JPH02257678A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法Info
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- JPH02257678A JPH02257678A JP1076652A JP7665289A JPH02257678A JP H02257678 A JPH02257678 A JP H02257678A JP 1076652 A JP1076652 A JP 1076652A JP 7665289 A JP7665289 A JP 7665289A JP H02257678 A JPH02257678 A JP H02257678A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、マグネシウムを添加した窒化ガリウム系化合
物半導体層を有する純青色発光素子の作製方法に関する
ものである。
物半導体層を有する純青色発光素子の作製方法に関する
ものである。
(従来の芸術)
従来、有機金属化合物気相成長法(以下、MOVPE法
と記す)を用いて、窒化ガリウム系化合物半導体(G
a + −x A j2 x N但し1>x≧0)をサ
ファイア基板上に気相成長させた構造の青色発光素子が
研究されている。
と記す)を用いて、窒化ガリウム系化合物半導体(G
a + −x A j2 x N但し1>x≧0)をサ
ファイア基板上に気相成長させた構造の青色発光素子が
研究されている。
これらの材料により青色発光素子を作製する場合には、
従来絶縁層を形成するため、及び青色発光中心の形成を
狙いとして亜鉛が添加される。亜鉛添加窒化ガリウム系
化合物半導体Ga1−XA l 、N(但し1>x≧0
)に於ける発光素子の発光ピーク波長は425nm付近
の紫色、及び490nm付近の青緑色領域であった。
従来絶縁層を形成するため、及び青色発光中心の形成を
狙いとして亜鉛が添加される。亜鉛添加窒化ガリウム系
化合物半導体Ga1−XA l 、N(但し1>x≧0
)に於ける発光素子の発光ピーク波長は425nm付近
の紫色、及び490nm付近の青緑色領域であった。
(発明が解決しようとする課題)
窒化ガリウム系化合物半導体を用いて青色発光素子を作
製する場合、添加する不純物に必要となる役割は二つあ
る。一つには絶縁層の形成が可能であること、もう一つ
は添加した不純物自体或はそれが関係して青色発光中心
を形成することである。窒化ガリウム系化合物半導体に
於て一般的に用いられる亜鉛の場合、絶縁層の形成は可
能であるが、それが関係して形成される発光中心に問題
があった。即ら、形成される発光中心は前述のごとく紫
色及び青緑色領域に発光ピークがあった。
製する場合、添加する不純物に必要となる役割は二つあ
る。一つには絶縁層の形成が可能であること、もう一つ
は添加した不純物自体或はそれが関係して青色発光中心
を形成することである。窒化ガリウム系化合物半導体に
於て一般的に用いられる亜鉛の場合、絶縁層の形成は可
能であるが、それが関係して形成される発光中心に問題
があった。即ら、形成される発光中心は前述のごとく紫
色及び青緑色領域に発光ピークがあった。
明所視で目視により青色と観測される光の波長は450
nmから480nmの範囲内であり、亜鉛撚jJ11窒
化ガリウム系化合物半導体(Ga1−xA 1. xN
但し1>x≧O)による発光素子では色純度の問題があ
った。
nmから480nmの範囲内であり、亜鉛撚jJ11窒
化ガリウム系化合物半導体(Ga1−xA 1. xN
但し1>x≧O)による発光素子では色純度の問題があ
った。
そこで純青色発光中心が形成され、かつ絶縁層の形成が
可能な不純物を各種探索した結果、Mgがその二つの役
割を果たすことを見いだした。
可能な不純物を各種探索した結果、Mgがその二つの役
割を果たすことを見いだした。
(課題を解決するための手段)
本発明は水素雰囲気で大気圧に保たれた反応管内にサフ
ァイア等の絶縁体基板を設け、反応管の一方より有機ガ
リウム化合物、有機■族元素化合物及びアンモニアをガ
ス状で導入し、基板上にて気相成長法によりGa+−x
AlxN (但し1>x≧0)の単結晶層からなるn型
窒化ガリウム系化合物半導体層を形成後、原料ガスに有
機マグネシウム化合物乏ガス状で反応管内に導入し、絶
縁層及び発光層としてマグネシウム(Mg )を添加し
たi型の窒化ガリウム系化合物半導体Gap−xA I
