JPH02235355A - Semiconductor manufacturing equipment and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェーハの裏面に形成した金属膜の良
否を検査する半導体製造装置およびそれを用いた半導体
装置の製造方法に関する．〔従来の技術〕
半導体装置は、半導体ウェーハの半導体素子形成工程、
裏面電極の成膜工程、特性検査工程、ペレッタイズ工程
、ペレットマウント工程を経て製造される．
成膜工程では、第２図に示すような真空蒸着装置（１０
）により、半導体ウェーハ（１）の裏面に金属膜（ｍ）
を形成する．同装置（１０）は、真空チャンバ（ｌ１）
内の上部に複数個配置した傘状のプラネタ（ｌ２）や、
底部に配置した蒸着源（１３）等を収納して構成される
。プラネタ（ｌ２）の外周部には、鍔又は爪付きの保持
穴（１２ａ）を複数箇所に形成し、この保持穴（１２ａ
）内に半導体ウェーハ （１）を収納し、ハット（ｌ４
）により保持する。プラネタ（ｌ２）は、真空チャンバ
（ｌ１）外に配置した回転駆動機構（ｌ５）により、自
転及び公転し、蒸着源（ｌ３）から金属蒸気（１３ａ）
を照射して、半導体ウ工−ハ（１）の裏面に金ｆｆｌｌ
！ｉ！！（ｍ）が形成される。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for inspecting the quality of a metal film formed on the back surface of a semiconductor wafer, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same. [Prior art] Semiconductor devices are manufactured through a process of forming semiconductor elements on a semiconductor wafer,
It is manufactured through the back electrode film formation process, characteristic inspection process, pelletizing process, and pellet mounting process. In the film forming process, a vacuum evaporation device (10
), a metal film (m) is formed on the back surface of the semiconductor wafer (1).
form. The device (10) has a vacuum chamber (l1)
There are multiple umbrella-shaped planetas (l2) placed at the top of the inside,
It is constructed by accommodating a vapor deposition source (13) etc. placed at the bottom. A plurality of retaining holes (12a) with flanges or claws are formed on the outer periphery of the planet (l2).
) and store the semiconductor wafer (1) in the hat (l4
). The planetor (l2) rotates and revolves around its axis by a rotational drive mechanism (l5) placed outside the vacuum chamber (l1), and metal vapor (13a) is supplied from the vapor deposition source (l3).
irradiated with gold ffll on the back side of the semiconductor wafer (1).
! i! ! (m) is formed.
金属膜（ｍ．）が形成された半導体ウェーハ（１）は、
特性検査工程へ送られる。特性検査は、第３図に示すよ
うな特性検査装置（２０）により、半導体ウェーハ（１
）に多数個基盤目状に形成された半導体素子（２）ごと
に行う。特性検査装置（２０）は、半導体ウェーハ（１
）に金属１ｌ１（ｍ）を形成した裏面を吸着する可動テ
ーブル（２ｌ》と、可動テーブル（２１）上方に、平行
に固定配置されたブロープカード（２２）と、ブローブ
カード（２２）から複数本垂設したニードル（２３）と
、二一ドル（２３）の中心軸に配置したマーキング装置
（２４）とを具備する。可動テーブル（２１）は、半導
体ウェーハ（１）を水平方向及び垂直方向に間歇動じ、
半導体素子（２）上の電極パッド（３）を一個ずつ、二
ドル（２３）に弾性的に接触させ、半導体素子（２）の
良否を判定する。不良と判定された半導体素子（２）の
表面には、マーキング装置（２４）からインク打点等に
より、不良マークが付される。A semiconductor wafer (1) on which a metal film (m.) is formed is
Sent to characteristic inspection process. The characteristic inspection is carried out using a characteristic inspection device (20) as shown in FIG.
) is performed for each semiconductor element (2) formed in a plurality of grid patterns. The characteristic inspection device (20) is a semiconductor wafer (1
), a movable table (2l) that adsorbs the back surface of which metal 1l1(m) is formed, a blow card (22) fixedly arranged in parallel above the movable table (21), and a plurality of blow cards (22) from the blow card (22). It is equipped with a vertically disposed needle (23) and a marking device (24) arranged on the central axis of the needle (23).The movable table (21) is configured to move the semiconductor wafer (1) horizontally and vertically. Intermittent movement,
The electrode pads (3) on the semiconductor element (2) are brought into elastic contact with the second dollar (23) one by one to determine the quality of the semiconductor element (2). On the surface of the semiconductor element (2) determined to be defective, a defective mark is placed by a marking device (24) using ink dots or the like.
