JPH02250386A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02250386A JPH02250386A JP7211089A JP7211089A JPH02250386A JP H02250386 A JPH02250386 A JP H02250386A JP 7211089 A JP7211089 A JP 7211089A JP 7211089 A JP7211089 A JP 7211089A JP H02250386 A JPH02250386 A JP H02250386A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はウィンドウ構造高出力半導体レーザの製造方法
に関するものである。
に関するものである。
従来、半導体レーザを高出力動作させる１つの方法とし
て半導体レーザ光出射端酊が、レーザ発振光に対して透
明な材料・組成で構成されたウィンドウ構造がとられて
いる。このウィンドウ構造は、半導体レーザの高出力駆
動時に、光出射端面（以下端面と略記する）の表面再結
合および端面近傍の光吸収の増大に伴う温度上昇による
端面破壊を避けるために用いられており、端面近傍の活
性層を取り除く方法や、端面を除いた活性層領域にｐ型
ドーパントを拡散して端面近傍の光吸収を小さくする方
法が用いられている（参考文猷：例えばＩＥＥＥ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｓ。
て半導体レーザ光出射端酊が、レーザ発振光に対して透
明な材料・組成で構成されたウィンドウ構造がとられて
いる。このウィンドウ構造は、半導体レーザの高出力駆
動時に、光出射端面（以下端面と略記する）の表面再結
合および端面近傍の光吸収の増大に伴う温度上昇による
端面破壊を避けるために用いられており、端面近傍の活
性層を取り除く方法や、端面を除いた活性層領域にｐ型
ドーパントを拡散して端面近傍の光吸収を小さくする方
法が用いられている（参考文猷：例えばＩＥＥＥ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｓ。
ｖｏｌ、ＱＥ−１５，７７２） 。
端面近傍の活性層を取り除いた構造の半導体レーザを作
製する方法は工程が複雑になる上に、活性層の再成長界
面における非発光再結合などの劣化要因を取り除くこと
が難しい、また、活性層領域にｐ型ドーパントを拡散す
る方法では、ｐｎ接合の位置を０．１μｍ程度と非常に
薄い活性層の位置に精度良く合わせることが難しいとい
う問題があった。
製する方法は工程が複雑になる上に、活性層の再成長界
面における非発光再結合などの劣化要因を取り除くこと
が難しい、また、活性層領域にｐ型ドーパントを拡散す
る方法では、ｐｎ接合の位置を０．１μｍ程度と非常に
薄い活性層の位置に精度良く合わせることが難しいとい
う問題があった。
本発明の目的はこの問題点を解決した高出力半導体レー
ザの製造方法を提供することにある。
ザの製造方法を提供することにある。
本発明は、発光に与る活性層を含む多層構造を形成する
工程と、一定の間隔毎に電流を注入しない非電流注入領
域を前記多層構造に設ける工程と、非電流注入領域で前
記多層構造を分割して半導体レーザの共振器面（端面）
を形成する工程と、半導体レーザの共振器面にｎ型ドー
パントをイオン注入及びアニールする工程とを少くとも
具備することを特徴としている製造方法である。また、
もう１つの本発明は、ＧａＡｓに格子接合して、自然超
格子生成条件下で結晶成長したＧａＩｎＰあるいは（Ａ
