JP2674665B2 - 半導体ウェーハの研削装置 - Google Patents
半導体ウェーハの研削装置Info
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- JP2674665B2 JP2674665B2 JP1072906A JP7290689A JP2674665B2 JP 2674665 B2 JP2674665 B2 JP 2674665B2 JP 1072906 A JP1072906 A JP 1072906A JP 7290689 A JP7290689 A JP 7290689A JP 2674665 B2 JP2674665 B2 JP 2674665B2
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- grinding
- semiconductor wafer
- cooling liquid
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/14—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the temperature during grinding
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、研削砥石の砥面に冷却液を導入して被削材
たる半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導体ウェ
ーハの研削装置に関する。
たる半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導体ウェ
ーハの研削装置に関する。
〔従来の技術〕 従来この種の研削装置にあっては、被削材たる半導体
ウェーハを冷却する場合、研削砥石の砥面に一定量の冷
却液を流し続けるようにしている。
ウェーハを冷却する場合、研削砥石の砥面に一定量の冷
却液を流し続けるようにしている。
半導体ウェーハの研削加工、特に、GaAs半導体ウェー
ハの回路パターン形成後ダイシング前のいわゆるバック
グラインドにおいては、回路パターンも完成されてお
り、バックグラインドにおいてウェーハを損傷すること
は歩留まりの点で大きな問題である。
ハの回路パターン形成後ダイシング前のいわゆるバック
グラインドにおいては、回路パターンも完成されてお
り、バックグラインドにおいてウェーハを損傷すること
は歩留まりの点で大きな問題である。
ところで、半導体ウェーハに発生する組織的変形、研
削焼け、研削割れ又は残留応力の遺留等の原因が、その
研削により発生する過度の研削熱によってもたらされる
ことが知られており、また、研削異常が発生した場合、
急激に研削熱が上昇することも経験的に良く知られてい
る。
削焼け、研削割れ又は残留応力の遺留等の原因が、その
研削により発生する過度の研削熱によってもたらされる
ことが知られており、また、研削異常が発生した場合、
急激に研削熱が上昇することも経験的に良く知られてい
る。
したがって、従来のような単に冷却液を流し続けるも
のであっては、急激な研削熱を上昇等に対応できず半導
体ウェーハの不良品を多数発生させるおそれがあり、こ
れを見越して、冷却液の水量を増やしておくことは、冷
却液自体高価なものであるし、その廃液処理にも費用が
かかりかなりの無駄を生ずることとなる。
のであっては、急激な研削熱を上昇等に対応できず半導
体ウェーハの不良品を多数発生させるおそれがあり、こ
れを見越して、冷却液の水量を増やしておくことは、冷
却液自体高価なものであるし、その廃液処理にも費用が
かかりかなりの無駄を生ずることとなる。
本発明は、冷却液の流量を調節して研削温度を一定に
保つことにより、半導体ウェーハに発生する組織的変
形、研削焼け、研削割れ又は残留応力の遺留等を防止す
ると共に、冷却液の節約を可能にする半導体ウェーハの
研削装置を提供することをその目的とする。
保つことにより、半導体ウェーハに発生する組織的変
形、研削焼け、研削割れ又は残留応力の遺留等を防止す
ると共に、冷却液の節約を可能にする半導体ウェーハの
研削装置を提供することをその目的とする。
本発明は上記目的を達成すべく、研削に際し、研削砥
石の砥面に冷却液を導入して被削材たる半導体ウェーハ
を冷却する半導体ウェーハの研削装置において、冷却液
の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段の信号
に基いて冷却液の流量を決定する制御手段と、制御手段
により操作される冷却液の流量調整手段とを備えたこと
を特徴とする。
石の砥面に冷却液を導入して被削材たる半導体ウェーハ
を冷却する半導体ウェーハの研削装置において、冷却液
の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段の信号
に基いて冷却液の流量を決定する制御手段と、制御手段
により操作される冷却液の流量調整手段とを備えたこと
を特徴とする。
温度検出手段により測定された冷却液の温度に基づい
て、制御手段により冷却液の流量を決定し、この決定値
に対し流量調整手段を操作して冷却液の流量を決定す
る。
て、制御手段により冷却液の流量を決定し、この決定値
に対し流量調整手段を操作して冷却液の流量を決定す
る。
このように、いわゆるフィードバック制御を行えば、
研削温度の上下に対応して迅速に冷却液を増加し、半導
体ウェーハを常に適切な研削温度に保つことができ、ま
た、冷却液も必要最小限の水量に保つことができる。
研削温度の上下に対応して迅速に冷却液を増加し、半導
体ウェーハを常に適切な研削温度に保つことができ、ま
た、冷却液も必要最小限の水量に保つことができる。
本発明を、ダイシング工程前に半導体ウェーハを所定
の厚さに研削する研削装置に実施した場合について説明
する。
の厚さに研削する研削装置に実施した場合について説明
する。
第１図を参照して第１の実施例について説明する。半
導体ウェーハＷの研削装置１は、半導体ウェーハＷを吸
着により載置するステージ２と、その上方に半導体ウェ
ーハＷを研削する研削砥石３とを備えており、ステージ
２は回転軸４に連結された駆動装置（図示せず）により
半導体ウェーハＷを載置した状態で回転し、また、研削
砥石３は駆動軸５に連結された駆動装置（図示せず）に
より回転しながら昇降動する。したがって、半導体ウェ
