JPH02309805A - 減衰回路 - Google Patents
減衰回路Info
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- JPH02309805A JPH02309805A JP11884489A JP11884489A JPH02309805A JP H02309805 A JPH02309805 A JP H02309805A JP 11884489 A JP11884489 A JP 11884489A JP 11884489 A JP11884489 A JP 11884489A JP H02309805 A JPH02309805 A JP H02309805A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0082—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using bipolar transistor-type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/24—Frequency-independent attenuators
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Attenuators (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電気信号レベルをあらかじめ定める制御信号に
応答して減衰させる減衰回路に関し、特に入力信号レベ
ルに応じて増幅回路の利得を制御する自動レベル調整回
路に好適に実施される。
応答して減衰させる減衰回路に関し、特に入力信号レベ
ルに応じて増幅回路の利得を制御する自動レベル調整回
路に好適に実施される。
（従来の技術）
第３図は従来の減衰回路を説明するための自動レベル調
整回路の電気ブロック図である。マイクロホンなどによ
りピックアップされた音声信号は自動レベル調整回路の
入力端子１０に印加される。
整回路の電気ブロック図である。マイクロホンなどによ
りピックアップされた音声信号は自動レベル調整回路の
入力端子１０に印加される。
この音声信号はＡＣカップリングコンデン＋１１１によ
り交流成分のみが伝達され、抵抗１２の一方端に与えら
れる。抵抗１２の一方端に印加された音声信号電圧は抵
抗１２、ＡＣバイパスコンデン＋ｊ１３、抵抗１４、お
よびトランジスタ１５から構成される減衰回路により分
圧され、抵抗１２の他方端に導出された分圧電圧は集積
回路１６の入力端子１７を介して増幅回路１８に入力さ
れる。
り交流成分のみが伝達され、抵抗１２の一方端に与えら
れる。抵抗１２の一方端に印加された音声信号電圧は抵
抗１２、ＡＣバイパスコンデン＋ｊ１３、抵抗１４、お
よびトランジスタ１５から構成される減衰回路により分
圧され、抵抗１２の他方端に導出された分圧電圧は集積
回路１６の入力端子１７を介して増幅回路１８に入力さ
れる。
増幅回路１８の出力信号は集積回路１６の出力端子１９
に出力され、図示しない例えばスピーカなどにより音響
信号に変換される。
に出力され、図示しない例えばスピーカなどにより音響
信号に変換される。
増幅回路１８の出力信号は、レベル検出回路２０にも印
加され、例えば該出力信号を包絡線検波することにより
該出力信号の振幅レベルに応じた信号が出力される。レ
ベル検出回路２０の出力信号はトランジスタ１５のベー
スに印加され、ベース電圧に応じて、コレクターエミッ
タ間の抵抗値が変化する。
加され、例えば該出力信号を包絡線検波することにより
該出力信号の振幅レベルに応じた信号が出力される。レ
ベル検出回路２０の出力信号はトランジスタ１５のベー
スに印加され、ベース電圧に応じて、コレクターエミッ
タ間の抵抗値が変化する。
次に、上述した減衰回路の動作について説明する。コン
デンサ１１の容量は十分大きく、本自動レベル調整回路
に使用される周波数において、コンデンサ１１による信
号の減衰は無視できるものとする。したがって、入力端
子１０に印加された信号レベルと入力端子１７に現われ
る信号レベルとの比である減衰比ＡＲは第１式によって
算出される。ここに、Ｒ１２、Ｒ１４はそれぞれ抵抗１
２．１４の抵抗値、Ｚ１３はコンデン’Ｊ１３のインピ
ーダンス、ＲＣＥ（１５）はトランジスタ１５のコレク
ターエミッタ間の抵抗値を示し、記号１１は並列接続に
あける結合抵抗を意味する。
デンサ１１の容量は十分大きく、本自動レベル調整回路
