JPH02295159A - チツプ・キヤリアと集積半導体チツプを有するモジユール - Google Patents
チツプ・キヤリアと集積半導体チツプを有するモジユールInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A.産業上の利用分野
本発明は、チップ・キャリアと集積半導体チップを有す
るモジュール、及びモジュール・スタックに関するもの
である。
るモジュール、及びモジュール・スタックに関するもの
である。
B.従来の技術及び解決しようとする課題現在市販され
ている集積半導体チップ(ICチップ)、特にメモリ・
チップは、カードにスタックされたわずかな数のモジュ
ール(DIPデュアル・インライン・パッケージ)をデ
ータ処理システムに組み込むために、大量のスペースを
必要とする。
ている集積半導体チップ(ICチップ)、特にメモリ・
チップは、カードにスタックされたわずかな数のモジュ
ール(DIPデュアル・インライン・パッケージ)をデ
ータ処理システムに組み込むために、大量のスペースを
必要とする。
各モジュールの全体の高さを低《すると、データ処理シ
ステムに必要なスペースは変えずに、メモリ・スペース
を大幅に増大させることができる。
ステムに必要なスペースは変えずに、メモリ・スペース
を大幅に増大させることができる。
さらに、このようなチップやモジュールの製造では、そ
の試験時間が製造原価のかなりの部分を占め、現在、総
製造原価の約3分の1を占めている。
の試験時間が製造原価のかなりの部分を占め、現在、総
製造原価の約3分の1を占めている。
したがって、半導体工場でそれに費やされる時間を最小
限にまで減少させるべきである。
限にまで減少させるべきである。
IBMテク、ニカル・ディスクロージャ・ブルテン、V
ol.8、No.10 (196E3年3月)、p.1
314には、導体を有する数層のセラミック層からなる
セラミック・キャリアと、モノリシック回路を収納する
片面の凹部とを有するモジュールが開示されている。モ
ノリシック回路は、セラミック層中の導体によりキャリ
アの反対面に接続されている。キャリアの凹部のある面
には、回路の冷却特性を改善するための薄い金属箔が設
けられている。上記の論文に記載されたチップ・キャリ
アは、製造が複雑で、したがって非常に高価である。チ
ップの接続が比較的困難で、特別な装置が必要である。
ol.8、No.10 (196E3年3月)、p.1
314には、導体を有する数層のセラミック層からなる
セラミック・キャリアと、モノリシック回路を収納する
片面の凹部とを有するモジュールが開示されている。モ
ノリシック回路は、セラミック層中の導体によりキャリ
アの反対面に接続されている。キャリアの凹部のある面
には、回路の冷却特性を改善するための薄い金属箔が設
けられている。上記の論文に記載されたチップ・キャリ
アは、製造が複雑で、したがって非常に高価である。チ
ップの接続が比較的困難で、特別な装置が必要である。
チップ・キャリアの全体のレイアウトは、望ましい寸法
に対して極端に高さが大きく、シたがってこのような構
造は、特にメモリ・チップを脊するモジュールに使用す
るには不適である。
に対して極端に高さが大きく、シたがってこのような構
造は、特にメモリ・チップを脊するモジュールに使用す
るには不適である。
上述のように、プラスチックで成形されたメモリ及びプ
ロセッサのDIPも知られている。これらのモジュール
も、比較的高さがあり、また成形後、すなわち製品の完
成後でないと最終的に検査ができないという欠点がある
。完成した部品の高さが高いため、カードにスタックで
きるモジュールの数が限定されるだけでなく、部品を取
り付けたカード上に設けなければならない減結合キャパ
シタへの経路を長くしなければならない。さらに、メモ
リ・モジュールのスタック中の欠陥のあるモジュールを
交換するのに長い時間を要する。
ロセッサのDIPも知られている。これらのモジュール
も、比較的高さがあり、また成形後、すなわち製品の完
成後でないと最終的に検査ができないという欠点がある
。完成した部品の高さが高いため、カードにスタックで
きるモジュールの数が限定されるだけでなく、部品を取
り付けたカード上に設けなければならない減結合キャパ
シタへの経路を長くしなければならない。さらに、メモ
リ・モジュールのスタック中の欠陥のあるモジュールを
交換するのに長い時間を要する。