XN(但し1>x≧0)層を作製することを特徴とす
る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法にあ
る。
ァイア等の絶縁体基板を設け、反応管の一方より有機ガ
リウム化合物、有機■族元素化合物及びアンモニアをガ
ス状で導入し、基板上にて気相成長法によりGa+−x
AlxN (但し1>x≧0)の単結晶層からなるn型
窒化ガリウム系化合物半導体層を形成後、原料ガスに有
機マグネシウム化合物乏ガス状で反応管内に導入し、絶
縁層及び発光層としてマグネシウム(Mg )を添加し
たi型の窒化ガリウム系化合物半導体Gap−xA I
XN(但し1>x≧0)層を作製することを特徴とす
る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法にあ
る。
(作 用)
本発明の好ましい実施例では前記マグネシウム(Mg
)添加窒化ガリウム系化合物半導体Ga、、−8Aff
、N(但し1>x≧O)層に於て、添加するマグネシウ
ム(Mg )の■族元素に対する濃度は絶縁層形成のた
め10”cm−’以上であることが好ましい。また必要
以上に高濃度に添加された場合、他の発光中心が形成さ
れ、純青色発光の効率が低下するため2 XIO”cm
−3以内であることが好ましい。
)添加窒化ガリウム系化合物半導体Ga、、−8Aff
、N(但し1>x≧O)層に於て、添加するマグネシウ
ム(Mg )の■族元素に対する濃度は絶縁層形成のた
め10”cm−’以上であることが好ましい。また必要
以上に高濃度に添加された場合、他の発光中心が形成さ
れ、純青色発光の効率が低下するため2 XIO”cm
−3以内であることが好ましい。
また作製した発光素子に於て、最も大きい光強度を示す
発光波長が430nmから480nmの範囲であること
が特徴である。
発光波長が430nmから480nmの範囲であること
が特徴である。
(実施例)
以下、添付図面を参照して本発明による純青色発光素子
の作製法の実施例を説明する。しかし、図示し且つ以下
に説明する実施例は、本発明の方法を例示するものに過
ぎず、本発明を限定するものではない。
の作製法の実施例を説明する。しかし、図示し且つ以下
に説明する実施例は、本発明の方法を例示するものに過
ぎず、本発明を限定するものではない。
第1図は純青色発光素子を作製するために使用する窒化
ガリウム系化合物半導体のエピタキシアル結晶成長装置
の概略図である。第1図において、1は反応管、2は基
板加熱用サセプタ、3はその上に載置した基板を示し、
4は原料ガス供給管、5は反応管に連設した試料予備室
、6はターボ真空ポンプ、7,8はロータリー真空ポン
プを示す。
ガリウム系化合物半導体のエピタキシアル結晶成長装置
の概略図である。第1図において、1は反応管、2は基
板加熱用サセプタ、3はその上に載置した基板を示し、
4は原料ガス供給管、5は反応管に連設した試料予備室
、6はターボ真空ポンプ、7,8はロータリー真空ポン
プを示す。
9は原料ガスと水素との供給装置であって、10は水素
供給口、11はアンモニアガス(NHa)供If口、1
2A、12B、12C,12D、12E、12F、12
C;ハ水素tA ffi 計、13はビスシクロペンタ
ジェニルマグネシウム(CP zMg )又はビスメチ
ルシクロペンタジェニルマグネシウム(MCPzMg)
の貯留槽、14はトリメチルアルミニウム(TMA)の
貯留槽、15はトリメチルガリウム(TMC)の貯留槽
、16〜31は流量制御弁、32〜34は切換混合弁を
示す。
供給口、11はアンモニアガス(NHa)供If口、1
2A、12B、12C,12D、12E、12F、12
C;ハ水素tA ffi 計、13はビスシクロペンタ
ジェニルマグネシウム(CP zMg )又はビスメチ
ルシクロペンタジェニルマグネシウム(MCPzMg)
の貯留槽、14はトリメチルアルミニウム(TMA)の
貯留槽、15はトリメチルガリウム(TMC)の貯留槽
、16〜31は流量制御弁、32〜34は切換混合弁を
示す。
サファイア等の絶縁体基板上に窒化ガリウム系化合物半
導体を気相でエピタキシアル成長させて単結晶を形成す
るには、上記の反応管1は予め真空に吸引し、水分、酸
素その他の不純物を除き大気圧の水素雰囲気として、反
応管1をヒーター35により加熱して結晶成長温度に保
つようにし、反応管1内に設けた基板加熱用サセプタ2
上に例えばサファイア等の結晶成長用絶縁体基板3を設
置し、高周波誘導加熱等により外部より反応管1を加熱
