JPH025614Y2 - - Google Patents

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JPH025614Y2
JPH025614Y2 JP1984146699U JP14669984U JPH025614Y2 JP H025614 Y2 JPH025614 Y2 JP H025614Y2 JP 1984146699 U JP1984146699 U JP 1984146699U JP 14669984 U JP14669984 U JP 14669984U JP H025614 Y2 JPH025614 Y2 JP H025614Y2
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layer
insulating layer
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heat
conductor
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、導体接続部の補強絶縁層をモールド
してなるゴム、プラスチツク電力ケーブルの中間
接続部に関するものである。
〔従来の技術〕
ゴム、プラスチツク絶縁ケーブルの接続部は、
接続すべき両ケーブル端の絶縁体を鉛筆削りし露
出させたケーブル導体をスリーブで圧縮接続した
後、該スリーブ上に未架橋の半導電性テープを巻
回し半架橋又は架橋状態にモールドし、その上に
金型をセツトし、金型内に架橋可能なEPゴムや
PE等を注入し加熱モールドして補強絶縁層を形
成していた。
〔考案が解決しようとする問題点〕
前記の従来の接続方法では、スリーブ上にテー
プを巻回して設けた半導電層が半架橋状態の場合
金型内に注入された補強絶縁層のモールド時に半
導電層がフローし易く半導電層に突起や凹凸等の
いわゆる不整が生ずる。
また、架橋状態にあつても樹脂注入時には高温
に保持されているため軟化しており注入樹脂の流
れにより半導電層の表層が削られカーボン粒子が
補強絶縁層に入り込む恐れがある等の問題点があ
つた。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案は上記問題点を解消する目的でなされた
ものでケーブル導体接続スリーブ上に、内側から
半導電層、高誘電率層、絶縁層からなり、各層を
密着して一体化してなる3層熱収縮チユーブを包
被させ、その上にEPゴムやPE等のモールド補強
絶縁層を設けてなるゴム、プラスチツク絶縁ケー
ブルの接続部である。
〔実施例〕
以下その一実施例を図面について説明する。
第1図は本考案のケーブル接続部を示す。第2
図は第1図に示す本考案ケーブル接続部の導体接
続スリーブ上に包被された3層熱収縮チユーブ1
を示す説明図で、内側からカーボンを適量混入し
たエチレン−エチルアクリレート共重合体や、架
橋ポリエチレン、EPゴム、酢酸ビニルなどをベ
ースとしてなる半導電層1aと、前記のベース樹
脂に酸化チタンやチタン酸バリウムなどの強誘電
物質またはカーボン粉末などを配合して、誘電率
を10〜60、抵抗率を105〜1014Ω−cmにした高誘電
率層1bと、前記のベース樹脂からなる絶縁層1
cとを互に密着して一体化してなる3層熱収縮チ
ユーブである。熱収縮チユーブの各層は架橋され
ていることが好ましい。
本考案は斯る構造の熱収縮チユーブ1を予め鉛
筆削りした接続すべき一方のケーブル端露出導体
2上に挿通しておいて両ケーブル導体2,2をス
リーブ3で圧縮接続した後ち、一方の導体側に寄
せておいた熱収縮チユーブ1をスリーブ3上に引
延して被せ外部から加熱収縮させて導体接続部の
遮へい層を形成する。
然る後第3図に示すように導体接続部上に二ツ
割金型6を被せ金型内に樹脂を圧入して補強絶縁
層4を形成し、その外周面に外部導電層5を設け
第1図に示すケーブル接続部を構成する。
〔考案の効果〕
本考案は導体接続部上の遮へい層を、内側から
半導電層1a、高誘電率層1b、絶縁層1cの3
層よりなる熱収縮チユーブ1を熱収縮させて形成
したものであるから、金型内に注入された補強絶
縁層のモールドの際に発生する導体接続部上遮へ
い層の不整はある程度防止できる。さらに、多少
の不整が生じたとしても高誘電率層1bによつて
電気的に緩和されるので電気的弱点とならない。
また、金型内の注入樹脂の流れによつてカーボ
ン粒子が補強絶縁層に入り込むといつた問題は熱
収縮チユーブの絶縁層1cによつて解消できる。
これらの結果、耐電圧特性の優れた、信頼性の
高いケーブル接続部が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案ケーブル接続部の一実施例を示
す説明図、第2図は本考案ケーブル接続部の導体
接続部遮へい層を形成する熱収縮チユーブを示す
説明図、第3図は接続部の補強絶縁層成形法の一
実施例を示す説明図である。 1……熱収縮チユーブ、2……ケーブル導体、
3……導体接続スリーブ、4……補強絶縁層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ケーブル導体接続スリーブ上に導体遮へい層を
    設け、該導体遮へい層上に補強絶縁層を形成して
    なるゴム、プラスチツク絶縁ケーブルの接続部に
    おいて、前記導体遮へい層を、内側から半導電層
    と高誘電率層と絶縁層とを密着して一体化してな
    る熱収縮チユーブで形成してなることを特徴とす
    るゴム、プラスチツク絶縁ケーブルの接続部。
JP1984146699U 1984-09-28 1984-09-28 Expired JPH025614Y2 (ja)

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JPS6162525U JPS6162525U (ja) 1986-04-26
JPH025614Y2 true JPH025614Y2 (ja) 1990-02-09

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5953631B2 (ja) * 1979-08-24 1984-12-26 株式会社日立製作所 記憶制御装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5953631U (ja) * 1982-09-30 1984-04-09 日東電工株式会社 多層構造を有する熱収縮性チユ−ブ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5953631B2 (ja) * 1979-08-24 1984-12-26 株式会社日立製作所 記憶制御装置

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JPS6162525U (ja) 1986-04-26

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