JPH0228940A - Mos型トランジスタの製造方法 - Google Patents
Mos型トランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH0228940A JPH0228940A JP17958588A JP17958588A JPH0228940A JP H0228940 A JPH0228940 A JP H0228940A JP 17958588 A JP17958588 A JP 17958588A JP 17958588 A JP17958588 A JP 17958588A JP H0228940 A JPH0228940 A JP H0228940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- film
- thereafter
- resist mask
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はバラツキの小さな良好な特性を有するMOS型
トランジスタの製造方法に関するものである。
トランジスタの製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、この種のMOS型トランジスタの製造方法は第2
図に示すような構成であった。第2図人において、1は
10〜16Ω備の比抵抗を有するP型シリコン基板であ
り、これに熱酸化法により約100人のゲート酸化膜2
を成長させた後、約4000人のポリシリコンを成長さ
せ、リンドープを従来の方法で行ない抵抗を20〜3o
Ω/口に下げ、さらに、レジストマスクで反応性イオン
エツチング装置を用いてポリシリコン電極3を形成する
。次に第2図Bに示すように、レジストマスクでリンイ
オンを30 KeVのエネルギーでドーズ量1×101
0〜S/c11で注入し、900℃で30分間アニール
した後に、シリコン酸化膜6を4000人の厚さで常圧
CVD法により堆積する。次に第2図Gに示すように、
反応性イオンエツチング装置を用いて、異方性エツチン
グを行ないポリシリコン電極の側壁にシリコン酸化膜の
サイドフレームを形成し、さらに、レジストマスクでイ
オン注入法により、Asを20KeVで6×10151
ONS/dのドーズ量でイオン注入した後に、9oO°
Cで30分間アニールし、高濃度のn型拡散層6を形成
する。
図に示すような構成であった。第2図人において、1は
10〜16Ω備の比抵抗を有するP型シリコン基板であ
り、これに熱酸化法により約100人のゲート酸化膜2
を成長させた後、約4000人のポリシリコンを成長さ
せ、リンドープを従来の方法で行ない抵抗を20〜3o
Ω/口に下げ、さらに、レジストマスクで反応性イオン
エツチング装置を用いてポリシリコン電極3を形成する
。次に第2図Bに示すように、レジストマスクでリンイ
オンを30 KeVのエネルギーでドーズ量1×101
0〜S/c11で注入し、900℃で30分間アニール
した後に、シリコン酸化膜6を4000人の厚さで常圧
CVD法により堆積する。次に第2図Gに示すように、
反応性イオンエツチング装置を用いて、異方性エツチン
グを行ないポリシリコン電極の側壁にシリコン酸化膜の
サイドフレームを形成し、さらに、レジストマスクでイ
オン注入法により、Asを20KeVで6×10151
ONS/dのドーズ量でイオン注入した後に、9oO°
Cで30分間アニールし、高濃度のn型拡散層6を形成
する。
次に、第2図りに示すように、CvD法により約1μm
のシリコン酸化膜を堆積した後に900°Cで30分間
フローして反応性イオンエツチング装置を用いてレジス
トマスクでコンタクト窓を形成する。最後に、第2図E
に示すように、スパッタ法により約1μm厚のムl−8
i(1%)膜を成長させ、レジストマスクで、反応性イ
オンエツチング装置を用いてアルミニウム電極を形成す
る。
のシリコン酸化膜を堆積した後に900°Cで30分間
フローして反応性イオンエツチング装置を用いてレジス
トマスクでコンタクト窓を形成する。最後に、第2図E
に示すように、スパッタ法により約1μm厚のムl−8
i(1%)膜を成長させ、レジストマスクで、反応性イ
オンエツチング装置を用いてアルミニウム電極を形成す
る。
発明が解決しようとする課題
このような従来の構成では、ゲートの電極の端部におい
てゲート酸化膜の厚みが厚くなり、トランジスタの特性
のバラツキが大きくなるという問題があった。本発明は
、このような課題を解決するもので、MOS型トランジ
スタのゲート電極の直下に均一な膜厚を有する絶縁膜を
有し、トランジスタ特性のバラツキの小さいMO5W)
ランジスタの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
てゲート酸化膜の厚みが厚くなり、トランジスタの特性
のバラツキが大きくなるという問題があった。本発明は
、このような課題を解決するもので、MOS型トランジ
スタのゲート電極の直下に均一な膜厚を有する絶縁膜を
有し、トランジスタ特性のバラツキの小さいMO5W)
ランジスタの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は1MOS型トランジ
スタのゲート電極の側壁部及びゲート電極の周囲部に耐
酸化性の膜を堆積し、ゲート電極直下部に均一な膜厚の
ゲート絶縁膜を有するMO5型トランジスタを製造する
方法である。
スタのゲート電極の側壁部及びゲート電極の周囲部に耐
酸化性の膜を堆積し、ゲート電極直下部に均一な膜厚の
ゲート絶縁膜を有するMO5型トランジスタを製造する
方法である。
作用
この構成により、MO3型トランジスタのゲート電極直
下部のゲート絶縁膜の厚みが均一になり、MO5型トラ
ンジスタの特性のバラツキを抑え、良好なトランジスタ
特性を得ることができる。
下部のゲート絶縁膜の厚みが均一になり、MO5型トラ
ンジスタの特性のバラツキを抑え、良好なトランジスタ
特性を得ることができる。
実施例
第1図は、本発明の一実施例によるMO5型トランジス
