JPH0251584A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

液晶組成物およびこれを含む液晶素子

Info

Publication number
JPH0251584A
JPH0251584A JP20244588A JP20244588A JPH0251584A JP H0251584 A JPH0251584 A JP H0251584A JP 20244588 A JP20244588 A JP 20244588A JP 20244588 A JP20244588 A JP 20244588A JP H0251584 A JPH0251584 A JP H0251584A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formulas
liquid crystal
tables
mathematical
chemical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20244588A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Shinjo
健司 新庄
Masataka Yamashita
眞孝 山下
Masahiro Terada
匡宏 寺田
Gouji Toga
門叶　剛司
Akio Yoshida
明雄 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP20244588A priority Critical patent/JPH0251584A/ja
Priority to ES89112756T priority patent/ES2059650T3/es
Priority to DE1989609718 priority patent/DE68909718T2/de
Priority to AT89112756T priority patent/ATE95551T1/de
Priority to EP19890112756 priority patent/EP0355374B1/en
Priority to US07/378,824 priority patent/US5173211A/en
Publication of JPH0251584A publication Critical patent/JPH0251584A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。
〔背景技術〕
従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
”Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　
　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１，２，１５）、Ｐ
、１２７〜１２８の“Ｖｏｌｔａｇｅ−３ｐｅｎｄｅｎ
ｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　
　ａＴｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　
Ｃｒｙｓｔａ１″に示されたＴＮ　（ｔｗｉｓｔｅｄ　
　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものである。
これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。
しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）力月／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さ（なり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。
このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。
この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
　ａ　ｇ　ｅ　ｒ　ｗ　ａ　１１により提案されている
（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６
７９２４号明細書等）。双安定性液晶としては一般に、
カイラルスメクテイックＣ相（ＳｍＣ木）又はＨ相（Ｓ
ｍＨ’）を有する強誘電性液晶が用いられる。この強誘
電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２の
光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従って前述
のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、
例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定状
態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第２
の光学的安定状態に液晶が配向される。また、この型の
液晶は、加えられる電界に応答して、上記２つの安定状
態のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはその
状態を維持する性質（双安定性）を有する。
以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。
このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。・特に、高速光学光シャッ
ターや、高密変、大画面デイスプレィへの応用が期待さ
れる。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く
研究がなされているが、現在までに開発された強誘電性
液晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶
素子に用いる十分な特性を備えているとは云い難い。
したがって応答速度を速くするには、 （ア）自発分極の大きさＰｓを大きくする（イ）粘度η
を小さくする （つ）印加電圧Ｅを高くする 方法がある。しかし印加電圧は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。
よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を大きくする必要がある。
−船釣に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。又、いたずらに自発分極を太
き（しても、それにつれて粘度も大きくなる傾向にあり
、結果的には応答速度はあまり速（ならないことが考え