したがって、できるだけ平坦で、同時に製造が簡単なモ
ジュールを提供することが不可欠である。
ジュールを提供することが不可欠である。
C.課題を解決するための手段
この課題は、実質的に互いに平行な上面と下面を存する
チップ・キャリアを備えたモジュールにより解決される
。このチップ・キリアは、円形でも方形でもよいが、チ
ップの形状に合った形にするのが普通であり、したがっ
て現在一般に方形が用いられている。チップ・キャリア
の下面には、少なくとも1つの凹部と、凹部の領域内で
キャリアの上面まで延びる少なくとも1つのスロットが
設けられている。この凹部はチップを収納するためのも
ので、チップの接触パッドがチップ・キャリアに面して
いる。スロットは、チップ上の接触パッドがスロットの
領域内に位置するように凹部中に設けられている。した
がって、凹部中のスロットは、チップ上の接触パッドの
配置に応じて任意の位置に設けることができる。たとえ
ば、1つのスロットだけを中央または1縁部に設けるこ
とも、大型のチップでは3つの垂直に配置したスロット
を設けることもできる。垂直に取り付けたモジュールで
、接触ピンの片側をチップ・キャリアに取り付けたもの
では、スロットをピンに隣接させることが好ましい。チ
ップ・キャリアの少なくとも上面に設けた導体は、メッ
キしたズルー・ホールにより、チップ・キャリアの下面
の導体に接続することができる。上面には、チップを接
続するための端子を設けることが不可欠である。したが
って、スルー・ホールは導体と見なされる。さらに、モ
ジュールは、スロットを通してチップ上の接触パッドを
キャリアの下面の導体に接続するリード線を有する。チ
ップ上の接触パッドは、ワイヤ・ボンディング、TAB
(テープ自動ポンディング)等の周知の方法で導体に
接続することができる。チップは、接着等の適当な方法
で凹部に保持する。チップの背面もチップ・キャリアの
下面も、チップの背面が空気の流れによって効果的に冷
却されるように、封止してはならない。通常、チップ・
キャリアの上面は、導体の損傷を防止するために、リー
ド線とチップの接触パッドの部分を封止する。
チップ・キャリアを備えたモジュールにより解決される
。このチップ・キリアは、円形でも方形でもよいが、チ
ップの形状に合った形にするのが普通であり、したがっ
て現在一般に方形が用いられている。チップ・キャリア
の下面には、少なくとも1つの凹部と、凹部の領域内で
キャリアの上面まで延びる少なくとも1つのスロットが
設けられている。この凹部はチップを収納するためのも
ので、チップの接触パッドがチップ・キャリアに面して
いる。スロットは、チップ上の接触パッドがスロットの
領域内に位置するように凹部中に設けられている。した
がって、凹部中のスロットは、チップ上の接触パッドの
配置に応じて任意の位置に設けることができる。たとえ
ば、1つのスロットだけを中央または1縁部に設けるこ
とも、大型のチップでは3つの垂直に配置したスロット
を設けることもできる。垂直に取り付けたモジュールで
、接触ピンの片側をチップ・キャリアに取り付けたもの
では、スロットをピンに隣接させることが好ましい。チ
ップ・キャリアの少なくとも上面に設けた導体は、メッ
キしたズルー・ホールにより、チップ・キャリアの下面
の導体に接続することができる。上面には、チップを接
続するための端子を設けることが不可欠である。したが
って、スルー・ホールは導体と見なされる。さらに、モ
ジュールは、スロットを通してチップ上の接触パッドを
キャリアの下面の導体に接続するリード線を有する。チ
ップ上の接触パッドは、ワイヤ・ボンディング、TAB
(テープ自動ポンディング)等の周知の方法で導体に
接続することができる。チップは、接着等の適当な方法
で凹部に保持する。チップの背面もチップ・キャリアの
下面も、チップの背面が空気の流れによって効果的に冷
却されるように、封止してはならない。通常、チップ・
キャリアの上面は、導体の損傷を防止するために、リー
ド線とチップの接触パッドの部分を封止する。
チップの背面とキャリアの下面は、チップ全体がキャリ
アに埋めこまれ保護されるように、1つの面になるよう
にするとよい。
アに埋めこまれ保護されるように、1つの面になるよう
にするとよい。
別の有利な実施例によれば、リード線を通すスロットの
縁部を面取りする。これにより、接触パッドとチップ・
キャリアの表面上の導体を接続するとき、チップ上の接
