JP2001249162A - Bare chip inspection device and bare chip inspection method - Google Patents
Bare chip inspection device and bare chip inspection methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はベアチップ検査装置
及びベアチップ検査方法に関する。The present invention relates to a bare chip inspection apparatus and a bare chip inspection method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、ウエハ状態の半導体チップに
対して測定用プローブ（探針）で電気的測定を行い、不
良と判定された半導体チップに不良マークを付してい
た。2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor chip in a wafer state has been electrically measured with a measuring probe (probe), and a semiconductor chip determined to be defective is marked with a defect mark.
【０００３】そして、スクライブ法もしくはダイシング
法で個々の半導体チップ、すなわちベアチップに切り出
し、ウエハ状態で良品と判定されたベアチップを回路基
板に実装したり、パッケージに搭載して半導体装置を完
成させ、その後、回路基板もしくはパッケージを含む半
導体装置の総合的な電気的検査を行っている。Then, individual semiconductor chips, that is, bare chips are cut out by a scribe method or a dicing method, and the bare chips determined to be non-defective in a wafer state are mounted on a circuit board or mounted on a package to complete a semiconductor device. , Comprehensive electrical inspection of semiconductor devices including circuit boards or packages.
【０００４】しかしながら、ウエハ状態で良品と判定さ
れたベアチップでも、スクライブ法もしくはダイシング
法による切り出し工程等により不良になってしまうもの
もある。[0004] However, some bare chips that are determined to be non-defective in the wafer state may become defective due to a cutting process by a scribe method or a dicing method.
【０００５】このように不良品になったベアチップを良
品と見なされて回路基板に実装したりパッケージに搭載
すると、回路基板やパッケージを含む半導体装置全体が
不良になってしまうから、損失が大きくなる。If a bare chip that has become defective in this way is regarded as a non-defective product and mounted on a circuit board or mounted on a package, the entire semiconductor device including the circuit board and the package becomes defective, resulting in a large loss. .
【０００６】したがって、ウエハから切り出され且つ回
路基板やパッケージに搭載される前の状態である単体の
半導体チップ、すなわちベアチップの電気的検査を行
い、品質的に保証されたベアチップ（ＫＧＤ：Ｋｎｏｗ
ｎ Ｇｏｏｄ Ｄｉｅ）を得ることが必要になってく
る。Accordingly, a single semiconductor chip, ie, a bare chip, which has been cut out of a wafer and before being mounted on a circuit board or a package, is subjected to an electrical inspection, and a bare chip (KGD: Know) of which quality is guaranteed.
n Good Die).
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら現在は、
ベアチップの電気検査を安全かつ正確に行うことができ
る技術が確立していない。However, at present,
The technology that can safely and accurately perform electrical inspection of bare chips has not been established.
【０００８】その理由は、ベアチップの厚さ方向に製造
誤差によるばらつきがあり、電気検査でプローブを接触
させるときにベアチップまたはプローブが破損しやすい
ことで、正確な電気検査が行えないからである。[0008] The reason is that there is a variation due to a manufacturing error in the thickness direction of the bare chip, and the bare chip or the probe is easily damaged when the probe is brought into contact with the electrical test, so that an accurate electrical test cannot be performed.
【０００９】したがって本発明の目的は、ベアチップの
電気検査を安全かつ正確に行うことができるベアチップ
検査装置を提供することである。Accordingly, it is an object of the present invention to provide a bare chip inspection apparatus capable of safely and accurately performing an electrical inspection of a bare chip.