に使用される周波数において、コンデンサ１１による信
号の減衰は無視できるものとする。したがって、入力端
子１０に印加された信号レベルと入力端子１７に現われ
る信号レベルとの比である減衰比ＡＲは第１式によって
算出される。ここに、Ｒ１２、Ｒ１４はそれぞれ抵抗１
２．１４の抵抗値、Ｚ１３はコンデン’Ｊ１３のインピ
ーダンス、ＲＣＥ（１５）はトランジスタ１５のコレク
ターエミッタ間の抵抗値を示し、記号１１は並列接続に
あける結合抵抗を意味する。
（Ｒ１４ＩＩ ＲＣＥ（１５）） ＋ ２１３ＡＲ＝
Ｒ１２＋（Ｒ１４１１Ｒ）＋Ｚ１３
ＣＥ（１５）
争φ・（１）
したがって、トランジスタ１５のコレクターエミッタ間
抵抗値Ｒが小さくなるに従い、減ＣＥ（１５） 衰化ＡＲは大きくなる。すなわち、入力端子１０に印加
される信号レベルが大きくなるに従い減衰比ＡＲは大き
くなる。
抵抗値Ｒが小さくなるに従い、減ＣＥ（１５） 衰化ＡＲは大きくなる。すなわち、入力端子１０に印加
される信号レベルが大きくなるに従い減衰比ＡＲは大き
くなる。
（発明が解決しようとする課題）
以上のように構成された従来の減衰回路において、コン
デンサ１３は交流信号成分のみ分圧するために用いられ
るバイパスコンデンサであり、０．１μＦまたはそれ以
上の比較的大きい容量のコンデンサである。したがって
コンデンサ１３を集積回路１６中に構成するためには極
めて大きな面積を必要とし、事実上不可能である。そこ
で、コンデンサ１３は集積回路１６の端子２１を介して
外部に設けられる。
デンサ１３は交流信号成分のみ分圧するために用いられ
るバイパスコンデンサであり、０．１μＦまたはそれ以
上の比較的大きい容量のコンデンサである。したがって
コンデンサ１３を集積回路１６中に構成するためには極
めて大きな面積を必要とし、事実上不可能である。そこ
で、コンデンサ１３は集積回路１６の端子２１を介して
外部に設けられる。
すなわち、コンデンサ１３を外部に取付けるための端子
２１を別途設ける必要がある。集積回路１６に多くの機
能を実現させるには、外部と信号の入出力を行なうため
の端子が増加する。したがって、集積回路１６の機能を
向上させるために端子数を減らすことのできる回路が好
ま、しい。
２１を別途設ける必要がある。集積回路１６に多くの機
能を実現させるには、外部と信号の入出力を行なうため
の端子が増加する。したがって、集積回路１６の機能を
向上させるために端子数を減らすことのできる回路が好
ま、しい。
また、コンデンサ１３を省略すると、トランジスタ１５
のコレクターエミッタ間抵抗値の変化により、増幅回路
１８の入力における直流電圧レベルが変化する。したが
って、コンデンサ１３を省略し集積回路１６を低い電源
電圧で駆動することは困難である。
のコレクターエミッタ間抵抗値の変化により、増幅回路
１８の入力における直流電圧レベルが変化する。したが
って、コンデンサ１３を省略し集積回路１６を低い電源
電圧で駆動することは困難である。
そこで、本発明の目的は集積回路の入出力端子数を減ら
すとともに集積回路を低電圧駆動させることのできる減
衰回路を提供することにおる。
すとともに集積回路を低電圧駆動させることのできる減
衰回路を提供することにおる。
（課題を解決するための手段）
本発明は抵抗器と、
前記抵抗器と直列に接続され、必らかじめ定める制御信
号に応答しそ両端の抵抗値が変化する可変抵抗手段と、 前記抵抗器と前記可変抵抗器との接続点にその入力が接
続されたバッファ回路とから構成され、前記可変抵抗手
段と前記バッファ回路とが半導体集積回路として構成さ
れる。
号に応答しそ両端の抵抗値が変化する可変抵抗手段と、 前記抵抗器と前記可変抵抗器との接続点にその入力が接
続されたバッファ回路とから構成され、前記可変抵抗手
段と前記バッファ回路とが半導体集積回路として構成さ
れる。
また本発明は前記抵抗器は前記半導体集積回路中に構成
されている。
されている。
（作 用）
本発明においては、抵抗器と可変抵抗手段が直列に接続
される。可変抵抗手段の両端抵抗はあらかじめ定める制
御信号に応じて変化する。抵抗器の一端に印加された信
号は抵抗器と可変抵抗手段との抵抗値比に応じて分圧さ
れ、この分圧電圧はバッファ回路に印加される。そして
、可変抵抗手段とバッファ回路は半導体集積回路上に構
成される。
される。可変抵抗手段の両端抵抗はあらかじめ定める制
御信号に応じて変化する。抵抗器の一端に印加された信
号は抵抗器と可変抵抗手段との抵抗値比に応じて分圧さ
れ、この分圧電圧はバッファ回路に印加される。そして
、可変抵抗手段とバッファ回路は半導体集積回路上に構
