JPH02254648A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JPH02254648A JPH02254648A JP1076117A JP7611789A JPH02254648A JP H02254648 A JPH02254648 A JP H02254648A JP 1076117 A JP1076117 A JP 1076117A JP 7611789 A JP7611789 A JP 7611789A JP H02254648 A JPH02254648 A JP H02254648A
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- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野1
本発明は、磁気光学効果(K e r r効果)を利用
して信号の読み出しを行なう光磁気ディスクに関するも
のである。
して信号の読み出しを行なう光磁気ディスクに関するも
のである。
従来の光磁気ディスクにおいては、特許出願公告昭62
−27458にみられるように、光磁気ディスクからの
反射光を利用して情報の再生を行なう所謂カー効果再生
方式においては、信号対雑音比(S/N比)はθIJR
(θはカー回転角、Rは反射光量)に比例すると考えて
おり、適当なR及びS/N比が得られ、なおかつ保護特
性、熱伝導特性等を鑑みて各薄膜層の屈折率及び膜厚の
最適化がなされていた。
−27458にみられるように、光磁気ディスクからの
反射光を利用して情報の再生を行なう所謂カー効果再生
方式においては、信号対雑音比(S/N比)はθIJR
(θはカー回転角、Rは反射光量)に比例すると考えて
おり、適当なR及びS/N比が得られ、なおかつ保護特
性、熱伝導特性等を鑑みて各薄膜層の屈折率及び膜厚の
最適化がなされていた。
[発明が解決しようとする課題1
しかし、量産された光磁気用ヘッドではP偏光とS偏光
との間の位相差は最悪上15°程度のばらつきがある、
このヘッドのばらつきのため、従来技術により最適に設
計された光磁気ディスクであっても、カー効果再生した
とき適切なS/N比を得ることができない場合があると
いう問題点を有する。そこで本発明はこのような問題点
を解決するもので、その目的とするところは量産された
位相差のある光磁気ヘッドであっても充分なS/N比が
得られるよう最適化された光磁気ディスクを提供すると
ころにある。
との間の位相差は最悪上15°程度のばらつきがある、
このヘッドのばらつきのため、従来技術により最適に設
計された光磁気ディスクであっても、カー効果再生した
とき適切なS/N比を得ることができない場合があると
いう問題点を有する。そこで本発明はこのような問題点
を解決するもので、その目的とするところは量産された
位相差のある光磁気ヘッドであっても充分なS/N比が
得られるよう最適化された光磁気ディスクを提供すると
ころにある。
[課題を解決するための手段1
本発明の光磁気ディスクは、透明基板上に第1の保護層
、記録層、第2の保護層、反射層の順に配置し、透明基
板より記録層及び反射層に光を入射する構成において、
カー効果再生光のカー回転角をθ、カー楕円率をε、反
射率をR1光磁気ディスク内で生じる位相差をδとして
、 δ=ARCTAN (ε/θ) Q=|R*SINθ*COSδ| なる2式から、Qが0.5以上となり、且つ、δが1°
以下となるように各層の屈折率及び膜厚な選択した事を
特徴とする。
、記録層、第2の保護層、反射層の順に配置し、透明基
板より記録層及び反射層に光を入射する構成において、
カー効果再生光のカー回転角をθ、カー楕円率をε、反
射率をR1光磁気ディスク内で生じる位相差をδとして
、 δ=ARCTAN (ε/θ) Q=|R*SINθ*COSδ| なる2式から、Qが0.5以上となり、且つ、δが1°
以下となるように各層の屈折率及び膜厚な選択した事を
特徴とする。
また、前記第1の保護層及び前記第2の保護層としてA
βSiN、前記記録層としてNdDyFeCoからなる
ことを特徴とする。
βSiN、前記記録層としてNdDyFeCoからなる
ことを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、P偏光とS偏光との位相
差δはカー回転角θとカー楕円率εとを関係づける量で
θに対してεが小さければ小さいほどゼロに近づく、つ
まり、ある大きさのカー回転角が得られていてもそれに
ともなってカー楕円率が大きくなっていれば、光磁気デ
ィスク内で生じる位相差は有限な値をとる。性能指数Q
は、S/N比に比例する量で大きければ大きい程高S/
N比が得られる。従って、高S/N比を得るためには出
来るだけ大きなカー回転角θと出来るだけ小さなカー楕
円率ε(或は、出来るだけ小さな位相差δ)が得られる
様に、光磁気ディスクの多層薄膜の各層の屈折率及び膜
厚を保護特性、熱伝導特性を鑑みて最適化してやればよ
い。
差δはカー回転角θとカー楕円率εとを関係づける量で
θに対してεが小さければ小さいほどゼロに近づく、つ
まり、ある大きさのカー回転角が得られていてもそれに
ともなってカー楕円率が大きくなっていれば、光磁気デ
ィスク内で生じる位相差は有限な値をとる。性能指数Q
は、S/N比に比例する量で大きければ大きい程高S/
N比が得られる。従って、高S/N比を得るためには出