し、結晶成長温度に基板加熱用サセプタ2を保持しつつ
、結晶成長効率及び不純物添加効率をあげるために設置
された原料導入管4により原料ガスを導入し、導入ガス
を基板上で気相でエピタキシアル成長法で必要な結晶成
長層厚さになるまで結晶成長を行う。発光ダイオードを
作製するにはサファイア等の基板3の上に故意に不純物
を添加していないn型の該窒化ガリウム系化合物半導体
Gal−、A1.XN (但し1>x≧0)の単結晶を
形成の後、Mg成分をビスシクロペンタジェニルマグネ
シウム(CPzMg)又はビスメチルシクロペンタジェ
ニルマグネシウム(M CP zMg )等の有機マグ
ネシウム化合物をガス態で原料ガスに混合し、Mg成分
を添加した窒化ガリウム系化合物半導体Qa1−xA
I XN (但し1>x≧0)層を作製する。固体中の
Mg添加量の制御は、MgとGaの流量比を切換混合弁
32〜34により行い、第2図に示すようにMg原料ガ
ス供給量の加減により制御する。
導体を気相でエピタキシアル成長させて単結晶を形成す
るには、上記の反応管1は予め真空に吸引し、水分、酸
素その他の不純物を除き大気圧の水素雰囲気として、反
応管1をヒーター35により加熱して結晶成長温度に保
つようにし、反応管1内に設けた基板加熱用サセプタ2
上に例えばサファイア等の結晶成長用絶縁体基板3を設
置し、高周波誘導加熱等により外部より反応管1を加熱
し、結晶成長温度に基板加熱用サセプタ2を保持しつつ
、結晶成長効率及び不純物添加効率をあげるために設置
された原料導入管4により原料ガスを導入し、導入ガス
を基板上で気相でエピタキシアル成長法で必要な結晶成
長層厚さになるまで結晶成長を行う。発光ダイオードを
作製するにはサファイア等の基板3の上に故意に不純物
を添加していないn型の該窒化ガリウム系化合物半導体
Gal−、A1.XN (但し1>x≧0)の単結晶を
形成の後、Mg成分をビスシクロペンタジェニルマグネ
シウム(CPzMg)又はビスメチルシクロペンタジェ
ニルマグネシウム(M CP zMg )等の有機マグ
ネシウム化合物をガス態で原料ガスに混合し、Mg成分
を添加した窒化ガリウム系化合物半導体Qa1−xA
I XN (但し1>x≧0)層を作製する。固体中の
Mg添加量の制御は、MgとGaの流量比を切換混合弁
32〜34により行い、第2図に示すようにMg原料ガ
ス供給量の加減により制御する。
第3図にMgを適量添加した場合(a : 4 XIO
”cm−3) 、及び適量以上添加した場合(b:3×
1020c「3)の窒化ガリウムのフォトルミネッセン
ス(PL)スペクトルを示す。Mgを適量添加した場合
には純青色発光が明瞭に観測されるが、ある濃度を越え
ると純青色発光強度は小さくなり、長波長緑色発光が主
体となる。Mg添加量に関する詳細な実験の結果、発光
色の変化するMg添加量が2 XIO”cm−3程度で
あることを見いだした。
”cm−3) 、及び適量以上添加した場合(b:3×
1020c「3)の窒化ガリウムのフォトルミネッセン
ス(PL)スペクトルを示す。Mgを適量添加した場合
には純青色発光が明瞭に観測されるが、ある濃度を越え
ると純青色発光強度は小さくなり、長波長緑色発光が主
体となる。Mg添加量に関する詳細な実験の結果、発光
色の変化するMg添加量が2 XIO”cm−3程度で
あることを見いだした。
またこれらの試料を用いて発光ダイオードを作製し、フ
ォトルミネッセンスと同様、エレクトロルミネッセンス
に於いても同様の結果を示すことが確かめられた。
ォトルミネッセンスと同様、エレクトロルミネッセンス
に於いても同様の結果を示すことが確かめられた。
この結果は、窒化ガリウムの例を示したがAfを含む窒
化ガリウム系化合物半導体Ga1−XAj2xN(但し
1>x≧0)に於いても同様の結果を示すことが確かめ
られた。
化ガリウム系化合物半導体Ga1−XAj2xN(但し
1>x≧0)に於いても同様の結果を示すことが確かめ
られた。
以上の結果より、添加するMgの量は2×1020cm
−”以下であることが好ましい。また添加するMg W
kが10Is c m −Sより少なくなると発光ダイ
オードに於ける絶縁層の形成が困難となるため、それ以
上添加する必要がある。
−”以下であることが好ましい。また添加するMg W
kが10Is c m −Sより少なくなると発光ダイ
オードに於ける絶縁層の形成が困難となるため、それ以
上添加する必要がある。
窒化ガリウム系化合物半導体の気相エピタキシアル成長
に際して、Ga成分に対するMg成分の混合割合は0.