られる。
また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が７般に
２０倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限界
を越えているのが現状である。
以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低（高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。
代表的な強誘電性液晶セルの構成は、ガラス基板上にＩ
ＴＯ等で電極パターンを形成し、その上にＳｉＯ□等で
上下基板のショート防止層を形成（約１０００人）、そ
の上にポリイミド（ｐｒ　、東し社５Ｐ５１０゜５Ｐ７
１０等）膜を４００人位の膜厚で形成し、さらにＰＩ膜
をラビング処理したものを上下対称な配向になるように
向かいあわせて構成し、その基盤間隔を１〜３μｍに保
つものである。
一方、このような条件下で配列した強誘電性液晶は、一
般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の配
向を示さないことが知られている（スプレー配向）。こ
のような場合問題点のひとつに液晶層の透過率が低いこ
とである。
透過光量は分子配向の一軸を仮定すると、クロスニコル
下で入射光■０の強度に対してＩの強度を得る。
ここで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θユは双安定状態間の角度（チルト角）である
。
前述のセルを用い、スプレー配向をとった場合、現状で
はθ、は５〜８°である。Δｎｄπ／λのコントロール
は物性的に簡単に行えないのでθユを大きくして、■を
太き（したいが、スタティックな配向手法によってはな
かなか達成できない。
このような問題に対して、強誘電性液晶のΔε項のトル
クを用いることにより、θ１を広げられることが知られ
ている（　１９８３年ＳＩＤでＡＴＴにより発表、特開
昭６１−２４５１４２号、特開昭６１−２４６７２２号
、特開昭６１−２４６７２３号、特開昭６１−２４６７
２４号、特開昭６１−２４９０２４号、特開昭６１−２
４９０２５号）。
液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により基
板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち、
スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加する
ことにより、かかるねじれ配列を解消し、θ、を増大さ
せて透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ効
果）。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
、第一に応答速度が速く、しかもその応答速度の温度依
存性が軽減されたカイラルスメクチック液晶組成物およ
びかかる液晶組成物を使用する液晶素子を提供すること
、また、第二に本発明の液晶組成物を用いることにより
、ＡＣスタビライズ効果をもたせ、表示特性を大きく向
上させられる液晶素子を提供することにある。
（以下余白） ・ノー一二二５ 〔問題を解決するための手段〕 下記一般式 ％式％） 本発明は下記一般式 Ｒ３Ｘ３　　ＡＩ　　Ｚ＋ Ｂ−６２２−Ａ２　　Ｘ４）、１Ｒ４ （ｎ） （ただし、 式中、 は置換基を有していてもよいＣ１〜ＣＩ８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基、 は単結合。
Ｏ Ｏ Ｚ］ は単結合。
ｌは１−１２゜） ｘ　３・ は 単結合、 で示される化合物の少なくとも一種と、Ｒ３゜ Ｒ４は またはＣ １〜ＣＩ８の置換基を 有してよい直鎖状又は分岐状のアルキル基、５は−Ｈ２ −ＣＨ３、 ｎはＯまたは１０） で示される化合物の少なくとも１種とを含有する前記一
般式 で示される化合物の具体的な構 ことを特徴とする強誘電性カイラルスメクチック造式の
例を以下に示す。
液晶組成物ならびにかかる液晶組成物を一対の電極基板
間に配置してなる液晶素子を提供するものである。
（以下余白） と−一 （ｌ （ｌ 一般式 で示される化合物は下記に示すような 合成経路Ａ、Ｂ、Ｃで得ることができる。
合成経路Ａ 合成経路Ｂ 合成経路Ｃ （Ｘ　ｌ　ニー０−） 一般式（１）で示される化合物の代表的な合成例を以下
に示す。
合成例１（化合物Ｎｏ、１−１７の合成）ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェノール１．ＯＯｇ（４、１６ｍ
　Ｍ　）をピリジン１０ｍｎ、）ルエン５ｍ、ｆｆに溶
解させ、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカ
ルボン酸クロライド１　、３０　ｇ　（６、ＯＯｍ　Ｍ
　）をトルエン５ｍＩ！に溶解した溶液を、５°Ｃ以下
、２０〜４０分間で滴下した。滴下後、室温で一晩撹拌
し、白色沈殿を得た。
反応終了後、反応物をベンゼンで抽出し、さらにこのベ
ンゼン層を蒸留水で洗ったのち、ベンゼン層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ベンゼンを留去した。さらにシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらに
エタノール、／メタノールで再結晶して、トランス−４
−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−ｐ−２−フ
ルオロオクチルオキシフェニルエステル１．２０ｇ　（
２，８５ｍＭ）を得た。（収率６８．６％） ＮＭＲデータ（ｐｐｍ） ０．８３〜２．８３ｐｐｍ　　（３４Ｈ，ｍ）４　、　
ＯＯ〜４　、５０　ｐ　ｐ　ｍ　　（２ＨＸｑ　）７、
ｌｌｐｐｍ　　　　　　　（４Ｈ，５）ＩＲデータ（ｃ
　ｍ　’　） ３４５６、　２９２８．　２８５２．　１７４２．　１
５０８゜１４７０、　１２４８．　１２００．　１１６
６、　１１３２゜８５４゜ 相転移温度（０Ｃ） （ここで、Ｓ３．Ｓ４．Ｓ５．Ｓ６は、Ｓ　ｍ　Ｃ木よ
りも秩序度の高い相を示す。） 合成例２（化合物Ｎｏ、１−３４の合成）十分に窒素置
換された容器に、（−）−２−フルオロヘプタツール０
．４０ｇ　（３，０ｍｍｏｌ）と乾燥ピリジン１　、　
ＯＯｇ　（１３ｍ　ｍ　ｏ　１　）を入れ水冷下で３０
分間撹拌した。その溶液にｐ−ｔ−ルエンスルホン酸り
ロリド０．６９ｇ　（３，６ｍｍｏｌ）を加え、そのま
ま５時間撹拌を続けた。反応終了後、ＩＮＨ（Ｊ！１０
ｍＡを加え、塩化メチレン１０ｍ＋１！で２回抽出を行
った後、その抽出液を蒸留水１０ｍｊ！で１回洗浄した
。得られた塩化メチレン溶液に無水硫酸ナトリウムを適
宜加えて乾燥したのち、溶媒を留去しく＋）　−２フル
オロヘプチルｐ−）ルエンスルホン酸エステル０　、５
