JPH07183223A - エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
エピタキシヤル成長装置Info
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- JPH07183223A JPH07183223A JP5347694A JP34769493A JPH07183223A JP H07183223 A JPH07183223 A JP H07183223A JP 5347694 A JP5347694 A JP 5347694A JP 34769493 A JP34769493 A JP 34769493A JP H07183223 A JPH07183223 A JP H07183223A
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- JP
- Japan
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- epitaxial growth
- gas
- material gas
- semiconductor wafer
- raw material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、エピタキシヤル成長装置において、
台座部上に載置される半導体ウエハ保持具を位置決めす
る位置決め部材に原料ガスの熱分解生成物が付着しない
ようにする。 【構成】ガス供給手段より噴出される原料ガスの流路以
外の位置及び又は原料ガスが熱分解されない温度となる
位置に位置決め部材を配設する。
台座部上に載置される半導体ウエハ保持具を位置決めす
る位置決め部材に原料ガスの熱分解生成物が付着しない
ようにする。 【構成】ガス供給手段より噴出される原料ガスの流路以
外の位置及び又は原料ガスが熱分解されない温度となる
位置に位置決め部材を配設する。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図４〜図６） 発明が解決しようとする課題（図７及び図８） 課題を解決するための手段（図１及び図４） 作用（図１及び図４） 実施例（図１〜図３） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明はエピタキシヤル成長装置
に関し、特に気相エピタキシヤル成長装置に適用して好
適なものである。
に関し、特に気相エピタキシヤル成長装置に適用して好
適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、気相エピタキシヤル成長装置に
は、高周波誘導加熱方式によつてウエハを乗せる台（以
下、サセプタ（susceptor ）という）をモノシラン（Si
H4）ガスの熱分解反応温度まで加熱するものがあり、熱
により生成されたシリコン等の単結晶をウエハ上に成長
させるようになされている。このエピタキシヤル成長装
置１は、図４に示すように反応室を外界から隔離する容
器２を主構造としている。ここで容器２は覗き窓３をも
つアウターベルジヤ２Ａと冷却層４を隔てたさらに内側
に設けられたインナーベルジヤ２Ｂとによつて形成され
ている。
は、高周波誘導加熱方式によつてウエハを乗せる台（以
下、サセプタ（susceptor ）という）をモノシラン（Si
H4）ガスの熱分解反応温度まで加熱するものがあり、熱
により生成されたシリコン等の単結晶をウエハ上に成長
させるようになされている。このエピタキシヤル成長装
置１は、図４に示すように反応室を外界から隔離する容
器２を主構造としている。ここで容器２は覗き窓３をも
つアウターベルジヤ２Ａと冷却層４を隔てたさらに内側
に設けられたインナーベルジヤ２Ｂとによつて形成され
ている。
【０００４】インナーベルジヤ２Ｂの中の底部には中央
位置に垂直方向に伸びる軸穴５が形成された円筒形状の
ワークコイルカバー６が配置されている。このワークコ
