JP4122577B2 - 光モジュールの実装構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールの実装構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
このような分野の技術としては、例えば、以下に示すようなものがあった。
【0003】
(1)回路実装学会誌 Vol.10、No.5(1995)pp.306−309、「半導体光制御デバイスと実装」 井戸 立身、井上 宏明
(2)電子情報通信学会論文誌 C−I,Vol.J77−C−I,No.5、pp.352−362,1994、「集積ホトニクスを目指した光実装技術」 中島 啓幾
以下、上記文献(1)と(2)に開示される装置について、順次説明する。
【0004】
図5は従来の光モジュールの構成を示す図であり、図5(a)はその光モジュールの平面図、図5(b)は図5(a)のA−A′線断面図である。
【0005】
これらの図において、101は光変調器、102はストリップライン、103は終端抵抗器、104はワイヤボンド、105はキャリア、106A,106Bは非球面レンズ、107A,107Bは光ファイバ、108は高周波コネクタ、109は入出力電気端子、110は電子冷却素子、111はパッケージである。
【0006】
この装置は、図5に示すように、光変調器101とその光変調器101を搭載するためのキャリア105と光変調器101に光ファイバ107Aからの光信号を入射させるための非球面レンズ106Aと光変調器101から放射された光信号を光ファイバ107Bに入射させるための非球面レンズ106Bと光ファイバ107A,107Bと光変調器101を恒温動作させるための電子冷却素子110と光変調器101に高周波電界を印加するための高周波コネクタ108とストリップライン102とインピーダンス整合のための終端抵抗器103とこれらを収納するためのパッケージ111から構成されている。キャリア105上に形成されたストリップライン102は、パッケージ111に固定された高周波コネクタ108に直接接続されている。
【0007】
この光変調器101は、電界吸収型光変調器であり、PIN構造を有する光導波路を有しており、このPIN層に電界を加えることによって光の吸収量を変化させ、光の強度変調を行う。この光変調器101の変調帯域は素子容量によって制限されているので、光変調器101の素子長を100μm以下に短くして低容量化を図り、40GHz程度の広帯域化を実現している。
【0008】
しかし、ストリップライン102と終端抵抗器103を形成した高周波基板は、少なくとも1mm以上の幅を必要とするので、キャリア部の素子を搭載する部分の幅W〔図5(b)参照〕が、この高周波基板の幅により制限されてしまう。キャリア幅Wを高周波基板の幅に合わせると、レンズにより変調器両端面に集光する光がキャリア部分に当たってしまい、十分な集光(光結合)が得られず、また不要な光の散乱を生じてしまう。
【0009】
そこで、この従来例では、素子長の短い従来の電界吸収型光変調器に光導波路を一体形成した導波路集積化電界吸収型光変調器を使用し、変調器領域の長さを短く保ったまま導波路領域を設けることにより、全体の素子長を長くし、上記問題点を解決し、実装を可能にしている。
【0010】
次に、上記文献(2)に示される従来の装置について説明する。
【0011】
図6は従来の他の光モジュールの回路図、図7はその光モジュールの構成を示す斜視図である。
【0012】
これらの図において、201は変調器集積型DFB−LD(EAM/DFB−LD)、202は信号入力部、203はG−CPL(Grounded Coplanar Line)、204はサーミスタ、205はTEC(Thermo Eelectric Cooler:電子冷却素子)、206はILD(LD電流端子)、207は終端抵抗器(50Ω)、208,210は集光用レンズ、209はアイソレータ(ISO)、211は光ファイバ、212は光出力、213は受光素子、214は高速フィードスルーコネクタ、215はメタルキャリア、216は配線である。
【0013】
この光モジュールは、これらの図に示すように、変調器集積型DFB−LD(EAM/DFB−LD)201とこのEAM/DFB−LD201を搭載するためのメタルキャリア215と電子冷却素子(TEC)205と高周波信号をEAM/DFB−LD201に印加するための高周波伝送路であるG−CPL203とパッケージ側の高周波伝送路である高速フィードスルーコネクタ214と光ファイバ212とアイソレータ(ISO)209と集光用レンズ208,210などから構成されている。
【0014】