触パッドに容易に近.づけるようになる。チップを埋め
込んだキャリアの厚みは0.8ないし1.2mms凹部
におけるキャリアの厚みは0.2ないし0.5mmが好
ましい。
縁部を面取りする。これにより、接触パッドとチップ・
キャリアの表面上の導体を接続するとき、チップ上の接
触パッドに容易に近.づけるようになる。チップを埋め
込んだキャリアの厚みは0.8ないし1.2mms凹部
におけるキャリアの厚みは0.2ないし0.5mmが好
ましい。
キャリアは、多層積層板またはセラミック材料製とする
ことが好ましい。高耐熱性ポリイミドの場合は、凹部は
切削により製作するが、多層積層板の場合は、各層に望
ましい形状及び配置の凹部またはスロットをあらかじめ
設けておくことができる。積層材料は、片面または両面
をメタライズすることができる。試験“(バーンイン)
、はんだ付け、及びその後の処理中に安定なキャリアに
は、強化ポリイミドまたはセラミックが必要である。
ことが好ましい。高耐熱性ポリイミドの場合は、凹部は
切削により製作するが、多層積層板の場合は、各層に望
ましい形状及び配置の凹部またはスロットをあらかじめ
設けておくことができる。積層材料は、片面または両面
をメタライズすることができる。試験“(バーンイン)
、はんだ付け、及びその後の処理中に安定なキャリアに
は、強化ポリイミドまたはセラミックが必要である。
モジュールは、受動部品または能動部品あるいはその両
方を含むことができるが、このような構造の利点は、こ
れらの部品がチップに隣接して配置できることである。
方を含むことができるが、このような構造の利点は、こ
れらの部品がチップに隣接して配置できることである。
このような環境では、たとえば減結合キャパシタの効果
が特に顕著である。
が特に顕著である。
たとえば、電圧に適合させるため、能動部品もキャリア
上のチップに隣接して配置することができる。
上のチップに隣接して配置することができる。
上記の種類のモジュールは、高さがきわめて低く、チッ
プ上の接触パッドからチップ・キャリアの上面の端子ま
での線がほぼ同じ長さできわめて短かく、減結合キャパ
シタがチップに隣接して配置され、チップの背面が効果
的に冷却され、その構造が1メガビットを超える将来の
チップに適しているという利点を有する。このように設
計したチップはさらに、チップ・キャリアで相互接続し
たいくつかのモジュールを同時に処理し試験できるため
、製造が容易で安価であるという利点も有する。
プ上の接触パッドからチップ・キャリアの上面の端子ま
での線がほぼ同じ長さできわめて短かく、減結合キャパ
シタがチップに隣接して配置され、チップの背面が効果
的に冷却され、その構造が1メガビットを超える将来の
チップに適しているという利点を有する。このように設
計したチップはさらに、チップ・キャリアで相互接続し
たいくつかのモジュールを同時に処理し試験できるため
、製造が容易で安価であるという利点も有する。
本発明に従って設計したモジュールは、高さが特に低い
モジュール・スタックを製造することができる。この目
的のため、各モジュールは、少なくとも1つのキャリア
との接点及び接続すべき次のモジュールとの接点にスズ
のはんだを埋めこんで、S字型のコネクタ・クリップで
接続する。これにより、モジュールのスタックは1ステ
ップではんだ付けが可能になる。4つのこのようなモジ
ュールの高さはきわめて低く、わずかに25または50
%が欠陥のないチップを使用して、たとえば1メガビッ
トの機能性メモリを形成することができると考えられる
。
モジュール・スタックを製造することができる。この目
的のため、各モジュールは、少なくとも1つのキャリア
との接点及び接続すべき次のモジュールとの接点にスズ
のはんだを埋めこんで、S字型のコネクタ・クリップで
接続する。これにより、モジュールのスタックは1ステ
ップではんだ付けが可能になる。4つのこのようなモジ
ュールの高さはきわめて低く、わずかに25または50
%が欠陥のないチップを使用して、たとえば1メガビッ
トの機能性メモリを形成することができると考えられる
。
本発明の別の有利な実施例によれば、隣接して配置し、
互いに永久的に結合したいくつかのモジュールを、ID
カードやクレジット・カード等として使用することがで
きる。この場合、各モジュールは、上面にモジュールを
相互接続する導体を含む、1つの共通のキャリアを有す
る。導体は、少なくとも片而または積層板の間に配置す