イルカバー６は内側上方に取り付けられている高周波誘
導加熱コイル７を反応室から隔離している。ワークコイ
ルカバー６の中央に形成された軸穴５の底部には回転軸
８が配置されている。
位置に垂直方向に伸びる軸穴５が形成された円筒形状の
ワークコイルカバー６が配置されている。このワークコ
イルカバー６は内側上方に取り付けられている高周波誘
導加熱コイル７を反応室から隔離している。ワークコイ
ルカバー６の中央に形成された軸穴５の底部には回転軸
８が配置されている。
【０００５】この回転軸８の上部にはデイスクホルダ９
の軸部９Ａの下端が装着されている。またデイスクホル
ダ９の上部にはカーボンでなるドーナツ形状のサセプタ
１０がワークコイルカバー６を挟んで誘導加熱コイル７
に接近するように配置されている。これによりデイスク
ホルダ９と共に回転駆動されるサセプタ１０がウエハ１
１を乗せた状態で均一に加熱されるようになされてい
る。
の軸部９Ａの下端が装着されている。またデイスクホル
ダ９の上部にはカーボンでなるドーナツ形状のサセプタ
１０がワークコイルカバー６を挟んで誘導加熱コイル７
に接近するように配置されている。これによりデイスク
ホルダ９と共に回転駆動されるサセプタ１０がウエハ１
１を乗せた状態で均一に加熱されるようになされてい
る。
【０００６】デイスクホルダ９は石英ガラスでなり、図
５に示すように円筒形状の軸部９Ａの上部にドーナツ形
状のデイスク部９Ｂが一体に形成されている。ここで軸
部９Ａの外径及び内径はそれぞれ31〔mm〕及び23〔mm〕
である。またこのデイスク部９Ｂの上面にはデイスク部
９Ｂの回転軸ａより外周に向かつて約35〔mm〕の位置
に、すなわち外径約70〔mm〕の位置に石英ガラスでなる
凸リング部９Ｃがデイスク部９Ｂと一体に形成されてい
る。ここで凸リング部９Ｃの半径方向の肉厚は３〜４
〔mm〕であり、回転軸ａの方向の高さは７〜８〔mm〕で
ある。この凸リング部９Ｃの外周部にサセプタ１０の内
周部がわずかの隙間を介してはめ込まれ、デイスク部９
Ｂの上面に搭載される。
５に示すように円筒形状の軸部９Ａの上部にドーナツ形
状のデイスク部９Ｂが一体に形成されている。ここで軸
部９Ａの外径及び内径はそれぞれ31〔mm〕及び23〔mm〕
である。またこのデイスク部９Ｂの上面にはデイスク部
９Ｂの回転軸ａより外周に向かつて約35〔mm〕の位置
に、すなわち外径約70〔mm〕の位置に石英ガラスでなる
凸リング部９Ｃがデイスク部９Ｂと一体に形成されてい
る。ここで凸リング部９Ｃの半径方向の肉厚は３〜４
〔mm〕であり、回転軸ａの方向の高さは７〜８〔mm〕で
ある。この凸リング部９Ｃの外周部にサセプタ１０の内
周部がわずかの隙間を介してはめ込まれ、デイスク部９
Ｂの上面に搭載される。
【０００７】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すようにこ
のサセプタ１０はドーナツ形状でなり、サセプタ１０の
上面には４インチのウエハ１１を円形状に配設するよう
になされている。サセプタ１０の内径は凸リング部９Ｃ
の外径よりわずかに大きく形成されている。
のサセプタ１０はドーナツ形状でなり、サセプタ１０の
上面には４インチのウエハ１１を円形状に配設するよう
になされている。サセプタ１０の内径は凸リング部９Ｃ
の外径よりわずかに大きく形成されている。
【０００８】軸部９Ａの内側にはガスノズル１２が同軸
に取り付けられており、デイスク部９Ｂより上方に一部
が突出するように設けられている。このガスノズル１２
は固定されているため回転せず、デイスクホルダ９が回
転しているとき上方に穿孔された複数のガス噴出穴１２
Ａよりモノシランガス１３を放射状に噴出する。
に取り付けられており、デイスク部９Ｂより上方に一部
が突出するように設けられている。このガスノズル１２
は固定されているため回転せず、デイスクホルダ９が回
転しているとき上方に穿孔された複数のガス噴出穴１２