特性検査が終了した半導体ウェーハ（１）は、ペレッタ
イズ工程へ送られる．ベレンクイズ工程では、第４図に
示すように、Ｘ−Ｙテーブル（３１）に吸着されている
透明な貼着シ一ト（３０）に半導体ウェーハ（１）を貼
着し、半導体ウェーハ（１）上をダイシングソ−（３２
）が高速回転しながら、Ｘ−Ｙテーブルが縦横に移動す
る．すると、半導体ウェーハ（１）が切断され、半導体
ペレット（４）を得る。The semiconductor wafer (1) whose characteristics have been inspected is sent to the pelletizing process. In the Berenquiz process, as shown in FIG. ) with a dicing saw (32
) rotates at high speed while the X-Y table moves vertically and horizontally. Then, the semiconductor wafer (1) is cut to obtain semiconductor pellets (4).
この半導体ペレット（４）は、第５図に示すようなベレ
ントマウント工程へ送られる。ペレットマウント工程で
は、先ず、第５図（ａ）に示すように、半導体ペレット
（４）を貼着している粘着シート（３０）を筒状の保持
枠（４ｌ）へ移載する。次に、第５図（ｂ）に示すよう
に、粘着シー｝ （３０）の周辺部（３０ａ）を相対的
に下降することにより、粘着シート（３０）を伸張し、
半導体ペレット（４）の間隔を放射状に拡開する．そし
て、真空吸着コレット（４２）により、不良マークが付
されていない半導体ペレ，ト（４）を１個ずつ吸着し、
金属製のリードフレーム〔図示せず〕等の上へ移載する
．半導体ベレソト（４）の裏面側には、金属膜が形成さ
れているから、半導体ベレソト（４）は、半田により、
金属製のリードフレーム等にマウントされる．
〔発明が解決しようとする課題〕
半導体ウェーハ（１）の裏面に形成する金属膜は、成膜
工程において、半導体ウェーハ（１）をプラネタ（１２
）の保持穴（１２ａ）内に収納・保持して形成される。This semiconductor pellet (4) is sent to a verent mounting process as shown in FIG. In the pellet mounting step, first, as shown in FIG. 5(a), the adhesive sheet (30) to which the semiconductor pellet (4) is attached is transferred to the cylindrical holding frame (4l). Next, as shown in FIG. 5(b), the adhesive sheet (30) is stretched by relatively lowering the peripheral part (30a) of the adhesive sheet (30),
Expand the spacing between semiconductor pellets (4) radially. Then, the vacuum suction collet (42) suctions the semiconductor pellets (4) that are not marked with defective marks one by one.
Transfer it onto a metal lead frame (not shown), etc. Since a metal film is formed on the back side of the semiconductor base plate (4), the semiconductor base plate (4) can be bonded by soldering.
It is mounted on a metal lead frame, etc. [Problems to be Solved by the Invention] The metal film to be formed on the back surface of the semiconductor wafer (1) is formed by placing the semiconductor wafer (1) on a planetary plate (12) in the film forming process.
) is housed and held in the holding hole (12a).
