JPH0258008A - 光モジュール - Google Patents

光モジュール

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JPH0258008A
JPH0258008A JP63210119A JP21011988A JPH0258008A JP H0258008 A JPH0258008 A JP H0258008A JP 63210119 A JP63210119 A JP 63210119A JP 21011988 A JP21011988 A JP 21011988A JP H0258008 A JPH0258008 A JP H0258008A
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JP
Japan
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optical
optical module
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Nobuo Shiga
信夫 志賀
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/36—Mechanical coupling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • G—PHYSICS
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    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
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    • H01L2224/48091—Arched

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光を情報伝達媒体として使用するデータリン
ク、光ＬＡＮ等の光通信システムに用いられる光モジュ
ールに関する。
〔従来の技術〕
かかる光モジュールとして、例えば、半導体レーザ、Ｐ
ＩＮフォトダイオード、光集積回路等の光作動部品と光
ファイバとを光結合した光モジュールが公知である。
第２図ないし第５図にその一例を示す。図示した光モジ
ュールは、光ファイバ１とチップキャリア２の正面に取
付けられたＰＩＮフォトダイオード３（第３図及び第５
図に示す）とを光結合した受信用の光モジュールであり
、光ファイバ１の先端から出射された光が受光素子たる
ＰＩＮフォトダイオード３の受光部に入射するようにな
っている。
チップキャリア２は、第３図に示したように、略直方体
状に形成され、その表面にＰＩＮフォトダイオード３が
取り付けられると共に、端子部５がメタライズされて形
成されている。
このように形成されたチップキャリア２は、ハイブリッ
ドＩＣ基板６上にハンダ付けされる。ハイブリッドＩＣ
基板６の表面には、第４図に示したように、チップキャ
リア２に形成された端子部５（第３図に示す）がハンダ
付けされるためのランド部７が形成されている。ランド
部７は実装時の位置ずれを想定してチップキャリア２の
端子部５よりやや広い面積を有するように形成されてい
る。
チップキャリア２がハンダ付けされたハイブリッドＩＣ
基板６は、これを担持する担持部材として機能する箱形
のパッケージ８の内側底面に担持され、パッケージ８内
に収納される。なお、パッケージ８は一般に金属で形成
されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
第５図に、上述した光モジュールの断面図を示す。この
断面図から明らかなように、上述した光モジュールにお
いては、ＰＩＮフォトダイオード３を担持したチップキ
ャリア２がハンダ付けされた基板６上のランド部７とパ
ッケージ８とによって、ハイブリッドＩＣ基板６を間に
した平行平板コンデンサーが形成されることとなる。
チップキャリア２がハンダ付けされるランド部７の面積
は、現状では、いくら小さくしたとしても１　ｍｍ　Ｘ
　２　ｍｍ程度が限界である。また、ノ＼イブリッドＩ
Ｃ基板６は通常セラミック製であり、その誘電率εはε
−９である。これらのことから、／＼イブリッドＩＣ基
板６の厚さが３５０μｍであれば、該平行平板コンデン
サーの容量は０．４６ｐＦとなり、ハイブリッドＩＣ基
板６の厚さが６５０μｍであれば、該平行平板コンデン
サーの容量は０．２５ｐＦとなる。
一方、ＰＩＮフォトダイオード３を用いて第６図の如く
光受信回路を構成すると、上述の平行平板コンデンサー
はアンプ１０の入力容ｆｆ１ｃｐａｌとして作用するこ
ととなる。従って、図示した光受信回路の応答周波数帯
域は、人力抵抗１１の抵抗値Ｒ１ｎ、ＰＩＮフォトダイ
オード３の接合容量Ｃｐｄ及び入力容量ｃｐａｌから定
まる時定数Ｔにより決定され、時定数Ｔが大きくなると
単位時間当たりの情報伝達量が減少する。
ところで、時定数Ｔは次式により求められ、Ｔ　−（Ｃ
ｐｄ＋Ｃｐａｌ　）　Ｒ１ｎ高速光通信に用いられるＰ
ＩＮフォトダイオード３の接合容量は極めて小さく、通
常、０．３〜０．４ｐＦ程度であることから、平行平板
コンデンサーによる入力容量Ｃｐａｌが時定数Ｔに及ぼ
す影響は、入力容１ｃｐａｌがない場合に対し５０〜１
００％増となり、その影響は大きく、光通信の高速化を
図るうえで障害となっていた。
そこで、本発明は上述の事情に鑑み、上記障害を取り除
き、光通信の高速化を達成し得る光モジュールを提供す
ることを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
上述の課題を解決するため、本発明による光モジュール
においては、担持部材の基板を担持した担持面のうち、
光作動部品がハンダ付けされる基板上のランド部裏側に
対向する部分に凹部が形成されていることを特徴として
いる。
〔作用〕