９　ｇ　（２、０ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　）を得た。
収率は６６％である。生成物の比旋光度およびＩＲデー
タは下記の通りである。
比旋光度［αコ賃’＋２．５９゜ （ｃｍ　１　、ＣＨＣｆ　　３）。
比旋光度［αコ溜＋９．５８゜ （ｃｍ　Ｉ　Ｓ　ＣＨＣｆ　　３）。
ＩＲ（ｃｍ−１）： ２９００、　　２８５０、　　１６００．　　　１４５
０゜１３５０、　　１１７０、　　１０９０、　　９８
０１８１０、　　　６６０、　　　５５００上記のよう
にして得られた（＋）−２−フルオロヘプチルｐ−トル
エンスルホン酸エステル０．４３ｇ（１、５ｍ　ｍ　ｏ
　ｌ　）と５−オクチル−２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）ピリミジン０．２８ｇ　（１，０ｍｍｏｌ）に１−
ブタノール０．２　ｍ　！！を加えよく撹拌した。その
溶液に、あらかじめｌ−ブタノール１．０ｒｒ＋Ｉｌに
水酸化ナトリウム０．０４８ｇ　（１，２ｍｍｏ＋）を
溶解させて調製しておいたアルカリ溶液を速やかに注ぎ
５時間半、加熱還流した。反応終了後蒸留水１０　ｍ　
Ｉ！を加え、ベンゼン１０ｍ１および５ｍＩ！でそれぞ
れ１回づつ抽出を行った後、その抽出液に無水硫酸ナト
リウムを適宜加えて乾燥した。乾燥後、溶媒を留去し、
シリカゲルカラム（クロロホルム）により目的物である
（＋）−５−オクチル−２−［４（２−フルオロヘプチ
ルオキシ）フェニル］ピリミジン０　、１７　ｇ　（０
、４３ｍ　ｍ　ｏ　１　）を得た。
収率は４３％であり、以下のような比旋光度およびＩＲ
データが得られた。
比旋光度［α］ｆ”＋０．４４゜ （ｃｍ１、ＣＨＣｊｌ！　　３）。
比旋光度［α］溜＋４．１９゜ （ｃｍ１、ＣＨ（１３）。
ＩＲ（ｃｍ−１）： ２９００、２８５０．　１６００、１５８０゜１４２０
、　　１２５０、１１６０、８００゜７２０、　　６５
０、　５５０゜ 前記一般式（ＩＩ）で示される化合物の具体的な構造式
の例を以下に示す。
Ｌ　”ヨ （２〜１５） しＭ　２　Ｌ：ｔｌＬ：　２Ｈ５ Ｎ 前記一般式（ＩＩ）で示される化合物は、例えばＵＳＰ
４，５１０，０６９、フライブルガーアルバイツターグ
ング　フルースイツヒ　クリスターレ（Ｆｒｅｉｂｕｒ
ｇｅｎＡｒｂｅｉｔｓｔａｇｕｎｇ　　Ｆｌｕｓｓｉｇ
ｋｒｉｓｔａｌｌｅ）１１６（１９８６年）等に記載さ
れる合成法により得られる。
代表的な合成例を以下に示す。
合成例２（化合物Ｎｏ、２−５２の合成）５０ｍｌナス
フラスコに下記化合物２．５ｇと臭化ブチル４．１ｇを
入れ、 ７ｍ！！のトルエンに溶解させた。次に０．４３ｇのナ
トリウムアミド５０％トルエン溶液を添加し、その後５
時間加熱還流を行った。得られた粗製物はシリカゲルク
ロマトグラフィーにて精製し、目的のγ−１−シアノー
１−ブチルーシス−４−（トランス−４−ブチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキサンを得た。
ｍ、ｐ、９°Ｃ，Ｃ，り３６℃ 本発明の液晶組成物は、前記一般式（Ｉ）で示される化
合物の少なくとも１種、前記一般式（ｎ）で示される化
合物の少なくとも１種とを、適当な割合で混合すること
により得ることができる。
又、本発明による液晶組成物と、他の液晶性化合物１種
以上とをさらに適当な割合で混合し、本発。
明の液晶組成物としても良い。
又、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物、
特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好まし
い。
本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。
１１、ｘ−Ｊ ｎ−Ｃ８Ｈ１７０＋ＣＯ３＋　ＯＣＲ２ＣｌＩＣ２Ｈ５
ネ （ｓｂ　） υ υ υ υ υ υ υ 本発明の一般式（Ｄで示される液晶性化合物、一般式（
ＩＩ）で示される液晶性化合物それぞれと、上述した他
の液晶性化合物一種以上、あるいは、それを含む強誘電
性液晶性組成物（強誘電性液晶材料と略す）との配合割
合は、強誘電性液晶材料１００重量部当り、本発明一般
式（Ｉ）、一般式（ＩＦ）で示される液晶性化合物それ
ぞれを１〜３００重量部、より好ましくは１〜１００重
量部とすることが好ましい。
また、本発明の一般式（１）、一般式（ＩＩ）で示され
る液晶性化合物のいずれか、あるいは全てを２種以上用
いる場合も強誘電性液晶材料との配合割合は前述した強
誘電性液晶材料１００重量部当り、本発明一般式（１）
、一般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物のいずれか、
あるいは全ての２種以上の混合物を１〜５００重量部、
より好ましくは１〜１００重量部とすることがのぞまし
い。
第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。
第１図において符号ｌは強誘電性液晶層、２−（まガラ
ス基板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はス
ペーサー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は
光源を示している。
２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤
０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所
定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させる
ことができる。
絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ、好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。
この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。
この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。
強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。
また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）を
有し、高速応答性を有することが望ましい。さらに応答
速度の温度依存性が小さいこと、および駆動電圧マージ
ンが広いことが望まれる。
また、特に素子とした場合に良好な均一配向性を示すモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−Ｓ’ｍ　Ａ相（スメ
クチックＡ相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ
相）という相転移系列を有していることが望ましい。