1〜10 arm%であり、Gaの原料ガスとして使用
するトリメチルガリウム(TMG)の蒸気圧は30 m
m Hg / 15°Cである。
に際して、Ga成分に対するMg成分の混合割合は0.
1〜10 arm%であり、Gaの原料ガスとして使用
するトリメチルガリウム(TMG)の蒸気圧は30 m
m Hg / 15°Cである。
(発明の効果)
以上の説明のように、本発明による発光素子の作製方法
によれば結晶成長用基板上にn型該窒化ガリウム系化合
物半導体Ga+−xA 1. XN (但し1〉X≧0
)単結晶からなるn型窒化ガリウム系化合物半導体層を
形成後、絶縁層及び発光層としてマグネシウム(Mg
)を添加した窒化ガリウム系化合物半導体(Gap−x
A p、XN但し1>x≧0)層を形成することにより
、純青色発光ダイオードを作製することが可能である。
によれば結晶成長用基板上にn型該窒化ガリウム系化合
物半導体Ga+−xA 1. XN (但し1〉X≧0
)単結晶からなるn型窒化ガリウム系化合物半導体層を
形成後、絶縁層及び発光層としてマグネシウム(Mg
)を添加した窒化ガリウム系化合物半導体(Gap−x
A p、XN但し1>x≧0)層を形成することにより
、純青色発光ダイオードを作製することが可能である。
従来知られている青色発光ダイオードとよばれているも
のは発光波長が紫色または青緑色領域にかたよっている
もの、或はより長波長の発光が無視できず色純度に問題
のあるものが殆どであった。第3図(a)のように45
0nm付近に発光ピーク波長を持ち、かつより長波長の
発光が殆ど観測されない発光スペクトルを示すダイオー
ドは現在まで報告された例はなかった。
のは発光波長が紫色または青緑色領域にかたよっている
もの、或はより長波長の発光が無視できず色純度に問題
のあるものが殆どであった。第3図(a)のように45
0nm付近に発光ピーク波長を持ち、かつより長波長の
発光が殆ど観測されない発光スペクトルを示すダイオー
ドは現在まで報告された例はなかった。
本発明による発光素子の作製方法を用いれば、特別な色
フィルターを使用することなく純青色発光ダイオードの
作製が可能となるため、フィルターによる損失がな〈従
来のものと比較して効率の高い青色発光ダイオードの実
現が可能である。本発明により現在まで実用化の遅れて
いる青色発光ダイオードの実用化が可能となる工業上天
なる利益がある。
フィルターを使用することなく純青色発光ダイオードの
作製が可能となるため、フィルターによる損失がな〈従
来のものと比較して効率の高い青色発光ダイオードの実
現が可能である。本発明により現在まで実用化の遅れて
いる青色発光ダイオードの実用化が可能となる工業上天
なる利益がある。
第1図は本発明を実現するための結晶成長装置の概略構
成図、 第2図はMg原料ガス供給量と窒化ガリウムに添加され
たMg量の関係を示す特性図、第3図は本発明の発光素
子において、発光波長と発光強度フォトルミネッセンス
P Lとの特性図で、 (a)曲線はMgを4×10電9cffl−3添加した
試料の室温でのフォトルミネッセンススペクトル特性図
、(b)曲線はMgを3XIQ”°cm−’添加した試
料の室温でのフォトルミネッセンススペクトル特性図で
ある。 1・・・結晶成長用反応管 2・・・基板加熱用サセプタ 3・・・基板 4・・・原料導入管5・・
・試料予備室 6・・・ターボ真空ポンプ7.8
・・・ロータリー真空ポンプ 9・・・原料ガスと水素との供給装置 10・・・水素供給口 11・・・アンモニアガス(NH:l)供給口12A〜
12G・・・水素流量計 13・・・CP2Mg又はM CP z M g等の有
機Mg化合物の貯留槽
成図、 第2図はMg原料ガス供給量と窒化ガリウムに添加され
たMg量の関係を示す特性図、第3図は本発明の発光素
子において、発光波長と発光強度フォトルミネッセンス
P Lとの特性図で、 (a)曲線はMgを4×10電9cffl−3添加した
試料の室温でのフォトルミネッセンススペクトル特性図
、(b)曲線はMgを3XIQ”°cm−’添加した試
料の室温でのフォトルミネッセンススペクトル特性図で
ある。 1・・・結晶成長用反応管 2・・・基板加熱用サセプタ 3・・・基板 4・・・原料導入管5・・
・試料予備室 6・・・ターボ真空ポンプ7.8
・・・ロータリー真空ポンプ 9・・・原料ガスと水素との供給装置 10・・・水素供給口 11・・・アンモニアガス(NH:l)供給口12A〜
12G・・・水素流量計 13・・・CP2Mg又はM CP z M g等の有
機Mg化合物の貯留槽
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、水素雰囲気で大気圧に保たれた反応管内にサファイ
ア等の絶縁体基板を設け、反応管の一方より有機ガリウ
ム化合物、有機III族元素・化合物及びアンモニアをガ
ス状で導入し、基板上にて気相成長法によりGa_1_
−_xAl_xN(但し1>x≧0)の単結晶層からな
るn型窒化ガリウム系化合物半導体層を形成後、原料ガ
スに有機マグネシウム化合物をガス状で反応管内に導入
し、絶縁層及び発光層としてマグネシウム(Mg)を添
加したi型の窒化ガリウム系化合物半導体Ga_1_−
_xAl_xN(但し1>x≧0)層を作製することを
特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製
方法。 2、前記マグネシウム(Mg)添加窒化ガリウム系化合
物半導体Ga_1_−_xAl_xN(但し1>x≧0
)層に於て、添加するマグネシウム(Mg)のIII族元
素に対する濃度が10^1^5cm^−^3から2×1
0^2^0cm^−^3の範囲内である請求項1記載の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法。 3、作製した発光素子に於て、最も大きい光強度を示す
発光波長が430nmから480nmの範囲内であるこ
とを特徴とする請求項1記載の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子の作製方法。
Priority Applications (1)
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JP7665289A JPH069257B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
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Cited By (10)
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---|---|---|---|---|
JPH04297023A (ja) † | 1991-01-31 | 1992-10-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
US5281830A (en) * | 1990-10-27 | 1994-01-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
