JPH02218557A - 半導体ウェーハの研削装置 - Google Patents
半導体ウェーハの研削装置Info
- Publication number
- JPH02218557A JPH02218557A JP3591589A JP3591589A JPH02218557A JP H02218557 A JPH02218557 A JP H02218557A JP 3591589 A JP3591589 A JP 3591589A JP 3591589 A JP3591589 A JP 3591589A JP H02218557 A JPH02218557 A JP H02218557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- temperature
- semiconductor wafer
- coolant
- circulation channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 13
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 13
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、研削砥石の砥面に冷却液を導入して被削材た
る半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導体ウェー
ハの研削装置に関する。
る半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導体ウェー
ハの研削装置に関する。
従来この種の研削装置にあっては、被削材たる゛半導体
ウェーハを冷却する場合、単に一定量の冷却液を流し続
ける使い捨て方式を一般としている。
ウェーハを冷却する場合、単に一定量の冷却液を流し続
ける使い捨て方式を一般としている。
ところで、半導体ウェーハの研削加工に際し、半導体ウ
ェーハに発生する組織的変形、研削焼付け、研削割れ又
は残留応力の遺留等の原因が、その研削により発生する
研削熱によってもたらされることが知られており、また
、研削異常が発生した場合、急激゛に研削熱が上昇する
ことも経験的に良（知られている。このことから上記の
ような不具合を無くすため、あるいは研削異常を発見す
るためにも、研削温度と不良品の発生頻度の関係を体系
づける必要が生じてきた。
ェーハに発生する組織的変形、研削焼付け、研削割れ又
は残留応力の遺留等の原因が、その研削により発生する
研削熱によってもたらされることが知られており、また
、研削異常が発生した場合、急激゛に研削熱が上昇する
ことも経験的に良（知られている。このことから上記の
ような不具合を無くすため、あるいは研削異常を発見す
るためにも、研削温度と不良品の発生頻度の関係を体系
づける必要が生じてきた。
かかる要望に対してその基本となる研削温度の測定を、
半導体ウェーハに熱電対を当接したり、研削砥石に熱電
対を植込んだりして行うことも考えられるが、半導体ウ
ェーハ自体薄肉で脆い材料であり、しかも通常は半導体
ウェーハを回転させながら研削するため、半導体ウェー
ハに熱電対を当接することは非常に困難である。また、
研削砥石に熱雷対を植込んでも半導体ウェーハの研削温
度を間接的にδ−１定することとなり、正確な研削温度
の１ｌＦＪ定が行えない不具合があった。
半導体ウェーハに熱電対を当接したり、研削砥石に熱電
対を植込んだりして行うことも考えられるが、半導体ウ
ェーハ自体薄肉で脆い材料であり、しかも通常は半導体
ウェーハを回転させながら研削するため、半導体ウェー
ハに熱電対を当接することは非常に困難である。また、
研削砥石に熱雷対を植込んでも半導体ウェーハの研削温
度を間接的にδ−１定することとなり、正確な研削温度
の１ｌＦＪ定が行えない不具合があった。
本発明は、冷却液が得た熱量から研削温度を求め得るこ
とに着目し、冷却液を循環させることにより簡易にして
、かつ半導体ウェーハに加工や応力を加えること無く、
研削温度を求め得る半導体ウェーハの研削装置を提供す
ることをその目的とする。
とに着目し、冷却液を循環させることにより簡易にして
、かつ半導体ウェーハに加工や応力を加えること無く、
研削温度を求め得る半導体ウェーハの研削装置を提供す
ることをその目的とする。
本発明は上記目的を達成すべく、研削に際し、研削砥石
の砥面に冷却液を導入して被削材たる半導体ウェーハを
冷却する半導体ウェーハの研削装置において、冷却液の
吐出口と排出口とを連通ずる循環流路を設けると共に、
該循環流路の途中に温度１１＃１定手段を介設したこと
を特徴とする。
の砥面に冷却液を導入して被削材たる半導体ウェーハを
冷却する半導体ウェーハの研削装置において、冷却液の
吐出口と排出口とを連通ずる循環流路を設けると共に、
該循環流路の途中に温度１１＃１定手段を介設したこと
を特徴とする。
循環流路を設けて冷却液を循環させれば、冷却液は研削
装置で発生する研削熱を吸収して循環流路内を流れる。
装置で発生する研削熱を吸収して循環流路内を流れる。
このように従来捨てていた冷却液を循環させることによ
り、冷却液を介して常に半導体ウェーハの研削温度を求
め得る研削装置を構成でき、更に、循環流路の途中に該
循環流路内に臨む温度δｐ１定手段を介在させて、冷却
液の温度を１１−１定すれば、この測定温度により求め
られる循環流路の熱損失により半導体ウェーハの研削温
度が求められ、この研削温度、あるいは単に温度測定手
段で測定した温度と不良品の発生頻度との相関関係を体
系化することができる。