Ｊｘ Ｇａｔ−ｘ ） ０．５ Ｉ ｎＱ、５Ｐから成
る活性層を含む多層構造を形成する工程と、一定の間隔
毎に電流を注入しない非電流注入領域を多層構造に設け
る工程と、非電流注入領域で多層構造を分割して半導体
レーザの共振器面を形成する工程と、半導体レーザの共
振器面に不純物をイオン注入して活性層に形成されてい
る自然超格子を無秩序化する工程とを少くとも具備する
ことを特徴としている製造方法である。
工程と、一定の間隔毎に電流を注入しない非電流注入領
域を前記多層構造に設ける工程と、非電流注入領域で前
記多層構造を分割して半導体レーザの共振器面（端面）
を形成する工程と、半導体レーザの共振器面にｎ型ドー
パントをイオン注入及びアニールする工程とを少くとも
具備することを特徴としている製造方法である。また、
もう１つの本発明は、ＧａＡｓに格子接合して、自然超
格子生成条件下で結晶成長したＧａＩｎＰあるいは（Ａ
Ｊｘ Ｇａｔ−ｘ ） ０．５ Ｉ ｎＱ、５Ｐから成
る活性層を含む多層構造を形成する工程と、一定の間隔
毎に電流を注入しない非電流注入領域を多層構造に設け
る工程と、非電流注入領域で多層構造を分割して半導体
レーザの共振器面を形成する工程と、半導体レーザの共
振器面に不純物をイオン注入して活性層に形成されてい
る自然超格子を無秩序化する工程とを少くとも具備する
ことを特徴としている製造方法である。
自然超格子生成条件は、有機金属熱分解法による結晶成
長方法において、成長温度をＸ、原料ガス中の■族元素
と■族元素の比（Ｖ／ＩＩＩ比）をｙ、成長層のエネル
ギーギャップを２としたとき、これらの組（ｘ、ｙ、ｚ
）が （７００，６０，１，８９５）、 （７００，２３０，
１，８６） 。
長方法において、成長温度をＸ、原料ガス中の■族元素
と■族元素の比（Ｖ／ＩＩＩ比）をｙ、成長層のエネル
ギーギャップを２としたとき、これらの組（ｘ、ｙ、ｚ
）が （７００，６０，１，８９５）、 （７００，２３０，
１，８６） 。
（７００，４１０，１，８５）、（７５０，２３０，１
，８９５）。
，８９５）。
（６５０，２３０，１，８６）、（６００，２３０，１
，８６５）の各点を通るくを満足するように成長温度、
原料ガス中のＶ１ｍ比、エネルギーギャップを組合せれ
ばよい。
，８６５）の各点を通るくを満足するように成長温度、
原料ガス中のＶ１ｍ比、エネルギーギャップを組合せれ
ばよい。
尚、詳しい説明は特願昭６０−２７０３３９に記載しで
あるので省略する。
あるので省略する。
本発明においては、半導体レーザの共振器面（端面）近
傍の活性層にｎ型ドーパントをイオン注入することによ
り、実効的なバンド・ギャップエネルギーを増大させ、
半導体レーザの端面近傍を除いて電流注入させて生じた
レーザ光の端面近傍における光吸収を大幅に減少させる
。このことにより、高出力動作の妨げとなる端面破壊が
抑えられ最高出力を飛躍的に上昇させることができる。
傍の活性層にｎ型ドーパントをイオン注入することによ
り、実効的なバンド・ギャップエネルギーを増大させ、
半導体レーザの端面近傍を除いて電流注入させて生じた
レーザ光の端面近傍における光吸収を大幅に減少させる
。このことにより、高出力動作の妨げとなる端面破壊が
抑えられ最高出力を飛躍的に上昇させることができる。
また端面近傍が発光領域になっていないために長期的劣
化の要因である端面酸化を抑えることができる。この方
法は、発光に与る活性層を含む多層構造及び端面を形成
した後、端面にイオン注入を行うだけでよいので簡単に
ウィンドウ構造を作ることができる。
化の要因である端面酸化を抑えることができる。この方
法は、発光に与る活性層を含む多層構造及び端面を形成