ることができる。このようなカードは、1つのプロセッ
サまたは1つのメモリ・チップを収納する。
互いに永久的に結合したいくつかのモジュールを、ID
カードやクレジット・カード等として使用することがで
きる。この場合、各モジュールは、上面にモジュールを
相互接続する導体を含む、1つの共通のキャリアを有す
る。導体は、少なくとも片而または積層板の間に配置す
ることができる。このようなカードは、1つのプロセッ
サまたは1つのメモリ・チップを収納する。
その全体の厚みは、互いに隣接して設けたモジュールの
厚みよりわずかに厚くなる。強化ポリイミドを使用する
ことにより、十分なカードの安定性が得られる。
厚みよりわずかに厚くなる。強化ポリイミドを使用する
ことにより、十分なカードの安定性が得られる。
D.実施例
第1図を参照すると、第IA図は、上面2、スロット3
、及びチップ・キャリアの長辺上に設けた概略的に示し
た接触パッド7を有するチップ・キャリア1を示す。チ
ップ・キャリア1は方形で、後に収納するチップの形状
に適合している。言うまでもなく、他の適合した形状も
同様に適している。第1図に示すチップ・キャリア1の
スロット3は、キャリアが、中央に接触パッドを設けた
チップを収納する働きをするので、キャリアの中心に垂
直な位置にある。他のチップの構成については、スロッ
トを側面に設けることもでき、チップ・キャリアに複数
のスロットを設けることもできる。
、及びチップ・キャリアの長辺上に設けた概略的に示し
た接触パッド7を有するチップ・キャリア1を示す。チ
ップ・キャリア1は方形で、後に収納するチップの形状
に適合している。言うまでもなく、他の適合した形状も
同様に適している。第1図に示すチップ・キャリア1の
スロット3は、キャリアが、中央に接触パッドを設けた
チップを収納する働きをするので、キャリアの中心に垂
直な位置にある。他のチップの構成については、スロッ
トを側面に設けることもでき、チップ・キャリアに複数
のスロットを設けることもできる。
第IB図は、チップ・キャリアの断面図である。
この図では、チップの配線にさらに容易に近づけるよう
に、上而2に位置するスロット3が面取りされている。
に、上而2に位置するスロット3が面取りされている。
スロット3は、チップ・キャリア1の下面6の凹部5で
成端している。凹部5は、チップを収納して確実に保持
するため、水平部の幅をスロット3の幅より長くする。
成端している。凹部5は、チップを収納して確実に保持
するため、水平部の幅をスロット3の幅より長くする。
チップ・キャリアの縦断而図(第IC図)では、垂直方
向の凹部5の幅も、凹部5中に配置するチップが容易に
収納でき確実に保持できるように、スロット3の幅より
長い。スロット3の短辺に沿った面取りは、その辺を横
切ってリード線を通さない限り必要ない。
向の凹部5の幅も、凹部5中に配置するチップが容易に
収納でき確実に保持できるように、スロット3の幅より
長い。スロット3の短辺に沿った面取りは、その辺を横
切ってリード線を通さない限り必要ない。
ある点では、接着剤、シール材等を挿入できるように、
凹部をチップより僅かに大きくすることができる。
凹部をチップより僅かに大きくすることができる。
チップ・キャリアは、強化ポリイミドまたはセラミック
材料製とする。ポリイミドを使用する場合は、積層板の
各層に、スロソト3または凹部5の寸法に相当する開口
を設けておくと、再加工の必要がなく有利である。いく
つかの成形し、または打ち抜いた層からなるセラミック
材料でも、同様の結果が得られる。このようなレイアウ
トの場合、チップ・キャリアの厚みは、後で述べるよう
にチップを集積する場合でも、0.8ないし1.2mm
とする。凹部5の領域でのチップ・キャリア1の厚みは
、僅か0.2ないし0.5mmである。
材料製とする。ポリイミドを使用する場合は、積層板の
各層に、スロソト3または凹部5の寸法に相当する開口
を設けておくと、再加工の必要がなく有利である。いく
つかの成形し、または打ち抜いた層からなるセラミック
材料でも、同様の結果が得られる。このようなレイアウ
トの場合、チップ・キャリアの厚みは、後で述べるよう
にチップを集積する場合でも、0.8ないし1.2mm
とする。凹部5の領域でのチップ・キャリア1の厚みは
、僅か0.2ないし0.5mmである。
第2図は、モジュール10の平面図で、チップ・キャリ
ア1の上面2を示したものである。チップ・キャリア1