透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。
またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。
第１図は透明型なので光源９を備えている。
第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ　２０３　、　ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透
明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に
液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍＣ＊相またはＳｍＨ＊相の液晶が封入されている。太
線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント
（Ｐ±）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２
３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）２
４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方
向を変えることができる。液晶分子２３は細長い形状を
有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄（なるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥｂ
を電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極
子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに対
応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え、
それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかある
いは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。
その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。
以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物１
−Ａを作成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 例示化合物Ｎｏ。
構　　造　　式 更に、この液晶組成物１−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
１−Ｂを作成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 次に、この液晶組成物１−Ｂを以下の手順で作成したセ
ルを用いて、素子特性等を観察した。
２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした。
この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−７１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２５
０Ｏｒｐｍ、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後
、６０分間、３００°Ｃ加熱縮合焼成処理を施した。こ
の時の塗膜の膜厚は約２００人であった。
この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンポンド（
チッソ（掬）コを用いてガラス板を貼り合わせ、６０分
間、１００°Ｃにて加熱乾燥し、セルを作成した。この
セルのセル厚をベレツク位相板によって測定したところ
約１．５μｍであった。
このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５°Ｃまで徐冷する
ことにより、強誘電性液晶素子を作成した。
この強誘電性液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク
電圧Ｖｐｐ＝２５Ｖの電圧印加により、直交ニコル下で
の光学的な応答（透過光量変化０〜９０％）を検知して
応答速度（以後、光学応答速度という）を測定した。そ
の結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ９３５ｐ　ｓｅｃ　　　　３５０　μｓｅｃ　　　　１
４２　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコン
トラストは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察
され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例１ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−２１．　１−３３．　１−１０２を混
合せずにｌ−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−２７．
２−６３゜２−１０３のみを実施例１と同じ重量部で混
合した液晶組成物１−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、２−
２７゜２−６３．　２−１０３を混合せずに１−Ａに対
して例示化合物Ｎｏ、１−２１．　１−３３．　１−１
０２のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物
１−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物１−Ｃ，１−Ｄ及び１−Ａを用いた
以外は、全（実施例１．と同様の方法でそれぞれ強誘電
性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答
速度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　２５°０　　　　４０°ＣＩ　−Ａ　　
　　１３６０μｓｅｃ　　　４３０μｓｅｃ　　　　１
４７μ５ｅｃ１−ＣＩ４１６　μｓｅｃ　　　４６０　
μｓｅｃ　　　　１５３　μｓｅｃ１−Ｄ　　　　９４
０ｐｓｅｃ　　　３４２μｓｅｃ　　　　１２３μｓｅ
ｃ実施例１と比較例１より明らかな様に、本発明による
液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温にお
ける作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度