した後、端面にイオン注入を行うだけでよいので簡単に
ウィンドウ構造を作ることができる。
もう一つの発明においては、ＧａＩｎＰあるいはＡＪＧ
ａ Ｉ ｎＰｏから成る活性層が自然超格子構造となり
、それに応じてバンド・ギャップエネルギーが減少する
。この自然超格子構造をとったＧａＩｎＰあるいはＡ、
！！Ｇａ Ｉ ｎＰを活性層とする半導体レーザの共振
器面よりＺｎなどの不純物をイオン注入することにより
、活性層の自然超格子構造を無秩序化して端面近傍の活
性層の実効的′なバンド・ギャップエネルギーを増大さ
せる。この結果、ウィンドウ構造を容易に作ることがで
きる。また、この方法で作った半導体レーザは、端面近
傍を除いて電流注入させて生じたレーザ光の端面近傍に
おける光吸収が大幅に減少して、レーザの高出力動作の
妨げとなる端面破壊が抑えられ最高出力が飛躍的に向上
する。
ａ Ｉ ｎＰｏから成る活性層が自然超格子構造となり
、それに応じてバンド・ギャップエネルギーが減少する
。この自然超格子構造をとったＧａＩｎＰあるいはＡ、
！！Ｇａ Ｉ ｎＰを活性層とする半導体レーザの共振
器面よりＺｎなどの不純物をイオン注入することにより
、活性層の自然超格子構造を無秩序化して端面近傍の活
性層の実効的′なバンド・ギャップエネルギーを増大さ
せる。この結果、ウィンドウ構造を容易に作ることがで
きる。また、この方法で作った半導体レーザは、端面近
傍を除いて電流注入させて生じたレーザ光の端面近傍に
おける光吸収が大幅に減少して、レーザの高出力動作の
妨げとなる端面破壊が抑えられ最高出力が飛躍的に向上
する。
また端面近傍が発光領域となっていないために、長期的
劣化の要因である端面酸化を抑えることができる（参考
文献６３春応用物理学会３１ａＺＰ５）。
劣化の要因である端面酸化を抑えることができる（参考
文献６３春応用物理学会３１ａＺＰ５）。
以下、図示の実施例により本発明の半導体レーザの製造
方法を説明する。第１図、第２図に示す如く、（１００
）面に方位したｎ型ＧａＡｓ基板１０に、厚さ０．３μ
ｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層（キャリア濃度５Ｘ４０”
ｃ ｍ””） １１．厚さ１、ｃｚｍのｎ型Ａｆｆｌ帆
４ Ｇａｏ、６ Ａｓクラッド層（キャリア濃度５Ｘ
１０”ｃ ｍ−’） １２．厚さ０．３μｍのｎ型Ａ
Ｊ ０．１５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓガイド層（キャ
リア濃度５Ｘ １０”ｃ ｍ−’） １ｇ、厚さ０．１
μｍのＡ ＩＩ ｏ、 ｏ６Ｇ ａ ｏ、 ｇ４Ａ ｓ
活性層１３．厚さ０．５μｍのＰ型Ａ ｊ’ １）、４
Ｇ ａｇ、６ Ａ Ｓクラッド層（キャリア濃度ｌＸ
ｌ０Ｉ）ｃ ｍ−’） １４．厚さ０．５μｍのＰ型Ａ
ｉｏ、ａ Ｇ Ｆａｏ、ｂ Ａ Ｓクラッド層（キャ
リア濃度２Ｘ １０１８ｃ ｍ−３） １５．厚さ０．
５μｍのｎ型ＧａＡｓブロック層（キャリア濃度５Ｘ
１０１）ｃｍ−１０１）を順次結晶成長させる。この後
、５ｉ０２ＪＩ！を堆積させてフォトリソグラフィによ
り（１１０＞方向に幅７μｍ長さ２５０μｍの長方形部
分のＳｉｏ２膜をエツチングする。この長方形領域のＧ
ａＡｓブロック層１６をＰ型のＡ ＩＩ 。、３ Ｇ
ａｏ、７ Ａ ｓクラッド層１５との境界までエツチン
グする。この後、５１０２Ｍを全てエツチングして取り
除き、厚さ１μｍのＰ型ＧａＡｓキャップ層（キャリア
濃度２Ｘ１０”ｃ ｍ−’） １７を結晶成長させる。
方法を説明する。第１図、第２図に示す如く、（１００
