JP2602948B2 - 半導体ウェーハの研削装置 - Google Patents
半導体ウェーハの研削装置Info
- Publication number
- JP2602948B2 JP2602948B2 JP9038789A JP9038789A JP2602948B2 JP 2602948 B2 JP2602948 B2 JP 2602948B2 JP 9038789 A JP9038789 A JP 9038789A JP 9038789 A JP9038789 A JP 9038789A JP 2602948 B2 JP2602948 B2 JP 2602948B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- semiconductor wafer
- rotary table
- outlet
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、研削砥石の砥面に冷却液を導入して被削材
たる半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導体ウェ
ーハの研削装置に関する。
たる半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導体ウェ
ーハの研削装置に関する。
従来この種の研削装置にあっては、冷却水の入口温度
と出口温度を検出して研削温度を計測する思想はなかっ
た。被削材たる半導体ウェーハを冷却する場合、流入口
から冷却水を流し続け、吸熱後は機器の底部に設けたド
レンパンで受けるようにしていて、吸熱後の冷却水を積
極的に集水しようとする構造のものは存在しなかった。
と出口温度を検出して研削温度を計測する思想はなかっ
た。被削材たる半導体ウェーハを冷却する場合、流入口
から冷却水を流し続け、吸熱後は機器の底部に設けたド
レンパンで受けるようにしていて、吸熱後の冷却水を積
極的に集水しようとする構造のものは存在しなかった。
半導体ウェーハの研削加工、特に、GaAs半導体ウェー
ハの回路パターン形成後ダイシング前のいわゆるバック
グラインドにおいては、回路パターンも完成されてお
り、ここでウェーハを損傷することは歩留まりの点で大
きな問題となる。
ハの回路パターン形成後ダイシング前のいわゆるバック
グラインドにおいては、回路パターンも完成されてお
り、ここでウェーハを損傷することは歩留まりの点で大
きな問題となる。
しかるに、半導体ウェーハの研削加工に際し、半導体
ウェーハに発生する組織的変形、研削焼け、研削割れ又
は残留応力の遺留等の原因が、その研削により発生する
研削熱によってもたらされることが知られており、ま
た、研削異常が発生した場合、急激に研削熱が上昇する
ことも経験的に良く知られている。このことから上記の
ような不具合を無くすため、あるいは研削異常を発見す
るためにも、研削温度を計測することが必要となってき
た。
ウェーハに発生する組織的変形、研削焼け、研削割れ又
は残留応力の遺留等の原因が、その研削により発生する
研削熱によってもたらされることが知られており、ま
た、研削異常が発生した場合、急激に研削熱が上昇する
ことも経験的に良く知られている。このことから上記の
ような不具合を無くすため、あるいは研削異常を発見す
るためにも、研削温度を計測することが必要となってき
た。
研削温度の計測では、半導体ウェーハに直接温度計を
接触させる方法は困難を伴うため、簡単かつ確実な方法
として、冷却液の入口温度と出口温度の温度差を測定
し、流量との関係から研削温度求めることが考えられ
る。しかし、従来の研削装置にあっては、吸熱後の冷却
液を積極的に集水する構造にはなっておらず研削温度の
計測には不都合なものであった。すなわち、機器底部の
ドレンパンを介して流出口に冷却液を集水したときに
は、冷却液は停溜等によりすでにかなりの放熱がなされ
ていたり、他の内部機器の熱的影響を受けていたりして
いて、上記出口温度の測定が不正確になることが想定さ
れる。
接触させる方法は困難を伴うため、簡単かつ確実な方法
として、冷却液の入口温度と出口温度の温度差を測定
し、流量との関係から研削温度求めることが考えられ
る。しかし、従来の研削装置にあっては、吸熱後の冷却
液を積極的に集水する構造にはなっておらず研削温度の
計測には不都合なものであった。すなわち、機器底部の
ドレンパンを介して流出口に冷却液を集水したときに