Ａよりモノシランガス１３を放射状に噴出する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで誘導加熱コイ
ル７で加熱されるサセプタ１０の熱はデイスクホルダ９
の凸リング部９Ｃにも伝わることにより、凸リング部９
Ｃはモノシランガス１３の熱分解反応温度以上の温度に
達する。またガスノズル１２より供給されるモノシラン
ガス１３は途中に障害物が無いことによつて凸リング部
９Ｃに直接流れ込む。これによりガスノズル１２より供
給されるモノシランガス１３は図７に示すように凸リン
グ部９Ｃで熱分解反応を起こし、堆積物（ポリシリコ
ン）１４が凸リング部９Ｃの上部より内壁に亘る窪み部
を埋めるように付着されていた。
ル７で加熱されるサセプタ１０の熱はデイスクホルダ９
の凸リング部９Ｃにも伝わることにより、凸リング部９
Ｃはモノシランガス１３の熱分解反応温度以上の温度に
達する。またガスノズル１２より供給されるモノシラン
ガス１３は途中に障害物が無いことによつて凸リング部
９Ｃに直接流れ込む。これによりガスノズル１２より供
給されるモノシランガス１３は図７に示すように凸リン
グ部９Ｃで熱分解反応を起こし、堆積物（ポリシリコ
ン）１４が凸リング部９Ｃの上部より内壁に亘る窪み部
を埋めるように付着されていた。
【００１０】この堆積物１４の量は、回転軸ａに近くな
る程温度が下がつて熱分解反応が生じ難いことによつて
少なく、また回転軸ａに近いもの程剥離し易い。この堆
積物１４の剥離したものがモノシランガス１３によつて
反応室内に拡散され、ウエハ１１上に付着してウエハ１
１に形成される電子材料等が悪影響を受けるおそれがあ
つた。このためこの堆積物１４は、フツ酸及び硝酸の混
合液でエツチングして除去される。
る程温度が下がつて熱分解反応が生じ難いことによつて
少なく、また回転軸ａに近いもの程剥離し易い。この堆
積物１４の剥離したものがモノシランガス１３によつて
反応室内に拡散され、ウエハ１１上に付着してウエハ１
１に形成される電子材料等が悪影響を受けるおそれがあ
つた。このためこの堆積物１４は、フツ酸及び硝酸の混
合液でエツチングして除去される。
【００１１】ところが堆積物１４を除去するためエツチ
ングを繰り返すと、図８に示すように堆積物１４を除去
した後の凸リング部９Ｃの表面に微小亀裂１５が生じる
ことがある。この微小亀裂１５からはダスト１６が生じ
易く、ダスト１６がモノシランガス１３によつて反応室
内に拡散され、ウエハ１１上に付着することがある。こ
のようにダスト１６がウエハ１１上に付着するとエピタ
キシヤル成長層の形成過程において結晶欠陥の原因とな
り、ウエハ１１に形成される電子材料等が悪影響を受け
るおそれがあつた。この結果、電子材料等の歩留りが低
下することがある。
ングを繰り返すと、図８に示すように堆積物１４を除去
した後の凸リング部９Ｃの表面に微小亀裂１５が生じる
ことがある。この微小亀裂１５からはダスト１６が生じ
易く、ダスト１６がモノシランガス１３によつて反応室
内に拡散され、ウエハ１１上に付着することがある。こ
のようにダスト１６がウエハ１１上に付着するとエピタ
キシヤル成長層の形成過程において結晶欠陥の原因とな
り、ウエハ１１に形成される電子材料等が悪影響を受け
るおそれがあつた。この結果、電子材料等の歩留りが低
下することがある。
【００１２】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、台座部上に載置される半導体ウエハ保持具を位置決
めする位置決め部材に原料ガスの熱分解生成物が付着す
ることを防止し得るエピタキシヤル成長装置を提案しよ
うとするものである。
で、台座部上に載置される半導体ウエハ保持具を位置決
めする位置決め部材に原料ガスの熱分解生成物が付着す
ることを防止し得るエピタキシヤル成長装置を提案しよ
うとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、原料ガス１３を熱分解して半導体
ウエハ１１上に単結晶層を成長させるエピタキシヤル成