上述の如く構成することにより、光作動部品がハンダ付
けされる基板上のランド部と、基板を担持する担持部材
とにより形成される平行平板コンデンサーの容量は無視
し得る程度に小さなものとなり、光通信の高速化が達成
される。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について第１図を参照しつつ説明
する。
第１図は、本発明による光モジュールの断面を示してい
る。
図示したように、本発明による光モジュールにおいては
、光ファイバ１と光結合されるＰＩＮフォトダイオード
３を載置したチップキャリア２は、ハイブリッドＩＣ基
板６上のランド部７にハンダ付けされており、ハイブリ
ッドＩＣ基板６はこれを担持する担持部材たるパッケー
ジ８の内側底面に担持され、かつ、パッケージ８内に収
納されている。パッケージ８のハイブリッドＩＣ基板６
を担持した担持面たる内側底面には、チップキャリア２
がハンダ付けされたハイブリッドＩＣ基板６上のランド
部７の裏側に対向する部分に凹部１３が形成されている
。この他の構成は、上述した従来の光モジュールと同様
であるので、その説明は省略する。
なお、実施例として、光ファイバ１と光結合される光作
動部品に受光素子たるＰＩＮフォトダイオード３を用い
た受信用の光モジュールのみを挙げ、これについてのみ
説明したが、光作動部品としてＬＥＤ等の発光素子を用
いた発信用の光モジュールにおいても同様の事情が有り
、その場合にも本発明は適用可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明による光モジュールにおい
ては、担持部材の基板を担持した担持面のうち、光作動
部品がハンダ付けされたランド部の裏側に対向する部分
に凹部を形成しであるので、光作動部品がハンダ付けさ
れる基板上のランド部と、基板を担持する担持部材とに
より形成される平行平板コンデンサーの容量は無視し得
る程度に小さなものとなり、光通信の高速化が達成され
る。
第２図は、従来の光モジュールを示した斜視図、第３図
は、従来の光モジュールの断面図、第４図は、Ｐｌ、Ｎ
フォトダイオードを示した斜視図、第５図は、ＰＩＮフ
ォトダイオードとハイブリッドＩＣ基板を示した拡散分
解図、第６図は、光モジュールの部分回路図である。
１・・・光ファイバ、３・・・ＰＩＮフォトダイオード
、６・・・ハイブリッドＩＣ基板、７・・・ランド部、
８・・・パッケージ、１３・・・凹部。
特許出願人　　住友電気工業株式会社 代理人弁理士　　　長谷用　　芳　　樹間　　　　　　
　　　塩　　　１）　　辰　　　也
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例を示した断面図、突浚剖 第１図 光（、ジューｌしめタト硯 第２図 ＰＩ　Ｎ　：）ｒ　Ｐ　５７”ｒオード第３図 ＰＩ〜フｘｋり７年−ドとハイブリッドエＯ基菊プ第 図 ＃、ネグ１Ｊ 第 図 部分訃降精成 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 光ファイバと光結合される光作動部品と、前記光作動部
    品の端子部ががハンダ付けされるランド部を表面に有し
    た基板と、導電体からなり前記基板の裏面を担持する担
    持部材とを含む光モジュールであって、前記担持部材の
    前記基板を担持した担持面のうち前記ランド部の裏側に
    対向する部分には凹部が形成されていることを特徴とす
    る光モジュール。
JP63210119A 1988-08-24 1988-08-24 光モジュール Granted JPH0258008A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63210119A JPH0258008A (ja) 1988-08-24 1988-08-24 光モジュール
US07/391,050 US4955684A (en) 1988-08-24 1989-08-09 Optical module coupling device
DE68920509T DE68920509T2 (de) 1988-08-24 1989-08-11 Optisches Modul.
EP89114862A EP0355610B1 (en) 1988-08-24 1989-08-11 An optical module
KR1019890011804A KR910009139B1 (ko) 1988-08-24 1989-08-18 광모듈
CA000609006A CA1328183C (en) 1988-08-24 1989-08-22 Optical module

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Publication Number Publication Date
JPH0258008A true JPH0258008A (ja) 1990-02-27
JPH0517527B2 JPH0517527B2 (ja) 1993-03-09

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KR (1) KR910009139B1 (ja)
CA (1) CA1328183C (ja)
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EP0355610B1 (en) 1995-01-11
DE68920509D1 (de) 1995-02-23
EP0355610A3 (en) 1991-03-20
JPH0517527B2 (ja) 1993-03-09
KR910009139B1 (ko) 1991-10-31
US4955684A (en) 1990-09-11
EP0355610A2 (en) 1990-02-28
DE68920509T2 (de) 1995-09-07
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