しかし、保持穴（１２ａ）には、鍔又は爪を形成してい
るため、半導体ウェーハ（１）がこの鍔又は爪に当接し
ている部分には、金属膜（ｒｎ）は形成されない．例え
ば、鍔が形成されているときは、第６図に示すように、
半導体ウェーハ（１）の周辺部で金属膜（ｍ）が形成さ
れない。半導体ウェーハ（１）の周辺部は、端部が円形
であるから、大部分は特性チェックまたは外環検査にお
いて不良は判定される正常な四角形の、半導体ペレット
（４）であっても、金属膜（ｍ）が一部分形成されてい
ない場合がある．しかし、第６図部分拡大図に示すよう
に金属１）１（ｍ）が一部分形成されていないときは、
勿論、全く形成されていない場合でも、隣接する半導体
素子（２）に形成されている金属膜を通して通電可能で
あるため、必ずしも特性チェックで、不良品と判定され
ず、不良マークが付されない。すると、不良な半導体ペ
レソト（４）であっても、リードフレーム等にマウント
されてしまう。しかも、外観上は固着されており、見た
目には接続不良であることが判断できず、また、電気的
にも一応接続されているから、出荷検査等でも除去でき
ない。However, since the retaining hole (12a) is provided with a flange or claw, the metal film (rn) is not formed in the portion where the semiconductor wafer (1) is in contact with the flange or claw. For example, when the tsuba is formed, as shown in Figure 6,
The metal film (m) is not formed at the periphery of the semiconductor wafer (1). Since the edge of the peripheral part of the semiconductor wafer (1) is circular, most of the semiconductor pellets (4) are normally rectangular and are determined to be defective in the characteristic check or outer ring inspection, but the metal film is (m) may not be partially formed. However, as shown in the partially enlarged view of FIG. 6, when metal 1) 1(m) is not partially formed,
Of course, even if it is not formed at all, it is possible to conduct electricity through the metal film formed on the adjacent semiconductor element (2), so it will not necessarily be judged as a defective product in the characteristic check and will not be marked as defective. Then, even a defective semiconductor chip (4) is mounted on a lead frame or the like. Moreover, since it is visually fixed, it cannot be visually determined that the connection is defective, and since it is electrically connected, it cannot be removed during shipping inspection or the like.
しかし、 半導体ベレット（４）の裏面全面で半田付け
されておらず固着強度が低下していることから、短期間
で故障し、高い信頼性を得ることができない．
このため、従来においては、金属１ｌ！（ｍ）が全く形
成されていないか一部しか形成されていない半導体ペレ
ソト（４）を目視検査して、不良の半導体ペレット（４
）については手作業で除去しており、大変煩雑であった
．
そこで、本発明は、金属膜が完全に形成されていない半
導体ペレットを、自動的に判別して不良マークを付する
ことができる半導体製造装置、および、それを用いた半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。However, since the entire back surface of the semiconductor pellet (4) is not soldered and the adhesion strength is reduced, it will fail in a short period of time and high reliability cannot be achieved. For this reason, in the past, metal 1l! Visually inspect the semiconductor pellets (4) in which (m) is not formed at all or only partially formed.
) had to be removed manually, which was very complicated. Therefore, the present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus that can automatically identify semiconductor pellets on which a metal film is not completely formed and mark them as defective, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same. The purpose is to
本発明は、上記目的を達成するため、半導体素子を多数
形成し、かつ、裏面に金冗膜を形成した半導体ウェーハ
を吸着する可動テーブルの少なくとも半導体ウェーハの
裏面外周部に当接する部分を透光性部材で構成するとと
もに、半導体素子の特性を検査して、不良半導体素子の
表面に不良マークを付するマーキング装置を可動テーブ
ルの上方に配置し、金属膜の形成状態を検出するセンサ
を、上記可動テーブルの下方に配置し、上記センサによ
り検出された信号を入力して金属膜の形成状態の良否を
識別し、かつ、不良な状態に形成された金属膜に対応す
る半導体素子の表面位置に上記マーキング装置により不
良マークを付す判別回路を、設けたことを特徴とする半
導体製造装置を提供する。In order to achieve the above object, the present invention provides a movable table that adsorbs a semiconductor wafer on which a large number of semiconductor elements are formed and a gold redundant film formed on the back surface, at least a portion of which comes into contact with the outer periphery of the back surface of the semiconductor wafer is transparent. A marking device is arranged above the movable table to inspect the characteristics of the semiconductor element and mark the surface of the defective semiconductor element. It is placed under the movable table, and the signal detected by the sensor is input to identify the quality of the metal film formation. A semiconductor manufacturing apparatus is provided, characterized in that it is provided with a discrimination circuit for marking a defective mark using the marking device.
