JPS6114168Y2 - - Google Patents
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- JPS6114168Y2 JPS6114168Y2 JP8422579U JP8422579U JPS6114168Y2 JP S6114168 Y2 JPS6114168 Y2 JP S6114168Y2 JP 8422579 U JP8422579 U JP 8422579U JP 8422579 U JP8422579 U JP 8422579U JP S6114168 Y2 JPS6114168 Y2 JP S6114168Y2
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- film
- conductor film
- conductor
- stripline
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 8
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
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Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、広帯域化を図つたサーキユレータに
関する。
関する。
従来より、第1図に示す如く、中心導体1を成
すストリツプラインをフエライト2上に設け、該
ストリツプラインの一端をフエライト2を覆うシ
ールドケース3と共に接地し、前記ストリツプラ
インの他端と入出力端子4との間に容量5及びコ
イル6の直列回路を挿入することにより広帯域化
を図つたサーキユレータは知られている。ところ
で、近年マイクロ波機器の小型化に伴い、サーキ
ユレータ等の非可逆回路素子の小型化が要求され
るようになつてきている。従つて、入出力端子4
とシールドケース3との間の周波数調整用容量
7、容量5及びコイル6等として通常の素子を用
いたのでは全体的な形状が大型となるため、これ
らの部分の小型化が問題になつている。
すストリツプラインをフエライト2上に設け、該
ストリツプラインの一端をフエライト2を覆うシ
ールドケース3と共に接地し、前記ストリツプラ
インの他端と入出力端子4との間に容量5及びコ
イル6の直列回路を挿入することにより広帯域化
を図つたサーキユレータは知られている。ところ
で、近年マイクロ波機器の小型化に伴い、サーキ
ユレータ等の非可逆回路素子の小型化が要求され
るようになつてきている。従つて、入出力端子4
とシールドケース3との間の周波数調整用容量
7、容量5及びコイル6等として通常の素子を用
いたのでは全体的な形状が大型となるため、これ
らの部分の小型化が問題になつている。
本考案は、上記の点に鑑み、中心導体としての
ストリツプラインと広帯域化のための容量及びコ
イルの直列回路とを同一絶縁基板に形成して、小
型で量産性に優れた広帯域サーキユレータを提供
しようとするものである。
ストリツプラインと広帯域化のための容量及びコ
イルの直列回路とを同一絶縁基板に形成して、小
型で量産性に優れた広帯域サーキユレータを提供
しようとするものである。
以下、本考案に係る広帯域サーキユレータの実
施例を図面に従つて説明する。
施例を図面に従つて説明する。
第2図乃至第4図は本考案の実施例であつて広
帯域サーキユレータを構成した場合を示す。これ
らの図において、中心導体部1Aは、絶縁基板1
0の片面にストリツプライン11及び広帯域化の
ための容量12及びコイル13の直列回路を厚膜
技術で形成したものである。この中心導体部1A
の上下にはフエライト2が配設され、さらにシー
ルドケース3Aがフエライト2を覆うように取付
けられる。それらのフエライト2には永久磁石1
4により夫々直流磁界が加えられる。
帯域サーキユレータを構成した場合を示す。これ
らの図において、中心導体部1Aは、絶縁基板1
0の片面にストリツプライン11及び広帯域化の
ための容量12及びコイル13の直列回路を厚膜
技術で形成したものである。この中心導体部1A
の上下にはフエライト2が配設され、さらにシー
ルドケース3Aがフエライト2を覆うように取付
けられる。それらのフエライト2には永久磁石1
4により夫々直流磁界が加えられる。
さて、中心導体部1Aにおいて、アルミナ等の
絶縁基板10には、予めシールドケース3Aの取