来るだけ大きなカー回転角θと出来るだけ小さなカー楕
円率ε(或は、出来るだけ小さな位相差δ)が得られる
様に、光磁気ディスクの多層薄膜の各層の屈折率及び膜
厚を保護特性、熱伝導特性を鑑みて最適化してやればよ
い。
[実 施 例1
以下本発明に係わる光磁気ディスクの1実施例を図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
第1図は本発明になる光磁気ディスクの1実施例の側面
断面図である。
断面図である。
第1図において、1はガラス、アクリルm詣、PC(ポ
リカーボネート)樹脂等の透明基板で厚さは1.2mm
程度である。2と3はAl25iN(窒化アルミニウム
シリコン)からなる透明薄膜で保護層である。4はNd
DyFeCo、TbFeC○、DyFeC0等の膜面に
垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜で記録層である。
リカーボネート)樹脂等の透明基板で厚さは1.2mm
程度である。2と3はAl25iN(窒化アルミニウム
シリコン)からなる透明薄膜で保護層である。4はNd
DyFeCo、TbFeC○、DyFeC0等の膜面に
垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜で記録層である。
5はAl1からなる反射層である。6はエポキシ樹脂、
ホットメルト接着剤等からなる接着層で対向する2枚の
光磁気ディスクを貼合わせている。上記基板lの屈折率
は1.5.Al25iNからなる保護層は第2図に示す
ような膜厚に依存する屈折率をもつ、Aβからなる反射
層5は第3図に示すような膜厚に依存する屈折率をもつ
、基板lより入射した光は保護層2を透過し記録層4と
の界面で反射する成分と記録層4、保護層3とを透過し
反射層5で反射する成分とが干渉し、カー回転角は増大
する0本実施例に於ける光源のレーザ波長は825nm
である。上述の条件のもとに各層の各膜厚或は各屈折率
に於けるカー回転角5カー楕円率、反射率、位相差、及
び性能指数を計算した結果の一例が、第4図である。こ
のような計算を繰り返して膜構成の最適化を図るわけで
あるが、適切な反射率、保護効果、記録感度を保持する
よう注意しなければならない。
ホットメルト接着剤等からなる接着層で対向する2枚の
光磁気ディスクを貼合わせている。上記基板lの屈折率
は1.5.Al25iNからなる保護層は第2図に示す
ような膜厚に依存する屈折率をもつ、Aβからなる反射
層5は第3図に示すような膜厚に依存する屈折率をもつ
、基板lより入射した光は保護層2を透過し記録層4と
の界面で反射する成分と記録層4、保護層3とを透過し
反射層5で反射する成分とが干渉し、カー回転角は増大
する0本実施例に於ける光源のレーザ波長は825nm
である。上述の条件のもとに各層の各膜厚或は各屈折率
に於けるカー回転角5カー楕円率、反射率、位相差、及
び性能指数を計算した結果の一例が、第4図である。こ
のような計算を繰り返して膜構成の最適化を図るわけで
あるが、適切な反射率、保護効果、記録感度を保持する
よう注意しなければならない。
このような最適化を図った膜構成の一例として基板1は
PC樹脂で厚さ1.2mm、AJ2SiNからなる保護
層2の厚さは400以上600以下、NdDyFeCo
からなる記録層4の厚さは250以上300以下、AJ
2SiNからなる保護層3の厚みは200以上300以
下、Al1からなる反射層5の厚みは500以上700
以下という構成の光磁気ディスクを作製した。ここで、
保護層にAl25iNをもちいたのは5保護効果、熱伝
導特性等の点でS i N、S i O*よりも優れて
いるからである。また、記録層として、NdDyFeC
oを用いたのはTbFeCoと同じカー再生特性が得ら
れるうえ、TbFeCoよりも低磁場記録ができ且つ安
価であるからである。
PC樹脂で厚さ1.2mm、AJ2SiNからなる保護
層2の厚さは400以上600以下、NdDyFeCo
からなる記録層4の厚さは250以上300以下、AJ
2SiNからなる保護層3の厚みは200以上300以
下、Al1からなる反射層5の厚みは500以上700
以下という構成の光磁気ディスクを作製した。ここで、
保護層にAl25iNをもちいたのは5保護効果、熱伝
導特性等の点でS i N、S i O*よりも優れて
いるからである。また、記録層として、NdDyFeC
oを用いたのはTbFeCoと同じカー再生特性が得ら
れるうえ、TbFeCoよりも低磁場記録ができ且つ安
価であるからである。
現状の量産用の光磁気ヘッド内で生じるP偏光とS偏光
との位相差は、最悪±15’程度と言われておりこの光
磁気ヘッドのばらつきの範囲内でも、光磁気ディスクは
高いS/N比を保証しなくてはならない、そこで、前述
の構成をした光磁気ディスクについて、実際の光磁気ヘ
ッド内部にビレネソレイユ板を組み込み故意に位相差を
もたせてS/N比を測定した結果を第5図に示した。第
5図において、横軸は光磁気ヘッド内部のビレネソレイ
ユ板による位相差で縦軸はそのときのS/N比である。
との位相差は、最悪±15’程度と言われておりこの光
磁気ヘッドのばらつきの範囲内でも、光磁気ディスクは
高いS/N比を保証しなくてはならない、そこで、前述
の構成をした光磁気ディスクについて、実際の光磁気ヘ
ッド内部にビレネソレイユ板を組み込み故意に位相差を