本発明はまた、半導体素子を多数形成し、かつ、裏面に
金属膜を形成した半導体ウェーハを、少なくとも半導体
ウェーハの外周部に当接する部分を透光性部材で構成し
た可動テーブルに吸着し、半導体素子の特性を検査して
、可動テーブルの上方に配置したマーキング装置により
、不良の半導体素子の表面に不良マークを付する製造方
法において可動テーブルの下方に配！したセンサにより
、金属膜の形成状態を検出し、上記マーキング装１とセ
ンサとの間に電気的に接続した判別回路により、金属膜
の形成状態の良否を識別し、金属膜の形成状態が不良の
半導体ペレット表面に上記マーキング装置によりマーキ
ングすることを特徴とする半導体装置の製造方法とを提
供する．
〔作用〕
半導体ウェーハの裏面に形成された金属膜は、半導体ウ
ェーハの周辺部において不良状態に形成されていること
が多く、少なくとも半導体ウェーハの周辺部の金篇膜の
形成状態を、センサにより検出する．この検出は、半導
体ウェーハに多数形成された半導体素子の特性の検査と
同時に行い、センサから出力される信号を判別回路が入
力し、そして、金属膜の形成状態の良否を識別する．判
別回路は、さらに、金属膜の形成状態が不良と認識され
た半導体素子に対し、不良マークを付する信号をマーキ
ング装五に出力する．
〔実施例〕
本発明に係る一実施例を第１図を参照して説明する．但
し、従来と同一部品は同一符号を附して、その説明は省
略する．
同図において、（５０）は、裏面に金属１！ｔｌ（ｍ）
を形成した半導体ウェーハ（１）の特性を検査する際に
吸着する可動テーブルで、水平方向及び鉛直方向に間歇
動ずる．この可動テーブル（５０）は従来と異なり、少
なくとも半導体ウェーハ（１）の裏面外周部（１ａ）に
当接する部分を石英ガラス等の透光性部材（５１）で構
成する（５２）は、金ａ膜（ ｍ ）と同じ光量を反射
する反射膜で、透光性部材（５１）を構成していない可
動テーブル（５０）の中心部下側に形成する（５）は、
金属膜（ｍ）の形成状態を検出するセンサで、マーキン
グ装置（２４）と対向して可動テーブル（５０）の透光
性部材（５１）の下方に配置する．センサ（５）は、半
導体素子（２）の一個分を一挙に検出することができる
ＣＯＤや、半導体素子（２）の一個の幅の長さを検出す
ることができるラインセンサ等、金属膜（ｍ）が形成さ
れているか否かを検出することができるものであれば特
定するものではない．金属膜（ｍ）が検出されているか
否かは、金屈１）１Ｊ（ｍ）から反射される光量と金属
膜（ｍ）が形成されていない部分から反射される光量と
の差等により検出する．（６）は、前記センサ（５）か
らの出力信号を入力し、光量の差により、金ｚ膜（ｍ）
の形成状態を識別する判別回路で、金属膜（ｍ）が完全
に形成されていないときに、マ一キング装置（２４）へ
インクを打点させる信号を出力する．
本発明に係る半導体製造装置は以上のように構成され、
次に、この装置を用いた半導体装置の製造方法について
説明する。The present invention also provides a method for adsorbing a semiconductor wafer on which a large number of semiconductor elements are formed and a metal film formed on the back surface on a movable table in which at least the portion that contacts the outer periphery of the semiconductor wafer is made of a light-transmitting member. In a manufacturing method, the characteristics of the device are inspected and a marking device placed above the movable table marks the surface of the defective semiconductor device. The formed state of the metal film is detected by the sensor, and the discrimination circuit electrically connected between the marking device 1 and the sensor identifies whether the formed state of the metal film is good or bad. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the surface of a semiconductor pellet is marked by the above-described marking device. [Operation] The metal film formed on the back surface of the semiconductor wafer is often formed in a defective state in the peripheral area of the semiconductor wafer, and it is possible to detect at least the state of formation of the metal film in the peripheral area of the semiconductor wafer using a sensor. do. This detection is performed at the same time as testing the characteristics of a large number of semiconductor elements formed on a semiconductor wafer.The signal output from the sensor is input to a discrimination circuit, which then identifies whether the metal film is in good condition or not. The discrimination circuit further outputs a signal to the marking device 5 to mark a semiconductor element whose metal film is recognized as defective as defective. [Example] An example of the present invention will be described with reference to FIG. However, parts that are the same as before will be given the same symbols and their explanations will be omitted. In the same figure, (50) has metal 1 on the back side! tl(m)
It is a movable table that adsorbs the semiconductor wafer (1) on which it has been formed, and moves intermittently in the horizontal and vertical directions. This movable table (50) differs from the conventional one in that at least the part that abuts the outer peripheral part (1a) of the back surface of the semiconductor wafer (1) is made of a transparent member (51) such as quartz glass (52), which is made of gold aluminium. (5) is a reflective film that reflects the same amount of light as the film (m), and is formed below the center of the movable table (50) that does not constitute the translucent member (51).