付用スリツト15が該基板を貫通するように形成
されており、その絶縁基板10の片面にはまずス
トリツプライン11を2分割した形状の導体膜1
6A、容量12を構成するための下側容量電極1
7A及びコイル13を構成するための下側導体膜
18Aが金、銀等の金属ペーストをスクリーン印
刷し焼付けることにより形成される。次に、前記
導体膜16Aの先端部19Aに対応する位置に接
続穴20を有する絶縁体膜21が、ガラス等の誘
電体ペーストをスクリーン印刷し焼付けることに
より前記導体膜16A上に形成される。これと同
時に、前記下側導体膜18Aの端部に対応する位
置に接続穴22を有する絶縁体膜23が前記下側
容量電極17A及び下側導体膜18A上にガラス
等の誘電体ペーストをスクリーン印刷し焼付ける
ことにより形成される。それから、ストリツプラ
イン11の残り半分であつて周波数調整用の容量
電極24を一体に有する導体膜16Bが金属ペー
ストのスクリーン印刷及び焼付で前記絶縁基板1
0及び絶縁体膜21上に形成される。また、これ
と同時に容量12を構成するための上側容量電極
17B及びコイル13を構成するための上側導体
膜18Bが金属ペーストをスクリーン印刷し焼付
けることにより前記絶縁体膜23上に形成され
る。ここで、絶縁体膜21の接続穴20の部分に
は導体膜16Aの先端部19Aが露出しているか
ら、導体膜16Bの形成時に導体膜16Aの先端
部19Aと導体膜16Bの先端部19Bとは接合
され、夫々容量電極24を端部に有するストリツ
プライン11を構成する。また、このとき導体膜
16Bと下側容量電極17Aの引出部25が重な
り、両者は電気的に接続される。前記絶縁体膜2
3の接続穴22の部分には下側導体膜18Aの端
部が露出しているから、上側容量電極17B及び
上側導体膜18Bの形成時に、上側容量電極17
Bと下側導体膜18Aとの接続及び下側導体膜1
8Aと上側導体膜18Bとの接続が行われ、広帯
域化のための容量12及びコイル13の直列回路
が夫々形成され、ストリツプライン11の非接地
側端部はこの直列回路を介して入出力端子28に
夫々引出される。一方、絶縁基板10の他の面に
は、フエライト2の位置する部分の外側に前記容
量電極24と対向するようにアース電極26が金
属ペーストのスクリーン印刷及び焼付けで形成さ
れる。このようにして、中心導体としての3組の
ストリツプライン11と、容量電極24とアース
電極26との間の周波数調整用容量と、各ストリ
ツプラインの非接地側端部に接続される容量12
及びコイル13の直列回路とを有する中心導体部
1Aが完成する。
絶縁基板10には、予めシールドケース3Aの取
付用スリツト15が該基板を貫通するように形成
されており、その絶縁基板10の片面にはまずス
トリツプライン11を2分割した形状の導体膜1
6A、容量12を構成するための下側容量電極1
7A及びコイル13を構成するための下側導体膜
18Aが金、銀等の金属ペーストをスクリーン印
刷し焼付けることにより形成される。次に、前記
導体膜16Aの先端部19Aに対応する位置に接
続穴20を有する絶縁体膜21が、ガラス等の誘
電体ペーストをスクリーン印刷し焼付けることに
より前記導体膜16A上に形成される。これと同
時に、前記下側導体膜18Aの端部に対応する位
置に接続穴22を有する絶縁体膜23が前記下側
容量電極17A及び下側導体膜18A上にガラス
等の誘電体ペーストをスクリーン印刷し焼付ける
ことにより形成される。それから、ストリツプラ
イン11の残り半分であつて周波数調整用の容量
電極24を一体に有する導体膜16Bが金属ペー
ストのスクリーン印刷及び焼付で前記絶縁基板1
0及び絶縁体膜21上に形成される。また、これ
と同時に容量12を構成するための上側容量電極
17B及びコイル13を構成するための上側導体
膜18Bが金属ペーストをスクリーン印刷し焼付
けることにより前記絶縁体膜23上に形成され
る。ここで、絶縁体膜21の接続穴20の部分に
は導体膜16Aの先端部19Aが露出しているか
ら、導体膜16Bの形成時に導体膜16Aの先端
部19Aと導体膜16Bの先端部19Bとは接合
され、夫々容量電極24を端部に有するストリツ
プライン11を構成する。また、このとき導体膜
16Bと下側容量電極17Aの引出部25が重な
り、両者は電気的に接続される。前記絶縁体膜2
3の接続穴22の部分には下側導体膜18Aの端
部が露出しているから、上側容量電極17B及び
上側導体膜18Bの形成時に、上側容量電極17