ーハＷは、研削の際に自らゆっくり回転し、逆回転しな
がら徐々に下降してくる研削砥石３により。所定の厚さ
までその表面である（00）面を均一に研削される。
導体ウェーハＷの研削装置１は、半導体ウェーハＷを吸
着により載置するステージ２と、その上方に半導体ウェ
ーハＷを研削する研削砥石３とを備えており、ステージ
２は回転軸４に連結された駆動装置（図示せず）により
半導体ウェーハＷを載置した状態で回転し、また、研削
砥石３は駆動軸５に連結された駆動装置（図示せず）に
より回転しながら昇降動する。したがって、半導体ウェ
ーハＷは、研削の際に自らゆっくり回転し、逆回転しな
がら徐々に下降してくる研削砥石３により。所定の厚さ
までその表面である（00）面を均一に研削される。
一方、研削に伴う半導体ウェーハＷの熱的影響を排除
すべく、研削により発生する研削熱は半導体ウェーハＷ
と研削砥石３とで構成される研削面Ｓに導入した高純水
等の冷却液により除去される。
すべく、研削により発生する研削熱は半導体ウェーハＷ
と研削砥石３とで構成される研削面Ｓに導入した高純水
等の冷却液により除去される。
冷却液は、図外の冷却液供給装置を供給源として、流
入管路６から吐出口７を経て研削面Ｓに導入され、研削
面Ｓで半導体ウェーハＷの研削熱を吸収し、排水口８を
経て流出管路９から系外へ排出される。
入管路６から吐出口７を経て研削面Ｓに導入され、研削
面Ｓで半導体ウェーハＷの研削熱を吸収し、排水口８を
経て流出管路９から系外へ排出される。
また、流入管路６と流出管路９には、それぞれ研削温
度検出手段を構成する流入側温度計10と流出側温度計11
とが設けられ、また、流入管路６には流入側温度計10の
上流側に流量調整手段である流量調整弁12が設けられて
いる。そして、両温度計10、11からの検出信号は、マイ
クロコンピュータ13に導かれ両温度計10、11の温度差と
流量調整弁12のバルブ開度から計算される流量とで研削
温度が算定される。次いで、マイクロコンピュータ13で
は、この研削温度に基づいて目標の研削温度にすべく演
算処理がなされ、適切な流量が導き出され、その制御信
号により流量調整弁12が駆動されてそのバルブ開度が調
節され、冷却液の流量調整がなされる。
度検出手段を構成する流入側温度計10と流出側温度計11
とが設けられ、また、流入管路６には流入側温度計10の
上流側に流量調整手段である流量調整弁12が設けられて
いる。そして、両温度計10、11からの検出信号は、マイ
クロコンピュータ13に導かれ両温度計10、11の温度差と
流量調整弁12のバルブ開度から計算される流量とで研削
温度が算定される。次いで、マイクロコンピュータ13で
は、この研削温度に基づいて目標の研削温度にすべく演
算処理がなされ、適切な流量が導き出され、その制御信
号により流量調整弁12が駆動されてそのバルブ開度が調
節され、冷却液の流量調整がなされる。
なお、研削温度は正確に測定するためスムージング等
の計算機処理を行い、誤差動を極力防止するようにして
いる。
の計算機処理を行い、誤差動を極力防止するようにして
いる。
このようにして、流量調整弁12を研削温度との関係で
フィードバック制御することにより研削温度が常に一定
に保たれる。
フィードバック制御することにより研削温度が常に一定
に保たれる。
次ぎに、第２図を参照して第２の実施例について説明
する。この実施例は、冷却液を循環使用し冷却液の消費
を極力少なくするようにしたものである。
する。この実施例は、冷却液を循環使用し冷却液の消費
を極力少なくするようにしたものである。
すなわち、流出管路９の下流端に設けた貯溜槽14に使
用済みの冷却液をいったん貯溜し、これを圧送ポンプ15
により流入管路６から研削面Ｓに導入する。流入管路６
の途中にはフィルタ16と補給液管17とが設けられてお
り、研削屑は、貯溜槽14に沈殿させると共に、このフィ
ルタ16により取除かれる。補給液管17からは常に少量の
冷却液が補給され、この補給により溢れた分は貯溜槽14
のオーバーフロー18から系外に排出される。
用済みの冷却液をいったん貯溜し、これを圧送ポンプ15
により流入管路６から研削面Ｓに導入する。流入管路６
の途中にはフィルタ16と補給液管17とが設けられてお
り、研削屑は、貯溜槽14に沈殿させると共に、このフィ
ルタ16により取除かれる。補給液管17からは常に少量の
冷却液が補給され、この補給により溢れた分は貯溜槽14
のオーバーフロー18から系外に排出される。
この実施例では研削熱を管路等から自然放熱されるた
め、所定の研削温度で絶えず研削できるように予め流入
管路に放熱器19を設けて、定常状態の研削熱を放熱器19
や管路から放熱するようにしている。そして、そのとき
の冷却液の温度を貯溜槽14に設けた温度計20でモニター
しておいて、この温度から急激な温度上昇があったとき
には、マイクロコンピュータ13からの制御信号により、
補給液管17の途中に介設した流量調整弁12を開いて補給
液量を増し、温度計20の温度を一定に、すなわち研削温
度を一定に保つようにしている。
め、所定の研削温度で絶えず研削できるように予め流入
管路に放熱器19を設けて、定常状態の研削熱を放熱器19
や管路から放熱するようにしている。そして、そのとき
の冷却液の温度を貯溜槽14に設けた温度計20でモニター
しておいて、この温度から急激な温度上昇があったとき
には、マイクロコンピュータ13からの制御信号により、
補給液管17の途中に介設した流量調整弁12を開いて補給
液量を増し、温度計20の温度を一定に、すなわち研削温
度を一定に保つようにしている。
なお、この場合、温度計20を貯溜槽14に設けたが流出
管路９に設けるようにしてもよい。
管路９に設けるようにしてもよい。
以上のように本発明によれば、半導体ウェーハの研削
温度を一定に保つことにより、半導体ウェーハの不良品
の発生頻度を少なくすることができて、歩留まりを向上
でき、しかも、冷却液の無駄な消費を防止する効果を有
する。
温度を一定に保つことにより、半導体ウェーハの不良品
の発生頻度を少なくすることができて、歩留まりを向上
でき、しかも、冷却液の無駄な消費を防止する効果を有
する。
第１図は本発明を実施した半導体ウェーハの研削装置の
概略図、第２図は他の実施例の半導体ウェーハの研削装
置の概略図である。 １……研削装置、２……ステージ、３……研削砥石、６
……流入管路、９……流出管路、10……流入側温度計、
11……流出側温度計、12……流量調整弁、13……マイク
