JPH0238728U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0238728U JPH0238728U JP11742388U JP11742388U JPH0238728U JP H0238728 U JPH0238728 U JP H0238728U JP 11742388 U JP11742388 U JP 11742388U JP 11742388 U JP11742388 U JP 11742388U JP H0238728 U JPH0238728 U JP H0238728U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- susceptor
- counterbore
- reactor
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
Description
第１図および第２図はそれぞれ本考案の一実施
例を示す断面図、第３図は有機金属気相成長装置
を示す側断面図、第４図は従来のウエーハ取付け
状態を示すサセプタ断面図、第５図イ，ロは従来
のウエーハ取付け状態の他の一例を示すものでイ
はサセプタの斜視図、ロはイのＸ，Ｘ′線断面図
、第６図はウエーハ周縁部の表面欠陥の集合体の
発生状況を示す表面欠陥検査装置での実測図、第
７図はウエーハの周辺部のサセプタ上に化合物半
導体の多結晶が堆積した状況を示す断面図である
。 １……ウエーハ、２……リング、３……サセプ
タ、４……ザグリ部、５……円板、６……ピン、
７……回転軸、８……反応管、９……ＲＦコイル
、１０……冷却ジヤケツト、１１……原料ガス、
１２……ガス導入口、１３……排気口、１４……
多結晶。
例を示す断面図、第３図は有機金属気相成長装置
を示す側断面図、第４図は従来のウエーハ取付け
状態を示すサセプタ断面図、第５図イ，ロは従来
のウエーハ取付け状態の他の一例を示すものでイ
はサセプタの斜視図、ロはイのＸ，Ｘ′線断面図
、第６図はウエーハ周縁部の表面欠陥の集合体の
発生状況を示す表面欠陥検査装置での実測図、第
７図はウエーハの周辺部のサセプタ上に化合物半
導体の多結晶が堆積した状況を示す断面図である
。 １……ウエーハ、２……リング、３……サセプ
タ、４……ザグリ部、５……円板、６……ピン、
７……回転軸、８……反応管、９……ＲＦコイル
、１０……冷却ジヤケツト、１１……原料ガス、
１２……ガス導入口、１３……排気口、１４……
多結晶。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 反応炉内の側面にザグリ部を形成した角柱
又は角錐又は角錐台形状のサセプタを設け、該ザ
グリ部にウエーハを着脱自在に取付け、反応炉内
を排気してウエーハを加熱し、原料ガスを流して
ウエーハ表面に化合物半導体を成長させる装置に
おいて、サセプタの側面のザグリ部に内径がウエ
ーハの直径より０．２〜１mm大きく、外径がウエ
ーハの直径より６〜１６mm大きいリングを着脱自
在に取り付けて、該リング上面とサセプタ側面と
を略同一平面に形成し、そのリング内にウエーハ
を取付けたことを特徴とする有機金属気相成長装
置。 (2) リングの材質が石英ガラス、熱分解型窒化
硼素Ｐ―ＢＮまたはＳｉＣをコーテイングしたカ
ーボンである請求項(1)記載の有機金属気相成長
装置。 (3) 反応炉内の側面にザグリ部を形成した角柱
又は角錐又は角錐台形状のサセプタを設け、該ザ
グリ部にウエーハを着脱自在に取付け、反応炉内
を排気してウエーハを加熱し、原料ガスを流して
ウエーハ表面に化合物半導体を成長させる装置に
おいて、サセプタの側面のザグリ部に外径がウエ
ーハの直径より６〜１６mm大きく、さらに表面に
ピンを立設した円板を着脱自在に取り付けて、該
円板上面とサセプタの側面とを略同一平面に形成
し、その円板上にピンにより保持されたウエーハ
を取付けたことを特徴とする有機金属気相成長装
置。 (4) 円板の材質が石英ガラス、熱分解型窒化硼
素Ｐ―ＢＮまたはＳｉＣをコーテイングしたカー
ボンである請求項(3)記載の有機金属気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11742388U JPH0238728U (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11742388U JPH0238728U (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238728U true JPH0238728U (ja) | 1990-03-15 |
Family
ID=31360871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11742388U Pending JPH0238728U (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0238728U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231645A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Ngk Insulators Ltd | 窒化物半導体膜の製造方法 |
| JP2009252969A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | サセプタおよび気相成長装置 |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP11742388U patent/JPH0238728U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231645A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Ngk Insulators Ltd | 窒化物半導体膜の製造方法 |
| JP2009252969A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | サセプタおよび気相成長装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0834187B2 (ja) | サセプタ | |
| JPH03100177A (ja) | 化学蒸着における支持体上の背面生長を防止する方法 | |
| JP4654030B2 (ja) | ＳｉＣウェハおよびその製造方法 | |
| JPH0238728U (ja) | ||
| JPH1045499A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法およびそれに用いる種結晶 | |
| JPH11209198A (ja) | ＳｉＣ単結晶の合成方法 | |
| JPH0639358B2 (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JP2868328B2 (ja) | 大口径炭化珪素単結晶インゴットの作製方法および種結晶用炭化珪素単結晶 | |
| JP2550024B2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH06191998A (ja) | 炭化珪素単結晶の成長方法およびその成長装置 | |
| JPH0443878B2 (ja) | ||
| JPS6445767U (ja) | ||
| JPH0356042Y2 (ja) | ||
| JPH0443879B2 (ja) | ||
| JPS6311575U (ja) | ||
| JPS6285425A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6159279B2 (ja) | ||
| JPH0356043Y2 (ja) | ||
| JPS6225413A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JPH02146165U (ja) | ||
| JPH04134839U (ja) | 気相成長用サセプタ | |
| JPH07183223A (ja) | エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS6356914A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JPS63276273A (ja) | 炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
| JPS62148574U (ja) |