JPH02257693A - 光電子集積回路の製造方法 - Google Patents
光電子集積回路の製造方法Info
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- JPH02257693A JPH02257693A JP7913689A JP7913689A JPH02257693A JP H02257693 A JPH02257693 A JP H02257693A JP 7913689 A JP7913689 A JP 7913689A JP 7913689 A JP7913689 A JP 7913689A JP H02257693 A JPH02257693 A JP H02257693A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザとその共振器を構成要素として含
む光電子集積回路の製造方法に関する。
む光電子集積回路の製造方法に関する。
（従来の技術）
光電子集積回路の製造における光半導体、特に半導体レ
ーザについてはへき開が重要な製造工程として用いられ
てきた。このへき開法は機械化が困難であるため量産性
に難点がある。また、半導体レーザを高密度に集積化し
た光電子集積回路においてはへき開による共振器形成を
採用できなかった。
ーザについてはへき開が重要な製造工程として用いられ
てきた。このへき開法は機械化が困難であるため量産性
に難点がある。また、半導体レーザを高密度に集積化し
た光電子集積回路においてはへき開による共振器形成を
採用できなかった。
そこで、近年反応性イオンエツチング（ＲＩＢと略称す
る）を始めとする、いわゆるドライエツチングがへき開
法に替るものとして研究が進められている。しかしなが
ら、異方性を達成するための異方性エツチングは、電極
により加速されたイオンを用いることが多いので、半導
体基板、特にそのエツチング面に対するイオンの照射損
傷が問題となる。
る）を始めとする、いわゆるドライエツチングがへき開
法に替るものとして研究が進められている。しかしなが
ら、異方性を達成するための異方性エツチングは、電極
により加速されたイオンを用いることが多いので、半導
体基板、特にそのエツチング面に対するイオンの照射損
傷が問題となる。
そこで、より低いイオンの加速エネルギを用いるＥＣＲ
（エレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス）法や、
既に出願した特願昭６３−２２１６２３号にて提唱した
光励起法による低損傷エツチング法が前記共振器等の形
成に用いられる。しかし、大きなエツチング速度と、少
ない照射損傷は相反する条件であり前記ＥＣＲ法におい
ても低損傷条件では十分に大きなエツチング速度が得ら
れない問題がある。また、光励起法では、その低い励起
効率により工業的に十分なエツチング速度が得られない
という問題がある。
（エレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス）法や、
既に出願した特願昭６３−２２１６２３号にて提唱した
光励起法による低損傷エツチング法が前記共振器等の形
成に用いられる。しかし、大きなエツチング速度と、少
ない照射損傷は相反する条件であり前記ＥＣＲ法におい
ても低損傷条件では十分に大きなエツチング速度が得ら
れない問題がある。また、光励起法では、その低い励起
効率により工業的に十分なエツチング速度が得られない
という問題がある。
（発明が解決しようとする課題）
以上、述べたように従来のエツチング法では、低い損傷
度と高いエツチング速度とを同時に満足させることは極
めて困難であった。
度と高いエツチング速度とを同時に満足させることは極
めて困難であった。
この発明は上記従来の問題点を解消し、低Ｍｉ傷かつ深
い溝形成形成を短時間に達成することを目的とする。
い溝形成形成を短時間に達成することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明にかかる光電子集積回路の製造方法は、少なく
とも半導体レーザ素子を構成要素として含む光電子集積
回路を製造する際に、半導体基板における前記半導体レ
ーザ素子の共振器端面を第１のエツチングを施して露出
させたのち、前記共振器端面の一部にマスクを形成し前
記第１のエツチングを超えるエツチング速度の第２のエ
ツチングを施し半導体レーザ素子を形成することを特徴
とするものである。
とも半導体レーザ素子を構成要素として含む光電子集積
回路を製造する際に、半導体基板における前記半導体レ
ーザ素子の共振器端面を第１のエツチングを施して露出
させたのち、前記共振器端面の一部にマスクを形成し前
記第１のエツチングを超えるエツチング速度の第２のエ
ツチングを施し半導体レーザ素子を形成することを特徴
とするものである。
（作 用）
この発明は、半導体レーザにおける低損傷を必要とする
領域と、それ以外の例えば共振器部分の急速エツチング
を要する領域とを夫々に最適のエツチング法を選択でき
、短時間で加工工程を達成できる。