【００１０】本発明の他の目的は、ベアチップの電気検
査を安全かつ正確に行うことができるベアチップ検査方
法を提供することである。Another object of the present invention is to provide a bare chip inspection method capable of safely and accurately performing an electrical inspection of a bare chip.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、検査対
象であるベアチップの電極面を上側にして真空吸着し保
持するデバイスステージと、中央に前記デバイスステー
ジの上下動可能な開口部を有し、その周りに測定用プロ
ーブを複数個取り付けられる面を持つ検査部ステージ
と、前記検査部ステージの開口部真上に位置し前記デバ
イスステージ上のベアチップ表面および測定用プロ−ブ
表面の２次元画像と距離を測定する３次元形状測定セン
サ、好ましくはレーザスキャン方式の２次元変位計と、
３次元形状測定センサの側方に位置して、デバイスステ
ージの表面と測定用プロ−ブに付着しているゴミを吹き
飛ばすエアブロ−とを有するベアチップ検査装置にあ
る。A feature of the present invention is that a bare chip to be inspected has a device stage for holding by vacuum suction with an electrode surface thereof facing upward, and an opening in the center capable of vertically moving the device stage. An inspection stage having a surface around which a plurality of measurement probes can be mounted, and a two-dimensional surface of a bare chip and a surface of a measurement probe on the device stage which are located just above the opening of the inspection stage. A three-dimensional shape measuring sensor for measuring an image and a distance, preferably a two-dimensional displacement meter of a laser scan type;
The bare chip inspection apparatus is located on the side of the three-dimensional shape measurement sensor and has an air blower that blows off dust adhering to the surface of the device stage and the measurement probe.
【００１２】本発明の他の特徴は上記した検査装置を用
いたベアチップ検査方法であって、３次元形状測定セン
サにより、ベアチップ表面との高さを測定することで、
ベアチップ厚さにばらつきがある場合でも電気量検査の
ときにプロ−ブ接触位置を常に一定とできるので、ベア
チップおよび測定用プロ−ブ針にダメ−ジを与えずにベ
アチップの電気量検査が行える検査方法にある。Another feature of the present invention is a bare chip inspection method using the above-described inspection apparatus, wherein a height from a bare chip surface is measured by a three-dimensional shape measuring sensor.
Even when the thickness of the bare chip varies, the probe contact position can be kept constant during the electrical quantity inspection, so that the electrical quantity inspection of the bare chip can be performed without damaging the bare tip and the probe for measurement. In the inspection method.
【００１３】あるいは、３次元形状測定センサにより、
ベアチップとベアチップを載せるデバイスステ−ジの間
にゴミが挟まっている場合でもデバイスステ−ジに対す
るベアチップ表面の傾きを測定することで検査を回避で
き、ベアチップおよび測定用プロ−ブ針にダメ−ジを与
えずにベアチップの電気量検査が行える検査方法にあ
る。Alternatively, with a three-dimensional shape measuring sensor,
Even when dust is caught between the bare chip and the device stage on which the bare chip is placed, the inspection can be avoided by measuring the inclination of the bare chip surface with respect to the device stage, and damage to the bare chip and the measuring probe needle can be avoided. There is an inspection method in which an electrical quantity inspection of a bare chip can be performed without giving a test.
【００１４】または、３次元形状測定センサにより、測
定用プロ−ブ針先端形状を測定し、予め記憶してある正
常時のプロ−ブ先端形状と照合することで、ゴミの付着
と測定用プロ−ブ針の破損により発生する検査装置の異
常を常時検出できるので、良品を不良品とする検査ミス
を回避することができ、高精度の検査が行える検査方法
にある。Alternatively, the tip of the probe for measurement is measured by a three-dimensional shape measuring sensor, and the probe tip is compared with the probe tip shape in a normal state stored in advance to thereby check the adhesion of dust and the probe for measurement. An inspection method which can always detect an abnormality of the inspection device caused by the breakage of the needle, can avoid an inspection error that causes a non-defective product to be a defective product, and can perform a high-precision inspection.
【００１５】または、エア−ブロ−により、測定用プロ
−ブ針先端およびデバイスステ−ジに付着しているゴミ
を吹き飛ばすことで、検査装置の異常を事前に除去でき
るので、装置を長時間止めることなく、ベアチップの電
気量測定が行える検査方法にある。Alternatively, by blowing off dust adhering to the tip of the probe for measurement and the device stage with an air blower, the abnormality of the inspection apparatus can be removed in advance, so that the apparatus is stopped for a long time. There is an inspection method that can measure the quantity of electricity of a bare chip without any problem.
【００１６】このように本発明によれば、ベアチップ状
態の電気検査を安全かつ正確に行うことが可能となる。As described above, according to the present invention, it is possible to safely and accurately perform an electrical inspection of a bare chip state.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して説
明する。図１は本発明の実施の形態のベアチップ検査装
置を示す側面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a side view showing a bare chip inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
【００１８】検査部ステージ６は中央に開口部１７を設
け、その周囲の上面１６にプローブホルダー３０１を取
り付け、複数の測定用プローブ（探針）３０２がプロー
ブホルダー３０１に絶縁固定されている。The inspection section stage 6 has an opening 17 at the center, and a probe holder 301 is mounted on the upper surface 16 around the opening 17, and a plurality of measurement probes (probes) 302 are insulated and fixed to the probe holder 301.