の温度依存性も軽減されている。
実施例２ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物２
−Ａを作成した。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 構　　造　　式 重量部 更に、この液晶組成物２−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
２−Ｂを作成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ ９６０μｓｅｃ　　　　３８０　μｓｅｃ　　　　１３
７１．ｔ　ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストは１４であり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。
比較例２ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−２１．　１−３３．　１−１０２を混合
せずに２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２７．２−
６３゜２−１０３のみを実施例１と同じ重量部で混合し
た液晶組成物　２−０１および例示化合物Ｎｏ、　２−
２７　。
２−６３．２−１０３を混合せずに２−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、！−２１，１−３３，１−１０２のみを実
施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物２−Ｄを作成
した。
これらの液晶組成物２−Ｃ，２−Ｄ及び２−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０’ｃ　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ２−Ａ　　　　１４１０　μｓｅｃ　　　４３５　ｐ　
ｓｅｃ　　　１５５　μ５ｅｃ２−ＣＩ４３７　μｓｅ
ｃ　　　４４２　μｓｅｃ　　　１５８　μ５ｅｃ２−
Ｄ　　　　９７２　μｓｅｃ　　　３３８　ｐ　ｓｅｃ
　　　１２５　ｐ　ｓｅｃ実施例２と比較例２より明ら
かな様に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性
液晶素子の方が低温における作動特性、高速応答性が改
善され、また、応答速度の温度依存性も軽減されている
。
（以下、余白） 実施例３ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物３
−Ａを作成した。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 構　　造　　式 重１部 更に、この液晶組成物３−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
３−Ｂを作成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ９９０ｐ　ｓｅｃ　　　　３４９　μｓｅｃ　　　　　
１２８　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストは１２であり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。
比較例３ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−２１．　１−３３．　１−１０２を混合
せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２７．２−
６３゜２−１０３のみを実施例１と同じ重量部で混合し
た液晶組成物３−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、　２−２
７　。
２−６３．２−１０３を混合せずに３−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、１−２１．　１−３３．　１−１０２のみ
を実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物３−Ｄを
作成した。
これらの液晶組成物３−Ｃ，３−Ｄ及び３−Ａを用いた
以外は、全（実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ３−Ａ　　　　
　１１５５μｓｅｃ　　　３６２μｓｅｃ　　　１３３
μ５ｅｃ３−ＣＩ２６１　μｓｅｃ　　　３９７　μｓ
ｅｃ　　　１４５　ｐ　５ｅｃ３−Ｄ　　　　　９８５
　ｐ　ｓｅｃ　　　３３６　μｓｅｃ　　　１２１　μ
ｓｅｃ実施例３と比較例３より明らかな様に、本発明に
よる液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温
における作動特性、高速応答性が改善され、また、応答
速度の温度依存性も軽減されている。
実施例４ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全（実施例１と同様の方法で強誘電
性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答
速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ ９４２μｓｅｃ　　　　３４２μｓｅｃ　　　　１３６
μｓｅｃまた、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラ
ストは１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され
、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例４ 実施例４で使用した液晶組成物４−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−１．　１−１１７を混合せずにｌ−Ａに
対して例示化合物Ｎｏ、　２−２８．２−４９．２−１
０８のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物
４−０１および例示化合物Ｎｏ、　２−２８．２−４９
゜２−１０８を混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎ
ｏ、　ｌ−１，］　　１１７のみを実施例１と同じ重量
部で混合した液晶組成物４−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物４−Ｃ，４−Ｄ及び１−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ Ｉ　−Ａ　　　　　１３６０μｓｅｃ　　　４３０μｓ