り、冷却液を介して常に半導体ウェーハの研削温度を求
め得る研削装置を構成でき、更に、循環流路の途中に該
循環流路内に臨む温度δｐ１定手段を介在させて、冷却
液の温度を１１−１定すれば、この測定温度により求め
られる循環流路の熱損失により半導体ウェーハの研削温
度が求められ、この研削温度、あるいは単に温度測定手
段で測定した温度と不良品の発生頻度との相関関係を体
系化することができる。
本発明を、ダイシング工程前に半導体ウェー７１を所定
の厚さに研削する研削装置に実施した場合について説明
する。
の厚さに研削する研削装置に実施した場合について説明
する。
第１図に示すように、半導体ウエーノＸＷの研削装置１
は、半導体ウェーハＷを載置するステージ２と、その上
方に半導体ウェーノ＼Ｗを研削する研削砥石３とを備え
ており、ステージ２は回転軸４に連結された駆動装置（
図示せず）により半導体ウェーハＷを載置した状態で回
転し、また、研削砥石３は駆動軸５に連結された駆動装
置（図示せず）により回転しながら昇降動する。この構
成により、半導体ウェーハＷは研削の際に自らゆっくり
回転し、回転しながら除々に下降してくる研削砥石３に
より、所定の厚さまでその表面である１００面を均一に
研削される。
は、半導体ウェーハＷを載置するステージ２と、その上
方に半導体ウェーノ＼Ｗを研削する研削砥石３とを備え
ており、ステージ２は回転軸４に連結された駆動装置（
図示せず）により半導体ウェーハＷを載置した状態で回
転し、また、研削砥石３は駆動軸５に連結された駆動装
置（図示せず）により回転しながら昇降動する。この構
成により、半導体ウェーハＷは研削の際に自らゆっくり
回転し、回転しながら除々に下降してくる研削砥石３に
より、所定の厚さまでその表面である１００面を均一に
研削される。
一方、研削に伴う半導体ウェーハＷの熱的影響を排除す
べく、研削により発生する研削熱は半導体ウェーハＷと
研削砥石３とで構成される研削面Ｓに導入した冷却液に
より除去される。
べく、研削により発生する研削熱は半導体ウェーハＷと
研削砥石３とで構成される研削面Ｓに導入した冷却液に
より除去される。
冷却液は流入側の吐出口６から研削面Ｓに導入され、研
削面Ｓで研削熱を吸収して流出側の排水ロアから排出さ
れる。吐出口６と排出ロアとは循環流路８により連通さ
れており、循環流路８の途中には温度検出手段である温
度計９と、フィルタ１０及び循環ポンプ１１とが介設さ
れている。これにより、冷却液は、循環流路８内を循環
ポンプ１１により圧送され、吐出口６から研削面Ｓに導
入されて半導体ウェーハＷを冷却し、排出ロアから循環
流路８内に吸引され、温度計９により液温を計Δ−１さ
れ、最後にフィルタ１０により研削された粒状物が除去
されて循環ポンプ１１に戻る。また、循環流路８のフィ
ルタ１０と循環ポンプ１１の間には補給液管１２が接続
され、適宜冷却液の補給がなされる。
削面Ｓで研削熱を吸収して流出側の排水ロアから排出さ
れる。吐出口６と排出ロアとは循環流路８により連通さ
れており、循環流路８の途中には温度検出手段である温
度計９と、フィルタ１０及び循環ポンプ１１とが介設さ
れている。これにより、冷却液は、循環流路８内を循環
ポンプ１１により圧送され、吐出口６から研削面Ｓに導
入されて半導体ウェーハＷを冷却し、排出ロアから循環
流路８内に吸引され、温度計９により液温を計Δ−１さ
れ、最後にフィルタ１０により研削された粒状物が除去
されて循環ポンプ１１に戻る。また、循環流路８のフィ
ルタ１０と循環ポンプ１１の間には補給液管１２が接続
され、適宜冷却液の補給がなされる。
温度計９により測定される冷却液の温度は、研削開始か
ら除々に上昇してゆき一定時間を経過するとやがて定常
温度となる。したがって簡易には、この定常状態におけ
る温度計９が示す指示温度と、研削された半導体ウニ
”Ｗの不良品の発生頻度との関係、あるいは研削異常等
によりこの定常状態が崩れて温度が上昇した場合と不良
品の発生頻度との関係等を数値的に求めることができる
。
ら除々に上昇してゆき一定時間を経過するとやがて定常
温度となる。したがって簡易には、この定常状態におけ
る温度計９が示す指示温度と、研削された半導体ウニ
”Ｗの不良品の発生頻度との関係、あるいは研削異常等
によりこの定常状態が崩れて温度が上昇した場合と不良
品の発生頻度との関係等を数値的に求めることができる
。
また、この定常状態においては基本的に次の関係が成立
する。
する。
研削熱−系外に放出される熱量
すなわち、冷却液の温度が一定になるということは、吸
熱と放熱とが釣り合っている状態である。
熱と放熱とが釣り合っている状態である。
この場合の吸熱要因は研削熱であり、放熱要因は主とし
て循環流路８自体から大気中に放出される熱である。し
たがって、はぼ系外に放出される熱量と考えられる循環
流路８自体から大気中に放出される熱量を算定できれば
、研削熱を求めることができ、循環流路８を流れる冷却
液の流量との関係で研削温度を求めることができる。そ
して、循環流路８自体から大気中に放出される熱量は、
冷却液の流速、循環流路８の熱伝達係数、冷却液と循環
流路との接触面積及び温度計９でΔに１定される冷却液
の温度と大気の温度との温度差により計算することがで
きる。
て循環流路８自体から大気中に放出される熱である。し
たがって、はぼ系外に放出される熱量と考えられる循環
流路８自体から大気中に放出される熱量を算定できれば
、研削熱を求めることができ、循環流路８を流れる冷却
液の流量との関係で研削温度を求めることができる。そ
して、循環流路８自体から大気中に放出される熱量は、
冷却液の流速、循環流路８の熱伝達係数、冷却液と循環
流路との接触面積及び温度計９でΔに１定される冷却液
