JPH02254648A - 光磁気ディスク - Google Patents

光磁気ディスク

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JPH02254648A
JPH02254648A JP1076117A JP7611789A JPH02254648A JP H02254648 A JPH02254648 A JP H02254648A JP 1076117 A JP1076117 A JP 1076117A JP 7611789 A JP7611789 A JP 7611789A JP H02254648 A JPH02254648 A JP H02254648A
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kerr
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真也 大槻
Takeo Kawase
健夫 川瀬
Satoshi Nehashi
聡 根橋
Hiroshi Miyazawa
弘 宮澤
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野１ 本発明は、磁気光学効果（Ｋ　ｅ　ｒ　ｒ効果）を利用
して信号の読み出しを行なう光磁気ディスクに関するも
のである。
〔従来の技術〕
従来の光磁気ディスクにおいては、特許出願公告昭６２
−２７４５８にみられるように、光磁気ディスクからの
反射光を利用して情報の再生を行なう所謂カー効果再生
方式においては、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）はθＩＪＲ
（θはカー回転角、Ｒは反射光量）に比例すると考えて
おり、適当なＲ及びＳ／Ｎ比が得られ、なおかつ保護特
性、熱伝導特性等を鑑みて各薄膜層の屈折率及び膜厚の
最適化がなされていた。
［発明が解決しようとする課題１ しかし、量産された光磁気用ヘッドではＰ偏光とＳ偏光
との間の位相差は最悪上１５°程度のばらつきがある、
このヘッドのばらつきのため、従来技術により最適に設
計された光磁気ディスクであっても、カー効果再生した
とき適切なＳ／Ｎ比を得ることができない場合があると
いう問題点を有する。そこで本発明はこのような問題点
を解決するもので、その目的とするところは量産された
位相差のある光磁気ヘッドであっても充分なＳ／Ｎ比が
得られるよう最適化された光磁気ディスクを提供すると
ころにある。
［課題を解決するための手段１ 本発明の光磁気ディスクは、透明基板上に第１の保護層
、記録層、第２の保護層、反射層の順に配置し、透明基
板より記録層及び反射層に光を入射する構成において、
カー効果再生光のカー回転角をθ、カー楕円率をε、反
射率をＲ１光磁気ディスク内で生じる位相差をδとして
、 δ＝ＡＲＣＴＡＮ　（ε／θ） Ｑ＝｜Ｒ＊ＳＩＮθ＊ＣＯＳδ｜ なる２式から、Ｑが０．５以上となり、且つ、δが１°
以下となるように各層の屈折率及び膜厚な選択した事を
特徴とする。
また、前記第１の保護層及び前記第２の保護層としてＡ
βＳｉＮ、前記記録層としてＮｄＤｙＦｅＣｏからなる
ことを特徴とする。
〔作　用〕
本発明の上記の構成によれば、Ｐ偏光とＳ偏光との位相
差δはカー回転角θとカー楕円率εとを関係づける量で
θに対してεが小さければ小さいほどゼロに近づく、つ
まり、ある大きさのカー回転角が得られていてもそれに
ともなってカー楕円率が大きくなっていれば、光磁気デ
ィスク内で生じる位相差は有限な値をとる。性能指数Ｑ
は、Ｓ／Ｎ比に比例する量で大きければ大きい程高Ｓ／
Ｎ比が得られる。従って、高Ｓ／Ｎ比を得るためには出
来るだけ大きなカー回転角θと出来るだけ小さなカー楕
円率ε（或は、出来るだけ小さな位相差δ）が得られる
様に、光磁気ディスクの多層薄膜の各層の屈折率及び膜
厚を保護特性、熱伝導特性を鑑みて最適化してやればよ
い。
［実　施　例１ 以下本発明に係わる光磁気ディスクの１実施例を図面を
用いて詳細に説明する。
第１図は本発明になる光磁気ディスクの１実施例の側面
断面図である。
第１図において、１はガラス、アクリルｍ詣、ＰＣ（ポ
リカーボネート）樹脂等の透明基板で厚さは１．２ｍｍ
程度である。２と３はＡｌ２５ｉＮ（窒化アルミニウム
シリコン）からなる透明薄膜で保護層である。４はＮｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣ○、ＤｙＦｅＣ０等の膜面に
垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜で記録層である。
５はＡｌ１からなる反射層である。６はエポキシ樹脂、
ホットメルト接着剤等からなる接着層で対向する２枚の
光磁気ディスクを貼合わせている。上記基板ｌの屈折率
は１．５．Ａｌ２５ｉＮからなる保護層は第２図に示す
