔課題を解決するための手段〕
本発明では上記課題を解決するために、部分的に書き換
え可能なメモリにおいて、一定容量毎に分割配置された
複数のマスクROM部と、
該各マスクROM部の先頭に配置された複数の書き換え
可能な不揮発性メモリ部と、
を有することを特徴とするメモリが、
提供され、
また、
該メモリの前記不揮発性メモリ部にジャンプ命令を書き
込み、
該ジャンプ命令により、前記メモリのアドレスから別の
メモリのアドレスにジャンプさせ、パッチ処理によって
プログラムの一部を変更することを特徴とするメモリの
使用方法が、提供される。[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, the present invention provides a partially rewritable memory that includes a plurality of mask ROM sections that are divided and arranged for each fixed capacity, and each of the mask ROM sections. A memory is provided, comprising: a plurality of rewritable non-volatile memory sections disposed at the beginning; and a jump instruction is written in the non-volatile memory section of the memory, and the jump instruction: A method of using memory is provided, characterized in that a part of the program is changed by patch processing by jumping from the memory address to another memory address.
一定の容量毎にマスクROM部を分割配置し、これらの
各マスクROM部の先頭に、書き換え可能な不揮発性メ
モリ部をそれぞれ配置してメモリを構成する。なお、各
マスクROM部には所定のプログラムデータを一定容量
毎に分割して格納し、また不揮発性メモリ部にはNOP
命令を書き込んでおく。A memory is constructed by arranging mask ROM parts divided into parts having a certain capacity, and rewritable nonvolatile memory parts being arranged at the head of each of these mask ROM parts. Note that each mask ROM section stores predetermined program data divided into fixed capacity units, and the nonvolatile memory section stores NOP data.
Write down the command.
プログラムの一部を変更する場合には、変更すべき部分
のプログラムデータを格納しているマスクROM部の先
頭の不揮発性メモリ部のNOP命令を、別のメモリのア
ドレスにジャンプさせるジャンプ命令に書き換える。別
のメモリに変更したプログラムデータを格納しておくこ
とによって、プログラムがパッチ処理されて所定の内容
に変更される。When changing part of a program, rewrite the NOP instruction in the nonvolatile memory section at the beginning of the mask ROM section that stores the program data of the part to be changed to a jump instruction that jumps to another memory address. . By storing the changed program data in another memory, the program is patched and changed to predetermined contents.
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
第1図は本発明の一実施例のメモリの構成を示すメモリ
マツプである。図において、lはアドレスを示す。2は
プログラムデータの内容である。FIG. 1 is a memory map showing the configuration of a memory according to an embodiment of the present invention. In the figure, l indicates an address. 2 is the content of the program data.
なお、本実施例ではプログラムデータは2バイト、16
ビツトで構成されている* 3 a 13 b % 3
c・・−・−・・・−・・−は不揮発性メモリ部であ
る。不揮発性メモリ部3aにはアドレスroo0000
H」及び7000001)11が割り当てられており、
予めそれぞれにNOP命令N0PlaSNOP2aが書
き込まれている。Note that in this embodiment, the program data is 2 bytes, 16
Consists of bits * 3 a 13 b % 3
c...---...-- is a nonvolatile memory section. The address roo0000 is in the non-volatile memory section 3a.
H” and 7000001) 11 are assigned,
A NOP command N0PlaSNOP2a is written in each of them in advance.
不揮発性メモリ部3bにはアドレスr000200H」
及びr000201H」が割り当テラしており、予めN
OP命令NOP 1 b、N0P2 bが書き込まれて
いる。以下、同様に一箇所の不運発性メモリ部毎に、N
OP命令が2バイト分ずつ書き込まれている。なお、こ
れらの不揮発性メモリ部3 a 、 3 b 、 3
c・−−−−−−−−−−−−−はEPROMあるいは
EEPROMで構成されている。The address r000200H is in the non-volatile memory section 3b.
and r000201H” have been allocated, and N
OP commands NOP 1 b and N0P2 b are written. Similarly, N
OP instructions are written in 2 bytes each. Note that these nonvolatile memory units 3a, 3b, 3
c. ----------- is constructed of EPROM or EEPROM.
