JPH02218557A - 半導体ウェーハの研削装置 - Google Patents
半導体ウェーハの研削装置Info
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- JPH02218557A JPH02218557A JP3591589A JP3591589A JPH02218557A JP H02218557 A JPH02218557 A JP H02218557A JP 3591589 A JP3591589 A JP 3591589A JP 3591589 A JP3591589 A JP 3591589A JP H02218557 A JPH02218557 A JP H02218557A
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- Japan
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- grinding
- temperature
- semiconductor wafer
- coolant
- circulation channel
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 13
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 13
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
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- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、研削砥石の砥面に冷却液を導入して被削材た
る半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導体ウェー
ハの研削装置に関する。
る半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導体ウェー
ハの研削装置に関する。
従来この種の研削装置にあっては、被削材たる゛半導体
ウェーハを冷却する場合、単に一定量の冷却液を流し続
ける使い捨て方式を一般としている。
ウェーハを冷却する場合、単に一定量の冷却液を流し続
ける使い捨て方式を一般としている。
ところで、半導体ウェーハの研削加工に際し、半導体ウ
ェーハに発生する組織的変形、研削焼付け、研削割れ又
は残留応力の遺留等の原因が、その研削により発生する
研削熱によってもたらされることが知られており、また
、研削異常が発生した場合、急激゛に研削熱が上昇する
ことも経験的に良(知られている。このことから上記の
ような不具合を無くすため、あるいは研削異常を発見す
るためにも、研削温度と不良品の発生頻度の関係を体系
づける必要が生じてきた。
ェーハに発生する組織的変形、研削焼付け、研削割れ又
は残留応力の遺留等の原因が、その研削により発生する
研削熱によってもたらされることが知られており、また
、研削異常が発生した場合、急激゛に研削熱が上昇する
ことも経験的に良(知られている。このことから上記の
ような不具合を無くすため、あるいは研削異常を発見す
るためにも、研削温度と不良品の発生頻度の関係を体系
づける必要が生じてきた。
かかる要望に対してその基本となる研削温度の測定を、
半導体ウェーハに熱電対を当接したり、研削砥石に熱電
対を植込んだりして行うことも考えられるが、半導体ウ
ェーハ自体薄肉で脆い材料であり、しかも通常は半導体
ウェーハを回転させながら研削するため、半導体ウェー
ハに熱電対を当接することは非常に困難である。また、
研削砥石に熱雷対を植込んでも半導体ウェーハの研削温
度を間接的にδ−1定することとなり、正確な研削温度
の1lFJ定が行えない不具合があった。
半導体ウェーハに熱電対を当接したり、研削砥石に熱電
対を植込んだりして行うことも考えられるが、半導体ウ
ェーハ自体薄肉で脆い材料であり、しかも通常は半導体
ウェーハを回転させながら研削するため、半導体ウェー
ハに熱電対を当接することは非常に困難である。また、
研削砥石に熱雷対を植込んでも半導体ウェーハの研削温
度を間接的にδ−1定することとなり、正確な研削温度
の1lFJ定が行えない不具合があった。
本発明は、冷却液が得た熱量から研削温度を求め得るこ
とに着目し、冷却液を循環させることにより簡易にして
、かつ半導体ウェーハに加工や応力を加えること無く、
研削温度を求め得る半導体ウェーハの研削装置を提供す
ることをその目的とする。
とに着目し、冷却液を循環させることにより簡易にして
、かつ半導体ウェーハに加工や応力を加えること無く、
研削温度を求め得る半導体ウェーハの研削装置を提供す
ることをその目的とする。
本発明は上記目的を達成すべく、研削に際し、研削砥石
の砥面に冷却液を導入して被削材たる半導体ウェーハを
冷却する半導体ウェーハの研削装置において、冷却液の
吐出口と排出口とを連通ずる循環流路を設けると共に、
該循環流路の途中に温度11#1定手段を介設したこと
を特徴とする。
の砥面に冷却液を導入して被削材たる半導体ウェーハを
冷却する半導体ウェーハの研削装置において、冷却液の
吐出口と排出口とを連通ずる循環流路を設けると共に、
該循環流路の途中に温度11#1定手段を介設したこと
を特徴とする。
循環流路を設けて冷却液を循環させれば、冷却液は研削
装置で発生する研削熱を吸収して循環流路内を流れる。
装置で発生する研削熱を吸収して循環流路内を流れる。
このように従来捨てていた冷却液を循環させることによ
り、冷却液を介して常に半導体ウェーハの研削温度を求
め得る研削装置を構成でき、更に、循環流路の途中に該
循環流路内に臨む温度δp1定手段を介在させて、冷却
液の温度を11−1定すれば、この測定温度により求め
られる循環流路の熱損失により半導体ウェーハの研削温
度が求められ、この研削温度、あるいは単に温度測定手
段で測定した温度と不良品の発生頻度との相関関係を体
系化することができる。
り、冷却液を介して常に半導体ウェーハの研削温度を求
め得る研削装置を構成でき、更に、循環流路の途中に該
循環流路内に臨む温度δp1定手段を介在させて、冷却
液の温度を11−1定すれば、この測定温度により求め
られる循環流路の熱損失により半導体ウェーハの研削温
度が求められ、この研削温度、あるいは単に温度測定手
段で測定した温度と不良品の発生頻度との相関関係を体
系化することができる。
本発明を、ダイシング工程前に半導体ウェー71を所定