US5290393A (en) * | 1991-01-31 | 1994-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo K.K. | Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor |
US5633192A (en) * | 1991-03-18 | 1997-05-27 | Boston University | Method for epitaxially growing gallium nitride layers |
US5686738A (en) * | 1991-03-18 | 1997-11-11 | Trustees Of Boston University | Highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films |
US5905276A (en) * | 1992-10-29 | 1999-05-18 | Isamu Akasaki | Light emitting semiconductor device using nitrogen-Group III compound |
KR100374479B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2003-03-04 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 반도체 성장 방법 |
US8421190B2 (en) | 2005-01-11 | 2013-04-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof |
JP2013116851A (ja) * | 2013-03-04 | 2013-06-13 | Freiberger Compound Materials Gmbh | ドープiii−nバルク結晶及び自立型ドープiii−n基板 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3922475A (en) * | 1970-06-22 | 1975-11-25 | Rockwell International Corp | Process for producing nitride films |
JPS5471590A (en) * | 1977-11-17 | 1979-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gan light emitting element and production of the same |
JPS63188935A (ja) * | 1987-01-31 | 1988-08-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP7665289A patent/JPH069257B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3922475A (en) * | 1970-06-22 | 1975-11-25 | Rockwell International Corp | Process for producing nitride films |
JPS5471590A (en) * | 1977-11-17 | 1979-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gan light emitting element and production of the same |
JPS63188935A (ja) * | 1987-01-31 | 1988-08-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5281830A (en) * | 1990-10-27 | 1994-01-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
US5290393A (en) * | 1991-01-31 | 1994-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo K.K. | Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor |
JPH04297023A (ja) † | 1991-01-31 | 1992-10-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
US6123768A (en) * | 1991-03-18 | 2000-09-26 | The Trustees Of Boston University | Method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films |
US5633192A (en) * | 1991-03-18 | 1997-05-27 | Boston University | Method for epitaxially growing gallium nitride layers |
US5686738A (en) * | 1991-03-18 | 1997-11-11 | Trustees Of Boston University | Highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films |
US5725674A (en) * | 1991-03-18 | 1998-03-10 | Trustees Of Boston University | Device and method for epitaxially growing gallium nitride layers |
US5905276A (en) * | 1992-10-29 | 1999-05-18 | Isamu Akasaki | Light emitting semiconductor device using nitrogen-Group III compound |
KR100374479B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2003-03-04 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 반도체 성장 방법 |
US8421190B2 (en) | 2005-01-11 | 2013-04-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof |
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