4a、4 b 、 4 c 、−−−−−−−−−−−
はマスクROM部である。マスクROM部4aにはアド
レスrOO0002H」〜アドレスrO001FFH1
が割り当てられており、プログラムの一部のプログラム
データAが格納されている。マスクROM部4bにはア
ドレスro OO202HJ〜アドレスroo03FF
H」が割り当てられており、プログラムの別の一部のプ
ログラムデータBが格納されている。以下、同様にそれ
ぞれのマスクROM部に所定のプログラムデータが格納
されている。4a, 4b, 4c,---------
is a mask ROM section. The mask ROM section 4a has addresses rOO0002H'' to rO001FFH1.
is assigned, and program data A, which is a part of the program, is stored. The mask ROM section 4b has addresses roOO202HJ to roo03FF.
H'' is assigned, and program data B, which is another part of the program, is stored. Similarly, predetermined program data is stored in each mask ROM section.
ここで、マスクROM部4bに格納されているプログラ
ムデータBの部分を変更した内容のプログラムを作成す
る場合について説明する。この場合には、マスクROM
部4bの先頭にある不揮発性メモリ部3bのNOP命令
N0P1b及びN0P2bを、別のメモリの所定のアド
レスにジャンプさせるジャンプ命令に書き換える。Here, a case will be described in which a program is created by changing the part of the program data B stored in the mask ROM section 4b. In this case, the mask ROM
The NOP instructions N0P1b and N0P2b in the nonvolatile memory section 3b at the beginning of the section 4b are rewritten to jump instructions for jumping to a predetermined address in another memory.
第2図にこの書き換えを行ったメモリマツプを示す。図
において、第1図と同じ番号を示したものは、第1図と
同じものであり、説明を省略する。FIG. 2 shows the memory map after this rewriting. In the figure, the same numbers as in FIG. 1 are the same as in FIG. 1, and the explanation will be omitted.
31bは図示されていない別のメモリの所定のアドレス
にジャンプさせるジャンプ命令である。31b is a jump instruction for jumping to a predetermined address in another memory (not shown).
別のメモリは小容量のEPROMあるいはEEPROM
等で構成し、変更したプログラムデータを所定のアドレ
スに格納しておく、また、そのプログラムデータの最後
には本メモリのプログラムデータCへのリターン命令を
設けておく。Another memory is small capacity EPROM or EEPROM.
etc., and the changed program data is stored at a predetermined address, and at the end of the program data, a return instruction to the program data C of this memory is provided.
この結果、5に示す本メモリのアドレスr000202
HJ 〜ro 003 FFHJ (Dチー’lカハッ
チ処理され、所定の変更されたプログラムデータが得ら
れる。As a result, the address r000202 of this memory shown in 5
HJ ~ ro 003 FFHJ (D CH'l car hatch processing is performed, and predetermined changed program data is obtained.
なお、上記した各不運発性メモリ部の容量及び各マスク
ROM部の容量は一例であり、使用される装置のプログ
ラムの大きさ等に応じて増減させることができる。It should be noted that the capacity of each of the above-mentioned contingency memory sections and the capacity of each mask ROM section are merely examples, and can be increased or decreased depending on the size of the program of the device to be used.
以上説明したように本発明のメモリは、各マスクROM
部の先頭に書き換え可能な不揮発性メモリ部を配置しで
あるので、このメモリの不揮発性メモリ部に別のメモリ
へのジャンプ命令を書き込むことによって、マスクRO
M部をパッチ処理することが可能となる。従って、プロ
グラムの一部を変更する場合でも、旧版のメモリを無駄
にすることがないので、経済的である。As explained above, the memory of the present invention includes each mask ROM.