【００１９】ベアチップ１００は、表面に複数の信号電
極１０１を設け、裏面（反対面）をデバイスステージ５
の上面１５に真空吸着機構（図示省略）により真空吸着
されて保持されている。The bare chip 100 is provided with a plurality of signal electrodes 101 on the front surface, and the back surface (opposite surface) of the device stage 5
Is held by vacuum suction by a vacuum suction mechanism (not shown).
【００２０】デバイスステージ５は、測定用プロ−ブ
（探針）３０２の先端に信号電極１０１を接触し、電気
信号を取り出ことができるように、もしくは電気信号を
入力することができるように、検査部ステージ６の中央
部に設けた開口部１７を矢印に示すように上下動作し、
設定された一定位置で停止する。The device stage 5 contacts the signal electrode 101 to the tip of a measuring probe (probe) 302 so that an electric signal can be taken out or an electric signal can be inputted. The opening 17 provided at the center of the inspection unit stage 6 is moved up and down as shown by the arrow,
Stop at the set fixed position.
【００２１】３次元形状測定センサ２０１は、検査部ス
テージ６の開口部真上にあり、デバイスステージ５上の
ベアチップ１００と測定用プロ−ブ（探針）３０２の上
面を３次元測定する。この３次元形状測定センサ２０１
は２次元変位計とも称せられ、代表的なものはレーザス
キャン方式の２次元変位計（例えば、キーエンス社製）
である。これは、物体にレーザ照射した反射光から、物
体表面のでこぼこを定量的に測定するものである。ＸＹ
２次元にレーザスキャンすれば三次元（表面）Ｚ形状が
測定できる。The three-dimensional shape measuring sensor 201 is located just above the opening of the inspection stage 6 and three-dimensionally measures the upper surface of the bare chip 100 and the measuring probe (probe) 302 on the device stage 5. This three-dimensional shape measuring sensor 201
Is also referred to as a two-dimensional displacement meter. A typical one is a laser-scan type two-dimensional displacement meter (for example, manufactured by Keyence Corporation).
It is. This is to quantitatively measure irregularities on the surface of an object from reflected light obtained by irradiating the object with a laser. XY
By two-dimensional laser scanning, a three-dimensional (surface) Z shape can be measured.
【００２２】エアブロ−３００は、３次元形状測定セン
サ２０１の横にあり、デバイスステージ５の上面１５や
測定用プロ−ブ３０２に付着しているゴミを吹き飛ば
す。これにより、ベアチップ状態の電気検査が可能とな
る。The air blower 300 is located beside the three-dimensional shape measuring sensor 201, and blows off dust adhering to the upper surface 15 of the device stage 5 and the measuring probe 302. Thereby, the electrical inspection of the bare chip state becomes possible.
【００２３】次に、図２乃至図７を参照して本発明の実
施の形態のベアチップ検査方法を示す。Next, a bare chip inspection method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００２４】尚、図２乃至図７において、ベアチップ１
００の厚さが標準（正常）の場合は、デバイスステージ
５の上面１５高さが検査部ステージ６の上面１６の高さ
と一致したときに、測定用プローブ３０２の先端が測定
に適した押力でベアチップの電極１０１に接するものと
して説明する。In FIGS. 2 to 7, the bare chip 1
In the case where the thickness of 00 is standard (normal), when the height of the upper surface 15 of the device stage 5 coincides with the height of the upper surface 16 of the inspection unit stage 6, the tip of the measuring probe 302 has a pressing force suitable for measurement. The description will be made assuming that the electrode comes into contact with the bare chip electrode 101.
【００２５】また、図２乃至図７のそれぞれの図（Ａ）
に示す停止位置は、３次元形状測定センサ２０１による
形状測定およびエアブロ−３００の作用が可能で、か
つ、予想される基準外れあるいは不都合を有していて
も、測定用プローブ３０２が電極１０１に接触しない位
置である。FIG. 2A to FIG. 2A to FIG.
