JPH02278812A - 反射投影型露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、反射投影型露光装置に関する。

〈従来の技術〉 多品種で且つ少量の半導体装置を自動化して生産する為
に、人や機械が識別可能な文字や記号から成る識別パタ
ーンをウェハ毎に形成する必要がある。

その為の手段としては、 ■レーザ光等の直接照射によりウニへ表面を溶融させて
形成する手段、 ■ダイヤモンドベン等でウニ八表面に彫刻する手段。

■ウェハ上に形成したレジストに、電子ビームで識別パ
ターンを直接描画し、現像処理及びエッチング処理をし
て形成する手段、 ■識別パターン用マスクを用いて、ウェハ上に形成した
レジストに識別パターンを焼き付１すて、レジストを感
光させ、現像処理及びエツチング処理をして形成する手
段。

等がある。

〈発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記従来の各手段では。

イ）レーザ光照射やダイヤモンドペンによる彫刻等では
、ウェハに物理的損傷を与えて結晶欠陥や転位を発生し
たり、又塵埃を発生したりして１歩留りを低下させる一
因になる。

口）電子ビームによる直接描画では、識別パターンの種
類を選択できる自由度は高いが、描画速度が遅いのでス
ループットが低下する。

ハ）マスクを用いた光照射では、光学系を共有する場合
には、回路パターン用マスクと識別パターン用マスクと
の交換動作が必要になり、別の光学系を用いて識別パタ
ーンを露光する場合には、ウェハの移動動作が必要にな
り、処理時間が掛かる。

又、識別パターンの種類を選択できる自由度が低い。

等の課題を有している。

〈課題を解決するための手段〉 本発明は、上記課題を解決する為に成されたもので、ウ
ェハに物理的損傷を与えることなく、又塵埃の発生がな
ぐ、処理効率に優れた識別パターンを焼き付ける反射投
影型露光装置を提供することを目的とする。

即ち、半導体装置にマスクパターンを転写する反射投影
型露光装置において、識別パターンをドツトの集合体で
クエへに焼き付ける転写手段であって、光源と、光源の
光を集光する集光器と、集光器に接続した複数本の光フ
ァイバーと、光ファイバーの夫々に設けた調光部及びシ
ャッタ部と、光ファイバーの先端をウェハの移動方向に
対して直角に且つ一列に配設した光照射部と、ウェハの
移動速度を検出する速度センサと、速度センサの速度信
号を受けて、露光量信号を調光部に伝送するとともに、
識別パターンを形成する開閉信号をシャッタ部に伝送す
る制御部と、識別パターンを記憶していて且つ制御部に
入力する入力部とから成ることを特徴とするものである
。

（作用） 上記の構成により本発明の反射投影型露光装置は。

集光器を設けたことにより光照射部から照射される光量
が十分に確保され！！光部を設けたことにより１種々の
ウェハ移動速度に対応した最適霧。

光量に調整して、回路パターンの露光と同時に識別パタ
ーンを露光することができる。

又速度センサから速度信号を制御部が受けるとともに、
識別パターンをシャッタの開閉信号に変換してシャッタ
部に伝送され、シャッタの開閉動作によりドツトの集合
体で任意の識別パターンをウェハ上に焼き付けることが
できる。

（実施例〉 本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図に示す反射投影型露光装置ｌｌには光源（水銀ラ
ンプ）２が設けられている。光源２には光を集光する集
光器３が近設されている。集光器３には複数本の光ファ
イバー４が接続されている。各光ファイバー４には夫々
に調光部５及びシャッタ部６が設けられている。そして
、各光ファイバー４の先端を揃えて、ウェハ２０の移動
方向（矢印Ｂ方向）に対して直角に且つ一列に配設した
光照射部７が形成されている。光照射部７は、マスクコ
０の回路パターンをウェハ２０上のレジストに焼き付け
る反射光学系３１の光路３２を遮ることなく、第１図中
のＡ部拡大図である第２図に示す如く回路パターン領域
３３の外側の識別パターン（文字や記号）１５を焼き付
ける位置に設置される。

又反射投影型露光装置１にはウェハ２０の移動速度を検
出する速度センサ８が、ウェハ２０の近傍に設けられて
いる。

更に制御部９が設けられ、速度センサ８の速度信号を受
けて、露光量信号を調光部５に伝送するとともに、識別
パターン１５を形成する開閉信号なシャッタ部６に伝送
する。