ような膜厚に依存する屈折率をもつ、Ａβからなる反射
層５は第３図に示すような膜厚に依存する屈折率をもつ
、基板ｌより入射した光は保護層２を透過し記録層４と
の界面で反射する成分と記録層４、保護層３とを透過し
反射層５で反射する成分とが干渉し、カー回転角は増大
する０本実施例に於ける光源のレーザ波長は８２５ｎｍ
である。上述の条件のもとに各層の各膜厚或は各屈折率
に於けるカー回転角５カー楕円率、反射率、位相差、及
び性能指数を計算した結果の一例が、第４図である。こ
のような計算を繰り返して膜構成の最適化を図るわけで
あるが、適切な反射率、保護効果、記録感度を保持する
よう注意しなければならない。
このような最適化を図った膜構成の一例として基板１は
ＰＣ樹脂で厚さ１．２ｍｍ、ＡＪ２ＳｉＮからなる保護
層２の厚さは４００以上６００以下、ＮｄＤｙＦｅＣｏ
からなる記録層４の厚さは２５０以上３００以下、ＡＪ
２ＳｉＮからなる保護層３の厚みは２００以上３００以
下、Ａｌ１からなる反射層５の厚みは５００以上７００
以下という構成の光磁気ディスクを作製した。ここで、
保護層にＡｌ２５ｉＮをもちいたのは５保護効果、熱伝
導特性等の点でＳ　ｉ　Ｎ、Ｓ　ｉ　Ｏ＊よりも優れて
いるからである。また、記録層として、ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏを用いたのはＴｂＦｅＣｏと同じカー再生特性が得ら
れるうえ、ＴｂＦｅＣｏよりも低磁場記録ができ且つ安
価であるからである。
現状の量産用の光磁気ヘッド内で生じるＰ偏光とＳ偏光
との位相差は、最悪±１５’程度と言われておりこの光
磁気ヘッドのばらつきの範囲内でも、光磁気ディスクは
高いＳ／Ｎ比を保証しなくてはならない、そこで、前述
の構成をした光磁気ディスクについて、実際の光磁気ヘ
ッド内部にビレネソレイユ板を組み込み故意に位相差を
もたせてＳ／Ｎ比を測定した結果を第５図に示した。第
５図において、横軸は光磁気ヘッド内部のビレネソレイ
ユ板による位相差で縦軸はそのときのＳ／Ｎ比である。
Ｓ／Ｎ比のピーク位置が丁度位相差がゼロのところにあ
り、量産用の光磁気ヘッドの内部位相差が±１５°程度
存在しても充分なＳ／Ｎ比を得ることが出来る。第６図
には、従来技術によって設計された膜構成の光磁気ディ
スクに対して同様の実験を行った結果である。第６図に
おいて、光磁気ヘッドの内部位相差が０＠もしくは＋１
５°の範囲であれば充分なＳ／Ｎ比が得られるが、もし
−１５°程度の内部位相差をもつ光磁気ヘッドであると
充分なＳ／Ｎ比がえられなくなる。
【発明の効果１ 以上述べたように発明によれば、量産型の光磁気ヘッド
が内部位相差のばらつきとして±１５゜程度もっていて
も実用上問題とならない程充分高いＳ／Ｎ比を保証する
ことができる。また、透明基板に位相差の存在するＰＣ
樹脂を使用した場合でも、膜構成を最適化することによ
って光磁気ディスクとしては位相差をゼロにすることが
できるので、安価で高いＳ／Ｎ比の光磁気ディスクを供
給できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明になる光磁気ディスクの一実施例の側面
断面図。 第２図はＡＪ２ＳｉＮの膜厚に対する屈折率の変化を示
す図。 第３図はＡｌ１の膜厚に対する屈折率の変化を示す図。 第４図は膜構成の最適化計算の一実施例を示す図。 第５図は本発明のなる光磁気ディスクの一実施例の量産
用光磁気ヘッド位相差ばらつきに対するＳ／Ｎ比の変化
を示す図。 第６図は従来技術になる光磁気ディスクの一実施例の量
産用光磁気ヘッド位相差ばらつきに対するＳ／Ｎ比の変
化を示す図。 透明基板 第１の保護層 第２の保護層 記録層 反射層 接着層 以 上 Ｔｈ１ｃｋｎｅｓｓ　ｏｆ　Ａｌ　ｆｉｌｍ　ｂｙ　Ｔ
ａ１ｙ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）透明基板上に第１の保護層、記録層、第２の保護
    層、反射層の順に配置し、前記透明基板より前記記録層
    及び前記反射層に光を入射する構成において、カー効果
    再生光のカー回転角をθ、カー楕円率をε、反射率をＲ
    、光磁気ディスク内で生じる位相差をδとして、 δ＝ＡＲＣＴＡＮ（ε／θ） Ｑ＝｜Ｒ＊ＳＩＮθ＊ＣＯＳδ｜ なる２式から、Ｑが０．５以上となり、且つ、δが１°
    以下となるように各層の屈折率及び膜厚を選択した事を
    特徴とする光磁気ディスク。
  2. （２）前記第１の保護層及び前記第２の保護層としてＡ
    ｌＳｉＮ、前記記録層としてＮｄＤｙＦｅＣｏからなる
    ことを特徴とする請求項１記載の光磁気ディスク。
JP1076117A 1989-03-28 1989-03-28 光磁気ディスク Pending JPH02254648A (ja)

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