JPH025416A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH025416A JPH025416A JP15548988A JP15548988A JPH025416A JP H025416 A JPH025416 A JP H025416A JP 15548988 A JP15548988 A JP 15548988A JP 15548988 A JP15548988 A JP 15548988A JP H025416 A JPH025416 A JP H025416A
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- Japan
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- film
- chip
- semiconductor integrated
- integrated circuit
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- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特に半導体集積回
路チップの表面保護膜に関する。
路チップの表面保護膜に関する。
従来、この種の半導体集積回路チップは外部からの電気
的、物理的影響による誤動作、損傷等を防止するためシ
リコン基板上に回路パターンを形成した後、外部リード
等をボンディングワイヤーで接続される電極パッド部を
除き回路パターン部上を絶縁保護膜で被う構造となって
いた。
的、物理的影響による誤動作、損傷等を防止するためシ
リコン基板上に回路パターンを形成した後、外部リード
等をボンディングワイヤーで接続される電極パッド部を
除き回路パターン部上を絶縁保護膜で被う構造となって
いた。
上述した従来の半導体集積回路チップは、電極パッド部
を除き、チップ表面は絶縁膜に覆われているので、チッ
プ表面が帯電しやすく、静電気によりチップ表面に塵が
付着、あるいは静電気による回路の誤動作等の諸々の問
題点を有している。
を除き、チップ表面は絶縁膜に覆われているので、チッ
プ表面が帯電しやすく、静電気によりチップ表面に塵が
付着、あるいは静電気による回路の誤動作等の諸々の問
題点を有している。
本発明の半導体集積回路チップは、チップ表面の電極パ
ッド部以外に形成された絶縁膜と、その絶縁膜上に形成
され、その一端がチップ上の接地電位に接続される電極
パッドに接続された導電性膜とを有している。このよう
な構成によりチップ上の絶縁膜に生じる静電気を効果的
に取り除くことができる。
ッド部以外に形成された絶縁膜と、その絶縁膜上に形成
され、その一端がチップ上の接地電位に接続される電極
パッドに接続された導電性膜とを有している。このよう
な構成によりチップ上の絶縁膜に生じる静電気を効果的
に取り除くことができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明を示す半導体集積回路チップの平面図で
ある。第１図において絶縁保護膜４が半導体集積回路チ
ップ１上の電極パッド２を除く全面に形成され、絶縁保
護膜４上に薄い導電性膜５が形成されている。導電性膜
５はチップ１上の接地電極パッド３に接続されている。
ある。第１図において絶縁保護膜４が半導体集積回路チ
ップ１上の電極パッド２を除く全面に形成され、絶縁保
護膜４上に薄い導電性膜５が形成されている。導電性膜
５はチップ１上の接地電極パッド３に接続されている。
この絶縁保護膜４としてはＰＳＧ、ＢＳＧ等が好適に用
いられる。第２図は第１図に示したチップのＡ−Ａ’線
断面図である。半導体集積回路チップ１はシリコン基板
上に回路パターンとチップ１内の回路と外部との電気的
導通をとる電極パッド２から構成される。チップ１上に
は回路パターンを保護するために電極パッド２以外のチ
ップ１表面に絶縁保護膜４がたとえば０．５〜１．５μ
ｍの厚さで形成されている。この絶縁保護膜４上には導
電性膜５がたとえば金を数百人程度の厚さに蒸着して形
成される。この薄い導電性膜５は絶縁保護膜４の帯電を
防止するため接地電極パッド３に接続される。このよう
な構成において、さらに各電極パッドにポンディングワ
イヤを接続して外部との導通をとる。
いられる。第２図は第１図に示したチップのＡ−Ａ’線
断面図である。半導体集積回路チップ１はシリコン基板
上に回路パターンとチップ１内の回路と外部との電気的
導通をとる電極パッド２から構成される。チップ１上に
は回路パターンを保護するために電極パッド２以外のチ
ップ１表面に絶縁保護膜４がたとえば０．５〜１．５μ
ｍの厚さで形成されている。この絶縁保護膜４上には導
電性膜５がたとえば金を数百人程度の厚さに蒸着して形
成される。この薄い導電性膜５は絶縁保護膜４の帯電を
防止するため接地電極パッド３に接続される。このよう
な構成において、さらに各電極パッドにポンディングワ
イヤを接続して外部との導通をとる。
この場合、導電性膜５は薄く形成されているので、通常
のポンディングワイヤが行なえる。また本実施例では導
電性膜５として金を用いたが耐腐食性が高く電導性の高
い物質であれば問題はなく、たとえば安価のアルミニウ
ムを用いれば容易に実現できる。
のポンディングワイヤが行なえる。また本実施例では導
電性膜５として金を用いたが耐腐食性が高く電導性の高
い物質であれば問題はなく、たとえば安価のアルミニウ
ムを用いれば容易に実現できる。
以上説明したように本発明は、半導体集積回路チップ表
面に薄い導電性膜を形成することにより、半導体集積回
路表面の帯電を防止し、静電気によるゴミの付着、回路
の誤動作等を防ぐ効果がある。
面に薄い導電性膜を形成することにより、半導体集積回
路表面の帯電を防止し、静電気によるゴミの付着、回路
の誤動作等を防ぐ効果がある。
第２図は本発明の実施例を示す平面図、第１図は第２図
のＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・・・・半導体集積回路チップ、２・・・・・・
電極パッド、３・・・・・・接地電極パッド、４・・・
・・・絶縁保護膜、５・・・・・・導電性膜 代理人 弁理士 内 原 晋
のＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・・・・半導体集積回路チップ、２・・・・・・
電極パッド、３・・・・・・接地電極パッド、４・・・
・・・絶縁保護膜、５・・・・・・導電性膜 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体集積回路チップ上に設けられた電極パッドと、該
電極パッド部以外の前記半導体集積回路チップ表面に形
成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成され所定の電位に
接続される前記電極パッドと電気的に接続された導電性
膜とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15548988A JPH025416A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15548988A JPH025416A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025416A true JPH025416A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15607164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15548988A Pending JPH025416A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6570203B2 (en) | 2000-09-18 | 2003-05-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP15548988A patent/JPH025416A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6570203B2 (en) | 2000-09-18 | 2003-05-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6706540B2 (en) | 2000-09-18 | 2004-03-16 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing a semiconductor device with a hydrogen barrier layer |
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