領域と、それ以外の例えば共振器部分の急速エツチング
を要する領域とを夫々に最適のエツチング法を選択でき
、短時間で加工工程を達成できる。
（実施例）
以下、この発明の一実施例につき第１図（、）〜（ｇ）
を参照して説明する。
を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｇ）はこの発明による一実施例の半導
体レーザの製造を工程順に示すいずれも断面図である。
体レーザの製造を工程順に示すいずれも断面図である。
ＧａＡｓ基体１１の一主面上に、気相成長法により半導
体レーザを構成する各層の成分比に従うレーザのエピタ
キシャル積層層１２を順次積層させて形成する（第１図
（ａ））。次に、上記積ＭＭ１２上にエツチングマスク
となるＳｉｎ、膜１３を気相成長法により一例の膜厚６
００ｎｍに形成し、写真蝕刻法によりパターニングを施
し開孔１３ａを形成する（第１−図（ｂ））。次に、既
に高原した特願昭６３＝２２１６２３号の技術の低損傷
エツチング法により、上記５ｕｎ２膜１３をマスクにし
てエピタキシャル積／１Ｊ１１２にドライエツチングを
施し、開孔１２ａを形成する。この開孔１２ａは、積Ｍ
層１２の一例の層厚５μｍに相等する深さに形成する。
体レーザを構成する各層の成分比に従うレーザのエピタ
キシャル積層層１２を順次積層させて形成する（第１図
（ａ））。次に、上記積ＭＭ１２上にエツチングマスク
となるＳｉｎ、膜１３を気相成長法により一例の膜厚６
００ｎｍに形成し、写真蝕刻法によりパターニングを施
し開孔１３ａを形成する（第１−図（ｂ））。次に、既
に高原した特願昭６３＝２２１６２３号の技術の低損傷
エツチング法により、上記５ｕｎ２膜１３をマスクにし
てエピタキシャル積／１Ｊ１１２にドライエツチングを
施し、開孔１２ａを形成する。この開孔１２ａは、積Ｍ
層１２の一例の層厚５μｍに相等する深さに形成する。
上記開孔１２ａ形成のドライエツチングには２時間を要
する。
する。
なお、上記ドライエツチングは、その工程のばらつきに
より形成される開孔１２ａの深さに多少の変化を生じて
も、その側面が平滑に形成できればレーザ素子の特性に
は何ら影響を及ぼさない（第１図（Ｃ））。次に、上面
に気相成長法によりＳｉｎ、膜１４を堆積したのち、エ
ッチバック法により上記開孔１２ａの側面にのみＳｉｎ
、膜を残し、この残された５ｉｎ２膜１４ａは次に施さ
れるエツチングに対するエツチング面保護膜となる（第
１図（ｄ））。さらに。
より形成される開孔１２ａの深さに多少の変化を生じて
も、その側面が平滑に形成できればレーザ素子の特性に
は何ら影響を及ぼさない（第１図（Ｃ））。次に、上面
に気相成長法によりＳｉｎ、膜１４を堆積したのち、エ
ッチバック法により上記開孔１２ａの側面にのみＳｉｎ
、膜を残し、この残された５ｉｎ２膜１４ａは次に施さ
れるエツチングに対するエツチング面保護膜となる（第
１図（ｄ））。さらに。
高速性を目的としたエツチング法によって深い溝１１ａ
を形成する。このエツチングは、エツチングガスに塩素
を用いた平行平板型エツチング装置による。いわゆるＲ
ＩＥ（Ｒｉａｅｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法
により一例の２０μｍ深さに形成する。このエツチング
に要した時間は２５分である。上記エツチングはその側
面のＧａＡｓ基体主面に対する角度に多少の変動があっ
てもレーザ素子の特性には影響を及ぼさない（第１図（
ｅ））。次に、写真蝕刻法によってコンタクトホール１
５を設け、ここにさらに電極１６を形成する。ついでＳ
ｉＯ２膜１４ａ（第１図（ｅ））を除去し、レーザ共振
器保護膜１７を形成する。このレーザ共振器保護膜には
Ｓｉｎ、膜、Ａら０３膜等が適する（第１図（ｆ））。
を形成する。このエツチングは、エツチングガスに塩素
を用いた平行平板型エツチング装置による。いわゆるＲ
ＩＥ（Ｒｉａｅｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法
により一例の２０μｍ深さに形成する。このエツチング
に要した時間は２５分である。上記エツチングはその側
面のＧａＡｓ基体主面に対する角度に多少の変動があっ
てもレーザ素子の特性には影響を及ぼさない（第１図（
ｅ））。次に、写真蝕刻法によってコンタクトホール１
５を設け、ここにさらに電極１６を形成する。ついでＳ
ｉＯ２膜１４ａ（第１図（ｅ））を除去し、レーザ共振
器保護膜１７を形成する。このレーザ共振器保護膜には
Ｓｉｎ、膜、Ａら０３膜等が適する（第１図（ｆ））。
次にＧａＡｓ基体１１の上記と反対主面側をラッピング
により所定の厚さにしたのち、上記溝１１ａの中央にお
いてダイヤモンドホイールで切断し、レーザ素子を得る
（第１図（ｇ））。
により所定の厚さにしたのち、上記溝１１ａの中央にお
いてダイヤモンドホイールで切断し、レーザ素子を得る
（第１図（ｇ））。
上記実施例におけるダイヤモンドホイールで切断する溝
、いわゆるダイシングラインは８０ＩＬｍにて行なった
。ここで、上記第２のエツチング工程を省略して第１の
エツチング工程の深さ５μｍにて素子形成を行なえば第