Bと下側導体膜18Aとの接続及び下側導体膜1
8Aと上側導体膜18Bとの接続が行われ、広帯
域化のための容量12及びコイル13の直列回路
が夫々形成され、ストリツプライン11の非接地
側端部はこの直列回路を介して入出力端子28に
夫々引出される。一方、絶縁基板10の他の面に
は、フエライト2の位置する部分の外側に前記容
量電極24と対向するようにアース電極26が金
属ペーストのスクリーン印刷及び焼付けで形成さ
れる。このようにして、中心導体としての3組の
ストリツプライン11と、容量電極24とアース
電極26との間の周波数調整用容量と、各ストリ
ツプラインの非接地側端部に接続される容量12
及びコイル13の直列回路とを有する中心導体部
1Aが完成する。
上記中心導体部1Aの上下には、これを挾むよ
うに円板状フエライト2が夫々配置される。シー
ルドケース3Aは、前記スリツト15に嵌合する
取付脚27を一体に有しており、上下のシールド
ケース3Aはフエライト2を覆いかつ保持した状
態で中心導体基板1Aの取付用スリツト15に挿
入固定され、はんだ付け等でストリツプライン1
1の接地側端部及びアース電極26に接続され
る。
うに円板状フエライト2が夫々配置される。シー
ルドケース3Aは、前記スリツト15に嵌合する
取付脚27を一体に有しており、上下のシールド
ケース3Aはフエライト2を覆いかつ保持した状
態で中心導体基板1Aの取付用スリツト15に挿
入固定され、はんだ付け等でストリツプライン1
1の接地側端部及びアース電極26に接続され
る。
上記実施例によれば、次のような効果を上げる
ことができる。
ことができる。
(1) 中心導体を成すストリツプライン11の非接
地側端部と、入出力端子28との間に広帯域化
用の容量12及びコイル13の直列回路を夫々
挿入しているので、広帯域化を図ることができ
る。
地側端部と、入出力端子28との間に広帯域化
用の容量12及びコイル13の直列回路を夫々
挿入しているので、広帯域化を図ることができ
る。
(2) 広帯域化用の容量12及びコイル13を絶縁
基板10上にストリツプライン11と同様に厚
膜技術で形成した構造であるから、小型化が可
能である。とくに、コイル13を下側導体膜1
8Aと上側導体膜18Bとに分割して絶縁体膜
23の接続穴22を介して両導体膜を接続する
多層構造としたので、単層構造でコイルを作る
場合よりも折返しのピツチを小さくでき基板面
積の縮少を図ることができる。
基板10上にストリツプライン11と同様に厚
膜技術で形成した構造であるから、小型化が可
能である。とくに、コイル13を下側導体膜1
8Aと上側導体膜18Bとに分割して絶縁体膜
23の接続穴22を介して両導体膜を接続する
多層構造としたので、単層構造でコイルを作る
場合よりも折返しのピツチを小さくでき基板面
積の縮少を図ることができる。
(3) 厚膜技術で導体膜16A、16B及び絶縁体
膜21を絶縁基板10片面に形成しており、絶
縁体膜21が薄いから絶縁体膜21の接続穴2
0を介しての導体膜16A、16Bの接続が容
易である。従つてストリツプラインの形成が簡
単にでき量産性の優れたサーキユレータを得る
ことができる。
膜21を絶縁基板10片面に形成しており、絶
縁体膜21が薄いから絶縁体膜21の接続穴2
0を介しての導体膜16A、16Bの接続が容
易である。従つてストリツプラインの形成が簡
単にでき量産性の優れたサーキユレータを得る
ことができる。
(4) 誘電体である絶縁基板10の片面のストリツ
プライン11端部に一体に形成された周波数調
整用の容量電極24と、絶縁基板10の他の面
のアース電極26との間に、周波数調整用の容
量を形成できる。このため、周波数調整用のコ
ンデンサを入出力端子28と接地間とに外付け
しなくともよく、小型化が可能であり、量産し
た場合、同一特性が得やすい。
プライン11端部に一体に形成された周波数調
整用の容量電極24と、絶縁基板10の他の面
のアース電極26との間に、周波数調整用の容
量を形成できる。このため、周波数調整用のコ
ンデンサを入出力端子28と接地間とに外付け
しなくともよく、小型化が可能であり、量産し
た場合、同一特性が得やすい。
なお、上記実施例ではサーキユレータの場合を
示したが、入出力端子28の1つと接地間に終端
器としての終端用抵抗膜を設けることによりアイ
ソレータを構成できることは明らかである。
示したが、入出力端子28の1つと接地間に終端
器としての終端用抵抗膜を設けることによりアイ