成される。
また本発明においては、前記抵抗器も半導体集積回路上
に構成される。
に構成される。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例である減衰回路が実現される
自動レベル調整回路の電気ブロック図を示す。
自動レベル調整回路の電気ブロック図を示す。
入力端子３０と集積回路３１の入力端子３２どの間にＡ
Ｃカップリングコンデンサ３３と抵抗３４とが直列に接
続される。集積回路３１は、例えばシリコンチップ上に
形成された回路である。
Ｃカップリングコンデンサ３３と抵抗３４とが直列に接
続される。集積回路３１は、例えばシリコンチップ上に
形成された回路である。
入力端子３２は可変抵抗手段でおる可変抵抗回路３５に
接続される。可変抵抗回路３５はトランジスタ３６と抵
抗３７とから構成され、トランジスタ３６のコレクタと
エミッタとの闇に抵抗３７が並列接続される。トランジ
スタ３６のエミッタは接地され、コレクタはバッファ回
路３８を構成するトランジスタ３９のベースに接続され
る。
接続される。可変抵抗回路３５はトランジスタ３６と抵
抗３７とから構成され、トランジスタ３６のコレクタと
エミッタとの闇に抵抗３７が並列接続される。トランジ
スタ３６のエミッタは接地され、コレクタはバッファ回
路３８を構成するトランジスタ３９のベースに接続され
る。
バッファ回路３８の定電流源４０は電源ライン４１とト
ランジスタ３９のエミッタとの間に設けられ、トランジ
スタ３９は、いわゆるエミッタホロワ回路を形成する。
ランジスタ３９のエミッタとの間に設けられ、トランジ
スタ３９は、いわゆるエミッタホロワ回路を形成する。
トランジスタ３９のコレクタは接地される。
トランジスタ３９のエミッタは増幅回路４２に接続され
、増幅回路４２の出力は集積回路３１の出力端子４３に
接続されるとともに増幅回路°４２の出力レベルを検出
するレベル検出回路４４の入力に接続される。レベル検
出回路４４の出力信号は、例えば入力信号の振幅を包絡
線検波することによって１ｑられる。レベル検出回路４
４の出力信号は、トランジスタ３６のベースに印加され
、この出力信号は制御信号として可変抵抗回路３５の両
端の抵抗値を制御する。
、増幅回路４２の出力は集積回路３１の出力端子４３に
接続されるとともに増幅回路°４２の出力レベルを検出
するレベル検出回路４４の入力に接続される。レベル検
出回路４４の出力信号は、例えば入力信号の振幅を包絡
線検波することによって１ｑられる。レベル検出回路４
４の出力信号は、トランジスタ３６のベースに印加され
、この出力信号は制御信号として可変抵抗回路３５の両
端の抵抗値を制御する。
入力端子３０に印加された信号、例えばマイクロホンな
どによってピックアップされただ音声信号はコンデンサ
３３によって直流成分が阻止され、交流成分のみが抵抗
３４の一方端に与えられる。
どによってピックアップされただ音声信号はコンデンサ
３３によって直流成分が阻止され、交流成分のみが抵抗
３４の一方端に与えられる。
コンデンサ３３は信号の減衰を惹起させない程度の容量
が選択される。
が選択される。
入力端子３０から入力される音声信号は抵抗３４と可変
抵抗回路３５とによって定まる抵抗比によって減衰され
、バッファ回路３８に入力される。ここに、減衰比ＡＲ
は、抵抗３４．３７の抵抗値をそれぞれＲ３４、Ｒ３７
とし、トランジスタ３６のコレクターエミッタ間抵抗を
ＲＣＥ（３６）とすると、第２式によって算出される。
抵抗回路３５とによって定まる抵抗比によって減衰され
、バッファ回路３８に入力される。ここに、減衰比ＡＲ
は、抵抗３４．３７の抵抗値をそれぞれＲ３４、Ｒ３７
とし、トランジスタ３６のコレクターエミッタ間抵抗を
ＲＣＥ（３６）とすると、第２式によって算出される。
Ｒ３７Ｉｔ ＲＣＥ（３６）
ＡＲ＝ −一一一−−−−−−−−−−−−−−φ Φ
φ（２）Ｒ３４＋（Ｒ３７１１Ｒ） ＣＥ（３６） トランジスタ３６のコレクターエミッタ間抵抗値はベー
スに印加される制御信号レベルにより定まり、可変抵抗
回路３５の抵抗値はトランジスタ３６のコレクターエミ
ッタ間抵抗と抵抗３７との並列合成抵抗値となる。
φ（２）Ｒ３４＋（Ｒ３７１１Ｒ） ＣＥ（３６） トランジスタ３６のコレクターエミッタ間抵抗値はベー
スに印加される制御信号レベルにより定まり、可変抵抗
回路３５の抵抗値はトランジスタ３６のコレクターエミ
ッタ間抵抗と抵抗３７との並列合成抵抗値となる。
バッファ回路３８の定電流源４０はトランジスタ３９の
エミッタに一定電流■を供給する。トランジスタ３９の