ｅｃ　　　１４７μ５ｅｃ４−Ｃ１３８０ｐ　ｓｅｃ　
　　４５３　μｓｅｃ　　　１５１　ｕ、５ｅｃ４−Ｄ
　　　　　９４６７ｚｓｅｃ　　　３３６μｓｅｃ　　
　　１１６ｐｓｅｃ実施例４と比較例４より明らかな様
に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素
子の方が低温における作動特性、高速応答性が改善され
、また、応答速度の温度依存性も軽減されている。
（以下余白） 乙二」 実施例５ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物５−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の方法で強誘電
性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答
速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １００Ｃ２５°Ｃ４０’Ｃ ９７８μｓｅｃ　　　　３７２　μｓｅｃ　　　　１３
３　μｓｅｃまた、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコン
トラストは１１であり、明瞭なスイッチング動作が観察
され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例５ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、ｌ−１，ｌ−１１７を混合せずに２−Ａに対
して例示化合物Ｎｏ、　２−２８．２−４９．２−１０
８のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物５
−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、　２−２８．２−４９゜
２−１０８を混合せずに２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ
、ｌ−１，１−１１７のみを実施例１と同じ重量部で混
合した液晶組成物５−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物５−Ｃ，５−Ｄ及び２−Ａを用いた
以外は、全（実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０°０　　　　２５°０　　　　４０℃２−Ａ　　　
　　Ｉ４１０　μｓｅｃ　　　４３５　ｐ　ｓｅｃ　　
　１５５μ５ｅｃ５−Ｃ１４０５ｐ　ｓｅｃ　　　４３
２　μｓｅｃ　　　１５５μ５ｅｃ５−Ｄ　　　　　９
８６　μｓｅｃ　　　３４２　μｓｅｃ　　　１２０　
μｓｅｃ実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低
温における作動特性、高速応答性が改善され、また、応
答速度の温度依存性も軽減されている。
実施例６ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物６−Ｂを得た。
例示化合物ＮＯ１構　造　式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０６０２５℃　　　　　４０°０ ９８５　μｓｅｃ　　　　３４０　μｓｅｃ　　　　１
２４　ｐ　ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。
比較例６ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−１．　１−１１７を混合せずに３−Ａに
対して例示化合物Ｎｏ、　２−２８．．２−４９．２−
１０８のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成
物６−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、２−２８．２−４９
゜２−１０８を混合せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎ
ｏ、１−１．　１−１１７のみを実施例１と同じ重量部
で混合した液晶組成物６−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物６−Ｃ，６−Ｄ及び３−Ａを用いた
以外は、全（実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
光学応答速度 １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ ３−Ａ　　　　　１１５５　μｓｅｃ　　　３６２　μ
ｓｅｃ　　　１３３　μ５ｅｃ６−Ｃ１１８４μｓｅｃ
　　　３６５　μｓｅｃ　　　１３８　μ５ｅｃ６−Ｄ
　　　　　９８６　μｓｅｃ　　　３２９１ｔ　ｓｅｃ
　　　１１５　μｓｅｃ実施例６と比較例６より明らか
な様に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液
晶素子の方が低温における作動特性、高速応答性が改善
され、また、応答速度の温度依存性も軽減されている。
（以″下余・白） しＬ 実施例７ 実施例１において、液晶組成物１−Ｂを用いて作成した
液晶素子と、比較例１において液晶組成物１−Ａを用い
て作成した液晶素子を２５℃において直交ニコル下偏光
顕微鏡観察下、それぞれ、スイッチングをさせてチルト
角を測定したところ、１−Ａは８．０°、１−Ｂは８゜
５°であった。次に、スイッチング電界の他に６０ＫＨ
ｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加しながらチルト角を
測定したところ、１−Ａは９．３°、ｌ−Ｂは１４．５
°　になった。この時コントラスト比を測定したところ
、１−Ａは１０　、１゜１−Ｂは３５：１であった。以
上のことから本発明の液晶組成物はＡＣスタビライズ効
果による。表示特性向上に大変有効であることがわかっ
た。
実施例８〜１２ 実施例２．　３．４．　５．６で作成した本発明の液晶
組成物からなる液晶素子と、比較例１．２．３において
１−Ａ、２−Ａ、３−Ａを用いて作成した液晶素子をそ
れぞれ用いて実施例７と全く同様にチルト角を測定した
。
結果を下に示す。
使用液晶素子　　初期チルト角　　６０ＫＨｚ　±８ｖ
電界印加時チルト角 １−Ａ８．０°　　　　　　　９．３゜実施例８　　　
４−Ｂ　　　　　　　８．０°　　　　　　　１３．９
゜２−　Ａ　　　　　　　７．６°　　　　　　　８．
７゜実施例９２−Ｂ８．３°　　　　　　　１３．３゜
実施例１０５−Ｂ８．２°　　　　　　　１３．０゜３
−　Ａ　　　　　　　７．３°　　　　　　　８．２゜
実施例１１３−Ｂ８．２°　　　　　　　１３．６゜実
施例１２６−Ｂ７．９°　　　　　　　１２．９゜以上
のことから本発明の液晶組成物を用いた液晶素子は、Ａ