）面に方位したｎ型ＧａＡｓ基板１０に、厚さ０．３μ
ｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層（キャリア濃度５Ｘ４０”
ｃ ｍ””） １１．厚さ１、ｃｚｍのｎ型Ａｆｆｌ帆
４ Ｇａｏ、６ Ａｓクラッド層（キャリア濃度５Ｘ
１０”ｃ ｍ−’） １２．厚さ０．３μｍのｎ型Ａ
Ｊ ０．１５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓガイド層（キャ
リア濃度５Ｘ １０”ｃ ｍ−’） １ｇ、厚さ０．１
μｍのＡ ＩＩ ｏ、 ｏ６Ｇ ａ ｏ、 ｇ４Ａ ｓ
活性層１３．厚さ０．５μｍのＰ型Ａ ｊ’ １）、４
Ｇ ａｇ、６ Ａ Ｓクラッド層（キャリア濃度ｌＸ
ｌ０Ｉ）ｃ ｍ−’） １４．厚さ０．５μｍのＰ型Ａ
ｉｏ、ａ Ｇ Ｆａｏ、ｂ Ａ Ｓクラッド層（キャ
リア濃度２Ｘ １０１８ｃ ｍ−３） １５．厚さ０．
５μｍのｎ型ＧａＡｓブロック層（キャリア濃度５Ｘ
１０１）ｃｍ−１０１）を順次結晶成長させる。この後
、５ｉ０２ＪＩ！を堆積させてフォトリソグラフィによ
り（１１０＞方向に幅７μｍ長さ２５０μｍの長方形部
分のＳｉｏ２膜をエツチングする。この長方形領域のＧ
ａＡｓブロック層１６をＰ型のＡ ＩＩ 。、３ Ｇ
ａｏ、７ Ａ ｓクラッド層１５との境界までエツチン
グする。この後、５１０２Ｍを全てエツチングして取り
除き、厚さ１μｍのＰ型ＧａＡｓキャップ層（キャリア
濃度２Ｘ１０”ｃ ｍ−’） １７を結晶成長させる。
この後、ＧａＡｓ結晶成長面にＴｉ、Ｐｔ、Ａｕの順に
７０ＯＡ 、 １２０ＯＡ 、 ４００ＯＡスパツタに
より堆積して電極３０とする。一方、裏面から基板１０
を １００μｍ程度の厚さまで研摩した後、研摩面にＡ
ｕＧｅＮｉ合金を厚さ２００ＯＡ蒸着して電極２ｏを形
成する（第２図参照）。
７０ＯＡ 、 １２０ＯＡ 、 ４００ＯＡスパツタに
より堆積して電極３０とする。一方、裏面から基板１０
を １００μｍ程度の厚さまで研摩した後、研摩面にＡ
ｕＧｅＮｉ合金を厚さ２００ＯＡ蒸着して電極２ｏを形
成する（第２図参照）。
この後、共振器長が３００μｍ程度になるように結晶を
襞間する。この璧開は、第３図Ｂに示すように、ｎ型Ｇ
ａＡｓブロック層１６がエツチングされている長方形部
分、すなわち、電流注入領域５０を中央に含むように行
なう、ｅ開により形成された襞間面、すなわち、共振面
６０に対して垂直に４００ｋ ｅ ＶでＩＸ １０１４
ｃ ｍ −” Ｓ ｅをイオン注入してイオン注入領
域４０を形成する。反対の共振面からも同様にイオン注
入を行なった後、２００℃に昇温しでルビーレーザを１
．４Ｊ／ｃｍ２の出力で１秒以下共振面に入射してレー
ザ・アニールを行なう（参考文献５ｏｌｉｄ ５ｔａｔ
ｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ。
襞間する。この璧開は、第３図Ｂに示すように、ｎ型Ｇ
ａＡｓブロック層１６がエツチングされている長方形部
分、すなわち、電流注入領域５０を中央に含むように行
なう、ｅ開により形成された襞間面、すなわち、共振面
６０に対して垂直に４００ｋ ｅ ＶでＩＸ １０１４
ｃ ｍ −” Ｓ ｅをイオン注入してイオン注入領
域４０を形成する。反対の共振面からも同様にイオン注
入を行なった後、２００℃に昇温しでルビーレーザを１
．４Ｊ／ｃｍ２の出力で１秒以下共振面に入射してレー
ザ・アニールを行なう（参考文献５ｏｌｉｄ ５ｔａｔ
ｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ。