エミッタからベースを介して抵抗３７に流入する電流は
極めて小さく、抵抗３７の両端に発生する電圧は１０ｍ
Ｖ以下であり無視することができる。したがって、トラ
ンジスタ３６の動作によるバイアス電流に影響されず、
音声信号は可変抵抗回路３５の出力をバッファ回路３８
を介して増幅回路４２に伝達される。
エミッタに一定電流■を供給する。トランジスタ３９の
エミッタからベースを介して抵抗３７に流入する電流は
極めて小さく、抵抗３７の両端に発生する電圧は１０ｍ
Ｖ以下であり無視することができる。したがって、トラ
ンジスタ３６の動作によるバイアス電流に影響されず、
音声信号は可変抵抗回路３５の出力をバッファ回路３８
を介して増幅回路４２に伝達される。
本発明における減衰回路の直流成分はほぼＯボルトであ
るので、極めて低い電源電圧でも回路は動作する。
るので、極めて低い電源電圧でも回路は動作する。
第２図は本実施例における入出力信号レベルの関係を表
わすグラフである。第２図の横軸は入力端子３０に印加
される交流信号レベルを、縦軸は出力端子４３に導出さ
れる出力信号レベルを表わし、Ｏｄｂは０．１４Ｖｒｍ
ｓに等しい。第２図から理解されるように、入力信号レ
ベルが１０ｍＶ以上おいて出力信号レベルは一定となる
。
わすグラフである。第２図の横軸は入力端子３０に印加
される交流信号レベルを、縦軸は出力端子４３に導出さ
れる出力信号レベルを表わし、Ｏｄｂは０．１４Ｖｒｍ
ｓに等しい。第２図から理解されるように、入力信号レ
ベルが１０ｍＶ以上おいて出力信号レベルは一定となる
。
なお、本実施例において、可変抵抗回路３５はトランジ
スタ３６と抵抗３７とを並列接続する極めて簡素な構成
であるが、本発明はこれに限られるものではなく、制御
電圧により両端抵抗値を変化させることができれば、い
ずれの回路であってもよい。
スタ３６と抵抗３７とを並列接続する極めて簡素な構成
であるが、本発明はこれに限られるものではなく、制御
電圧により両端抵抗値を変化させることができれば、い
ずれの回路であってもよい。
さらに、バッファ回路３８はエミッタホロワ回路が開示
されているが、入力抵抗の高いバッファ回路であれば、
本回路に限られない。
されているが、入力抵抗の高いバッファ回路であれば、
本回路に限られない。
（発明の効果）
以上のように、本発明に従えば、減衰回路を構成するた
めの外部に接続されるコンデンサを省略する−ことがで
きる。したがって、外部コンデンサ用の端子を半導体集
積回路に設ける必要がなくなる。
めの外部に接続されるコンデンサを省略する−ことがで
きる。したがって、外部コンデンサ用の端子を半導体集
積回路に設ける必要がなくなる。
また、集積回路に供給される電源電圧が低い電圧でおっ
ても、減衰回路を動作させることができる。
ても、減衰回路を動作させることができる。
第１図は本発明の一実施例である減衰回路が実現される
自動レベル調整回路の電気ブロック図である。 第２図は本実施例における入出力信号レベルの関係を表
わすグラフである。 第３図は従来の減衰回路を説明するための自動レベル調
整回路の電気ブロック図でおる。 ３１・・・集積回路、 ３２・・・入力端子、３４・・
・抵抗、 ３５・・・可変抵抗回路、３８・・・バッフ
ァ回路。 Ｑ〜
自動レベル調整回路の電気ブロック図である。 第２図は本実施例における入出力信号レベルの関係を表
わすグラフである。 第３図は従来の減衰回路を説明するための自動レベル調
整回路の電気ブロック図でおる。 ３１・・・集積回路、 ３２・・・入力端子、３４・・
・抵抗、 ３５・・・可変抵抗回路、３８・・・バッフ
ァ回路。 Ｑ〜
Claims (2)
- （１）抵抗器と、 前記抵抗器と直列に接続され、あらかじめ定める制御信
号に応答して両端の抵抗値が変化する可変抵抗手段と、 前記抵抗器と前記可変抵抗器との接続点にその入力が接
続されたバッファ回路とから構成され、前記可変抵抗手
段と前記バッファ回路とが半導体集積回路として構成さ
れていることを特徴とする減衰回路。 - （２）前記抵抗器は前記半導体集積回路中に構成されて
いることを特徴とする請求項１記載の減衰回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11884489A JPH02309805A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 減衰回路 |