タの製造方法を示す断面図であり、第1図において1は
P型シリコン基板であり、第1図ムに示すごとくP型シ
リコン基板に熱酸化法によって約100人のゲート酸化
膜2を成長させた後、4000人の厚みでポリシリコ/
を減圧CvD法により成長し、従来の方法によりリンを
ドーピングし20〜30Ω/口に抵抗を下げた後に1反
応性イオンエツチング装置によってレジストマスクによ
りポリシリコンをバターニングする。引き続き、第1図
Bに示すように、レジストマスクでリンをs o Ke
Vのエネルギーでドーズ量1×1o131oNs /d
で注入した後、900°Cで30分間アニールし、n型
拡散層4を形成し次に減圧CvD法でシリコン窒化膜6
を1oO人成長し、引き続きシリコン酸化膜6を200
0〜3000人成長する。次に第1図Cに示すごとく1
反応性イオンエツチャーを用いて、前記2層膜をエツチ
ングし。
タの製造方法を示す断面図であり、第1図において1は
P型シリコン基板であり、第1図ムに示すごとくP型シ
リコン基板に熱酸化法によって約100人のゲート酸化
膜2を成長させた後、4000人の厚みでポリシリコ/
を減圧CvD法により成長し、従来の方法によりリンを
ドーピングし20〜30Ω/口に抵抗を下げた後に1反
応性イオンエツチング装置によってレジストマスクによ
りポリシリコンをバターニングする。引き続き、第1図
Bに示すように、レジストマスクでリンをs o Ke
Vのエネルギーでドーズ量1×1o131oNs /d
で注入した後、900°Cで30分間アニールし、n型
拡散層4を形成し次に減圧CvD法でシリコン窒化膜6
を1oO人成長し、引き続きシリコン酸化膜6を200
0〜3000人成長する。次に第1図Cに示すごとく1
反応性イオンエツチャーを用いて、前記2層膜をエツチ
ングし。
ゲート電極にサイドフレームを形成し、前記サイドフレ
ームを利用して、レジストマスクでAs f20 Ke
Vで6 X 10 1ONs/cAのドーズ量でイオン
注入した後、900’Cでアニールし、高濃度のn型拡
散層7を形成する。次に、第1図りに示すように、シリ
コン酸化膜t−cVD法により成長して、900’Cで
パイロ雰囲気中で30分間フローして平坦化した後、レ
ジストマスクで反応性イオンエツチャーを用いてコンタ
クト窓9を形成する。
ームを利用して、レジストマスクでAs f20 Ke
Vで6 X 10 1ONs/cAのドーズ量でイオン
注入した後、900’Cでアニールし、高濃度のn型拡
散層7を形成する。次に、第1図りに示すように、シリ
コン酸化膜t−cVD法により成長して、900’Cで
パイロ雰囲気中で30分間フローして平坦化した後、レ
ジストマスクで反応性イオンエツチャーを用いてコンタ
クト窓9を形成する。
次に第1図にのごとく、従来の方法によりアルミニウム
電極10を形成する。
電極10を形成する。
このような実施例によれば、ポリシリコン電極の側壁及
びこれに隣接する周辺部に耐酸化性膜が存在するために
、ゲート電極形成後の熱処理により、ゲート電極の直下
1部のゲート絶縁膜が厚くなることはなく、トランジス
タの特性は小さくなり、良好な特性を有するトランジス
タを製造することができる。
びこれに隣接する周辺部に耐酸化性膜が存在するために
、ゲート電極形成後の熱処理により、ゲート電極の直下
1部のゲート絶縁膜が厚くなることはなく、トランジス
タの特性は小さくなり、良好な特性を有するトランジス
タを製造することができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、MOS型トランジスタの
ゲート直下に均一な厚みを有するゲート絶縁膜を有する
ので、サブミクロンのゲート幅を有するトランジスタで
もトランジスタ特性のバラツキは少なく、良好な特性を
有するトランジスタを製造することができる。
ゲート直下に均一な厚みを有するゲート絶縁膜を有する
ので、サブミクロンのゲート幅を有するトランジスタで
もトランジスタ特性のバラツキは少なく、良好な特性を
有するトランジスタを製造することができる。
第1図は本発明の一実施例によるMO5型トランジスタ
の製造方法を示す断面図、第2図は従来0M0S型トラ
ンジスタの製造方法を示す断面図である。 1・・・・・・P型シリコン基板、2・・・・・・ゲー
トe化膜、3・・・・・・ポリシリコン電極、4・・・
・・・n型拡散層、6・・・・・・シリコン窒化膜、6
・・・・・・シリコン酸化膜、7・・・・・・n型拡散
層、8・・・・・・シリコン酸化膜、9・・・・・・コ
ンタクト窓、10・・・・・・アルミニウム電極。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名2
・− 6−・− ケート酸化膜 n1拡散1 シゾコソ菫化順 シリコン酸化膜 第1図 I・−P型シリコツ蟇板 2−−−ケート斂化項1 3−− ボ リ シ リ コ ソ 電 楊4−−
− n S!に散層 P盟シリコツ基板 アルミニウム燵梃 1−P鴛シリコツ纂凝 2− チ − ト 酸 イc@ 3− ポリシリコン電磁 9− コソ
の製造方法を示す断面図、第2図は従来0M0S型トラ
ンジスタの製造方法を示す断面図である。 1・・・・・・P型シリコン基板、2・・・・・・ゲー
トe化膜、3・・・・・・ポリシリコン電極、4・・・
・・・n型拡散層、6・・・・・・シリコン窒化膜、6
・・・・・・シリコン酸化膜、7・・・・・・n型拡散
層、8・・・・・・シリコン酸化膜、9・・・・・・コ
ンタクト窓、10・・・・・・アルミニウム電極。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名2
・− 6−・− ケート酸化膜 n1拡散1 シゾコソ菫化順 シリコン酸化膜 第1図 I・−P型シリコツ蟇板 2−−−ケート斂化項1 3−− ボ リ シ リ コ ソ 電 楊4−−
− n S!に散層 P盟シリコツ基板 アルミニウム燵梃 1−P鴛シリコツ纂凝 2− チ − ト 酸 イc@ 3− ポリシリコン電磁 9− コソ
Claims (1)
- 一導電形の半導体基板に、第1の絶縁膜及び導電性膜を
この順序で被着する工程と、前記導電性膜をパターニン
グしてゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を
マスクとしてセルファラインで前記半導体基板に拡散層
を形成する工程と、前記ゲート電極の側壁部及びこれに
隣接する周囲の絶縁膜上に耐酸化性膜を設ける工程と、
前記耐酸化性膜上に第2の絶縁膜を被着した後に前記拡
散層上にコンタクト窓を形成する工程と、前記コンタク
ト窓内に金属電極を形成することを特徴とするMOS型
トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17958588A JPH0228940A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | Mos型トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17958588A JPH0228940A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | Mos型トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0228940A true JPH0228940A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16068300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17958588A Pending JPH0228940A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | Mos型トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0228940A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6254959A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Toshiba Corp | Mis型半導体装置の製造方法 |
JPS62261174A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP17958588A patent/JPH0228940A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6254959A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Toshiba Corp | Mis型半導体装置の製造方法 |
JPS62261174A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6388296B1 (en) | CMOS self-aligned strapped interconnection | |
JP3413876B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6087234A (en) | Method of forming a self-aligned silicide MOSFET with an extended ultra-shallow S/D junction | |
JP3132435B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10284728A (ja) | コバルトシリサイド膜を有するmosfetの製造方法 | |
JPH0727915B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0228939A (ja) | Mos型トランジスタ | |
JPH0147016B2 (ja) | ||
JPH0228940A (ja) | Mos型トランジスタの製造方法 | |
JPS5974668A (ja) | 集積回路接点構造体 | |
JP3207883B2 (ja) | バイポーラ半導体装置の製造方法 | |
JP3113011B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3127866B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPH0231468A (ja) | 浮遊ゲート型半導体記憶装置の製造方法 | |
JP2914052B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH03191529A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2546650B2 (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造法 | |
JP2874885B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS63305566A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS6154661A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01260857A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2546651B2 (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造法 | |
JP2659798B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH01125977A (ja) | Mos型半導体装置 | |
JPH0230145A (ja) | 半導体装置の製造方法 |