３０．１２５１ ） 、このとき共振器面（端面）近傍
では正孔濃度の小さい活性層およびＰクラッド層１４の
イオン注入領域０．３μｍがｎ型に反転してｐｎ接合が
Ｐクラッド層１４中に形成する。従って、通常のレーザ
発振条件の印加電圧ではイオン注入領域４０には電流が
流れない、このため端面近傍では電流注入がなく、電子
濃度が高いために第３図Ａに示す如く実効的なバンド・
ギャップが大きくなり、活性層中央付近で発生したレー
ザ発振光の吸収が小さく、ウィンドウ構造レーザとなる
（第１図、第３図Ｂ参照）。
では正孔濃度の小さい活性層およびＰクラッド層１４の
イオン注入領域０．３μｍがｎ型に反転してｐｎ接合が
Ｐクラッド層１４中に形成する。従って、通常のレーザ
発振条件の印加電圧ではイオン注入領域４０には電流が
流れない、このため端面近傍では電流注入がなく、電子
濃度が高いために第３図Ａに示す如く実効的なバンド・
ギャップが大きくなり、活性層中央付近で発生したレー
ザ発振光の吸収が小さく、ウィンドウ構造レーザとなる
（第１図、第３図Ｂ参照）。
第４図に第２の実施例を示す。この実施例では、（１０
０）面に方位したｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１ｏに厚さ０
．３μｍのｎ型ＧａＡｓバッフｙＪｉ１１．厚さ１、ｃ
ｚｍのｎ型（ＡＪｏ、６Ｇａｏ４）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、
ｓＰクラッド層（キャリア濃度２Ｘ １０１８ｃ ｍ
−’）２２、厚さ０．０８μｍのＧａ０．５ Ｉ ｎＯ
，５Ｐ活性層２３、厚さ１μｍのＰ型（Ａｆｆｌｏ、ａ
ＧａＯ，４） ０．５μｍｇ、ｇＰクラッド層（キャ
リア濃度２Ｘ １０１０１８Ｃ’）２４．厚さ０．５μ
ｍのｎ型ＧａＡｓブロックｌ（キャリア濃度２Ｘ１０１
８ｃ ｍ−’） ２５を有機金属熱分解決−（ＬＰ−Ｍ
ＯＶＰＥ法）により順次成長する。成長温度は７００℃
、Ｖ族と■族の流量比（Ｖ／ＩＩＩ比）を４００とする
。
０）面に方位したｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１ｏに厚さ０
．３μｍのｎ型ＧａＡｓバッフｙＪｉ１１．厚さ１、ｃ
ｚｍのｎ型（ＡＪｏ、６Ｇａｏ４）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、
ｓＰクラッド層（キャリア濃度２Ｘ １０１８ｃ ｍ
−’）２２、厚さ０．０８μｍのＧａ０．５ Ｉ ｎＯ
，５Ｐ活性層２３、厚さ１μｍのＰ型（Ａｆｆｌｏ、ａ
ＧａＯ，４） ０．５μｍｇ、ｇＰクラッド層（キャ
リア濃度２Ｘ １０１０１８Ｃ’）２４．厚さ０．５μ
ｍのｎ型ＧａＡｓブロックｌ（キャリア濃度２Ｘ１０１
８ｃ ｍ−’） ２５を有機金属熱分解決−（ＬＰ−Ｍ
ＯＶＰＥ法）により順次成長する。成長温度は７００℃
、Ｖ族と■族の流量比（Ｖ／ＩＩＩ比）を４００とする
。
この後５ｉ０２ｊｉｌを堆積させてフォトリソグラフィ
により（１１０）方向に幅７μｍ長さ２５０μｍの長方
形部分のＳ ｉ ０２膜をエツチングして取り除く。こ
の長方形を５０μｍおきに設ける。アンモニア系のエツ
チング液を用いて長方形の部分のＧａＡｓブロック層２
５をＰ型クラッド層２４との境界までエツチングする。
により（１１０）方向に幅７μｍ長さ２５０μｍの長方
形部分のＳ ｉ ０２膜をエツチングして取り除く。こ
の長方形を５０μｍおきに設ける。アンモニア系のエツ
チング液を用いて長方形の部分のＧａＡｓブロック層２
５をＰ型クラッド層２４との境界までエツチングする。
ＳｉＯｚｌｌｌｇをエツチングして全て取り除いた後、