The stop position shown in FIG. 4 is capable of measuring the shape by the three-dimensional shape measuring sensor 201 and the action of the air blower 300, and the measuring probe 302 is in contact with the electrode 101 even if the expected reference is deviated or inconvenient. Not a position.
【００２６】図２は本発明の第１の実施の形態のベアチ
ップ検査方法を示す拡大図であり、ベアチップ１００Ａ
の厚さが標準よりも厚い場合である。FIG. 2 is an enlarged view showing a method for inspecting bare chips according to the first embodiment of the present invention.
Is thicker than the standard.
【００２７】ベアチップ１００Ａがロボットによりデバ
イスステージの上面１５に搭載され、この真空吸着され
た後、デバイスステージ５が上昇して、図２（Ａ）の位
置に停止する。ここで、３次元形状測定センサ２０１に
より、デバイスステージの上面１５からベアチップ１０
０Ａの電極表面までの高さ（距離）を測定する。The bare chip 100A is mounted on the upper surface 15 of the device stage by a robot, and after being vacuum-sucked, the device stage 5 rises and stops at the position shown in FIG. Here, the three-dimensional shape measurement sensor 201 moves the bare chip 10 from the upper surface 15 of the device stage.
The height (distance) to the electrode surface of 0A is measured.
【００２８】これにより、ベアチップが標準の厚さの場
合の高さ４００（点線で示す）よりもΔＺ1 だけ高いこ
とを認識する。Thus, it is recognized that the bare chip is higher by ΔZ 1 than the height 400 (shown by a dotted line) in the case of the standard thickness.
【００２９】この場合にベアチップが標準の厚さのよう
にデバイスステージ５の上面１５の高さが検査部ステー
ジ６の上面１６の高さと一致するようにデバイスステー
ジ５を上昇させると、測定用プロ−ブ３０２のオーバド
ライブ量が大きくなり、信号電極１０１に大きな加重が
かかり、ベアチップ１００Ａおよび測定用プロ−ブ（探
針）３０２が破損してしまう。In this case, when the device stage 5 is lifted such that the height of the upper surface 15 of the device stage 5 matches the height of the upper surface 16 of the inspection unit stage 6 such that the bare chip has a standard thickness, the measurement proces The overdrive amount of the probe 302 becomes large, a large weight is applied to the signal electrode 101, and the bare chip 100A and the measuring probe (probe) 302 are damaged.
【００３０】したがって本発明では図２（Ｂ）に示すよ
うに、デバイスステージ５の上面１６の高さが検査部ス
テージ６の上面１６の高さよりもΔＺ1 だけ低い位置ま
での上昇にとどめて、この位置でデバイスステージを停
止させて測定用プロ−ブ３０２によりベアチップ１０１
Ａの電気的特性を検査する。Therefore, in the present invention, as shown in FIG. 2B, the height of the upper surface 16 of the device stage 5 is raised only to a position lower by ΔZ 1 than the height of the upper surface 16 of the inspection stage 6. At this position, the device stage is stopped, and the bare chip 101 is
Inspect the electrical characteristics of A.
【００３１】図３は本発明の第２の実施の形態のベアチ
ップ検査方法を示す拡大図であり、ベアチップ１００Ｂ
の厚さが標準よりも薄い場合である。FIG. 3 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to a second embodiment of the present invention.
Is smaller than the standard thickness.
【００３２】ベアチップ１００Ｂがロボットによりデバ
イスステージの上面１５に搭載され、この真空吸着され
た後、デバイスステージ５が上昇して、図３（Ａ）の位
置に停止する。ここで、３次元形状測定センサ２０１に
より、デバイスステージの上面１５からベアチップ１０
０Ｂの電極表面までの高さ（距離）を測定する。The bare chip 100B is mounted on the upper surface 15 of the device stage by a robot, and after being vacuum-sucked, the device stage 5 rises and stops at the position shown in FIG. Here, the three-dimensional shape measurement sensor 201 moves the bare chip 10 from the upper surface 15 of the device stage.
Measure the height (distance) from 0B to the electrode surface.
【００３３】これにより、ベアチップが標準の厚さの場
合の高さ４００（点線で示す）よりもΔＺ2 だけ低いこ
とを認識する。As a result, it is recognized that the bare chip is lower by ΔZ 2 than the height 400 (shown by a dotted line) in the case of the standard thickness.