の上面2上には、チップ・キャリアの縁部で接触パッド
7に接続された導体8が設けてある。チップ・キャリア
1の下面8にも、チップ・キャリア中のバイアを通って
、上面の導体をこ接続された導体(図示せず)が設けて
ある。チップ・キャリア1の上面2の導体8は、リード
線により、スロット3を通ってチツプ9の上面の接触ノ
寸ツド11に接続されている。チップθ上の接触/くツ
ド11は、ワイヤ・ボンデイング、TAB等、周知の方
法で導体8に接続される。キャリアi上に、能動部品2
0(減結合キヤ/fシタ、ダイオード)をチップに隣接
して設けることができる。
ア1の上面2を示したものである。チップ・キャリア1
の上面2上には、チップ・キャリアの縁部で接触パッド
7に接続された導体8が設けてある。チップ・キャリア
1の下面8にも、チップ・キャリア中のバイアを通って
、上面の導体をこ接続された導体(図示せず)が設けて
ある。チップ・キャリア1の上面2の導体8は、リード
線により、スロット3を通ってチツプ9の上面の接触ノ
寸ツド11に接続されている。チップθ上の接触/くツ
ド11は、ワイヤ・ボンデイング、TAB等、周知の方
法で導体8に接続される。キャリアi上に、能動部品2
0(減結合キヤ/fシタ、ダイオード)をチップに隣接
して設けることができる。
第3八図ないし第3D図は、完成したモジュ−ルの断面
図である。第3A図及び第3B図では、それぞれ1つの
チップ9がチップ・キャリア1に固定されている。第3
A図と第3B図は、第3A図のモジュールがカードには
んだ付けされている(SMT表面装着技術)のに対し、
第3B図のモジュールはビンを有し、それによってモジ
ュールが穴をあけたカードにはんだ付けされている(P
IHピン・イン・ホール)点で異なる。
図である。第3A図及び第3B図では、それぞれ1つの
チップ9がチップ・キャリア1に固定されている。第3
A図と第3B図は、第3A図のモジュールがカードには
んだ付けされている(SMT表面装着技術)のに対し、
第3B図のモジュールはビンを有し、それによってモジ
ュールが穴をあけたカードにはんだ付けされている(P
IHピン・イン・ホール)点で異なる。
チップ9は、接着剤16により、凹部5中に固定される
。リード線12は、スロット3を通って、チップ9の上
面の接触パッドをチップ・キャリア1の上面2の導体に
接続する。スロット3は、リード線12の通る部分4が
面取りされている。チツプ9の上面及びリード線12は
、シール手段13により封止されている。チップ・キャ
リア1の長辺には、端子とチップ・キャリア1の上面2
との接点と、モジュールを取り付けるキャリア・プレー
トを何する端子が固定される点にスズのはんだ15を埋
め込んで、S字型のコネクタ・クリップが設けられてい
る。チップ9の背面19は、キャリア1の下面6と同一
平面を形成し、した力(,てチツプは、キャリア1中の
凹部5により完全をこ保護される。背面19は開放され
ているので、チツプ9は空気により十分に冷却される。
。リード線12は、スロット3を通って、チップ9の上
面の接触パッドをチップ・キャリア1の上面2の導体に
接続する。スロット3は、リード線12の通る部分4が
面取りされている。チツプ9の上面及びリード線12は
、シール手段13により封止されている。チップ・キャ
リア1の長辺には、端子とチップ・キャリア1の上面2
との接点と、モジュールを取り付けるキャリア・プレー
トを何する端子が固定される点にスズのはんだ15を埋
め込んで、S字型のコネクタ・クリップが設けられてい
る。チップ9の背面19は、キャリア1の下面6と同一
平面を形成し、した力(,てチツプは、キャリア1中の
凹部5により完全をこ保護される。背面19は開放され
ているので、チツプ9は空気により十分に冷却される。
第3B図で&ま、ピン17がスズはんだの代りに用%s
られてt1る。
られてt1る。
コネクタ・クリップを有するモジューノレを仕上曇デて
から、キャリア・プレートに最終的娠こ固定するので、
成形したスズはんだの融点L後の&まんだ付け工程の温
度より高くする。
から、キャリア・プレートに最終的娠こ固定するので、
成形したスズはんだの融点L後の&まんだ付け工程の温
度より高くする。
このことを、第3C図及び第3D図のモジュール・スタ
ックと関連して具体的龜こ示す。各モジュール10の構
造は、第3A図のモジューノレ10の+m造と同じであ
る。第3D図の下端のモジエーノレ10のみに、第3D