の厚さに研削する研削装置に実施した場合について説明
する。
の厚さに研削する研削装置に実施した場合について説明
する。
第1図に示すように、半導体ウエーノXWの研削装置1
は、半導体ウェーハWを載置するステージ2と、その上
方に半導体ウェーノ\Wを研削する研削砥石3とを備え
ており、ステージ2は回転軸4に連結された駆動装置(
図示せず)により半導体ウェーハWを載置した状態で回
転し、また、研削砥石3は駆動軸5に連結された駆動装
置(図示せず)により回転しながら昇降動する。この構
成により、半導体ウェーハWは研削の際に自らゆっくり
回転し、回転しながら除々に下降してくる研削砥石3に
より、所定の厚さまでその表面である100面を均一に
研削される。
は、半導体ウェーハWを載置するステージ2と、その上
方に半導体ウェーノ\Wを研削する研削砥石3とを備え
ており、ステージ2は回転軸4に連結された駆動装置(
図示せず)により半導体ウェーハWを載置した状態で回
転し、また、研削砥石3は駆動軸5に連結された駆動装
置(図示せず)により回転しながら昇降動する。この構
成により、半導体ウェーハWは研削の際に自らゆっくり
回転し、回転しながら除々に下降してくる研削砥石3に
より、所定の厚さまでその表面である100面を均一に
研削される。
一方、研削に伴う半導体ウェーハWの熱的影響を排除す
べく、研削により発生する研削熱は半導体ウェーハWと
研削砥石3とで構成される研削面Sに導入した冷却液に
より除去される。
べく、研削により発生する研削熱は半導体ウェーハWと
研削砥石3とで構成される研削面Sに導入した冷却液に
より除去される。
冷却液は流入側の吐出口6から研削面Sに導入され、研
削面Sで研削熱を吸収して流出側の排水ロアから排出さ
れる。吐出口6と排出ロアとは循環流路8により連通さ
れており、循環流路8の途中には温度検出手段である温
度計9と、フィルタ10及び循環ポンプ11とが介設さ
れている。これにより、冷却液は、循環流路8内を循環
ポンプ11により圧送され、吐出口6から研削面Sに導
入されて半導体ウェーハWを冷却し、排出ロアから循環
流路8内に吸引され、温度計9により液温を計Δ−1さ
れ、最後にフィルタ10により研削された粒状物が除去
されて循環ポンプ11に戻る。また、循環流路8のフィ
ルタ10と循環ポンプ11の間には補給液管12が接続
され、適宜冷却液の補給がなされる。
削面Sで研削熱を吸収して流出側の排水ロアから排出さ
れる。吐出口6と排出ロアとは循環流路8により連通さ
れており、循環流路8の途中には温度検出手段である温
度計9と、フィルタ10及び循環ポンプ11とが介設さ
れている。これにより、冷却液は、循環流路8内を循環
ポンプ11により圧送され、吐出口6から研削面Sに導
入されて半導体ウェーハWを冷却し、排出ロアから循環
流路8内に吸引され、温度計9により液温を計Δ−1さ
れ、最後にフィルタ10により研削された粒状物が除去
されて循環ポンプ11に戻る。また、循環流路8のフィ
ルタ10と循環ポンプ11の間には補給液管12が接続
され、適宜冷却液の補給がなされる。
温度計9により測定される冷却液の温度は、研削開始か
ら除々に上昇してゆき一定時間を経過するとやがて定常
温度となる。したがって簡易には、この定常状態におけ
る温度計9が示す指示温度と、研削された半導体ウニ
”Wの不良品の発生頻度との関係、あるいは研削異常等
によりこの定常状態が崩れて温度が上昇した場合と不良
品の発生頻度との関係等を数値的に求めることができる
。
ら除々に上昇してゆき一定時間を経過するとやがて定常
温度となる。したがって簡易には、この定常状態におけ
る温度計9が示す指示温度と、研削された半導体ウニ
”Wの不良品の発生頻度との関係、あるいは研削異常等
によりこの定常状態が崩れて温度が上昇した場合と不良
品の発生頻度との関係等を数値的に求めることができる
。
また、この定常状態においては基本的に次の関係が成立
する。
する。
研削熱−系外に放出される熱量
すなわち、冷却液の温度が一定になるということは、吸
熱と放熱とが釣り合っている状態である。
熱と放熱とが釣り合っている状態である。
この場合の吸熱要因は研削熱であり、放熱要因は主とし
て循環流路8自体から大気中に放出される熱である。し
たがって、はぼ系外に放出される熱量と考えられる循環
流路8自体から大気中に放出される熱量を算定できれば
、研削熱を求めることができ、循環流路8を流れる冷却
液の流量との関係で研削温度を求めることができる。そ
して、循環流路8自体から大気中に放出される熱量は、
冷却液の流速、循環流路8の熱伝達係数、冷却液と循環
流路との接触面積及び温度計9でΔに1定される冷却液
の温度と大気の温度との温度差により計算することがで
きる。
て循環流路8自体から大気中に放出される熱である。し
たがって、はぼ系外に放出される熱量と考えられる循環
流路8自体から大気中に放出される熱量を算定できれば
、研削熱を求めることができ、循環流路8を流れる冷却
液の流量との関係で研削温度を求めることができる。そ
して、循環流路8自体から大気中に放出される熱量は、
冷却液の流速、循環流路8の熱伝達係数、冷却液と循環
流路との接触面積及び温度計9でΔに1定される冷却液
の温度と大気の温度との温度差により計算することがで
きる。
このようにして、研削温度が分かれば研削温度と、半導
体ウェーハWの研削割れや残留応力による反り等の不良
品の発生頻度との関係を求めることができる。
体ウェーハWの研削割れや残留応力による反り等の不良
品の発生頻度との関係を求めることができる。
以上のように本発明によれば、冷却液を循環させること
により研削温度の計測を可能にでき、温度検出手段によ
り冷却液の温度を計Be+すれば、この計測値により算
出可能な研削温度、あるいは単にその計測値と不良品の
発生頻度との関係を体系化できると共に、その体系化し
た資料に基づいて不良品の発生頻度を少なくすることが
できる効果を有する。
により研削温度の計測を可能にでき、温度検出手段によ
り冷却液の温度を計Be+すれば、この計測値により算
出可能な研削温度、あるいは単にその計測値と不良品の
発生頻度との関係を体系化できると共に、その体系化し
た資料に基づいて不良品の発生頻度を少なくすることが
できる効果を有する。
第1図は本発明を実施した半導体ウェーハの研削装置の
概略図である。 1・・・研削装置、2・・・ステージ、3・・・研削砥
石、6・・・吐出口、7・・・排出口、8・・・循環流
路、9・・・温度計。 特許出願人 住友電気工業株式会社
概略図である。 1・・・研削装置、2・・・ステージ、3・・・研削砥
石、6・・・吐出口、7・・・排出口、8・・・循環流