This sensor detects the state of formation of the metal film (m) and is placed below the translucent member (51) of the movable table (50), facing the marking device (24). The sensor (5) is a metal film (5), such as a COD that can detect one semiconductor element (2) at a time or a line sensor that can detect the width of one semiconductor element (2). m) is not specified as long as it can detect whether or not it is formed. Whether or not the metal film (m) is detected is determined by the difference between the amount of light reflected from Kinku 1) 1J (m) and the amount of light reflected from the part where the metal film (m) is not formed. do. (6) inputs the output signal from the sensor (5), and detects the gold Z film (m) based on the difference in light intensity.
A discrimination circuit that identifies the formation state of the metal film (m) outputs a signal to cause the marking device (24) to apply ink when the metal film (m) is not completely formed. The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is configured as described above,
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using this apparatus will be described.
従来の技術において説明したように、金属膜（ ｍ ＞
が形成された半導体ウェーハ（１）は、可動テーブル（
５０）に吸着されて、半導体素子（２）ごとに特性が検
査される．即ち、可動テーブル（５０）の上方に固定配
置されたブローブカード（２２）から垂設している二一
ドル（２３）に半導体ウェーハ（１）の周辺部に形成し
７た半導体素子（２）上の電極バンド（３）を一個ずつ
、弾性的に接触させる。このとき、同時に、センサ（５
）により、金ｍＥｌ！ｉ（ｍ）の形成状態を検出する．
この検出された信号を判別回路（６）が入力し、この判
別回路（６）が金属膜（ｍ）の形成状態の良否を識別す
る．金居膜（ｍ＞が完全に形成されていないと識別した
ときは、マーキング装ａ （２４）にインクを打点させ
る信号を出力し、半導体素子（２）の表面に不良マーク
を付する．このようにして、一つの半導体素子（２）の
特性検査及び金属膜（ｍ）の形成状態の検査が終了する
と、可動テーブル（５０）を鉛直方向及び水平方向に移
動して、中心部側の半導体素子（２）の特性検査を行う
．中心部側の半導体素子（２）の裏面には、金属膜（ｍ
）が確実に形成されてあり、また、可動テーブル（５０
）を透光性部材（５１）で構成していないことから、中
心部側の半導体素子（２）の金κＩＮ（ｍ）の形成状態
の検査はしない．図示例のように、中心部の可動テーブ
ル（５０）の下側に、金ＨＩ［ｆｆ（ｍ）と同じ光量を
反射する反射膜（５２）を形成した場合は、判別回路（
６）が、半導体素子（２）に金属ｙ４（ｍ）が形成され
ていないと識別することはない．従って、半導体ウェー
ハ（１）の中心部側の半導体素子（１）には、金属１！
（ｍ）の形成状態に起因して、不良マークが付されるこ
とはない。As explained in the prior art, a metal film ( m >
The semiconductor wafer (1) on which is formed is placed on a movable table (
50), and the characteristics of each semiconductor element (2) are inspected. That is, a semiconductor element (2) formed on the periphery of a semiconductor wafer (1) is attached to a twenty-one dollar (23) hanging vertically from a probe card (22) fixedly arranged above a movable table (50). The upper electrode bands (3) are brought into elastic contact one by one. At this time, at the same time, the sensor (5
), gold mEl! Detect the formation state of i(m).
This detected signal is input to a discrimination circuit (6), which discriminates whether the formation state of the metal film (m) is good or bad. When it is determined that the gold film (m>) is not completely formed, a signal is output to the marking device a (24) to apply ink, and a defective mark is placed on the surface of the semiconductor element (2). In this manner, when the characteristics of one semiconductor element (2) and the formation state of the metal film (m) have been inspected, the movable table (50) is moved vertically and horizontally to remove the semiconductor on the center side. The characteristics of the element (2) are inspected.A metal film (m
) is reliably formed, and the movable table (50
) is not made of a light-transmitting member (51), the formation state of gold κIN(m) of the semiconductor element (2) on the center side is not inspected. As shown in the illustrated example, if a reflective film (52) that reflects the same amount of light as gold HI [ff(m) is formed under the movable table (50) in the center, the discrimination circuit (
6) does not identify that metal y4(m) is not formed on the semiconductor element (2). Therefore, the semiconductor element (1) on the center side of the semiconductor wafer (1) has metal 1!