の温度と大気の温度との温度差により計算することがで
きる。
このようにして、研削温度が分かれば研削温度と、半導
体ウェーハＷの研削割れや残留応力による反り等の不良
品の発生頻度との関係を求めることができる。
体ウェーハＷの研削割れや残留応力による反り等の不良
品の発生頻度との関係を求めることができる。
以上のように本発明によれば、冷却液を循環させること
により研削温度の計測を可能にでき、温度検出手段によ
り冷却液の温度を計Ｂｅ＋すれば、この計測値により算
出可能な研削温度、あるいは単にその計測値と不良品の
発生頻度との関係を体系化できると共に、その体系化し
た資料に基づいて不良品の発生頻度を少なくすることが
できる効果を有する。
により研削温度の計測を可能にでき、温度検出手段によ
り冷却液の温度を計Ｂｅ＋すれば、この計測値により算
出可能な研削温度、あるいは単にその計測値と不良品の
発生頻度との関係を体系化できると共に、その体系化し
た資料に基づいて不良品の発生頻度を少なくすることが
できる効果を有する。
第１図は本発明を実施した半導体ウェーハの研削装置の
概略図である。 １・・・研削装置、２・・・ステージ、３・・・研削砥
石、６・・・吐出口、７・・・排出口、８・・・循環流
路、９・・・温度計。 特許出願人 住友電気工業株式会社
概略図である。 １・・・研削装置、２・・・ステージ、３・・・研削砥
石、６・・・吐出口、７・・・排出口、８・・・循環流
路、９・・・温度計。 特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 研削に際し、研削砥石の砥面に冷却液を導入して被削材
たる半導体ウェーハを冷却する半導体ウェーハの研削装
置において、 冷却液の吐出口と排出口とを連通する循環流路を設ける
と共に、該循環流路の途中に温度測定手段を介設したこ
とを特徴とする半導体ウェーハの研削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035915A JP2674662B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035915A JP2674662B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218557A true JPH02218557A (ja) | 1990-08-31 |
| JP2674662B2 JP2674662B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=12455328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035915A Expired - Lifetime JP2674662B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674662B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006032455A1 (de) * | 2006-07-13 | 2008-04-10 | Siltronic Ag | Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben sowie Halbleierscheibe mit hervorragender Ebenheit |
| JP2009525603A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | パルス薬液分配システム |
| JP5056859B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-10-24 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソーによるワークの切断方法およびワイヤソー |
| CN105881131A (zh) * | 2016-06-08 | 2016-08-24 | 济源石晶光电频率技术有限公司 | 自动测频晶片抛光设备 |
| CN109866082A (zh) * | 2017-12-01 | 2019-06-11 | 兆远科技股份有限公司 | 多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板的成品 |
| CN115091287A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-09-23 | 华海清科股份有限公司 | 一种超精密磨削参数调整方法和磨削*** |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176767A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 研磨機 |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP1035915A patent/JP2674662B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176767A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 研磨機 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009525603A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | パルス薬液分配システム |
