JP2562219B2 - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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Description
生装置に対しては円2色性効果がエンハンスされ、書き
換え可能な光磁気ディスク記録再生装置に対しては磁気
カー効果がエンハンスされる光磁気ディスクに関するも
のである。
量メモリとして近年盛んに研究開発が進められ、中でも
記録媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いたもの
は、ディジタルメモリとして実用化段階に入ってきてい
る。この希土類遷移金属合金薄膜を用いた光磁気ディス
クメモリにおいては、その信号検出手段として、一般
に、光磁気ディスクに直線偏光を入射させた時に生じる
光の偏波面の回転、いわゆる磁気カー効果を利用し、こ
の偏波面の回転を検光子で光強度に変換する方法が採用
されている。
て、光の強度と位相とが異なる、いわゆる磁性体の円2
色性効果を利用した信号検出方法も理論的には考えら
れ、ガーネット膜を用いてビット境界での差動信号を検
出した例もある(日本応用磁気学会誌、12、1988)。し
かし、記録媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いた
場合には、その円2色性効果は非常に小さく、そのまま
では実用上利用することはできない。
るいは追記型(WORM)光ディスク再生装置によって、直
線偏光による再生を前提とする書き換え可能な光磁気デ
ィスクを再生することができない。すなわち、光磁気デ
ィスクを再生するには光磁気ディスク記録再生装置が必
要である。また、直線偏光による再生に伴って、必要部
品の点数も多くなり、また組み立ての際に高精度が要求
されるとともに、全体としてコスト高になりがちである
という問題点を有している。
ために、第1透明誘電体膜(例えばAlN膜)と、情報を
記録する垂直磁化膜(例えばTbFeCoなどの希土類遷移金
属合金)と、第2透明誘電体膜(例えばAlN膜)と、反
射膜(例えばAl)とが順次積層された多層膜構造を有す
るとともに、上記の第2透明誘電体膜の膜厚は、第1再
生光が入射されると円2色性効果がエンハンスされる一
方、該第1再生光とは異なる波長を有する第2再生光が
入射されると磁気カー効果がエンハンスされるように設
定されていることを特徴としている。
再生光の波長に応じて生じる干渉効果を利用して、再生
専用型、あるいは追記型光ディスク再生装置で再生する
時には第1再生光が入射されて円2色性効果がエンハン
スされ、書き換え可能な光磁気ディスク記録再生装置で
再生する時には第2再生光が入射されて磁気カー効果が
エンハンスされることによって、垂直磁化膜に記録され
た情報の読み出しをおこなうことができる。
光ディスクに照射して情報の再生をおこなう再生専用
型、あるいは追記型光ディスク再生装置でも、上記構成
の多層膜構造により円2色性効果がエンハンスされるた
め、光磁気ディスク記録再生装置で記録されたビットパ
ターンである磁化変化を光の強度の変化として再生する
ことができる。
明すれば、以下のとおりである。
に、透明保護基板1、第1透明誘電体膜としての第1窒
化膜2、垂直磁化膜3、第2透明誘電体膜としての第2
窒化膜4、および反射膜5が順次積層された多層膜構造
をなしている。
質として採用している。透明保護基板1の他の材質とし
ては、PC(polycarbonate)、PMMA(polymethyl methac
rylate)、APO〔amorphous poly-olefin〕などが挙げら
れる。
nmのAlNを使用している。
波長を780nmとした時には、屈折率が〔(3.20-3.55i)
±(0.05-0.03i)〕となり、再生波長を390nmとした時
には、屈折率が〔(2.5-2.4i)±(0.008-0.025i)〕と
なる膜厚20nmのTbFeCoを使用している。垂直磁化膜3の
材質として、上記TbFeCoの代わりに、GdTbFe、DyFeCo等
の希土類遷移金属合金、MnBi、MnBiCu、Bi置換ガーネッ
トやCoフェライト等の酸化物磁性体、PtMnSb、Pt/Coの
いずれでもよい。
は、屈折率が(2-7i)となり、再生光の波長λを390nm
とした時には、屈折率が(0.78-2.2i)となる膜厚50nm
のAl層を使用している。反射膜5の材質として、上記Al
の代わりに、Au、Ag、Cu、Ni、Ptのいずれでもよい。
て、上記AlNの代わりに、SiN、ZnS、SiAlON、AlNGe、Si
Oのいずれでもよい。
り、入射された再生光の波長に応じて、上記多層膜構造
円2色性効果、および磁気カー効果がエンハンスされる
ようになっている。
で、その膜厚を0〜200nmと変化させた時の磁気カー回
転角θk、および楕円率εの計算結果をそれぞれ第2図