は、冷却液は停溜等によりすでにかなりの放熱がなされ
ていたり、他の内部機器の熱的影響を受けていたりして
いて、上記出口温度の測定が不正確になることが想定さ
れる。
本発明は、吸熱後の冷却液を積極的に集水するように
して、正確な研削温度を求め得る半導体ウェーハの研削
装置を提供することをその目的とする。
して、正確な研削温度を求め得る半導体ウェーハの研削
装置を提供することをその目的とする。
本発明は上記目的を達成すべく、研削砥石の砥面に流
出口を介して冷却液を導入し、回転テーブルのステージ
の中央に吸着載置した被削材たる半導体ウェーハを冷却
しながら研削する半導体ウェーハの研削装置において、
ステージの周縁部を上方に延出して形成した周壁と、当
該周壁の内側と回転テーブルの側面に形成した放流口と
を連通する連通流路と、当該放流口の回転軌跡に沿わせ
て設けた集水樋と、冷却液の流入口の上流側と集水樋に
連なる流出口の下流側とにそれぞれ設けた温度検出手段
とを備えたことを特徴とする。
出口を介して冷却液を導入し、回転テーブルのステージ
の中央に吸着載置した被削材たる半導体ウェーハを冷却
しながら研削する半導体ウェーハの研削装置において、
ステージの周縁部を上方に延出して形成した周壁と、当
該周壁の内側と回転テーブルの側面に形成した放流口と
を連通する連通流路と、当該放流口の回転軌跡に沿わせ
て設けた集水樋と、冷却液の流入口の上流側と集水樋に
連なる流出口の下流側とにそれぞれ設けた温度検出手段
とを備えたことを特徴とする。
流入口から研削砥石の砥面に導かれた冷却液は、被削
材たる半導体ウェーハを冷却し、回転テーブルのステー
ジから連通流路、放流口、そして集水樋に導かれて流出
口に至る。
材たる半導体ウェーハを冷却し、回転テーブルのステー
ジから連通流路、放流口、そして集水樋に導かれて流出
口に至る。
ここで、ステージの周縁部に周壁を形成することによ
り、回転テーブルの遠心力により周縁部に向って流れる
冷却液は、周壁に邪魔されてステージの外側に流れ出す
ことがない。また、周壁の内側と放流口とを連通する連
通流路を形成することにより、冷却液を周壁の内側から
回転テーブルの外側に導くことができる。更に、放流口
の回転軌跡に沿わせて集水樋を設けることにより、回転
テーブルの外側に導びかれた吸熱後の冷却水をすべて一
箇所に集めることができる。そして、流入口及び流出口
にそれぞれ温度検出手段とを設ければ、冷却水の入口温
度と出口温度を正確に測定することができる。
り、回転テーブルの遠心力により周縁部に向って流れる
冷却液は、周壁に邪魔されてステージの外側に流れ出す
ことがない。また、周壁の内側と放流口とを連通する連
通流路を形成することにより、冷却液を周壁の内側から
回転テーブルの外側に導くことができる。更に、放流口
の回転軌跡に沿わせて集水樋を設けることにより、回転
テーブルの外側に導びかれた吸熱後の冷却水をすべて一
箇所に集めることができる。そして、流入口及び流出口
にそれぞれ温度検出手段とを設ければ、冷却水の入口温
度と出口温度を正確に測定することができる。
本発明を、回路パターン形成後ダイシング工程前に半
導体ウェーハを所定の厚さに研削する研削装置に実施し
た場合について説明する。
導体ウェーハを所定の厚さに研削する研削装置に実施し
た場合について説明する。
第１図に示すように、半導体ウェーハＷの研削装置１
は、半導体ウェーハＷを吸着載置する回転テーブル２
と、その上方に半導体ウェーハＷを研削する研削砥石３
とを備えており、回転テーブル２は駆動装置（図示せ
ず）により半導体ウェーハＷを載置した状態で回転し、
また、研削砥石３は駆動装置（図示せず）により回転し
ながら昇降動する。この構成により、半導体ウェーハＷ
は研削の際に自らゆっくり回転し、回転しながら徐々に
下降してくる研削砥石３により、所定の厚さまでその表
面である（00）面が均一に研削される。
は、半導体ウェーハＷを吸着載置する回転テーブル２
と、その上方に半導体ウェーハＷを研削する研削砥石３
とを備えており、回転テーブル２は駆動装置（図示せ
ず）により半導体ウェーハＷを載置した状態で回転し、
また、研削砥石３は駆動装置（図示せず）により回転し
ながら昇降動する。この構成により、半導体ウェーハＷ
は研削の際に自らゆっくり回転し、回転しながら徐々に
下降してくる研削砥石３により、所定の厚さまでその表
面である（00）面が均一に研削される。
一方、研削に伴う半導体ウェーハＷの熱的影響を排除
すべく、研削により発生する研削熱は、半導体ウェーハ