【００３４】この場合にベアチップが標準の厚さのよう
にデバイスステージ５の上面１５の高さが検査部ステー
ジ６の上面１６の高さと一致するようにデバイスステー
ジ５を上昇させると、測定用プロ−ブ３０２がベアチッ
プ１００Ｂの信号電極１０１に接触しないか、またはル
ーズな接触となる。そのため、接触不良が生じ電気検査
が正しく行われない。In this case, when the device stage 5 is raised so that the height of the upper surface 15 of the device stage 5 matches the height of the upper surface 16 of the inspection section stage 6 such that the bare chip has a standard thickness, the measurement proces -The contact 302 does not contact the signal electrode 101 of the bare chip 100B or the contact is loose. Therefore, a contact failure occurs and the electrical inspection is not performed correctly.
【００３５】したがって本発明では図３（Ｂ）に示すよ
うに、デバイスステージ５の上面１５の高さが検査部ス
テージ６の上面１６の高さよりもさらにΔＺ2 だけ高い
位置まで上昇させての電気的特性を検査する。Therefore, according to the present invention, as shown in FIG. 3B, the height of the upper surface 15 of the device stage 5 is raised to a position higher by ΔZ 2 than the height of the upper surface 16 of the inspection stage 6. Inspect characteristic.
【００３６】図４は本発明の第３の実施の形態のベアチ
ップ検査方法を示す拡大図である。図４（Ａ）は、ベア
チップ１００とデバイスステージ５の間にゴミ５１０が
付着し挟まっているためにベアチップ１００が傾き、か
つベアチップ１００の信号電極１０１が高い位置にある
場合であり、この傾きを３次元形状測定センサ２０１に
より認識する。FIG. 4 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to a third embodiment of the present invention. FIG. 4A shows a case where the dust 510 is attached and sandwiched between the bare chip 100 and the device stage 5 so that the bare chip 100 is tilted and the signal electrode 101 of the bare chip 100 is at a high position. It is recognized by the three-dimensional shape measurement sensor 201.
【００３７】このような場合、測定用プロ−ブ３０２の
オーバドライブ量が大きくなり、信号電極１０１に大き
な加重がかかり、ベアチップ１００および測定用プロ−
ブ３０２が破損してしまう。In such a case, the overdrive amount of the measuring probe 302 becomes large, a large load is applied to the signal electrode 101, and the bare chip 100 and the measuring probe
Step 302 is damaged.
【００３８】したがって本発明では、真空吸着を解除し
てロボットによりベアチップ１００を取り除いてデバイ
スステージ５の上面１５を露出させる。この作業は図４
（Ａ）の位置で行ってもよいし、あるいは一度デバイス
ステージ５を下降させてこの作業を行い再度上面１５が
露出したデバイスステージ５を図４（Ａ）の位置に上昇
させてもよい。Therefore, in the present invention, the vacuum suction is released, and the bare chip 100 is removed by a robot to expose the upper surface 15 of the device stage 5. This work is shown in FIG.
The operation may be performed at the position (A), or the device stage 5 having the upper surface 15 exposed may be raised again to the position shown in FIG.
【００３９】そしてエアブロ−３００によりゴミ５１０
を吹き飛ばし、デバイスステージ上面をクリ−ニングし
た後、再度ベアチップ１００をロボットによりデバイス
ステージの上面１５に搭載し、真空吸着された後、デバ
イスステージ５が上昇して、図４（Ａ）の位置に停止し
て、３次元形状測定センサ２０１により、傾きがなくな
ったことを確認し、図４（Ｂ）の位置で測定用プロ−ブ
３０２によりベアチップ１０１の電気的特性を検査す
る。Then, dust 510 is generated by the air blower 300.
Is blown off, the upper surface of the device stage is cleaned, and the bare chip 100 is mounted on the upper surface 15 of the device stage again by a robot. After being vacuum-adsorbed, the device stage 5 is raised to the position shown in FIG. After stopping, it is confirmed by the three-dimensional shape measuring sensor 201 that the inclination has disappeared, and the electrical characteristics of the bare chip 101 are inspected by the measuring probe 302 at the position shown in FIG.