もたせてS/N比を測定した結果を第5図に示した。第
5図において、横軸は光磁気ヘッド内部のビレネソレイ
ユ板による位相差で縦軸はそのときのS/N比である。
S/N比のピーク位置が丁度位相差がゼロのところにあ
り、量産用の光磁気ヘッドの内部位相差が±15°程度
存在しても充分なS/N比を得ることが出来る。第6図
には、従来技術によって設計された膜構成の光磁気ディ
スクに対して同様の実験を行った結果である。第6図に
おいて、光磁気ヘッドの内部位相差が0@もしくは+1
5°の範囲であれば充分なS/N比が得られるが、もし
−15°程度の内部位相差をもつ光磁気ヘッドであると
充分なS/N比がえられなくなる。
り、量産用の光磁気ヘッドの内部位相差が±15°程度
存在しても充分なS/N比を得ることが出来る。第6図
には、従来技術によって設計された膜構成の光磁気ディ
スクに対して同様の実験を行った結果である。第6図に
おいて、光磁気ヘッドの内部位相差が0@もしくは+1
5°の範囲であれば充分なS/N比が得られるが、もし
−15°程度の内部位相差をもつ光磁気ヘッドであると
充分なS/N比がえられなくなる。
【発明の効果1
以上述べたように発明によれば、量産型の光磁気ヘッド
が内部位相差のばらつきとして±15゜程度もっていて
も実用上問題とならない程充分高いS/N比を保証する
ことができる。また、透明基板に位相差の存在するPC
樹脂を使用した場合でも、膜構成を最適化することによ
って光磁気ディスクとしては位相差をゼロにすることが
できるので、安価で高いS/N比の光磁気ディスクを供
給できるという効果を有する。
が内部位相差のばらつきとして±15゜程度もっていて
も実用上問題とならない程充分高いS/N比を保証する
ことができる。また、透明基板に位相差の存在するPC
樹脂を使用した場合でも、膜構成を最適化することによ
って光磁気ディスクとしては位相差をゼロにすることが
できるので、安価で高いS/N比の光磁気ディスクを供
給できるという効果を有する。
第1図は本発明になる光磁気ディスクの一実施例の側面
断面図。 第2図はAJ2SiNの膜厚に対する屈折率の変化を示
す図。 第3図はAl1の膜厚に対する屈折率の変化を示す図。 第4図は膜構成の最適化計算の一実施例を示す図。 第5図は本発明のなる光磁気ディスクの一実施例の量産
用光磁気ヘッド位相差ばらつきに対するS/N比の変化
を示す図。 第6図は従来技術になる光磁気ディスクの一実施例の量
産用光磁気ヘッド位相差ばらつきに対するS/N比の変
化を示す図。 透明基板 第1の保護層 第2の保護層 記録層 反射層 接着層 以 上 Th1ckness of Al film by T
a1y。
断面図。 第2図はAJ2SiNの膜厚に対する屈折率の変化を示
す図。 第3図はAl1の膜厚に対する屈折率の変化を示す図。 第4図は膜構成の最適化計算の一実施例を示す図。 第5図は本発明のなる光磁気ディスクの一実施例の量産
用光磁気ヘッド位相差ばらつきに対するS/N比の変化
を示す図。 第6図は従来技術になる光磁気ディスクの一実施例の量
産用光磁気ヘッド位相差ばらつきに対するS/N比の変
化を示す図。 透明基板 第1の保護層 第2の保護層 記録層 反射層 接着層 以 上 Th1ckness of Al film by T
a1y。
Claims (2)
- (1)透明基板上に第1の保護層、記録層、第2の保護
層、反射層の順に配置し、前記透明基板より前記記録層
及び前記反射層に光を入射する構成において、カー効果
再生光のカー回転角をθ、カー楕円率をε、反射率をR
、光磁気ディスク内で生じる位相差をδとして、 δ=ARCTAN(ε/θ) Q=|R*SINθ*COSδ| なる2式から、Qが0.5以上となり、且つ、δが1°
以下となるように各層の屈折率及び膜厚を選択した事を
特徴とする光磁気ディスク。 - (2)前記第1の保護層及び前記第2の保護層としてA
lSiN、前記記録層としてNdDyFeCoからなる
ことを特徴とする請求項1記載の光磁気ディスク。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1076117A JPH02254648A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 光磁気ディスク |
PCT/JP1990/000412 WO1990011602A1 (en) | 1989-03-28 | 1990-03-28 | Magnetooptical medium |
EP90905627A EP0426864B1 (en) | 1989-03-28 | 1990-03-28 | Magnetooptical medium |
DE69033563T DE69033563T2 (de) | 1989-03-28 | 1990-03-28 | Magnetooptische Medien |
DE69030991T DE69030991T2 (de) | 1989-03-28 | 1990-03-28 | Magnetooptisches medium |
EP96203114A EP0762413B1 (en) | 1989-03-28 | 1990-03-28 | Magneto-optical media |
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