JPS6114168Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、広帯域化を図つたサーキユレータに
関する。

従来より、第１図に示す如く、中心導体１を成
すストリツプラインをフエライト２上に設け、該
ストリツプラインの一端をフエライト２を覆うシ
ールドケース３と共に接地し、前記ストリツプラ
インの他端と入出力端子４との間に容量５及びコ
イル６の直列回路を挿入することにより広帯域化
を図つたサーキユレータは知られている。ところ
で、近年マイクロ波機器の小型化に伴い、サーキ
ユレータ等の非可逆回路素子の小型化が要求され
るようになつてきている。従つて、入出力端子４
とシールドケース３との間の周波数調整用容量
７、容量５及びコイル６等として通常の素子を用
いたのでは全体的な形状が大型となるため、これ
らの部分の小型化が問題になつている。

本考案は、上記の点に鑑み、中心導体としての
ストリツプラインと広帯域化のための容量及びコ
イルの直列回路とを同一絶縁基板に形成して、小
型で量産性に優れた広帯域サーキユレータを提供
しようとするものである。

以下、本考案に係る広帯域サーキユレータの実
施例を図面に従つて説明する。

第２図乃至第４図は本考案の実施例であつて広
帯域サーキユレータを構成した場合を示す。これ
らの図において、中心導体部１Ａは、絶縁基板１
０の片面にストリツプライン１１及び広帯域化の
ための容量１２及びコイル１３の直列回路を厚膜
技術で形成したものである。この中心導体部１Ａ
の上下にはフエライト２が配設され、さらにシー
ルドケース３Ａがフエライト２を覆うように取付
けられる。それらのフエライト２には永久磁石１
４により夫々直流磁界が加えられる。

さて、中心導体部１Ａにおいて、アルミナ等の
絶縁基板１０には、予めシールドケース３Ａの取
付用スリツト１５が該基板を貫通するように形成
されており、その絶縁基板１０の片面にはまずス
トリツプライン１１を２分割した形状の導体膜１
６Ａ、容量１２を構成するための下側容量電極１
７Ａ及びコイル１３を構成するための下側導体膜
１８Ａが金、銀等の金属ペーストをスクリーン印
刷し焼付けることにより形成される。次に、前記
導体膜１６Ａの先端部１９Ａに対応する位置に接
続穴２０を有する絶縁体膜２１が、ガラス等の誘
電体ペーストをスクリーン印刷し焼付けることに
より前記導体膜１６Ａ上に形成される。これと同
時に、前記下側導体膜１８Ａの端部に対応する位
置に接続穴２２を有する絶縁体膜２３が前記下側
容量電極１７Ａ及び下側導体膜１８Ａ上にガラス
等の誘電体ペーストをスクリーン印刷し焼付ける
ことにより形成される。それから、ストリツプラ
イン１１の残り半分であつて周波数調整用の容量
電極２４を一体に有する導体膜１６Ｂが金属ペー
ストのスクリーン印刷及び焼付で前記絶縁基板１
０及び絶縁体膜２１上に形成される。また、これ
と同時に容量１２を構成するための上側容量電極
１７Ｂ及びコイル１３を構成するための上側導体
膜１８Ｂが金属ペーストをスクリーン印刷し焼付
けることにより前記絶縁体膜２３上に形成され
る。ここで、絶縁体膜２１の接続穴２０の部分に
は導体膜１６Ａの先端部１９Ａが露出しているか
ら、導体膜１６Ｂの形成時に導体膜１６Ａの先端
部１９Ａと導体膜１６Ｂの先端部１９Ｂとは接合
され、夫々容量電極２４を端部に有するストリツ
プライン１１を構成する。また、このとき導体膜
１６Ｂと下側容量電極１７Ａの引出部２５が重な
り、両者は電気的に接続される。前記絶縁体膜２
３の接続穴２２の部分には下側導体膜１８Ａの端
部が露出しているから、上側容量電極１７Ｂ及び
上側導体膜１８Ｂの形成時に、上側容量電極１７
Ｂと下側導体膜１８Ａとの接続及び下側導体膜１
８Ａと上側導体膜１８Ｂとの接続が行われ、広帯
域化のための容量１２及びコイル１３の直列回路
が夫々形成され、ストリツプライン１１の非接地
側端部はこの直列回路を介して入出力端子２８に
夫々引出される。一方、絶縁基板１０の他の面に
は、フエライト２の位置する部分の外側に前記容
量電極２４と対向するようにアース電極２６が金
属ペーストのスクリーン印刷及び焼付けで形成さ
れる。このようにして、中心導体としての３組の
ストリツプライン１１と、容量電極２４とアース
電極２６との間の周波数調整用容量と、各ストリ
ツプラインの非接地側端部に接続される容量１２
及びコイル１３の直列回路とを有する中心導体部
１Ａが完成する。