【００４０】また、エアブロ−３００によりデバイスス
テージ上面をクリ−ニングした後も傾き状態の場合は、
ベアチップの吸着エラーと判断して、割れなどチップ不
良の目視検査、または装置異常（真空吸着系統の異常）
の確認を行う。If the device stage is still tilted after cleaning the upper surface of the device stage by the air blower 300,
Judgment of bare chip suction error, visual inspection of chip failure such as cracking, or equipment abnormality (abnormal vacuum suction system)
Check
【００４１】図５は本発明の第４の実施の形態のベアチ
ップ検査方法を示す拡大図である。図５（Ａ）は、測定
用プロ−ブ３０２にゴミ５２０が付着している場合であ
り、ベアチップ１００の信号電極１０１と測定用プロ−
ブ３０２間で電気的な接触不良が生じ電気検査が正しく
行われない。FIG. 5 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 5A shows a case where dust 520 is attached to the probe 302 for measurement, in which the signal electrode 101 of the bare chip 100 and the probe for measurement are attached.
An electrical contact failure occurs between the buses 302, and the electrical inspection is not performed correctly.
【００４２】したがって本発明では、図５（Ａ）の位置
で三次元形状測定センサ２０１により測定用プロ−ブ針
先端表面の２次元画像と高さを測定し、予め記憶してあ
る正常時の測定用プロ−ブ針先端形状と照合の結果、ゴ
ミ５２０の付着を認識し、はエアブロ−３００により、
測定用プロ−ブ針のクリ−ニングを行った後、図５
（Ｂ）の位置で測定用プロ−ブ３０２によりベアチップ
１０１の電気的特性を検査する。Therefore, in the present invention, the two-dimensional image and the height of the tip surface of the measuring probe needle are measured by the three-dimensional shape measuring sensor 201 at the position shown in FIG. As a result of collation with the tip shape of the probe for measurement, the adhesion of dust 520 was recognized.
After cleaning of the probe for measurement, FIG.
At the position (B), the electrical characteristics of the bare chip 101 are inspected by the measuring probe 302.
【００４３】図６は本発明の第５の実施の形態のベアチ
ップ検査方法を示す拡大図である。図６（Ａ）は、測定
用プロ−ブ３０２Ｄが過多なオ−バ−ドライブ量により
持ち上げられるように変形破損した場合である。測定用
プロ−ブ３０２Ｄがベアチップ１００の信号電極１０１
に接触しないか、またはルーズな接触となる。そのた
め、接触不良が生じ電気検査が正しく行われない。FIG. 6 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 6A shows a case where the measuring probe 302D is deformed and damaged so that it can be lifted by an excessive amount of overdrive. The measurement probe 302D is the signal electrode 101 of the bare chip 100.
Contact or loose contact. Therefore, a contact failure occurs and the electrical inspection is not performed correctly.
【００４４】したがって本発明では、三次元形状測定セ
ンサにより測定用プロ−ブ針先端表面の２次元画像と高
さを測定し、予め記憶してある正常時の測定用プロ−ブ
針先端形状と照合の結果、測定用プロ−ブ（探針）破損
の場合は検査回避となる。Accordingly, in the present invention, a two-dimensional image and height of the tip surface of the probe for measurement are measured by the three-dimensional shape measuring sensor, and the tip shape of the probe for normal measurement stored in advance and the tip shape of the probe for normal use are measured. As a result of the collation, if the measuring probe (probe) is broken, the inspection is avoided.
【００４５】そして新しい測定用プロ−ブ３０２Ｒに取
り換えて図６（Ｂ）の状態にしてから、取り換えた測定
用プロ−ブ３０２Ｒによりベアチップ１０１の電気的特
性を検査する。After the probe is replaced with a new probe 302R to bring the state shown in FIG. 6 (B), the electrical characteristics of the bare chip 101 are inspected by the replaced probe 302R.
【００４６】図７は本発明の第６の実施の形態のベアチ
ップ検査方法を示す拡大図である。図７（Ａ）の位置に
おいて、基準高さとベアチップ１００の信号電極１０１
の上面とがが等しくチップの傾きもなく、測定用プロ−
ブ針も正常であることを三次元形状測定センサ２０１で
確認する。FIG. 7 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to a sixth embodiment of the present invention. 7A, the reference height and the signal electrode 101 of the bare chip 100 are set.