No defect mark is attached due to the formation state of (m).
このようにして、特性検査及び金属膜（ｍ）の形成状態
の検査が終了すると、ペレッタライズ工程、ペレットマ
ウント工程へと送られる．ペレットマウント工程では、
不良マークが付された特性不良又は金属膜形成不良の半
導体ベレット（４）を除き、コレット（４２）により真
空吸着されて、リードフレーム等へマウントされる．
以上は本発明に係る一実施例を説明したもので、本発明
はこの実施例に限定することなく、本発明の要旨内にお
いて設計変更することができる．例えば、半導体ウェー
ハを吸着する可動テーブルの全面を透光性部材で構成す
ることや、反射１！ｆｌ （５２）を必ずしも形成する
必要はない。In this way, when the characteristics inspection and the inspection of the formation state of the metal film (m) are completed, the sample is sent to a pelletizing process and a pellet mounting process. In the pellet mounting process,
Semiconductor pellets (4) with defective characteristics or poor metal film formation, which are marked as defective, are removed by vacuum suction by a collet (42) and mounted on a lead frame or the like. The above describes one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to this embodiment, and the design can be changed within the gist of the present invention. For example, the entire surface of a movable table that attracts semiconductor wafers may be made of a transparent material, or reflection 1! It is not necessary to form fl (52).
また、マーキング装置（２４》は、半導体素子（２）の
特性検査と同時に不良マーキングを付する場合のみなら
ず、不良結果を記憶しておいて、半導体素子（２）の数
涸分遅れて不良マーキングを付するようにしてもよい。In addition, the marking device (24) is used not only to mark the semiconductor device (2) as defective at the same time as the characteristic test, but also to store the defective results and mark the semiconductor device (2) as defective after a delay of several minutes. Markings may also be attached.
本発明によれば、半導体素子に金属膜が完全に形成され
ているか否かを自動的に検査することができるため、手
作業による金！ＩＪ形成状態の検査が解消し、しかも、
特性検査と同時に行うことができるため、作業性が一段
と向上する．According to the present invention, it is possible to automatically inspect whether a metal film is completely formed on a semiconductor element, which eliminates the need for manual labor. The inspection of the IJ formation status has been resolved, and
Work efficiency is further improved because it can be performed at the same time as characteristic testing.
第１図は本発明に係る半導体製造装五の概略図である。
第２図乃至第５図は半導体装置の製造工程を追って説明
する図で、第２図は成膜工程の縦断面図、第３図は特性
試験工程の縦断面図、第４図はベレンクイズ工程の縦断
面図、第５図はペレソトマウント工程の瞳断面図、第６
図は課題を説明するための要部拡大図を含む半導体ウェ
ーハの底面図である。
（１）一・一半導体ウェーハ、
（１ａ）一・・裏面外周部、（２）一・半導体素子、（
５）・・・センサ、 （６）一・判別回路、（２４
） 一・マーギング装置、
（５０）・−・一可動テーブル、FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing equipment according to the present invention. Figures 2 to 5 are diagrams explaining the manufacturing process of a semiconductor device. Figure 2 is a vertical cross-sectional view of the film forming process, Figure 3 is a vertical cross-sectional view of the characteristic testing process, and Figure 4 is a vertical cross-sectional view of the characteristic testing process. A vertical cross-sectional view of the process, Figure 5 is a pupil cross-sectional view of the Peresoto mounting process, and Figure 6 is a vertical cross-sectional view of the process.