Ｐ型ＧａＡｓキャップ層（キャリア濃度２Ｘ １０”ｃ
ｍ弓）２６を厚さ １μｍ結晶成長する。この後、結
晶成長面にＴ１゜Ｐｔ、Ａｕの順に７０ＯＡ 、 １２
０ＯＡ 、 ４０００Ａスパツタにより堆積して電極３
０を形成する。一方裏面から基板を１００μｍ程度の厚
さまで研摩した後、研磨面にＡｕＧｅＮｉ合金を２００
ＯＡ蒸着して、もう一方の電極２０とする（第４図参照
）、この半導体レーザではＧａＡｓブロック層２５が除
かれている領域が電流注入領域５０となり、ＧａＡｓブ
ロック層２５が存在する領域は非電流領域５１となる。
Ｐ型ＧａＡｓキャップ層（キャリア濃度２Ｘ １０”ｃ
ｍ弓）２６を厚さ １μｍ結晶成長する。この後、結
晶成長面にＴ１゜Ｐｔ、Ａｕの順に７０ＯＡ 、 １２
０ＯＡ 、 ４０００Ａスパツタにより堆積して電極３
０を形成する。一方裏面から基板を１００μｍ程度の厚
さまで研摩した後、研磨面にＡｕＧｅＮｉ合金を２００
ＯＡ蒸着して、もう一方の電極２０とする（第４図参照
）、この半導体レーザではＧａＡｓブロック層２５が除
かれている領域が電流注入領域５０となり、ＧａＡｓブ
ロック層２５が存在する領域は非電流領域５１となる。
この後、共振器面に対して垂直に１００ｋ ｅ ＶでＩ
Ｘ １０”ｃ ｍ−２のＺｎをイオン注入する０反対の
共振器面からも同様にイオン注入を行なった後、２００
ＷのＡｒ”レーザを共振器面に集光して１ｍｓ程度のレ
ーザ・アニールを行なう。
Ｘ １０”ｃ ｍ−２のＺｎをイオン注入する０反対の
共振器面からも同様にイオン注入を行なった後、２００
ＷのＡｒ”レーザを共振器面に集光して１ｍｓ程度のレ
ーザ・アニールを行なう。
この時、イオン注入された端面近傍ではｎ型層がＰ型層
に転じることはない。この成長条件では活性層は自然超
格子構造を形成しているが、Ｚｎを注入することにより
自然超格子構造が無秩序化され、それに伴いバンド間エ
ネルギーも５０ｍ ｅ Ｖ大きくなる。そこで、端面近
傍では電流注入がなく、中央部で発生した光に対し透明
になり、ウィンドウ構造レーザとなる。
に転じることはない。この成長条件では活性層は自然超
格子構造を形成しているが、Ｚｎを注入することにより
自然超格子構造が無秩序化され、それに伴いバンド間エ
ネルギーも５０ｍ ｅ Ｖ大きくなる。そこで、端面近
傍では電流注入がなく、中央部で発生した光に対し透明
になり、ウィンドウ構造レーザとなる。
本発明によりウィンドウ構造レーザを容易に得ることが
できた。
できた。
第１図は本発明により作製された半導体レーザの共振器
方向中央部の断面図、第２図は本発明により作製された
半導体レーザの斜視図、第３図は本発明より製造された
半導体レーザとそのストライプ方向のバンド・エネルギ
ー変化を示す図、第４図は本発明により製造された半導
体レーザの斜視図である。 図中、１０はＧａＡｓ基板、１１はｎ−ＧａＡｓバッフ
ァ層、１２はｎ−ＡｆｆｌＯ，３Ｇａｏ、７ Ａｓクラ
ッド層、１３はＡ Ｊ ０．０６Ｇ ａ ０．９４Ａ
Ｓ活性層、１４はＰ−ＡＡ（＋、３ Ｇａ６．７ Ａｓ
クラッド層、１５はＰ−Ａ Ｉ （１，３Ｇ ａ□、７
Ａ Ｓクラッド層、１６はｎ−ＧａＡｓブロック層、
エフはＰ−ＧａＡｓキー？’ｙ１層、１８はｎ Ａ
１ （１，ＩｇＧ ａ （３，ｇｇＡ Ｓガイド層、２
０はＡｕ、Ｇｅ、Ｎｉ電極、３０はＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ電
極、４０はイオン注入領域である。
方向中央部の断面図、第２図は本発明により作製された
半導体レーザの斜視図、第３図は本発明より製造された
半導体レーザとそのストライプ方向のバンド・エネルギ