および第3図に基づいて以下に説明する。上記楕円率ε
は、垂直磁化膜3に記録された磁化の向きの違いによる
複素反射率により決まる値である。これは第2窒化膜4
の膜厚が他の膜厚に比べて、磁気カー効果の出方に大き
な影響を及ぼすからである。上記計算結果は、A.E.Bell
(IEEE、QE-14(7)、1978)らの手法を参考にした。
なお、第2図は再生光の波長λが780nmの時の特性であ
り、第3図は再生光の波長λが390nmの時の特性であ
る。
中矢印参照)とすることによって、波長780nmの再生光
に対して、楕円率εを約2.1(deg)とすることができ
る。一方、第3図に示すように、第2窒化膜4の膜厚を
80nm(図中矢印参照)とすることによって、波長390nm
の再生光に対して、磁気カー回転角θkを約0.44(de
g)とすることができる。これら磁気カー回転角θk、
および楕円率εの値は、単純なTbFeCo厚膜単層構造にし
た場合(再生光の波長λが780nmの時に楕円率εが約0.1
4(deg)、再生光の波長λが390nmの時に磁気カー回転
角θkが約0.17(deg)となる)と比較すると、楕円率
εが約4.8倍になり円2色性効果がエンハンスされ、磁
気カー回転角θkが約2.6倍となり磁気カー効果がエン
ハンスされている。
膜厚を有する多層膜構造にした場合、再生光の波長λが
390nmを用いて光磁気記録されたビットパターンを再生
専用の光ディスク再生装置、例えば現行のCDプレーヤ
(再生光の波長λは780nm)で再生することができる。
て、上記実施例と同様の4層膜構造で、各層の膜厚を、
例えば第1窒化膜2が80nm、垂直磁化膜3が20nm、第2
窒化膜4が20nm、反射膜5が50nmに設定すると、再生光
の波長λが390nmの場合の楕円率εは0.61(deg)にな
り、再生光の波長λが780nmの場合の磁気カー回転角θ
kは、1.3(deg)になる。これら磁気カー回転角θk、
および楕円率εの値は、単純なTbFeCo厚膜単層構造にし
た場合(再生光の波長λが390nmの時に楕円率εが約0.3
4(deg)、再生光の波長λが780nmの時に磁気カー回転
角θkが約0.43(deg)となる)と比較すると、楕円率
εが約1.8倍になり円2色性効果がエンハンスされ、磁
気カー回転角θkが約3.0倍となり磁気カー効果がエン
ハンスされている。
を使用すると、波長が780nmの再生光を用いた光磁気デ
ィスク記録再生装置で記録されたビットパターンを、波
長が390nmの再生光を用いた再生専用型、あるいは追記
型の光ディスク再生装置で再生することができる。な
お、上記波長が780nmの再生光は、例えば40mWの半導体
レーザを使用して得ており、波長が390nmの再生光は、
例えば3mW出力のSHG(second harmonic generator)に
より得ている。ところで、再生光の波長に関しては、上
記波長780nm、390nm(一方の波長が他方の波長の1/2倍
の関係)に限定されるものではない。
第4図に示す。円2色性の記録媒体では、円偏光を入射
させ、反射した光の強度差として記録情報が検出される
ため、光学系はCD用、VD用の再生装置とほぼ同じ構成と
なっている。
導体レーザ11から出射される再生光(直線偏光)が、1/
4波長板12を介して円偏光に変えられて、光磁気ディス
ク13に照射され、その反射光が最終的に光検出器14に入
射されて反射光の強度に応じて変化する電気信号に変換
されるようになっている。このように、円偏光に変える
ための1/4波長板12が配置されている以外は、従来の磁
気カー効果を利用した光学系に比べて、その構成を簡略
化できる。これにより、円2色性効果を光磁気信号の検
出に利用した場合は、磁気カー効果を利用した場合に比
べて、光学系の構成の簡略化が可能で、光磁気ディスク
ドライブの小型化、軽量化が可能となる。
透明誘電体膜と、情報を記録する垂直磁化膜と、第2透
明誘電体膜と、反射膜とが順次積層された多層膜構造を
有するとともに、上記の第2透明誘電体膜の膜厚は、第
1再生光が入射されると円2色性効果がエンハンスされ
る一方、該第1再生光とは異なる波長を有する第2再生
光が入射されると磁気カー効果がエンハンスされるよう
に設定されている構成である。
再生光の干渉効果を利用して、再生専用型、あるいは追
記型光ディスク再生装置で再生する時には第1再生光が
入射されて円2色性効果がエンハンスされ、書き換え可
能な光磁気ディスク記録再生装置で再生する時には第2
再生光が入射されて磁気カー効果がエンハンスされるの
で、光磁気ディスク記録再生装置で記録されたビットパ
ターンである磁化変化を光の強度の変化として、現在実
用されている再生専用型(ROM)、あるいは追記型(WOR
M)光ディスク再生装置によって再生可能となる。ま
た、上記光磁気ディスクを使用することによって、再生
する光学系の構成が簡略化できるとともに、組み立ての