ソレータを構成できることは明らかである。
また、厚膜技術の他、薄膜技術を利用すること
もできる。
もできる。
叙上のように、本考案によれば、中心導体とし
てのストリツプラインと膜作成技術による多層膜
構造の広帯域化のための容量及びコイルの直列回
路とを同一絶縁基板に形成した構造としたので、
小型で量産性に優れた広帯域サーキユレータを得
る。
てのストリツプラインと膜作成技術による多層膜
構造の広帯域化のための容量及びコイルの直列回
路とを同一絶縁基板に形成した構造としたので、
小型で量産性に優れた広帯域サーキユレータを得
る。
第1図は基本的な広帯域サーキユレータを示す
等価回路図、第2図は本考案に係る広帯域サーキ
ユレータの実施例を示す斜視図、第3図は実施例
における中心導体部の分解斜視図、第4図は中心
導体部の裏側を示す斜視図である。 1……中心導体、1A……中心導体部、2……
フエライト、3,3A……シールドケース、10
……絶縁基板、12……容量、13……コイル、
14……永久磁石、16A,16B,18A,1
8B……導体膜、17A,17B,24……容量
電極、21,23……絶縁体膜、26……アース
電極、28……入出力端子。
等価回路図、第2図は本考案に係る広帯域サーキ
ユレータの実施例を示す斜視図、第3図は実施例
における中心導体部の分解斜視図、第4図は中心
導体部の裏側を示す斜視図である。 1……中心導体、1A……中心導体部、2……
フエライト、3,3A……シールドケース、10
……絶縁基板、12……容量、13……コイル、
14……永久磁石、16A,16B,18A,1
8B……導体膜、17A,17B,24……容量
電極、21,23……絶縁体膜、26……アース
電極、28……入出力端子。
Claims (1)
- 中心導体としてのストリツプラインを設ける絶
縁基板上に、下側容量電極17A及び下側導体膜
18Aを形成し、該下側導体膜18Aの端部に対
応する位置に接続穴22を有する絶縁体膜23を
前記下側容量電極及び下側導体膜上に形成し、さ
らに該絶縁体膜23上に前記下側容量電極に対向
する上側容量電極17B及び前記下側導体膜に接
続する上側導体膜18Bを形成することにより、
前記ストリツプラインの非接地側端部に夫々接続
される容量及びコイルの直列回路を構成したこと
を特徴とする広帯域サーキユレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8422579U JPS6114168Y2 (ja) | 1979-06-21 | 1979-06-21 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8422579U JPS6114168Y2 (ja) | 1979-06-21 | 1979-06-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS562605U JPS562605U (ja) | 1981-01-10 |
JPS6114168Y2 true JPS6114168Y2 (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=29317422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8422579U Expired JPS6114168Y2 (ja) | 1979-06-21 | 1979-06-21 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6114168Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4529330B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2010-08-25 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信装置 |
-
1979
- 1979-06-21 JP JP8422579U patent/JPS6114168Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS562605U (ja) | 1981-01-10 |
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