ー変化を示す図、第４図は本発明により製造された半導
体レーザの斜視図である。 図中、１０はＧａＡｓ基板、１１はｎ−ＧａＡｓバッフ
ァ層、１２はｎ−ＡｆｆｌＯ，３Ｇａｏ、７ Ａｓクラ
ッド層、１３はＡ Ｊ ０．０６Ｇ ａ ０．９４Ａ
Ｓ活性層、１４はＰ−ＡＡ（＋、３ Ｇａ６．７ Ａｓ
クラッド層、１５はＰ−Ａ Ｉ （１，３Ｇ ａ□、７
Ａ Ｓクラッド層、１６はｎ−ＧａＡｓブロック層、
エフはＰ−ＧａＡｓキー？’ｙ１層、１８はｎ Ａ
１ （１，ＩｇＧ ａ （３，ｇｇＡ Ｓガイド層、２
０はＡｕ、Ｇｅ、Ｎｉ電極、３０はＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ電
極、４０はイオン注入領域である。
Claims (2)
- （１）発光に与る活性層を含む多層構造を形成する工程
と、一定の間隔毎に電流を注入しない非電流注入領域を
前記多層構造に設ける工程と、前記非電流注入領域で前
記多層構造を分割して半導体レーザの共振器面を形成す
る工程と、半導体レーザの共振器面にｎ型ドーパントを
イオン注入及びアニールする工程、とを少くとも具備す
ることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - （２）ＧａＡｓに格子整合して、自然超格子生成条件下
で結晶成長したＧａＩｎＰあるいは（ＡｌｘＧａ＿１＿
−＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５から成る活性層
を含む多層構造を形成する工程と、一定の間隔毎に電流
を注入しない非電流注入領域を前記多層構造に設ける工
程と、前記非電流注入領域で前記多層構造を分割して半
導体レーザの共振器面を形成する工程と、半導体レーザ
の共振器面に、不純物をイオン注入して活性層に形成さ
れている自然超格子を無秩序化する工程とを少くとも具
備することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7211089A JPH02250386A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7211089A JPH02250386A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250386A true JPH02250386A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13479916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7211089A Pending JPH02250386A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250386A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058682A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7211089A patent/JPH02250386A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058682A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子及びその製造方法 |
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