JPH02251275A - ウェハの洗浄方法 - Google Patents
ウェハの洗浄方法Info
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- JPH02251275A JPH02251275A JP7007289A JP7007289A JPH02251275A JP H02251275 A JPH02251275 A JP H02251275A JP 7007289 A JP7007289 A JP 7007289A JP 7007289 A JP7007289 A JP 7007289A JP H02251275 A JPH02251275 A JP H02251275A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 title abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 11
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 abstract description 9
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、薄膜磁気ヘッド等に用いられるウェハの、特
にメツキ処理後のウニへの洗浄方法に関するものであっ
て、ウェハのメツキ層下層の金属下地面に生じるしみや
むらを防止し、長時間の洗浄によってもメツキ層と金属
下地面とが剥離を起こさないようにするものである。
にメツキ処理後のウニへの洗浄方法に関するものであっ
て、ウェハのメツキ層下層の金属下地面に生じるしみや
むらを防止し、長時間の洗浄によってもメツキ層と金属
下地面とが剥離を起こさないようにするものである。
[従来の技術]
薄膜磁気ヘッ、ド等に用いられるウエノ1は、一般にウ
ェハ基体に金属下地を施しその金・属下地面の一部ある
いは全部にメツキ処理を施してなるものである。
ェハ基体に金属下地を施しその金・属下地面の一部ある
いは全部にメツキ処理を施してなるものである。
このようなメツキ処理後のウェハの洗浄においては、従
来よりウェハ表面に純水を吹き付ける方法が採用されて
いる。
来よりウェハ表面に純水を吹き付ける方法が採用されて
いる。
第3図はこのウェハの洗浄方法において用いられている
ウェハ洗浄装置の一例を示すものである。
ウェハ洗浄装置の一例を示すものである。
図中符号lがウェハ2を載せて回転・させる回転スピナ
ーである。また符号3は、その一端がジェットノズル4
となっている純水搬送管で、このジェットノズル4が上
記回転スピナー1の上面に向くように、かっこのジェッ
トノズル4が回転スピナー1の上面を水平に動くことが
できるように、回転スピナー1の近くに配設されている
。またこの純水搬送管3のもう一方の端部は高圧ポンプ
5を介して純水タンク6に連結されている。
ーである。また符号3は、その一端がジェットノズル4
となっている純水搬送管で、このジェットノズル4が上
記回転スピナー1の上面に向くように、かっこのジェッ
トノズル4が回転スピナー1の上面を水平に動くことが
できるように、回転スピナー1の近くに配設されている
。またこの純水搬送管3のもう一方の端部は高圧ポンプ
5を介して純水タンク6に連結されている。
このようなウェハ洗浄装置によれば、上記高圧ポンプ5
を作動させることによって純水タンク6から圧縮された
純水を純水搬送管3内に圧送し、純水搬送管3内を搬送
された純水がジェットノズル4から、上記回転スピナー
■によって回に中のウェハ2表面に噴射される。これに
よって、ウェハ2表面の汚れが吹き飛ばされると同時に
ウェハ2表面が純水置換されるので、ウェハ2を洗浄す
ることができる。
を作動させることによって純水タンク6から圧縮された
純水を純水搬送管3内に圧送し、純水搬送管3内を搬送
された純水がジェットノズル4から、上記回転スピナー
■によって回に中のウェハ2表面に噴射される。これに
よって、ウェハ2表面の汚れが吹き飛ばされると同時に
ウェハ2表面が純水置換されるので、ウェハ2を洗浄す
ることができる。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、このような装置を用いた方法では、ウェハ2
の金属下地面が純水中に溶存している微量の酸素によっ
て酸化や電気化学的な反応を起こすため、しみやむら等
の発生の原因となる欠点があった。また長時間この洗浄
を続けると、金属下地面が露出している部分と、メツキ
処理の施された部分との境界部において、メツキ層が剥
離を起こすといった不都合もあった。
の金属下地面が純水中に溶存している微量の酸素によっ
て酸化や電気化学的な反応を起こすため、しみやむら等
の発生の原因となる欠点があった。また長時間この洗浄
を続けると、金属下地面が露出している部分と、メツキ
処理の施された部分との境界部において、メツキ層が剥