路、9・・・温度計。 特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 研削に際し、研削砥石の砥面に冷却液を導入して被削材
たる半導体ウェーハを冷却する半導体ウェーハの研削装
置において、 冷却液の吐出口と排出口とを連通する循環流路を設ける
と共に、該循環流路の途中に温度測定手段を介設したこ
とを特徴とする半導体ウェーハの研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1035915A JP2674662B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1035915A JP2674662B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02218557A true JPH02218557A (ja) | 1990-08-31 |
JP2674662B2 JP2674662B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=12455328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1035915A Expired - Lifetime JP2674662B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2674662B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006032455A1 (de) * | 2006-07-13 | 2008-04-10 | Siltronic Ag | Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben sowie Halbleierscheibe mit hervorragender Ebenheit |
JP2009525603A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | パルス薬液分配システム |
JP5056859B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-10-24 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソーによるワークの切断方法およびワイヤソー |
CN105881131A (zh) * | 2016-06-08 | 2016-08-24 | 济源石晶光电频率技术有限公司 | 自动测频晶片抛光设备 |
CN109866082A (zh) * | 2017-12-01 | 2019-06-11 | 兆远科技股份有限公司 | 多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板的成品 |
CN115091287A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-09-23 | 华海清科股份有限公司 | 一种超精密磨削参数调整方法和磨削*** |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62176767A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 研磨機 |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP1035915A patent/JP2674662B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62176767A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 研磨機 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009525603A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | パルス薬液分配システム |
US8257506B2 (en) | 2006-02-01 | 2012-09-04 | Nxp B.V. | Pulsed chemical dispense system |
DE102006032455A1 (de) * | 2006-07-13 | 2008-04-10 | Siltronic Ag | Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben sowie Halbleierscheibe mit hervorragender Ebenheit |
JP5056859B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-10-24 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソーによるワークの切断方法およびワイヤソー |
CN105881131A (zh) * | 2016-06-08 | 2016-08-24 | 济源石晶光电频率技术有限公司 | 自动测频晶片抛光设备 |
CN109866082A (zh) * | 2017-12-01 | 2019-06-11 | 兆远科技股份有限公司 | 多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板的成品 |
CN115091287A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-09-23 | 华海清科股份有限公司 | 一种超精密磨削参数调整方法和磨削*** |
CN115091287B (zh) * | 2022-07-15 | 2023-12-29 | 华海清科股份有限公司 | 一种超精密磨削参数调整方法和磨削*** |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2674662B2 (ja) | 1997-11-12 |
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Legal Events
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