Ｃスタビライズ効果による表示特性向上に大変有効であ
ることがわかった。
〔発明の効果〕
本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、低温作動特性の改善された液晶素
子、及び応答速度の温度依存性の軽減された液晶素子と
することができる。
また、ＡＣスタビライズ効果による表示方法に用いる場
合、表示特性が大幅に改善できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
第１図は強誘電性液晶を用いた液晶素子の一例の断面概
略図。 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作。 説明のために、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図
。 第１図において、 １・・・・・・・・・・・・・・強誘電性液晶層２・・
・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３・・・・・
・・・・・・・・・・・・・透明電極４・・・・・・・
・・・・・・絶縁性配向制御層５・・・・・・・・・・
・・・・・・スペーサー６・・・・・・・・・・・・・
・・・・・リード線７・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・電源８・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・偏光板９・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光源ｉｏ・・・・・・・・・・・・・・・・・・入射
光■・・・・・・・・・・・・・・・・・・・透過光第
２図において、 １ａ １ｂ 第３図において、 １ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ４ａ ４ｂ ａ ｂ 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ土） 電圧印加手段 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、式中、 Ｒ＿１は置換基を有していてもよいＣ＿１〜Ｃ＿１＿８
    の直鎖状又は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿１は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿２は
    単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｚ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    もしくは▲数式、化学式、表等があります▼、 ｌは１〜１２。） で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） Ｒ＿３−Ｘ＿３−Ａ＿１−Ｚ＿１−Ｂ■Ｚ＿２−Ａ＿２
    −Ｘ＿４■＿ｎＲ＿４（II）（ただし、式中Ａ＿１は▲
    数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿２は単結合、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
    、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、Ｂは▲数式、化学式、表等がありま
    す▼、 Ｚ＿１、Ｚ＿２は単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼、 Ｘ＿３、Ｘ＿４は−Ｏ−、単結合、 Ｒ＿３、Ｒ＿４は−Ｈ、またはＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置
    換基を有してよい直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｒ＿
    ５は−Ｈ、−ＣＨ＿３、ｎは０または１。）で示される
    化合物の少なくとも１種とを含有することを特徴とする
    強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物。
  2. （２）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、式中、 Ｒ＿１は置換基を有していてもよいＣ＿１〜Ｃ＿１＿８
    の直鎖状又は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿１は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿２は
    単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｚ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    もしくは▲数式、化学式、表等があります▼、 ｌは１〜１２。） で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） Ｒ＿３−Ｘ＿３−Ａ＿１−Ｚ＿１−Ｂ■Ｚ＿２−Ａ＿２
    −Ｘ＿４■＿ｎＲ＿４（II）（ただし、式中Ａ＿１は▲
    数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿２は単結合、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
    、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、Ｂは▲数式、化学式、表等がありま
    す▼、 Ｚ＿１、Ｚ＿２は単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼、 Ｘ＿３、Ｘ＿４は−Ｏ−、単結合、 Ｒ＿３、Ｒ＿４は−Ｈ、またはＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置
    換基を有してよい直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｒ＿
    ５は−Ｈ、−ＣＨ＿３、ｎは０または１。）で示される
    化合物の少なくとも１種とを含有することを特徴とする
    強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物を一対の電極
    基板間に配置してなることを特徴とする液晶素子。