離を起こすといった不都合もあった。
[課題を解決するための手段]
本発明では、このような事情に鑑み鋭意検討を行った結
果、純水中の酸素を窒素置換して除去し、この純水をウ
ェハ表面に吹き付けることにより上記課題を解決できる
ことを見出だした。
果、純水中の酸素を窒素置換して除去し、この純水をウ
ェハ表面に吹き付けることにより上記課題を解決できる
ことを見出だした。
[作用]
以上のように、純水中に溶存している微量酸素を窒素置
換して除去した無酸素状態の純水を用いるので、金属下
地面が酸化や電気化学的反応を起こしてしみやむら等が
発生する不都合が解消され、またウェハの金属下地面と
メツキ層との間の剥離も防止できる。
換して除去した無酸素状態の純水を用いるので、金属下
地面が酸化や電気化学的反応を起こしてしみやむら等が
発生する不都合が解消され、またウェハの金属下地面と
メツキ層との間の剥離も防止できる。
以下、本発明を実施例を示して、図面に基づき詳しく説
明する。
明する。
[実施例]
第1図は、本発明において用いられるウェハ洗浄装置の
一実施例を示すものである。この装置が第3図に示した
従来の装置と異なる点は、主に純水タンク6と高圧ポン
プ5との間に窒素バブリング装置7を設けたことである
。
一実施例を示すものである。この装置が第3図に示した
従来の装置と異なる点は、主に純水タンク6と高圧ポン
プ5との間に窒素バブリング装置7を設けたことである
。
第2図は、窒素バブリング装置7の一例を示すものであ
る。この窒素バブリング装置7は、概ね、底部に窒素吹
き込み管8を配設した純水槽9と、この純水槽9の上面
を覆う上110と、純水槽9内の純水の水位を一定に保
つためのレベルコントローラ11とを有してなるもので
ある。この純水槽9の一側面の底部近くには、純水人口
12が設けられ、またこの純水人口12の設けられた面
の対面でかつ純水人口12より上位には純水出口13が
設けられている。そしてこの純水人口13がコントロー
ルバルブ14を介して純水タンク6に、また純水出口1
3が高圧ポンプ5に連結されており、これによって純水
タンク6から純水槽9内へ、さらに純水槽9から高圧ポ
ンプ5へと純水を順送りできるようになっている。また
この純水槽9の外部にはレベルコントローラl 1が配
置されて、上記コントロールバルブ14に連結されてい
るとともに、このレベルコントローラ11に接続された
レベルセンサ15が上記純水槽9内に挿入されている。
る。この窒素バブリング装置7は、概ね、底部に窒素吹
き込み管8を配設した純水槽9と、この純水槽9の上面
を覆う上110と、純水槽9内の純水の水位を一定に保
つためのレベルコントローラ11とを有してなるもので
ある。この純水槽9の一側面の底部近くには、純水人口
12が設けられ、またこの純水人口12の設けられた面
の対面でかつ純水人口12より上位には純水出口13が
設けられている。そしてこの純水人口13がコントロー
ルバルブ14を介して純水タンク6に、また純水出口1
3が高圧ポンプ5に連結されており、これによって純水
タンク6から純水槽9内へ、さらに純水槽9から高圧ポ
ンプ5へと純水を順送りできるようになっている。また
この純水槽9の外部にはレベルコントローラl 1が配
置されて、上記コントロールバルブ14に連結されてい
るとともに、このレベルコントローラ11に接続された
レベルセンサ15が上記純水槽9内に挿入されている。
そしてこのレベルセンナ15によって検知された純水槽
9内の純水の水位に応じて適宜コントロールバルブ14
が開閉して上記水位が一定に保たれるように、上記レベ
ルコントローラ11が作動するようになっている。純水
槽9底部に配設された窒素吹き込み管8は、その一部が
輪を形成して端部を一つ有し、この端部が純水槽9の外
部と連結して外部から窒素を純水槽9内部に封入できる
ような窒素封入口16となっている。また窒素吹き込み
管8には、純水槽9上方へ向けて径0.5〜21111
程度の孔17.17・・・が多数形成されており、この
孔17.17・・・から純水槽9内の純水中に窒素が吹
き込まれるようになっている。
9内の純水の水位に応じて適宜コントロールバルブ14
が開閉して上記水位が一定に保たれるように、上記レベ
ルコントローラ11が作動するようになっている。純水
槽9底部に配設された窒素吹き込み管8は、その一部が
輪を形成して端部を一つ有し、この端部が純水槽9の外
部と連結して外部から窒素を純水槽9内部に封入できる
ような窒素封入口16となっている。また窒素吹き込み
管8には、純水槽9上方へ向けて径0.5〜21111
程度の孔17.17・・・が多数形成されており、この
孔17.17・・・から純水槽9内の純水中に窒素が吹
き込まれるようになっている。
ここで上記窒素吹き込み管8は、純水槽9内に均一に窒
素を吹き込むことができる点で、純水槽9底部のなるべ
く広範囲を覆うような形状とされるのが好ましく、先に