The top of the chip is the same and there is no tilt of the chip.
The three-dimensional shape measurement sensor 201 confirms that the needle is also normal.
【００４７】そして、デバイスステージ５の上面１６の
高さが検査ステージ７の上面１７の高さと一致するまで
上昇させ、図７（Ｂ）の状態にしてから、測定用プロ−
ブ３０２によりベアチップ１０１の電気的特性を検査す
る。Then, the height of the upper surface 16 of the device stage 5 is raised until it matches the height of the upper surface 17 of the inspection stage 7, and the state shown in FIG.
The electrical characteristics of the bare chip 101 are inspected by the probe 302.
【００４８】[0048]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、３
次元形状測定センサによりベアチップの高さを測定する
ことで、ベアチップ厚さにばらつきがある場合でも電気
検査のときにプローブ接触位置を常に一定とできるの
で、ベアチップおよびプローブにダメージを与えずに接
触不良のないベアチップの電気検査が行える。As described above, according to the present invention, 3
By measuring the height of the bare chip with the dimensional shape measurement sensor, even if the thickness of the bare chip varies, the contact position of the probe can always be constant during the electrical inspection, so the contact failure without damaging the bare chip and the probe Electrical inspection of bare chips can be performed.
【００４９】また、３次元形状測定センサにより、ベア
チップとベアチップを載せるデバイスステ−ジの間にゴ
ミが挟まっている場合でもデバイスステ−ジに対するベ
アチップ表面の傾きを測定することで検査を回避でき、
ベアチップおよび測定用プロ−ブ針にダメ−ジを与えず
にベアチップの電気量検査が行える。Further, even if dust is caught between the bare chip and the device stage on which the bare chip is mounted, the inspection can be avoided by measuring the inclination of the bare chip surface with respect to the device stage by using the three-dimensional shape measuring sensor.
It is possible to inspect the electrical quantity of the bare chip without damaging the bare chip and the probe for measurement.
【００５０】さらに、３次元形状測定センサにより、測
定用プロ−ブ針先端形状を測定し予め記憶してある正常
時のプロ−ブ先端形状と照合することで、ゴミの付着と
測定用プロ−ブ針の破損により発生する検査装置の異常
を常時検出できるので、チップ自体が脆くコンタクト回
数が限られるベアチップの電気量測定が行える。Further, the tip shape of the probe for measurement is measured by the three-dimensional shape measuring sensor, and is compared with the probe tip shape in a normal state which is stored in advance to thereby check the adhesion of dust and the probe for measurement. Since the abnormality of the inspection device caused by the breakage of the needle can always be detected, it is possible to measure the electric quantity of the bare chip whose chip itself is brittle and the number of contacts is limited.
【００５１】また、エア−ブロ−により、測定用プロ−
ブ針先端およびデバイスステ−ジに付着しているゴミを
吹き飛ばすことで、検査装置の異常を事前に除去できる
ので、ベアチップの電気量測定が行える。Further, the measuring probe is provided by an air blower.
By blowing off dust adhering to the tip of the needle and the device stage, the abnormality of the inspection device can be removed in advance, so that the electric quantity of the bare chip can be measured.
【００５２】このように本発明のベアチップ単体検査装
置の電気検査機構により、ベアチップ状態での電気検査
を安全かつ正確に行うことができるAs described above, the electrical inspection mechanism of the bare chip single inspection apparatus according to the present invention enables safe and accurate electrical inspection in a bare chip state.
【図１】本発明の実施の形態のベアチップ検査装置を示
す側面図である。FIG. 1 is a side view showing a bare chip inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施の形態のベアチップ検査方
法を示す拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施の形態のベアチップ検査方
法を示す拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第３の実施の形態のベアチップ検査方
法を示す拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第４の実施の形態のベアチップ検査方
法を示す拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第５の実施の形態のベアチップ検査方
法を示す拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第６の実施の形態のベアチップ検査方
法を示す拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view showing a bare chip inspection method according to a sixth embodiment of the present invention.