JP20244588A 1988-07-13 1988-08-13 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 Pending JPH0251584A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20244588A JPH0251584A (ja) 1988-08-13 1988-08-13 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
ES89112756T ES2059650T3 (es) 1988-07-13 1989-07-12 Compuesto de cristal liquido esmectico quiral ferroelectrico y dispositivo de cristal liquido que utiliza el mismo.
DE1989609718 DE68909718T2 (de) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelektrische, chirale, smektische Flüssigkristall-Zusammensetzung und Vorrichtung zu deren Anwendung.
AT89112756T ATE95551T1 (de) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelektrische, chirale, smektische fluessigkristall-zusammensetzung und vorrichtung zu deren anwendung.
EP19890112756 EP0355374B1 (en) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelectric chiral smectic liquid crystal composition and liquid crystal device using same
US07/378,824 US5173211A (en) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelectric chiral smectic liquid crystal composition and liquid crystal device using same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20244588A JPH0251584A (ja) 1988-08-13 1988-08-13 液晶組成物およびこれを含む液晶素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0251584A true JPH0251584A (ja) 1990-02-21

Family

ID=16457644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20244588A Pending JPH0251584A (ja) 1988-07-13 1988-08-13 液晶組成物およびこれを含む液晶素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0251584A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2801279B2 (ja) 化合物およびこれを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子
JP2801269B2 (ja) 化合物およびこれを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子
JPH0312490A (ja) 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH02279681A (ja) 化合物およびこれを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子
JPH04211674A (ja) 液晶素子
JP2796753B2 (ja) カイラルスメクチック液晶組成物およびそれを使用した液晶素子
JPH0358980A (ja) 液晶性化合物、これを含む液晶組成物、およびこれを使用した液晶素子
JPH0251584A (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JP2749822B2 (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH0269467A (ja) 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物および液晶素子
JPH0317074A (ja) 液晶性化合物、これを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子
JP2510681B2 (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JP2872372B2 (ja) 液晶性化合物、これを含む液晶組成物及びこれを利用した液晶素子
JPH0224389A (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JP2791039B2 (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH06239849A (ja) 光学活性化合物、これを含む液晶組成物、それを有する液晶素子、それらを用いた表示方法及び表示装置
JPH02206679A (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JP2770953B2 (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH04264052A (ja) 光学活性化合物、これを含む液晶組成物、それを有する液晶素子、それ等を用いた表示方法、及び表示装置
JPH0312477A (ja) 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH0228288A (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH0859629A (ja) テトラヒドロキナゾリン化合物、それを含有する液晶組成物、それを有する液晶素子及びそれらを用いた表示方法、表示装置
JPH06329594A (ja) 光学活性化合物、これを含有する液晶組成物、これを有する液晶素子、これを用いた表示方法及び表示装置
JPH0312491A (ja) 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH02272088A (ja) 液晶組成物およびそれを使用した液晶素子