Ｗと研削砥石３とで構成される研削面Ｓに導入した高純
水等の冷却水により除去される。
すべく、研削により発生する研削熱は、半導体ウェーハ
Ｗと研削砥石３とで構成される研削面Ｓに導入した高純
水等の冷却水により除去される。
この冷却水は流入口４から研削面Ｓに導入され、研削
面Ｓで研削熱を吸収した後、回転テーブル２のステージ
５上から連通流路６を通って、サイドテーブル７の内側
に取付けた集水樋８に導かれ、流出口９を経て系外へ排
水される。
面Ｓで研削熱を吸収した後、回転テーブル２のステージ
５上から連通流路６を通って、サイドテーブル７の内側
に取付けた集水樋８に導かれ、流出口９を経て系外へ排
水される。
これを詳述するに、回転テーブル２のステージ５に
は、その周縁部を上方に延出して形成した周壁5aと、周
壁5aの内側にこの周壁5aに沿って形成した環状溝5bと、
環状溝5b内に集水樋８に連なる複数の排水口5cとが形成
されており、回転テーブル２の遠心力で中心から外に向
って流れる冷却水を周壁5aで食止め、環状溝5bに集め、
排水口5cから集水樋８側に導く。また、回転テーブル２
には、各排水口5cと回転テーブル２の側面に形成した放
流口10とを連通する連通流路６がその内部に形成されて
いる。
は、その周縁部を上方に延出して形成した周壁5aと、周
壁5aの内側にこの周壁5aに沿って形成した環状溝5bと、
環状溝5b内に集水樋８に連なる複数の排水口5cとが形成
されており、回転テーブル２の遠心力で中心から外に向
って流れる冷却水を周壁5aで食止め、環状溝5bに集め、
排水口5cから集水樋８側に導く。また、回転テーブル２
には、各排水口5cと回転テーブル２の側面に形成した放
流口10とを連通する連通流路６がその内部に形成されて
いる。
集水樋８は、当該回転テーブル２とこれを囲繞するサ
イドテーブル７との間のサイドテーブル７側に取付けら
れており、回転テーブル２と共に回転する放流口10の回
転奇跡に対応すべく環状に形成されている。また、集水
樋８には、冷却水が流出口９に導かれるように勾配が設
けられている。
イドテーブル７との間のサイドテーブル７側に取付けら
れており、回転テーブル２と共に回転する放流口10の回
転奇跡に対応すべく環状に形成されている。また、集水
樋８には、冷却水が流出口９に導かれるように勾配が設
けられている。
一方、流流口４に連なる流入管路11と、流出口９に連
なる流出管路12には、それぞれ温度検出手段である流入
側温度計13と流出側温度計14とが設けられ、入口温度と
出口温度とを測定できるようにしている。
なる流出管路12には、それぞれ温度検出手段である流入
側温度計13と流出側温度計14とが設けられ、入口温度と
出口温度とを測定できるようにしている。
このようにすれば、両温度計13,14で測定した入口温
度と出口温度の温度差と、冷却液の流量とから研削温度
を計測することができ、これをモニターすれば、研削温
度と半導体ウェーハＷの研削割れや残留応力による反り
等の不良品の発生頻度との関係を数値的に求めることが
できる。
度と出口温度の温度差と、冷却液の流量とから研削温度
を計測することができ、これをモニターすれば、研削温
度と半導体ウェーハＷの研削割れや残留応力による反り
等の不良品の発生頻度との関係を数値的に求めることが
できる。
本実施例では、更に図面に示す如く、両温度計13,14
で測定した入口温度と出口温度とが、マイクロコンピュ
ータ15に入力され、ここで研削温度に基づいた演算処理
がなされ、各種操作部16、（例えば、研削砥石３の駆動
装置、回転テーブル２の駆動装置、或いは冷却水の流量
調整装置）に制御信号を送り、研削砥石３の回転速度及
び送り速度、回転テーブル２の回転速度、或いは冷却水
の流量等を選択的に、又は総合的に制御する。
で測定した入口温度と出口温度とが、マイクロコンピュ
ータ15に入力され、ここで研削温度に基づいた演算処理
がなされ、各種操作部16、（例えば、研削砥石３の駆動
装置、回転テーブル２の駆動装置、或いは冷却水の流量
調整装置）に制御信号を送り、研削砥石３の回転速度及
び送り速度、回転テーブル２の回転速度、或いは冷却水
の流量等を選択的に、又は総合的に制御する。
このようにすれば、半導体ウェーハＷの研削不良を大
幅に低減できる。
幅に低減できる。
以上のように本発明によれば、吸熱後の冷却液を積極
的に集水して、他の内部機器からの熱的影響や放熱をで
きるだけ少なくすることにより、冷却液の入口温度と共