図のモジューノレ10と同様のピン17が設けられてお
り、これ番こより、モジュール10がキャリア・プレー
トに固定される。このようなモジュール・スタックは、
本発明によるモジェールを使用することにより容易龜こ
形成される。
ックと関連して具体的龜こ示す。各モジュール10の構
造は、第3A図のモジューノレ10の+m造と同じであ
る。第3D図の下端のモジエーノレ10のみに、第3D
図のモジューノレ10と同様のピン17が設けられてお
り、これ番こより、モジュール10がキャリア・プレー
トに固定される。このようなモジュール・スタックは、
本発明によるモジェールを使用することにより容易龜こ
形成される。
これらは、きわめて平坦である。第8C図及び第3D図
のモジニール・スタ・ソクは、高さ力fキャ−』ア・プ
レートの上面から測って約10mmである。
のモジニール・スタ・ソクは、高さ力fキャ−』ア・プ
レートの上面から測って約10mmである。
このことは、高さが減少するとパッケージ密度が倍増す
るので、大きな利点である。
るので、大きな利点である。
第4図は、2つの隣接したモジュールを導体8で接続し
たカードの概略図である。導体8は、表面上に配置して
も、積層板の間に配置してもよい。
たカードの概略図である。導体8は、表面上に配置して
も、積層板の間に配置してもよい。
モジュール10中のチップは異なるもの、たとえばプロ
セッサとメモリ・チップであってもよい。
セッサとメモリ・チップであってもよい。
カーP18は、各モジュールのチップ・,キャリアと同
じ材料製とする。カード18には、上面と下面の両面に
導体を設けることができる。これらの導体は、パイア辷
より接続する。このような、たとえばポリイミド製のカ
ードは、0.8ないし1.2mmの厚み全体にわたって
十分な安定性を有し、IDカードまたはクレジット・カ
ードとして使用することができる。この目的のため、カ
ード18は、文字及び磁気ストライプを含む適当な材料
を用いて封止する。
じ材料製とする。カード18には、上面と下面の両面に
導体を設けることができる。これらの導体は、パイア辷
より接続する。このような、たとえばポリイミド製のカ
ードは、0.8ないし1.2mmの厚み全体にわたって
十分な安定性を有し、IDカードまたはクレジット・カ
ードとして使用することができる。この目的のため、カ
ード18は、文字及び磁気ストライプを含む適当な材料
を用いて封止する。
E.発明の効果
個々のモジュールの積み重ねを容易化したことにより、
スタック構成の高さ及び占有空間を減少できる。
スタック構成の高さ及び占有空間を減少できる。
図、及び横断面図である。
第2図は、モジュールの平面図である。
第3A図ないし第3D図は、モジュールの断面図、及び
互いに積み重ねた4つのモジュールを有するモジュール
・スタックの断面図である。
互いに積み重ねた4つのモジュールを有するモジュール
・スタックの断面図である。
第4図は、IDカードまたはクレジット・カードとして
使用するための、互いに隣接して配置した2つのモジュ
ールを有するカードの概略を示す平面図である。
使用するための、互いに隣接して配置した2つのモジュ
ールを有するカードの概略を示す平面図である。
1・・・・チップ・キャリア、3・・・・スロット、5
・・・・凹部、7・・・・接触パッド、8・・・・導体
、10・・・・モジュール、17・・・・ピン、18・
・・・カード。
・・・・凹部、7・・・・接触パッド、8・・・・導体
、10・・・・モジュール、17・・・・ピン、18・
・・・カード。
FIG.
凹部
FIG. 1日
FIG.
3A
FIG.
3B
FIG.
3C
FIG.
3D
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 実質的に互いに平行に延びる上面及び下面、下面の凹部
、凹部内で上面まで延びる少なくとも1つのスロット、
及び少なくとも上面に設けた導電体を有するチップ・キ
ャリアと、 チップ・キャリアに面した接触パッドを有し、接触パッ
ドがスロットの領域内に位置するように凹部中に配置さ
れた集積半導体チップと、 スロットを介して、チップ上の接触パッドをキャリアの
上面の導体に接続するリード線とを含む、モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3911711A DE3911711A1 (de) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | Modul-aufbau mit integriertem halbleiterchip und chiptraeger |