The figure is a bottom view of a semiconductor wafer including an enlarged view of essential parts for explaining the problem. (1) 1.1 semiconductor wafer, (1a) 1.. back surface outer periphery, (2) 1. semiconductor element, (
5)...Sensor, (6) -Discrimination circuit, (24)
) one merging device, (50) -- one movable table,
Claims (2)
形成した半導体ウェーハを吸着する可動テーブルの少な
くとも半導体ウェーハの裏面外周部に当接する部分を透
光性部材で構成し、半導体素子の特性を検査して、不良
半導体素子の表面に不良マークを付するマーキング装置
を可動テーブルの上方に配置するとともに、金属膜の形
成状態を検出するセンサを、上記可動テーブルの下方に
配置し、 上記センサにより検出された信号を入力して金属膜の形
成状態の良否を識別し、かつ、不良な状態に形成された
金属膜に対応する半導体素子の表面位置に上記マーキン
グ装置により不良マークを付す判別回路を設けたことを
特徴とする半導体製造装置。(1) At least the portion of the movable table that adsorbs a semiconductor wafer on which a large number of semiconductor elements are formed and a metal film is formed on the back surface, which contacts the outer periphery of the back surface of the semiconductor wafer, is made of a light-transmitting member. A marking device that inspects the characteristics and marks the surface of the defective semiconductor element as defective is placed above the movable table, and a sensor that detects the state of metal film formation is placed below the movable table. Inputting the signal detected by the sensor to identify whether the metal film is in good condition or not, and placing a defective mark using the marking device on the surface position of the semiconductor element corresponding to the metal film formed in the defective state. A semiconductor manufacturing device characterized by being provided with a circuit.
形成した半導体ウェーハを、少なくとも半導体ウェーハ
の外周部に当接する部分を透光性部材で構成した可動テ
ーブルに吸着し、半導体素子の特性を検査して、可動テ
ーブルの上方に配置したマーキング装置により、不良の
半導体素子の表面に不良マークを付する製造方法におい
て、可動テーブルの下方に配置したセンサにより、金属
膜の形成状態を検出し、上記マーキング装置とセンサと
の間に電気的に接続した判別回路により、金属膜の形成
状態の良否を識別し、金属膜の形成状態が不良の半導体
レット表面に上記マーキング装置によりマーキングする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。(2) A semiconductor wafer on which a large number of semiconductor elements are formed and a metal film formed on the back side is adsorbed onto a movable table made of a light-transmitting material at least at the part that contacts the outer periphery of the semiconductor wafer. In a manufacturing method in which characteristics are inspected and a marking device placed above a movable table marks the surface of a defective semiconductor element, a sensor placed below the movable table detects the state of metal film formation. A discrimination circuit electrically connected between the marking device and the sensor identifies whether the metal film is in a good or bad state, and the marking device marks the surface of the semiconductor ret on which the metal film is in a bad state. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5666989A JPH02235355A (en) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | Semiconductor manufacturing equipment and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5666989A JPH02235355A (en) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | Semiconductor manufacturing equipment and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02235355A true JPH02235355A (en) | 1990-09-18 |
Family
ID=13033827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5666989A Pending JPH02235355A (en) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | Semiconductor manufacturing equipment and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02235355A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018079551A1 (en) * | 2016-10-27 | 2018-05-03 | 三井化学東セロ株式会社 | Electronic device production method, adhesive film for electronic device production, and electronic component testing device |
| WO2018079552A1 (en) * | 2016-10-27 | 2018-05-03 | 三井化学東セロ株式会社 | Electronic device production method, adhesive film for electronic device production, and electronic component testing device |
-
1989
- 1989-03-08 JP JP5666989A patent/JPH02235355A/en active Pending
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| KR20190059936A (en) * | 2016-10-27 | 2019-05-31 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | Method for manufacturing electronic device, adhesive film for electronic device manufacturing |
| JPWO2018079551A1 (en) * | 2016-10-27 | 2019-08-08 | 三井化学東セロ株式会社 | Electronic device manufacturing method, electronic device manufacturing adhesive film, and electronic component testing apparatus |
| JPWO2018079552A1 (en) * | 2016-10-27 | 2019-10-03 | 三井化学東セロ株式会社 | Electronic device manufacturing method, electronic device manufacturing adhesive film, and electronic component testing apparatus |
| US10809293B2 (en) | 2016-10-27 | 2020-10-20 | Mitsui Chemicals Tochello, Inc. | Method for manufacturing electronic apparatus, adhesive film for manufacturing electronic apparatus, and electronic component testing apparatus |
| US11047900B2 (en) | 2016-10-27 | 2021-06-29 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Method for manufacturing electronic apparatus, adhesive film for manufacturing electronic apparatus, and electronic component testing apparatus |
| US11747388B2 (en) | 2016-10-27 | 2023-09-05 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Method for manufacturing electronic apparatus, adhesive film for manufacturing electronic apparatus, and electronic component testing apparatus |
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