| EP19900107642 EP0398039A3 (en) | 1989-05-15 | 1990-04-23 | An attenuator circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11884489A JPH02309805A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 減衰回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02309805A true JPH02309805A (ja) | 1990-12-25 |
Family
ID=14746555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11884489A Pending JPH02309805A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 減衰回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0398039A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02309805A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180644A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sharp Corp | スイッチング増幅器 |
| JP2007180645A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sharp Corp | スイッチング増幅器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3130801B2 (ja) * | 1996-08-14 | 2001-01-31 | 日本電気株式会社 | アッテネータ付エミッタ接地型増幅回路 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL132570C (ja) * | 1963-03-07 | |||
| GB1417982A (en) * | 1972-01-31 | 1975-12-17 | British Aircraft Corp Ltd | Gain control circuits |
| JPS4881450A (ja) * | 1972-02-01 | 1973-10-31 | ||
| JPS5733812A (en) * | 1980-08-07 | 1982-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Transistor amplifier |
| EP0106738A3 (en) * | 1982-09-22 | 1984-06-06 | Fairchild Weston Systems Inc. | Agc method and apparatus |
| EP0212267A1 (en) * | 1985-08-12 | 1987-03-04 | Motorola, Inc. | Improved differential input attenuator circuit |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP11884489A patent/JPH02309805A/ja active Pending
-
1990
- 1990-04-23 EP EP19900107642 patent/EP0398039A3/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180644A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sharp Corp | スイッチング増幅器 |
| JP2007180645A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sharp Corp | スイッチング増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0398039A3 (en) | 1991-08-21 |
| EP0398039A2 (en) | 1990-11-22 |
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