際に高精度が要求されなくなり、全体としてコスト低減
が可能となる等の効果を併せて奏する。
ある。 第1図は、本発明に係る多層膜構造の光磁気ディスクの
断面図である。 第2図は、波長780nmの再生光が照射された際、本発明
に係る光磁気ディスクの磁気カー回転角θk、および楕
円率εの第2窒化膜の厚みに対する依存性を示す説明図
である。 第3図は、波長390nmの再生光が照射された際、本発明
に係る光磁気ディスクの磁気カー回転角θk、および楕
円率εの第2窒化膜の厚みに対する依存性を示す説明図
である。 第4図は、円2色性再生に用いる光学系を示す概略構成
図である。 1は透明保護基板、2は第1窒化膜(第1透明誘電体
膜)、3は垂直磁化膜、4は第2窒化膜(第2透明誘電
体膜)、5は反射膜である。
Claims (1)
- 【請求項1】第1透明誘電体膜と、情報を記録する垂直
磁化膜と、第2透明誘電体膜と、反射膜とが順次積層さ
れた多層膜構造を有するとともに、 上記の第2透明誘導体膜の膜厚は、第1再生光が入射さ
れると円2色性効果がエンハンスされる一方、該第1再
生光とは異なる波長を有する第2再生光が入射されると
磁気カー効果がエンハンスされるように設定されている
ことを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2048709A JP2562219B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光磁気ディスク |
CA002036890A CA2036890C (en) | 1990-02-28 | 1991-02-22 | Magneto-optic recording disk and method of reproducing recorded signals |
US07/660,375 US5187703A (en) | 1990-02-28 | 1991-02-25 | Magneto-optical multilayer recording disk and method of reproducing the same |
EP91301596A EP0445957B1 (en) | 1990-02-28 | 1991-02-27 | Magneto-optical disk and method of reproducing the same |
DE69119626T DE69119626T2 (de) | 1990-02-28 | 1991-02-27 | Magnetooptische Platte und Verfahren zur Wiedergabe dieser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2048709A JP2562219B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03252939A JPH03252939A (ja) | 1991-11-12 |
JP2562219B2 true JP2562219B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=12810843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2048709A Expired - Lifetime JP2562219B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2562219B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6063747A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-12 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
JPS60129951A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-11 | Sord Comput Corp | 光磁気デイスク |
JPH0743847B2 (ja) * | 1985-09-25 | 1995-05-15 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子 |
JPH0250335A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2048709A patent/JP2562219B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03252939A (ja) | 1991-11-12 |
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