述べたような形状以外にも、例えば渦巻き状や蛇行状の
形状とされてもよい。
素を吹き込むことができる点で、純水槽9底部のなるべ
く広範囲を覆うような形状とされるのが好ましく、先に
述べたような形状以外にも、例えば渦巻き状や蛇行状の
形状とされてもよい。
また一つの端部を有する形状のみに限られず、この管8
に設けられた孔17.17・・・から窒素を純水中に吹
き込んで窒素バブルしつつ管8内の圧力が常にある程度
の加圧状態を保持できるような形状であれば、二つの端
部を有するものであってもかまわない。”またこの窒素
吹き込み管8に設けられた孔17.17・・・は、純水
槽9内に均一に窒素を吹き込むことができる点で、窒素
吹き込み管8の上面部に均等な間隔をあけて規則的に数
多く並設されるのが好ましい。また純水槽9上面の上蓋
tOには、純水1II9の外部と連結する脱気018が
設けられ、純水槽9内が加圧になった場合に、この脱気
口18から窒素が漏れ出るようになっている。
に設けられた孔17.17・・・から窒素を純水中に吹
き込んで窒素バブルしつつ管8内の圧力が常にある程度
の加圧状態を保持できるような形状であれば、二つの端
部を有するものであってもかまわない。”またこの窒素
吹き込み管8に設けられた孔17.17・・・は、純水
槽9内に均一に窒素を吹き込むことができる点で、窒素
吹き込み管8の上面部に均等な間隔をあけて規則的に数
多く並設されるのが好ましい。また純水槽9上面の上蓋
tOには、純水1II9の外部と連結する脱気018が
設けられ、純水槽9内が加圧になった場合に、この脱気
口18から窒素が漏れ出るようになっている。
このような窒素バブリング装置7にあっては、窒素封入
口16より窒素吹き込み管8内に送られた窒素が多数の
孔17.17・・・から純水槽9内の純水中に吹き込ま
れてバブリングするので、純水中の溶存酸素が窒素置換
される。換言すれば、純水中に溶存していた微量な酸素
が除去されて、無酸素状態の純水となる。またこの純水
槽9内の純水は、純水人口12から送られ、レベルコン
トローラ11によってその水位を一定に保持されながら
純水出口13より排出されるため、連続的に次々と無酸
素状態の純水とされて上記高圧ポンプ5へ供給される。
口16より窒素吹き込み管8内に送られた窒素が多数の
孔17.17・・・から純水槽9内の純水中に吹き込ま
れてバブリングするので、純水中の溶存酸素が窒素置換
される。換言すれば、純水中に溶存していた微量な酸素
が除去されて、無酸素状態の純水となる。またこの純水
槽9内の純水は、純水人口12から送られ、レベルコン
トローラ11によってその水位を一定に保持されながら
純水出口13より排出されるため、連続的に次々と無酸
素状態の純水とされて上記高圧ポンプ5へ供給される。
本発明では、このように窒素バブリング装置I7を用い
て純水中の溶存酸素を窒素置換して無酸素状態とした後
、この純水を高圧ポンプ5により圧縮純水として純水搬
送管3内に供給する。そして純水搬送管3内を搬送され
た純水を、純水搬送管先端のジェヴトノズル4から、回
転スピナー1によって回転中のウェハ2表面に吹き付け
る。これによってウェハ2表面の汚れが吹き飛ばされる
と同時に、ウェハ2表面を純水置換して洗浄することが
できる。また、このようにして洗浄した後、純水の噴射
を止めた後もウェハ2を引き続き回転スピナー1により
回転させれば、純水が円周方向に吹き飛ばされて、ウェ
ハ2表面を乾燥させることもできる。
て純水中の溶存酸素を窒素置換して無酸素状態とした後
、この純水を高圧ポンプ5により圧縮純水として純水搬
送管3内に供給する。そして純水搬送管3内を搬送され
た純水を、純水搬送管先端のジェヴトノズル4から、回
転スピナー1によって回転中のウェハ2表面に吹き付け
る。これによってウェハ2表面の汚れが吹き飛ばされる
と同時に、ウェハ2表面を純水置換して洗浄することが
できる。また、このようにして洗浄した後、純水の噴射
を止めた後もウェハ2を引き続き回転スピナー1により
回転させれば、純水が円周方向に吹き飛ばされて、ウェ
ハ2表面を乾燥させることもできる。
このように、純水中の酸素を窒素置換して除去し、この
純水をウェハ2表面に吹き付けることによって、純水中
の溶存酸素の影響によりウェハ2の金属下地面が酸化や
電気化学的な反応を起こすことがなくなるので、しみや
むら等の発生の原因となるなどの不都合が解消される。
純水をウェハ2表面に吹き付けることによって、純水中
の溶存酸素の影響によりウェハ2の金属下地面が酸化や
電気化学的な反応を起こすことがなくなるので、しみや
むら等の発生の原因となるなどの不都合が解消される。
また長時間の洗浄の後にも、金属下地面とメツキ層との
間の剥離が起こらないようになる利点もある。
間の剥離が起こらないようになる利点もある。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明は純水中の酸素を窒素置換
して除去し、この純水をウェハ表面に吹き付けるので、