EAM/DFB−LD201とG−CPL203は、メタルキャリア215上に搭載され、さらにTEC205に搭載されている。このG−CPL203と高速フィードスルーコネクタ214間は、パッケージ側からの熱の流量を防止するために物理的に離した構造となっており、配線216はワイヤボンディングで行っている。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記文献(1)に示される従来の光モジュールでは、キャリア105上に形成されたストリップライン102は、パッケージ111に固定された高周波コネクタ108に直接接続されているので、外気の温度が変動した場合、高周波コネクタ108とストリップライン102が接続された部分を通して、パッケージ111外部からの熱が光変調器101へ流入するため、電子冷却素子110による冷却能力の低下と、その恒温動作の精度低下が生じるという問題点があった。
【0016】
また、この構造では、ストリップライン102がパッケージ111に固定されているので、パッケージ111とキャリア105間に温度差が生じると、熱膨張差によって接続部にひずみが生じ、信頼性が低下するという問題点もあった。
【0017】
この問題点を解決する構造として、上記(2)の従来の光モジュールがある。この光モジュールでは、G−CPL203と高速フィードスルーコネクタ214間を、物理的に離した構造となっており、配線216はワイヤボンディングで行っているので、パッケージ側からの熱の流量を防止することが可能である。G−CPL203と高速フィードスルーコネクタ214間の距離を離すと熱分離の効果は向上するが、一方ワイヤボンディング長が長くなり、寄生インダクタンスが増加し、高周波特性が劣化する。すなわち、熱特性と高周波特性は、トレードオフの関係にある。
【0018】
また、上記文献(2)の従来の光モジュールでは、高周波伝送路にG−CPL203を使用しているのでグランド(GND)−信号(SIG)−グランド(GND)という伝送路の構成とするためキャリア上にGNDを形成する領域が必要となる。このためキャリアの光軸方向の長さが長くなり、上記(1)の従来の光モジュールに適用した場合、レンズがキャリアにぶつかってしまい、また、この解決策として導波路集積化電界吸収型光変調器を使用しても導波路の集積化に伴う光挿入損失が増加するという問題点があった。
【0019】
伝送線路としてマイクロストリップラインを用いると、形成スペースを小さくすることが可能となるが、伝送線路が形成される基板の裏面のみがGNDとなっているので伝送線路間(この例では、高周波コネクタとの接続)が困難である。
【0020】
本発明は、上記問題点を除去し、熱分離構造を有し、伝送線路の形成スペースが小さいマイクロストリップラインを用いるためのGND接続構造を有する光モジュールの実装構造を提供することを目的とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔1〕光素子とこの光素子を搭載するための導電性のキャリアと光信号の入出力用の光ファイバと高周波電気信号を供給するために設けられた高周波端子と光素子を恒温するための電子冷却素子と第1のマイクロストリップラインが形成された第1の誘電体基板と上記構成部材を保持し、収容するためのパッケージからなる光モジュールの実装構造において、金属板とこの金属板上に設けられ第2のマイクロストリップラインが形成された第2の誘電体基板とを有する高周波端子がパッケージに設けられ、前記第1の誘電体基板は、前記高周波端子側のキャリア端においてキャリア表面を露出するように前記キャリアに搭載され、前記第2の誘電体基板は、前記キャリア側の金属板端において金属板表面を露出するように前記金属板に搭載され、前記第1のマイクロストリップラインと前記第2のマイクロストリップラインとがワイヤにより接続され、前記露出するキャリア表面と前記露出する金属板表面とがワイヤにより接続されるようにしたものである。
【0022】
〔2〕上記〔1〕記載の光モジュールの実装構造において、前記第1の誘電体基板は、 凸形状に加工され、前記第1のマイクロストリップラインが先端部分まで形成されているとともに、前記高周波端子側のキャリア端においてキャリア表面の角部のみを露出するように前記キャリアに搭載されており、前記第2の誘電体基板は、凸形状に加工され、前記第2のマイクロストリップラインが先端部分まで形成されているとともに、前記キャリア側の金属板端において金属板表面の角部のみを露出するように前記金属板に搭載されるようにしたものである。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0024】
図1は本発明の実施例を示す光モジュールの構成図であり、図1(a)はその平面図、図1(b)は図1(a)のA−A′線断面図である。
【0025】
この実施例では、これらの図に示すように、光素子として光変調器チップ14と、この光変調器チップ14を固定するためのチップキャリア1と、光信号の入出力用の光ファイバ2と、高周波電気信号を供給するための高周波端子5と、光信号を光変調器チップ14に入射するため及び光変調器チップ14から放射された光を集光するためのレンズ6と、このレンズ6を保持固定するためのレンズホルダ7と、これらレンズ6及びチップキャリア1を搭載するためのベース8と、チップキャリア1に搭載した光変調器チップ14を恒温するための電子冷却素子9と、上記構成部材を保持、収容するためのパッケージ4から構成されている。