DE3911711.1 | 1989-04-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02295159A true JPH02295159A (ja) | 1990-12-06 |
JPH0744239B2 JPH0744239B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=6378339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2079070A Expired - Lifetime JPH0744239B2 (ja) | 1989-04-10 | 1990-03-29 | チツプ・キヤリアと集積半導体チツプを有するモジユール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4996587A (ja) |
EP (1) | EP0392242A3 (ja) |
JP (1) | JPH0744239B2 (ja) |
DE (1) | DE3911711A1 (ja) |
Families Citing this family (174)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5068712A (en) * | 1988-09-20 | 1991-11-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
JP2708191B2 (ja) | 1988-09-20 | 1998-02-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US5399903A (en) * | 1990-08-15 | 1995-03-21 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device having an universal die size inner lead layout |
US20010030370A1 (en) * | 1990-09-24 | 2001-10-18 | Khandros Igor Y. | Microelectronic assembly having encapsulated wire bonding leads |
US7198969B1 (en) * | 1990-09-24 | 2007-04-03 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same |
US5148265A (en) * | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
US5155067A (en) * | 1991-03-26 | 1992-10-13 | Micron Technology, Inc. | Packaging for a semiconductor die |
KR940007757Y1 (ko) * | 1991-11-14 | 1994-10-24 | 금성일렉트론 주식회사 | 반도체 패키지 |
US5281852A (en) * | 1991-12-10 | 1994-01-25 | Normington Peter J C | Semiconductor device including stacked die |
US5397916A (en) * | 1991-12-10 | 1995-03-14 | Normington; Peter J. C. | Semiconductor device including stacked die |
US5185826A (en) * | 1992-02-07 | 1993-02-09 | At&T Bell Laboratories | Hybrid pumping arrangement for doped fiber amplifiers |
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