長装置において、反応室２Ｂ内に伸びる管の先端部分に
原料ガス噴出口１２Ａを有するガス供給手段１２と、ガ
ス供給手段１２の先端を先端開口部から突出させ、かつ
当該先端開口部に続いてガス供給手段１２の根本部分を
覆うように延長する筒状部材２０Ａと、先端開口部に内
周面が一体に固着され、かつ当該先端開口部より筒状部
材２０Ａの半径方向に延長する環状の台座部２０Ｂと、
台座部２０Ｂの表面のうち原料ガス噴出口１２Ａから噴
出される原料ガス１３の流路を避ける位置及び又は原料
ガス１３の熱分解生成物が生じない温度となる位置にお
いて、台座部２０Ｂの表面よりガス供給手段１２の先端
方向に環状に突出し、台座部２０Ｂ上に載置される半導
体ウエハ保持具２１を位置決めする位置決め部材２０Ｃ
とを設けるようにする。
め本発明においては、原料ガス１３を熱分解して半導体
ウエハ１１上に単結晶層を成長させるエピタキシヤル成
長装置において、反応室２Ｂ内に伸びる管の先端部分に
原料ガス噴出口１２Ａを有するガス供給手段１２と、ガ
ス供給手段１２の先端を先端開口部から突出させ、かつ
当該先端開口部に続いてガス供給手段１２の根本部分を
覆うように延長する筒状部材２０Ａと、先端開口部に内
周面が一体に固着され、かつ当該先端開口部より筒状部
材２０Ａの半径方向に延長する環状の台座部２０Ｂと、
台座部２０Ｂの表面のうち原料ガス噴出口１２Ａから噴
出される原料ガス１３の流路を避ける位置及び又は原料
ガス１３の熱分解生成物が生じない温度となる位置にお
いて、台座部２０Ｂの表面よりガス供給手段１２の先端
方向に環状に突出し、台座部２０Ｂ上に載置される半導
体ウエハ保持具２１を位置決めする位置決め部材２０Ｃ
とを設けるようにする。
【００１４】
【作用】ガス供給手段１２より噴出される原料ガス１３
の流路以外の位置に位置決め部材２０Ｃを配設すること
によつて、原料ガス１３が位置決め部材２０Ｃに流れ込
んで、位置決め部材２０Ｃに原料ガス１３の熱分解生成
物１４が付着することを防止し得る。これにより位置決
め部材２０Ｃに付着する熱分解生成物１４を除去する必
要が無くなり、位置決め部材２０Ｃのエツチングによる
微小亀裂１５から生じるダスト１６による結晶欠陥を防
止し、半導体ウエハ１１に形成される電子材料等の歩留
り低下を一段と防止できる。
の流路以外の位置に位置決め部材２０Ｃを配設すること
によつて、原料ガス１３が位置決め部材２０Ｃに流れ込
んで、位置決め部材２０Ｃに原料ガス１３の熱分解生成
物１４が付着することを防止し得る。これにより位置決
め部材２０Ｃに付着する熱分解生成物１４を除去する必
要が無くなり、位置決め部材２０Ｃのエツチングによる
微小亀裂１５から生じるダスト１６による結晶欠陥を防
止し、半導体ウエハ１１に形成される電子材料等の歩留
り低下を一段と防止できる。
【００１５】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１６】図５との対応部分に同一符号を付して示す
図１において、２０は全体としてエピタキシヤル成長装
置のデイスクホルダを示す。このデイスクホルダ２０は
石英ガラスでなり、円筒形状の軸部２０Ａの上部にドー
ナツ形状のデイスク部２０Ｂが一体に形成されている。
ここで軸部２０Ａの外径及び内径はそれぞれ31〔mm〕及
び23〔mm〕である。
図１において、２０は全体としてエピタキシヤル成長装
置のデイスクホルダを示す。このデイスクホルダ２０は
石英ガラスでなり、円筒形状の軸部２０Ａの上部にドー
ナツ形状のデイスク部２０Ｂが一体に形成されている。
ここで軸部２０Ａの外径及び内径はそれぞれ31〔mm〕及
び23〔mm〕である。
【００１７】またこのデイスク部２０Ｂの上面には、石
英ガラスでなりモノシランガス１３が直接当たらないよ
うに外径が70〔mm〕より一段と小さい凸リング部２０Ｃ
がデイスク部２０Ｂと一体に形成されている。この凸リ
ング部２０Ｃの半径方向の肉厚は３〜４〔mm〕であり、
回転軸ａの方向の高さは７〜８〔mm〕である。
英ガラスでなりモノシランガス１３が直接当たらないよ