２図に示すように、レーザ光１８の縦方向の広がりによ
り溝の底面での乱反射を生じ、レーザの良好な指向性が
得られないことは明らかである。
、いわゆるダイシングラインは８０ＩＬｍにて行なった
。ここで、上記第２のエツチング工程を省略して第１の
エツチング工程の深さ５μｍにて素子形成を行なえば第
２図に示すように、レーザ光１８の縦方向の広がりによ
り溝の底面での乱反射を生じ、レーザの良好な指向性が
得られないことは明らかである。
また、」二足実施例では、単体のレーザデバイスについ
て説明したが、複数の発光素子および受光素子を同一チ
ップ上に搭載する光集積回路、または光集積回路にさら
に電子回路を同一チップ上に搭載する光電子集積回路（
ＯＥＩＣ）等の製造にも有効である。
て説明したが、複数の発光素子および受光素子を同一チ
ップ上に搭載する光集積回路、または光集積回路にさら
に電子回路を同一チップ上に搭載する光電子集積回路（
ＯＥＩＣ）等の製造にも有効である。
以上説明したように、この発明によれば、深いエツチン
グと被エツチング体に与える損傷度の低いエツチングを
短時間に達成できるので、半導体レーザ、光集積回路、
０ＥＩＣ等の製造に顕著な効果がある。
グと被エツチング体に与える損傷度の低いエツチングを
短時間に達成できるので、半導体レーザ、光集積回路、
０ＥＩＣ等の製造に顕著な効果がある。
第１図（ａ）〜（ｇ）はこの発明にかかる０ＥＩＣの光
デバイス部分の製造方法の一実施例につき工程順に示す
いずれも断面図、第２図は半導体レーザとその共振器を
説明するための断面図である。 １１ −ＧａＡｓ基体１１ａ
（ＧａＡｓ基体の）溝１２−−−−−−−
−エピタキシャル積層層１３、１４．１４ａ −
−−−−−−５ｉｎ、膜１２ａ、 １３ａ−開孔
デバイス部分の製造方法の一実施例につき工程順に示す
いずれも断面図、第２図は半導体レーザとその共振器を
説明するための断面図である。 １１ −ＧａＡｓ基体１１ａ
（ＧａＡｓ基体の）溝１２−−−−−−−
−エピタキシャル積層層１３、１４．１４ａ −
−−−−−−５ｉｎ、膜１２ａ、 １３ａ−開孔
Claims (1)
- 少なくとも半導体レーザ素子を構成要素として含む光電
子集積回路を製造する際に、半導体基板における前記半
導体レーザ素子の共振器端面を第１のエッチングを施し
て露出させたのち、前記共振器端面の一部にマスクを形
成し前記第１のエッチングを超えるエッチング速度の第
２のエッチングを施し半導体レーザ素子を形成すること
を特徴とする光電子集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7913689A JPH02257693A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 光電子集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7913689A JPH02257693A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 光電子集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02257693A true JPH02257693A (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=13681538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7913689A Pending JPH02257693A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 光電子集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02257693A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002103866A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Nichia Corporation | Semiconductor laser element, and its manufacturing method |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP7913689A patent/JPH02257693A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002103866A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Nichia Corporation | Semiconductor laser element, and its manufacturing method |
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