上記中心導体部１Ａの上下には、これを挾むよ
うに円板状フエライト２が夫々配置される。シー
ルドケース３Ａは、前記スリツト１５に嵌合する
取付脚２７を一体に有しており、上下のシールド
ケース３Ａはフエライト２を覆いかつ保持した状
態で中心導体基板１Ａの取付用スリツト１５に挿
入固定され、はんだ付け等でストリツプライン１
１の接地側端部及びアース電極２６に接続され
る。

上記実施例によれば、次のような効果を上げる
ことができる。

(1) 中心導体を成すストリツプライン１１の非接
地側端部と、入出力端子２８との間に広帯域化
用の容量１２及びコイル１３の直列回路を夫々
挿入しているので、広帯域化を図ることができ
る。

(2) 広帯域化用の容量１２及びコイル１３を絶縁
基板１０上にストリツプライン１１と同様に厚
膜技術で形成した構造であるから、小型化が可
能である。とくに、コイル１３を下側導体膜１
８Ａと上側導体膜１８Ｂとに分割して絶縁体膜
２３の接続穴２２を介して両導体膜を接続する
多層構造としたので、単層構造でコイルを作る
場合よりも折返しのピツチを小さくでき基板面
積の縮少を図ることができる。

(3) 厚膜技術で導体膜１６Ａ、１６Ｂ及び絶縁体
膜２１を絶縁基板１０片面に形成しており、絶
縁体膜２１が薄いから絶縁体膜２１の接続穴２
０を介しての導体膜１６Ａ、１６Ｂの接続が容
易である。従つてストリツプラインの形成が簡
単にでき量産性の優れたサーキユレータを得る
ことができる。

(4) 誘電体である絶縁基板１０の片面のストリツ
プライン１１端部に一体に形成された周波数調
整用の容量電極２４と、絶縁基板１０の他の面
のアース電極２６との間に、周波数調整用の容
量を形成できる。このため、周波数調整用のコ
ンデンサを入出力端子２８と接地間とに外付け
しなくともよく、小型化が可能であり、量産し
た場合、同一特性が得やすい。

なお、上記実施例ではサーキユレータの場合を
示したが、入出力端子２８の１つと接地間に終端
器としての終端用抵抗膜を設けることによりアイ
ソレータを構成できることは明らかである。

また、厚膜技術の他、薄膜技術を利用すること
もできる。

叙上のように、本考案によれば、中心導体とし
てのストリツプラインと膜作成技術による多層膜
構造の広帯域化のための容量及びコイルの直列回
路とを同一絶縁基板に形成した構造としたので、
小型で量産性に優れた広帯域サーキユレータを得
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は基本的な広帯域サーキユレータを示す
等価回路図、第２図は本考案に係る広帯域サーキ
ユレータの実施例を示す斜視図、第３図は実施例
における中心導体部の分解斜視図、第４図は中心
導体部の裏側を示す斜視図である。 １……中心導体、１Ａ……中心導体部、２……
フエライト、３，３Ａ……シールドケース、１０
……絶縁基板、１２……容量、１３……コイル、
１４……永久磁石、１６Ａ，１６Ｂ，１８Ａ，１
８Ｂ……導体膜、１７Ａ，１７Ｂ，２４……容量
電極、２１，２３……絶縁体膜、２６……アース
電極、２８……入出力端子。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 中心導体としてのストリツプラインを設ける絶
   縁基板上に、下側容量電極１７Ａ及び下側導体膜
   １８Ａを形成し、該下側導体膜１８Ａの端部に対
   応する位置に接続穴２２を有する絶縁体膜２３を
   前記下側容量電極及び下側導体膜上に形成し、さ
   らに該絶縁体膜２３上に前記下側容量電極に対向
   する上側容量電極１７Ｂ及び前記下側導体膜に接
   続する上側導体膜１８Ｂを形成することにより、
   前記ストリツプラインの非接地側端部に夫々接続
   される容量及びコイルの直列回路を構成したこと
   を特徴とする広帯域サーキユレータ。