うに外径が70〔mm〕より一段と小さい凸リング部２０Ｃ
がデイスク部２０Ｂと一体に形成されている。この凸リ
ング部２０Ｃの半径方向の肉厚は３〜４〔mm〕であり、
回転軸ａの方向の高さは７〜８〔mm〕である。
【００１８】サセプタ２１はこの凸リング部２０Ｃの外
周部との間にわずかの隙間を介してはめ込まれ、デイス
ク部２０Ｂの上面に搭載される。
周部との間にわずかの隙間を介してはめ込まれ、デイス
ク部２０Ｂの上面に搭載される。
【００１９】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すようにこ
のサセプタ２１はドーナツ形状でなり、サセプタ２１の
上面には４インチのウエハ１１を円形状に配設するよう
になされている。またサセプタ２１の内径は凸リング部
２０Ｃの外径よりもわずかに大きく形成されている。こ
のためサセプタ２１は内径が従来のサセプタ１０に比し
て小さく形成され、外径が従来のサセプタ１０と等しく
形成されていることになる。
のサセプタ２１はドーナツ形状でなり、サセプタ２１の
上面には４インチのウエハ１１を円形状に配設するよう
になされている。またサセプタ２１の内径は凸リング部
２０Ｃの外径よりもわずかに大きく形成されている。こ
のためサセプタ２１は内径が従来のサセプタ１０に比し
て小さく形成され、外径が従来のサセプタ１０と等しく
形成されていることになる。
【００２０】以上の構成において、サセプタ２１は凸リ
ング部２０Ｃの外周部にはめ込まれてデイスク部２０Ｂ
の上面に搭載され、デイスクホルダ２０と共に回転す
る。
ング部２０Ｃの外周部にはめ込まれてデイスク部２０Ｂ
の上面に搭載され、デイスクホルダ２０と共に回転す
る。
【００２１】ガスノズル１２は固定されているため回転
せず、ガスノズル１２の上方に穿孔された複数のガス噴
出穴１２Ａよりモノシランガス１３を噴出する。
せず、ガスノズル１２の上方に穿孔された複数のガス噴
出穴１２Ａよりモノシランガス１３を噴出する。
【００２２】サセプタ２１が誘導加熱コイル７で加熱さ
れると、サセプタ２１の上面に乗せられたウエハ１１上
に流れるモノシランガス１３が熱分解反応を起こし、生
成されたシリコンがウエハ１１上で成長する。ガスノズ
ル１２より供給されるモノシランガス１３は、凸リング
部２０Ｃに直接当たらず、凸リング部２０Ｃの上方を通
過し、サセプタ２１の上面に配設されたウエハ１１に向
かつて流れる。このようにして凸リング部２０Ｃの内側
（すなわち凹部）にモノシランガス１３が直接流れ込む
ことがないことにより凸リング部２０Ｃにはポリシリコ
ンの堆積物１４がほぼ付着しない。
れると、サセプタ２１の上面に乗せられたウエハ１１上
に流れるモノシランガス１３が熱分解反応を起こし、生
成されたシリコンがウエハ１１上で成長する。ガスノズ
ル１２より供給されるモノシランガス１３は、凸リング
部２０Ｃに直接当たらず、凸リング部２０Ｃの上方を通
過し、サセプタ２１の上面に配設されたウエハ１１に向
かつて流れる。このようにして凸リング部２０Ｃの内側
（すなわち凹部）にモノシランガス１３が直接流れ込む
ことがないことにより凸リング部２０Ｃにはポリシリコ
ンの堆積物１４がほぼ付着しない。
【００２３】以上の構成によれば、ガスノズル１２のガ
ス噴出穴１２Ａからモノシランガス１３が吹き付けられ
ない位置に凸リング部２０Ｃを配設することによつて、
凸リング部２０Ｃの内側（すなわち凹部）にモノシラン
ガス１３が直接流れ込んで、凸リング部２０Ｃに堆積物
１４が付着することを防止できる。
ス噴出穴１２Ａからモノシランガス１３が吹き付けられ
ない位置に凸リング部２０Ｃを配設することによつて、
凸リング部２０Ｃの内側（すなわち凹部）にモノシラン
ガス１３が直接流れ込んで、凸リング部２０Ｃに堆積物
１４が付着することを防止できる。
【００２４】これにより凸リング部２０Ｃには堆積物１
４が付着しなくなり、付着した堆積物１４をエツチング
して除去する必要が無くなる。従つて凸リング部２０Ｃ