Since a rewritable non-volatile memory section is placed at the beginning of the memory section, by writing a jump instruction to another memory in this non-volatile memory section, the mask RO
It becomes possible to perform patch processing on the M section. Therefore, even if a part of the program is changed, the memory of the old version is not wasted, which is economical.
また、この場合に使用する別のメモリは小容量のEPR
OM等で良いので、プログラムデータ全体を大容量のE
PROMに格納する場合に比べ、低価格となる。さらに
、全プログラムデータを書き込む必要がないので、従来
の書き込みに要していた時間、及び費用が節約できる。In addition, another memory used in this case is a small capacity EPR.
Since OM etc. is sufficient, the entire program data can be stored in a large capacity E.
The cost is lower than when storing in PROM. Furthermore, since it is not necessary to write all program data, the time and cost required for conventional writing can be saved.
・−−−−−一−−−−−・−・マスクROM部5・・
・・−−−−−−−−・−パッチ処理部NOP 1 a
S NOP 1 b−・−−−−−一・−・−・−NO
P命令
31b−−−・・・−−一−−−−・−ジャンプ命令特
許出願人 ファナック株式会社
代理人 弁理士 服部毅巖・-----1-----Mask ROM section 5...
・・・−−−−−−−・−Patch processing section NOP 1 a
S NOP 1 b-・-----1・-・-・-NO
P instruction 31b---1---Jump instruction patent applicant FANUC Co., Ltd. agent Patent attorney Takeshi Hattori
第1図は本発明の一実施例のメモリのメモリマツプ図、
第2図は本発明の一実施例のメモリを使用して、プログ
ラムを変更する場合のメモリマツプ図である。
1−・〜・−−−−−−一・・−アドレス2・−・−・
・・・−・−データ内容
3 a、 3 b、 3 (−
・不揮発性メモリ部FIG. 1 is a memory map diagram of a memory according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a memory map diagram when a program is changed using the memory according to an embodiment of the present invention. 1−・〜・−−−−−−1・・−Address 2・−・−・
...--Data contents 3 a, 3 b, 3 (- ・Non-volatile memory section
Claims (3)
量毎に分割配置された複数のマスクROM部と、 該各マスクROM部の先頭に配置された複数の書き換え
可能な不揮発性メモリ部と、 を有することを特徴とするメモリ。(1) In a partially rewritable memory, a plurality of mask ROM sections are divided and arranged at fixed capacity intervals, and a plurality of rewritable nonvolatile memory sections are arranged at the beginning of each of the mask ROM sections. A memory characterized by having.
PROMで構成されることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のメモリ。(2) The nonvolatile memory section is EPROM or EE.
The memory according to claim 1, characterized in that it is constituted by a PROM.
モリ部にジャンプ命令を書き込み、 該ジャンプ命令により、前記メモリのアドレスから別の
メモリのアドレスにジャンプさせ、パッチ処理によって
プログラムの一部を変更することを特徴とするメモリの
使用方法。(3) Writing a jump instruction into the non-volatile memory section of the memory according to claim 1, causing a jump from an address in the memory to another address in the memory, and patching a part of the program. A memory usage method characterized by changing the .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63214608A JPH0262630A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Memory and its using method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63214608A JPH0262630A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Memory and its using method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0262630A true JPH0262630A (en) | 1990-03-02 |
Family
ID=16658534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63214608A Pending JPH0262630A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Memory and its using method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0262630A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2009037848A (en) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Alps Electric Co Ltd | Illumination member for switch, and switch device using it |
US7589292B2 (en) | 2005-05-13 | 2009-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Keypad with light guide layer, keypad assembly and portable terminal |
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US8369151B2 (en) | 2009-06-18 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
US9349773B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-05-24 | Shine C. Chung | Memory devices using a plurality of diodes as program selectors for memory cells |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP63214608A patent/JPH0262630A/en active Pending
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