５ デバイスステージ ６ 検査部ステージ １５ デバイスステージの上面 １６ 検査部ステージの上面 １７ 検査部ステージの開口部 １００ ベアチップ １００Ａ 標準よりも厚いベアチップ １００Ｂ 標準よりも薄いベアチップ １０１ 信号電極 ２０１ ３次元形状測定センサ ３００ エアブロ− ３０１ プローブホルダー ３０２ 測定用プロ−ブ（探針） ３０２Ｄ 破損している測定用プロ−ブ ３０２Ｒ 取り換えた測定用プロ−ブ ４００ 基準高さ ５１０ デバイスステージ上のゴミ ５２０ 測定用プロ−ブに付着しているゴミ Reference Signs List 5 device stage 6 inspection unit stage 15 upper surface of device stage 16 upper surface of inspection unit stage 17 opening of inspection unit stage 100 bare chip 100A bare chip thicker than standard 100B bare chip thinner than standard 101 signal electrode 201 three-dimensional shape measurement sensor 300 air blow − 301 Probe holder 302 Measurement probe (probe) 302 D Damaged measurement probe 302 R Replaced measurement probe 400 Reference height 510 Dust on device stage 520 Attached to measurement probe Trash
Claims (6)
側にして真空吸着し保持するデバイスステージと、中央
に前記デバイスステージの上下動可能な開口部を有しそ
の周りに測定用プローブを複数個取り付けられる面を持
つ検査部ステージと、前記検査部ステージの開口部真上
に位置し前記デバイスステージ上のベアチップ表面およ
び測定用プロ−ブ表面の２次元画像と距離を測定する３
次元形状測定センサと、３次元形状測定センサの側方に
位置して、デバイスステージの表面と測定用プロ−ブに
付着しているゴミを吹き飛ばすエアブロ−とを有するこ
とを特徴とするベアチップ検査装置。1. A device stage for holding by vacuum suction with an electrode surface of a bare chip to be inspected facing upward, and a plurality of measuring probes having a vertically movable opening in the center of the device stage around the device stage. An inspection unit stage having a surface to be attached, and a two-dimensional image and a distance between the bare chip surface and the measurement probe surface on the device stage which are located just above the opening of the inspection unit stage.
A bare chip inspection apparatus comprising: a three-dimensional shape measurement sensor; and an air blower positioned on a side of the three-dimensional shape measurement sensor, for blowing off dust adhering to a surface of a device stage and a measurement probe. .
キャン方式の２次元変位計であることを特徴とする請求
項１記載のベアチップ検査装置。2. The bare chip inspection device according to claim 1, wherein the three-dimensional shape measurement sensor is a laser scan type two-dimensional displacement meter.
ベアチップの表面の高さを測定することで、前記ベアチ
ップの厚さにばらつきがある場合における電気量検査の
ときに前記プロ−ブの接触位置を常に一定にすることを
特徴とする請求項１記載の検査装置を用いたベアチップ
検査方法。3. The contact position of the probe at the time of an electric quantity inspection in a case where the thickness of the bare chip varies, by measuring the height of the surface of the bare chip by the three-dimensional shape measuring sensor. 2. A bare chip inspection method using the inspection apparatus according to claim 1, wherein is always constant.
デバイスステ−ジに対する前記ベアチップ表面の傾きを
測定することで、前記ベアチップと該ベアチップを載せ
る前記デバイスステ−ジの間にゴミが挟まっていること
を認識することを特徴とする請求項１記載の検査装置を
用いたベアチップ方法。4. A dirt is interposed between the bare chip and the device stage on which the bare chip is mounted by measuring the inclination of the bare chip surface with respect to the device stage by the three-dimensional shape measuring sensor. The bare chip method using the inspection device according to claim 1, wherein the bare chip method is used.
測定用プロ−ブの先端形状を測定し、予め記憶してある
正常時の該プロ−ブの先端形状と照合することを特徴と
する請求項１記載の検査装置を用いたベアチップ検査方
法。5. A tip shape of the probe for measurement is measured by the three-dimensional shape measuring sensor, and collated with a tip shape of the probe in a normal state stored in advance. Item 6. A bare chip inspection method using the inspection device according to Item 1.
ロ−ブの先端あるいは前記デバイスステ−ジに付着して
いるゴミを吹き飛ばすことを特徴とする請求項１記載の
検査装置を用いたベアチップ検査方法。6. A bare chip using an inspection apparatus according to claim 1, wherein dust attached to a tip of said measuring probe or said device stage is blown off by said air blow. Inspection methods.
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2000
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