のエツチングによる微小亀裂１５から生じるダスト１６
による結晶欠陥を防止し、ウエハ１１に形成される電子
材料等の歩留り低下を一段と防止できる。またデイスク
ホルダ２０に微小亀裂１５が生じることを防止できるこ
とにより、デイスクホルダ２０の寿命を延ばすことがで
きる。
４が付着しなくなり、付着した堆積物１４をエツチング
して除去する必要が無くなる。従つて凸リング部２０Ｃ
のエツチングによる微小亀裂１５から生じるダスト１６
による結晶欠陥を防止し、ウエハ１１に形成される電子
材料等の歩留り低下を一段と防止できる。またデイスク
ホルダ２０に微小亀裂１５が生じることを防止できるこ
とにより、デイスクホルダ２０の寿命を延ばすことがで
きる。
【００２５】なお上述の実施例においては、デイスク部
２０Ｂの上面のうちモノシランガス１３が直接当たらな
い位置に石英ガラスでなる凸リング部２０Ｃを配設する
ものについて述べたが、本発明はこれに限らず、デイス
ク部２０Ｂの上面のうちモノシランガス１３の熱分解反
応温度より低い温度となる位置に石英ガラスでなる凸リ
ング部を配設しても上述と同様の効果を得ることができ
る。この場合、ガスノズル１２より供給されるモノシラ
ンガス１３は、凸リング部の設置される位置の温度が熱
分解に必要な温度未満であることによつて凸リング部の
内側及び上面では熱分解しない。従つて凸リング部にモ
ノシランガス１３の熱分解生成物が付着することが防止
される。
２０Ｂの上面のうちモノシランガス１３が直接当たらな
い位置に石英ガラスでなる凸リング部２０Ｃを配設する
ものについて述べたが、本発明はこれに限らず、デイス
ク部２０Ｂの上面のうちモノシランガス１３の熱分解反
応温度より低い温度となる位置に石英ガラスでなる凸リ
ング部を配設しても上述と同様の効果を得ることができ
る。この場合、ガスノズル１２より供給されるモノシラ
ンガス１３は、凸リング部の設置される位置の温度が熱
分解に必要な温度未満であることによつて凸リング部の
内側及び上面では熱分解しない。従つて凸リング部にモ
ノシランガス１３の熱分解生成物が付着することが防止
される。
【００２６】また上述の実施例においては、デイスク部
２０Ｂの上面のうちモノシランガス１３が直接当たらな
い位置に石英ガラスでなる凸リング部２０Ｃを配設する
ものについて述べたが、本発明はこれに限らず、デイス
ク部２０Ｂの上面のうちモノシランガス１３が直接当た
らず、モノシランガス１３の熱分解反応温度より低い温
度となる位置に石英ガラスでなる凸リング部を配設して
も良い。この場合、モノシランガス１３が凸リング部の
内側に流れ込むことはほとんど無く、また凸リング部の
内側及び上面では熱分解しないことにより上述と同様の
効果を得ることができる。
２０Ｂの上面のうちモノシランガス１３が直接当たらな
い位置に石英ガラスでなる凸リング部２０Ｃを配設する
ものについて述べたが、本発明はこれに限らず、デイス
ク部２０Ｂの上面のうちモノシランガス１３が直接当た
らず、モノシランガス１３の熱分解反応温度より低い温
度となる位置に石英ガラスでなる凸リング部を配設して
も良い。この場合、モノシランガス１３が凸リング部の
内側に流れ込むことはほとんど無く、また凸リング部の
内側及び上面では熱分解しないことにより上述と同様の
効果を得ることができる。
【００２７】例えば図３に示すようにデイスク部３０Ｂ
の内径と凸リング部３０Ｃの内径とを揃えるようにして
も良い。このとき、サセプタ３１の内径は凸リング部３
０Ｃの外径よりわずかに大きく形成すれば良い。またガ
スノズルと凸リング部との間にデイスク部が回転できる
だけの隙間を有する限り、凸リング部の内径をデイスク
部の内径に比して小さくしても良い。このときもドーナ
ツ形状のサセプタの内径は凸リング部の外径よりわずか
に大きく形成すれば良い。
の内径と凸リング部３０Ｃの内径とを揃えるようにして
も良い。このとき、サセプタ３１の内径は凸リング部３
０Ｃの外径よりわずかに大きく形成すれば良い。またガ
スノズルと凸リング部との間にデイスク部が回転できる