ロコンピュータ。
概略図、第２図は他の実施例の半導体ウェーハの研削装
置の概略図である。 １……研削装置、２……ステージ、３……研削砥石、６
……流入管路、９……流出管路、10……流入側温度計、
11……流出側温度計、12……流量調整弁、13……マイク
ロコンピュータ。
Claims (1)
- 【請求項１】研削に際し、研削砥石の砥面に冷却液を導
入して被削材たる半導体ウェーハを冷却する半導体ウェ
ーハの研削装置において、 前記冷却液の温度を検出する温度検出手段と、当該温度
検出手段の信号に基づいて冷却液の流量を決定する制御
手段と、当該制御手段により操作される冷却液の流量調
整手段とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハの研
削装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072906A JP2674665B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 半導体ウェーハの研削装置 |
| CA002012878A CA2012878C (en) | 1989-03-24 | 1990-03-22 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| AU52120/90A AU637087B2 (en) | 1989-03-24 | 1990-03-22 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| EP90105542A EP0388972B1 (en) | 1989-03-24 | 1990-03-23 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| DK90105542.6T DK0388972T3 (da) | 1989-03-24 | 1990-03-23 | Apparat til slibning af en halvlederskive |
| DE69024681T DE69024681T2 (de) | 1989-03-24 | 1990-03-23 | Schleifeinrichtung für Halbleiterplättchen |
| KR1019900004924A KR930010977B1 (ko) | 1989-03-24 | 1990-04-10 | 반도체 웨이퍼 연삭장치 |
| US07/747,494 US5113622A (en) | 1989-03-24 | 1991-08-19 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072906A JP2674665B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250771A JPH02250771A (ja) | 1990-10-08 |
| JP2674665B2 true JP2674665B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=13502863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1072906A Expired - Lifetime JP2674665B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674665B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3923107B2 (ja) * | 1995-07-03 | 2007-05-30 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハの製造方法およびその装置 |
| DE19737849A1 (de) * | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Beheizen eines flüssigen oder zähflüssigen Poliermittels sowie Vorrichtung zum Polieren von Wafern |
| DE102007030958B4 (de) | 2007-07-04 | 2014-09-11 | Siltronic Ag | Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben |
| JP6161999B2 (ja) * | 2013-08-27 | 2017-07-12 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
| CN105881131B (zh) * | 2016-06-08 | 2018-10-02 | 济源石晶光电频率技术有限公司 | 自动测频晶片抛光设备 |
| CN111660165A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-09-15 | 刘子龙 | 一种通过转轴转速改变溶剂出量的眼镜片研磨机 |
| CN115091287B (zh) * | 2022-07-15 | 2023-12-29 | 华海清科股份有限公司 | 一种超精密磨削参数调整方法和磨削*** |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0659623B2 (ja) * | 1984-03-23 | 1994-08-10 | 株式会社日立製作所 | ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置 |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1072906A patent/JP2674665B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02250771A (ja) | 1990-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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