ウェハの金属下地面が酸化や電気化学的な反応を起こし
てしみやむら等の発生の原因となるなどの不都合が解消
される。また長時間洗浄を行っても、金属下地面とメツ
キ層との間の剥離が起こらないようになる利点もある。
して除去し、この純水をウェハ表面に吹き付けるので、
ウェハの金属下地面が酸化や電気化学的な反応を起こし
てしみやむら等の発生の原因となるなどの不都合が解消
される。また長時間洗浄を行っても、金属下地面とメツ
キ層との間の剥離が起こらないようになる利点もある。
第1図は、本発明において用いられるウェハ洗浄装置の
一実施例を示す概略構成図であり、第2図は、窒素バブ
リング装置の一実施例を示す概略構成図であり、 第3図は、従来のウェハの洗浄方法において用いられて
いるウェハ洗浄装置の一例を示す概略構成図である。 2・・・・・・ウェハ。 第3図
一実施例を示す概略構成図であり、第2図は、窒素バブ
リング装置の一実施例を示す概略構成図であり、 第3図は、従来のウェハの洗浄方法において用いられて
いるウェハ洗浄装置の一例を示す概略構成図である。 2・・・・・・ウェハ。 第3図
Claims (1)
- 純水中の酸素を窒素置換して除去し、この純水をウェハ
表面に吹き付けることを特徴とするウェハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7007289A JPH02251275A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | ウェハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7007289A JPH02251275A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | ウェハの洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02251275A true JPH02251275A (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=13420973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7007289A Pending JPH02251275A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | ウェハの洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02251275A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04150980A (ja) * | 1990-10-13 | 1992-05-25 | Kyozo Kaneko | 密閉式溶剤洗浄装置 |
JPH0576852A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-03-30 | Nippon Kakoki Kogyo Kk | 水系洗浄乾燥処理法及び装置 |
JP2013153161A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Fujifilm Corp | 半導体基板製品の製造方法及びこれに利用されるエッチング方法 |
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JPS6254757A (ja) * | 1985-05-23 | 1987-03-10 | Toray Ind Inc | ポリフエニレンスルフイド樹脂組成物 |
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JPS63259387A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-26 | Akutoronikusu Kk | 二重管構造熱交換器の熱交換部 |
JPS63283027A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-18 | Toshiba Corp | 半導体の洗浄方法 |
JPS63284921A (ja) * | 1987-05-16 | 1988-11-22 | Nec Corp | 弾性表面波共振子及びそれを用いた弾性表面波多重モ−ドフィルタ |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP7007289A patent/JPH02251275A/ja active Pending
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