だけの隙間を有する限り、凸リング部の内径をデイスク
部の内径に比して小さくしても良い。このときもドーナ
ツ形状のサセプタの内径は凸リング部の外径よりわずか
に大きく形成すれば良い。
【００２８】さらに上述の実施例においては、サセプタ
の上面に配置するウエハの大きさは４インチのものにつ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、５インチ又はそ
れ以上の大きさの半導体ウエハを配置するためのサセプ
タでも良い。
の上面に配置するウエハの大きさは４インチのものにつ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、５インチ又はそ
れ以上の大きさの半導体ウエハを配置するためのサセプ
タでも良い。
【００２９】さらに上述の実施例においては、原料ガス
としてモノシランガス１３を供給する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、モノシランガス以外の原
料ガスを利用するエピタキシヤル成長装置にも適用でき
る。
としてモノシランガス１３を供給する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、モノシランガス以外の原
料ガスを利用するエピタキシヤル成長装置にも適用でき
る。
【００３０】さらに上述の実施例においては、サセプタ
を誘導加熱コイルで加熱する場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、サセプタを他の方式（例えば各種
ランプ、各種レーザ等を用いるもの）により加熱するエ
ピタキシヤル成長装置にも広く適用できる。
を誘導加熱コイルで加熱する場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、サセプタを他の方式（例えば各種
ランプ、各種レーザ等を用いるもの）により加熱するエ
ピタキシヤル成長装置にも広く適用できる。
【００３１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、台座部の
上面のうち原料ガスの流路以外の位置及び又は原料ガス
が熱分解されない温度となる位置に位置決め部材を配設
することによつて、原料ガスが位置決め部材に流れ込ん
で、位置決め部材に原料ガスの熱分解生成物が付着する
ことを防止し得るエピタキシヤル成長装置を実現でき
る。
上面のうち原料ガスの流路以外の位置及び又は原料ガス
が熱分解されない温度となる位置に位置決め部材を配設
することによつて、原料ガスが位置決め部材に流れ込ん
で、位置決め部材に原料ガスの熱分解生成物が付着する
ことを防止し得るエピタキシヤル成長装置を実現でき
る。
【図１】本発明によるエピタキシヤル成長装置の一実施
例によるデイスクホルダの説明に供する断面図である。
例によるデイスクホルダの説明に供する断面図である。
【図２】このデイスクホルダに載せるサセプタの形状の
説明に供する略線図である。
説明に供する略線図である。
【図３】他の実施例によるデイスクホルダの説明に供す
る断面図である。
る断面図である。
【図４】エピタキシヤル成長装置の全体構成を示す断面
図である。
図である。
【図５】従来のデイスクホルダの説明に供する断面図で
ある。
ある。
【図６】従来のデイスクホルダに載せるサセプタの説明
に供する略線図である。
に供する略線図である。
【図７】凸リング部の堆積物の付着状態の説明に供する
断面図である。
断面図である。
【図８】エツチングにより凸リング部に生じる微小亀裂
及びダストの説明に供する断面図である。
及びダストの説明に供する断面図である。
１……エピタキシヤル成長装置、２……容器、２Ａ……
アウターベルジヤ、２Ｂ……インナーベルジヤ、３……
覗き窓、４……冷却層、５……軸穴、６……ワークコイ
ルカバー、７……高周波誘導加熱コイル、８……回転
軸、９、２０、３０……デイスクホルダ、９Ａ、２０