| US8257506B2 (en) | 2006-02-01 | 2012-09-04 | Nxp B.V. | Pulsed chemical dispense system |
| DE102006032455A1 (de) * | 2006-07-13 | 2008-04-10 | Siltronic Ag | Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben sowie Halbleierscheibe mit hervorragender Ebenheit |
| JP5056859B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-10-24 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソーによるワークの切断方法およびワイヤソー |
| CN105881131A (zh) * | 2016-06-08 | 2016-08-24 | 济源石晶光电频率技术有限公司 | 自动测频晶片抛光设备 |
| CN109866082A (zh) * | 2017-12-01 | 2019-06-11 | 兆远科技股份有限公司 | 多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板的成品 |
| CN115091287A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-09-23 | 华海清科股份有限公司 | 一种超精密磨削参数调整方法和磨削*** |
| CN115091287B (zh) * | 2022-07-15 | 2023-12-29 | 华海清科股份有限公司 | 一种超精密磨削参数调整方法和磨削*** |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2674662B2 (ja) | 1997-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0388972B1 (en) | Apparatus for grinding semiconductor wafer | |
| KR100315162B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 연마 방법 및 그 장치 | |
| JPH02218557A (ja) | 半導体ウェーハの研削装置 | |
| US5749772A (en) | Method and apparatus for polishing wafer | |
| US7048610B1 (en) | Conditioning polishing pad for chemical-mechanical polishing | |
| EP1217322A2 (en) | Heat Exchanger | |
| JP2017069429A (ja) | ウェハの高精度加工装置 | |
| JPH09123057A (ja) | 基板研磨装置 | |
| JPS61265262A (ja) | 研磨装置 | |
| JP3120201B2 (ja) | 加工装置のチャック装置 | |
| JP2674665B2 (ja) | 半導体ウェーハの研削装置 | |
| US6752701B1 (en) | Planarization apparatus with grinding and etching devices and holding device for moving workpiece between said devices | |
| JPH0659623B2 (ja) | ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置 | |
| CN102343563B (zh) | 硅片抛光大盘 | |
| JP2020037181A (ja) | ウェハの高精度加工装置 | |
| JP2002046058A (ja) | 両面研磨用研磨布のドレッシング方法 | |
| US20210394331A1 (en) | Semiconductor substrate polishing with polishing pad temperature control | |
| JP2602948B2 (ja) | 半導体ウェーハの研削装置 | |
| JP2647193B2 (ja) | 半導体ウェーハの研削装置 | |
| JPH11195637A (ja) | シリコンウェーハのエッチング方法と装置 | |
| JPH07171759A (ja) | ポリッシング定盤の温度制御方法 | |
| JPH09193003A (ja) | 研磨装置 | |
| TWI467645B (zh) | 化學機械研磨方法與系統 | |
| JPH0320029A (ja) | 半導体ウェハー研削量のモニター方法 | |
| Bonora | Silicon wafer process technology: Slicing etching polishing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090718 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090718 Year of fee payment: 12 |