【0026】
なお、図1において、10は終端抵抗器、16はマイクロストリップライン、18はリードである。
【0027】
図2は本発明の第1実施例のチップキャリアとその周辺の詳細図であり、図2(a)はその平面図、図2(b)は図2(a)の右側面図である。
【0028】
これらの図に示すように、チップキャリア1は、高周波端子5からの高周波電気信号を光変調器チップ14に供給するための高周波伝送線路であるマイクロストリップライン16を形成した高周波基板(誘電体基板)12と、高周波端子5側と逆側でこのマイクロストリップライン16の端に形成した整合用の終端抵抗器10と、この高周波基板12と光変調器チップ14を搭載する金属製のキャリアベース15から構成されている。
【0029】
このチップキャリア1の高周波端子5側の高周波基板12は、その長さがキャリアベース15よりも短くなっており、キャリアベース15の表面が露出している。
【0030】
パッケージ4側の高周波端子5は、セラミック等の表面にグランド(GND)−信号(SIG)−グランド(GND)のパターンを形成したグランド付きコプレーナ伝送線路19が接続されている。
【0031】
高周波端子5とチップキャリア1に形成された伝送線路は、ボンディングワイヤ17によってお互いに接続されている。高周波端子5側のGND端子は、チップキャリア1のキャリアベース15が露出している部分との間で接続され、高周波端子5側のSIG端子は高周波基板12上のマイクロストリップライン16と接続されている。
【0032】
以上のように、第1実施例によれば、チップキャリア1の伝送線路に、高周波基板12上のマイクロストリップライン16を用い、このキャリア1のパッケージ側にキャリアベース15が露出した部分を設けており、そしてパッケージ側の高周波端子5がグランド付きコプレーナ伝送線路19であり、これらマイクロストリップライン16と高周波端子5間をボンディングワイヤ17で接続することが可能であるので、以下のような効果が得られる。
【0033】
(1)チップキャリア1の伝送線路として形成スペースの小さいマイクロストリップライン16(グランド付きコプレーナ伝送線路19に比べ)が使用でき、レンズとキャリアとのぶつかりが防止でき、モジュールの小型化が可能となる。
【0034】
(2)パッケージとキャリア間がハードな部材で固定されていないので、熱膨張差等によるモジュールの劣化を防止でき、信頼性が増す。
【0035】
(3)パッケージとキャリア間がボンディングワイヤ17でのみ接続されているので、冷却特性に優れている。
【0036】
次に、本発明の第2実施例について説明する。
【0037】
図3は本発明の第2実施例を示すチップキャリアとその周辺の詳細図であり、図3(a)はその平面図、図3(b)は図3(a)の右側面図である。
【0038】
この実施例において、上記第1実施例と同様な部分については、同じ符合を付して、それらの説明は省略する。
【0039】
図3に示すように、この実施例では、基本的には、第1実施例の高周波端子部のみが変更された構造である。
【0040】
パッケージ4側の高周波端子51は、マイクロストリップライン20を形成したセラミック等の高周波基板(誘電体基板)21と、そのGNDとなる金属板22から構成されている。この高周波端子51のチップキャリア1側の高周波基板21は、その長さが金属板22よりも短くなっており金属板22の表面が露出している。
【0041】
高周波端子51とチップキャリア1に形成された双方のマイクロストリップライン、つまり、第1のマイクロストリップライン16と第2のマイクロストリップライン20は、ボンディングワイヤ17によってお互いに接続されている。また、そのマイクロストリップラインのGNDとなるキャリアベース15と金属板22の露出部分もボンディングワイヤ17によってお互いに接続されている。
【0042】
以上のように、第2実施例によれば、チップキャリア1とパッケージ側の高周波端子51が同様なマイクロストリップライン伝送線路から構成されており、GND接続用の金属部分が露出しており、同種の伝送線路を用いているため、第1実施例に比べ、高周波特性がさらに向上し、高周波端子51が容易に形成でき低コスト化を図ることができる。
【0043】
次に、本発明の第3実施例について説明する。
【0044】
図4は本発明の第3実施例を示すチップキャリアとその周辺の詳細図であり、図4(a)はその平面図、図4(b)はその右側面図である。
【0045】
この実施例において、上記第1及び第2実施例と同様な部分については、同じ符合を付して、それらの説明は省略する。
【0046】