Ａ、３０Ａ……軸部、９Ｂ、２０Ｂ、３０Ｂ……デイス
ク部、９Ｃ、２０Ｃ、３０Ｃ……凸リング部、１０、２
１、３１……サセプタ、１１……ウエハ、１２……ガス
ノズル、１２Ａ……ガス噴出穴、１３……モノシランガ
ス、１４……堆積物、１５……微小亀裂、１６……ダス
ト。
アウターベルジヤ、２Ｂ……インナーベルジヤ、３……
覗き窓、４……冷却層、５……軸穴、６……ワークコイ
ルカバー、７……高周波誘導加熱コイル、８……回転
軸、９、２０、３０……デイスクホルダ、９Ａ、２０
Ａ、３０Ａ……軸部、９Ｂ、２０Ｂ、３０Ｂ……デイス
ク部、９Ｃ、２０Ｃ、３０Ｃ……凸リング部、１０、２
１、３１……サセプタ、１１……ウエハ、１２……ガス
ノズル、１２Ａ……ガス噴出穴、１３……モノシランガ
ス、１４……堆積物、１５……微小亀裂、１６……ダス
ト。
Claims (4)
- 【請求項１】原料ガスを熱分解して半導体ウエハ上に単
結晶層を成長させるエピタキシヤル成長装置において、 反応室内に伸びる管の先端部分に原料ガス噴出口を有す
るガス供給手段と、 上記ガス供給手段の先端を先端開口部から突出させ、か
つ当該先端開口部に続いて上記ガス供給手段の根本部分
を覆うように延長する筒状部材と、 上記先端開口部に内周面が一体に固着され、かつ当該先
端開口部より上記筒状部材の半径方向に延長する環状の
台座部と、 上記台座部の表面のうち上記原料ガス噴出口から噴出さ
れる上記原料ガスの流路を避ける位置及び又は上記原料
ガスの熱分解生成物が生じない温度となる位置におい
て、上記台座部の表面より上記ガス供給手段の先端方向
に環状に突出し、上記台座部上に載置される半導体ウエ
ハ保持具を位置決めする位置決め部材と、 を具えることを特徴とするエピタキシヤル成長装置。 - 【請求項２】上記位置決め部材は、上記先端開口部又は
上記台座部に底面が一体に固着されることを特徴とする
請求項１に記載のエピタキシヤル成長装置。 - 【請求項３】上記半導体ウエハ保持具は、上記位置決め
部材の外周面にはめ込まれることを特徴とする請求項１
に記載のエピタキシヤル成長装置。 - 【請求項４】上記半導体ウエハ保持具は、４インチ以上
の半導体ウエハを保持することを特徴とする請求項１に
記載のエピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347694A JPH07183223A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347694A JPH07183223A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183223A true JPH07183223A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18391947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5347694A Pending JPH07183223A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333091A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5347694A patent/JPH07183223A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333091A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
| JP4673578B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2011-04-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置 |
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