更に又、入力部ｌＯが設けられ、識別パターン１５を記
憶するとともに、制御部９に入力する。

通常、制御部９と入力部１０は、マイクロコンピュータ
か用いられる。

前記集光器３は、各光ファイバー４に均等な光量が入射
される集光レンズで形成されている。当然のことながら
凹面反射鏡を用いることもできる。

前記調光部５と前記シャッタ部６は、第３図に示す様に
連設されている。

調光部５は、光フアイバー４内を伝送される光量を調整
するもので、光ファイバー４の途中に設けられている。

そして、光ファイバー４から出射した光を広げて平行光
線にする拡大光学系１１と、光量を調整する絞り１２と
、該絞り１２を駆動させる駆動部１３とから成る。

シャッタ部６は、絞り１２を通過した光を遮光するシャ
ッタ１４と、シャッタ１４を駆動させる駆動部１７と、
シャ・ンタ１４を通過した光を光ファイバー４に入射さ
せる集光レンズ１８とから成る。

又、前記光フアイバー４内を伝送された光は、拡がり角
を有して光ファイバー４から出射されるので、識別パタ
ーン１５を構成するドツト１６の解像度が低下する。そ
こで出射光な略平行光線に変換する為には光ファイバー
４の先端を凹面状に形成することが望ましい。

この様に構成された反射投影型露光袋Ｗ１１によって、
ウェハ２０上に形成したレジストに識別パターン１５を
焼き付けるには、光源２から集光器３を介して各光ファ
イバー４に光を導く。

そしてウェハ２０上に焼き付ける識別パターン１５を入
力部１０より制御部９に入力する。

すなわち回路パターンの露光開始とともに、ウェハ２０
の移動速度を速度センサ８で検出し、速度信号にして制
御部９に送る。

制御部９は速度信号を受けて最適露光量を算出し、露光
量信号を調光部５に伝送する。

そして、調光部５は絞り１２によって最適霧光量に調整
する。

又、制御部９は速度信号と露光経過時間とからウェハ２
０の位置を算出し、識別パターン１５を構成するドツト
１６か流れ過ぎない１ドツト当りの最適露光時間を算出
する。そして、各シャッタ１４の開閉時間を各シャッタ
部６に伝送する。それとともに、制御部９は入力部１０
より人力された識別パターン１５をドツトに構成し、各
ドツト１６の露光タイミンクを該当するシャッタ部６に
伝送する。

各シャッタ部６は、シャッタＩ４の開閉時間及び露光す
るタイミングから成るシャッタ１４の開閉信号を受けて
、夫１１のシャッタ１４か開閉し、ウェハ２０上のレジ
ストに識別パターン１５を焼き付ける。

〈発明の効果〉 以上、説明した様に本発明によれば、 Ｉ）光ファイバーを用いた露光によりウェハに形成した
レジストに識別パターンを焼き付けるので、ウェハに物
理的損傷か加わることかなく、結晶欠陥や転位の発生が
なく、又塵埃の発生が防止でき、歩留りを向上させるこ
とができる。

−）集光部及び調光部を設けているので、露光ｌの過不
足を防止することができ、回路パターンと同時に識別パ
ターンを焼き付けることが可能となる為、スルーブツト
は低下しない。

１１１）制御部に入力された識別パターンを、各光ファ
イバーに設はシャッタの開閉タイミングによりドツトの
集合体としてウェハ上のレジストに焼き付けるので、識
別パターンの種類を選択できる自由度を高めることがで
きる。

等の優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の反射投影型露光装置の概略説明図、 第２図は、第１図中のＡ部拡大図、 第３図は、第１図中の調光部及びシャッタ部の概略説明
図である。 １・・・反射投影型露光装置、　２・・・光源。 ３・・・集光器、　　４・・・光ファイバー５・・・調
光部、　　６・・・シャッタ部。 、７−・・光照射部、　８・・・速度センサ。 ９・・・制御部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体装置にマスクパターンを転写する反射投影型露光
   装置において、 識別パターンを点の集合体でウェハに焼き付ける転写手
   段であって、 光源と、 前記光源の光を集光する集光器と、 前記集光器に接続した複数本の光ファイバーと、 前記光ファイバーの夫々に設けた調光部及びシャッタ部
   と、 前記光ファイバーの先端をウェハの移動方向に対して直
   角に且つ一列に配設した光照射部と、ウェハの移動速度
   を検出する速度センサと、前記速度センサの速度信号を
   受けて、露光量信号を前記調光部に伝送するとともに、
   識別パターンを形成する開閉信号をシャッタ部に伝送す
   る制御部と、 識別パターンを記憶し且つ前記制御部に入力する入力部
   と、 から成ることを特徴とする反射投影型露光装置。