この実施例では、チップキャリア61と高周波端子65上のそれぞれの高周波基板(誘電体基板)62と66は、それが凸形状に加工され、マイクロストリップライン16と20が先端部分まで形成されている。この構造により、金属板22とキャリアベース15は、部分的に高周波基板62と66から見て露出している。GND配線は、この露出部分間で行われる。
【0047】
以上のように、第3実施例によれば、露出部分を制限し、チップキャリア61と高周波端子65間のマイクロストリップラインの距離を、第1及び第2実施例に比べて短くすることが可能であるので、高周波特性をさらに向上することが可能となる。
【0048】
本発明は、更に以下の利用形態を有する。
【0049】
第1から第3実施例では、光素子として光変調器チップを適用した例について説明したが、光素子としては、レーザダイオード、ホトダイオードなどを用いた光モジュールにも適用可能である。また、第1から第3実施例で説明したチップキャリアと高周波端子構造をそれぞれ組み合わせた構成の光モジュールにも適用可能である。
【0050】
また、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能でありこれらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0051】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
【0052】
(1)請求項1記載の発明によれば、光素子キャリアとパッケージ側の高周波端子が同様なマイクロストリップライン伝送線路から構成されており、高周波端子のGND接続用の金属部分が露出しており、同種の伝送線路を用いているため、第1実施例に比べて、高周波特性がさらに向上し、高周波端子を容易に形成することができ、低コスト化を図ることができる。
【0053】
(2)請求項2記載の発明によれば、露出部分を制限し、チップキャリアと高周波端子間のマイクロストリップライン間の距離を、第2実施例に比べて短くすることが可能であるので、高周波特性をさらに向上することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例を示す光モジュールの構成図である。
【図2】 本発明の第1実施例を示すチップキャリアとその周辺の詳細図である。
【図3】 本発明の第2実施例を示すチップキャリアとその周辺の詳細図である。
【図4】 本発明の第3実施例を示すチップキャリアとその周辺の詳細図である。
【図5】 従来の光モジュールの構成を示す図である。
【図6】 従来の他の光モジュールの回路図である。
【図7】 従来の他の光モジュールの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
1,61 チップキャリア
2 光ファイバ
4 パッケージ
5,51,65 高周波端子
6 レンズ
7 レンズホルダ
8 ベース
9 電子冷却素子
10 終端抵抗器
12,21,62,66 高周波基板(誘電体基板)
14 光変調器チップ
15 キャリアベース
16,20 マイクロストリップライン
17 ボンディングワイヤ
18 リード
19 グランド付きコプレーナ伝送線路
22 金属板
51,65 高周波端子
Claims (2)
- 光素子と該光素子を搭載するための導電性のキャリアと光信号の入出力用の光ファイバと高周波電気信号を供給するために設けられた高周波端子と光素子を恒温するための電子冷却素子と第1のマイクロストリップラインが形成された第1の誘電体基板と上記構成部材を保持し、収容するためのパッケージからなる光モジュールの実装構造において、
金属板と該金属板上に設けられ第2のマイクロストリップラインが形成された第2の誘電体基板とを有する高周波端子がパッケージに設けられ、
前記第1の誘電体基板は、前記高周波端子側のキャリア端においてキャリア表面を露出するように前記キャリアに搭載され、
前記第2の誘電体基板は、前記キャリア側の金属板端において金属板表面を露出するように前記金属板に搭載され、
前記第1のマイクロストリップラインと前記第2のマイクロストリップラインとがワイヤにより接続され、
前記露出するキャリア表面と前記露出する金属板表面とがワイヤにより接続されていることを特徴とする光モジュールの実装構造。 - 請求項1記載の光モジュールの実装構造において、
前記第1の誘電体基板は、凸形状に加工され、前記第1のマイクロストリップラインが先端部分まで形成されているとともに、前記高周波端子側のキャリア端においてキャリア表面の角部のみを露出するように前記キャリアに搭載されており、
前記第2の誘電体基板は、凸形状に加工され、前記第2のマイクロストリップラインが先端部分まで形成されているとともに、前記キャリア側の金属板端において金属板表面の角部のみを露出するように前記金属板に搭載されていることを特徴とする光モジュールの実装構造。
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