に出口温度を正確に測定でき、研削温度と不良品の発生
頻度との関係を体系化できる効果を有する。
的に集水して、他の内部機器からの熱的影響や放熱をで
きるだけ少なくすることにより、冷却液の入口温度と共
に出口温度を正確に測定でき、研削温度と不良品の発生
頻度との関係を体系化できる効果を有する。
第１図は本発明を実施した半導体ウェーハの研削装置の
概略図である。 １……研削装置、２……回転テーブル、３……研削砥
石、４……流入口、５……ステージ、5a……周壁、６…
…連通流路、７……サイドテーブル、８……集水樋、９
……流出口、10……放流口、13……流入側温度計、14…
…流出側温度計、Ｗ……半導体ウェーハ。
概略図である。 １……研削装置、２……回転テーブル、３……研削砥
石、４……流入口、５……ステージ、5a……周壁、６…
…連通流路、７……サイドテーブル、８……集水樋、９
……流出口、10……放流口、13……流入側温度計、14…
…流出側温度計、Ｗ……半導体ウェーハ。
Claims (1)
- 【請求項１】研削砥石の砥面に流出口を介して冷却液を
導入し、回転テーブルのステージの中央に吸着載置した
被削材たる半導体ウェーハを冷却しながら研削する半導
体ウェーハの研削装置において、 ステージの周縁部を上方に延出して形成した周壁と、当
該周壁の内側と回転テーブルの側面に形成した放流口と
を連通する連通流路と、当該放流口の回転軌跡に沿わせ
て設けた集水樋と、冷却液の流入口の上流側と集水樋に
連なる流出口の下流側とにそれぞれ設けた温度検出手段
とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハの研削装
置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9038789A JP2602948B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 半導体ウェーハの研削装置 |
| CA002012878A CA2012878C (en) | 1989-03-24 | 1990-03-22 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| AU52120/90A AU637087B2 (en) | 1989-03-24 | 1990-03-22 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| EP90105542A EP0388972B1 (en) | 1989-03-24 | 1990-03-23 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| DK90105542.6T DK0388972T3 (da) | 1989-03-24 | 1990-03-23 | Apparat til slibning af en halvlederskive |
| DE69024681T DE69024681T2 (de) | 1989-03-24 | 1990-03-23 | Schleifeinrichtung für Halbleiterplättchen |
| KR1019900004924A KR930010977B1 (ko) | 1989-03-24 | 1990-04-10 | 반도체 웨이퍼 연삭장치 |
| US07/747,494 US5113622A (en) | 1989-03-24 | 1991-08-19 | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9038789A JP2602948B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02269564A JPH02269564A (ja) | 1990-11-02 |
| JP2602948B2 true JP2602948B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=13997169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9038789A Expired - Lifetime JP2602948B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-04-10 | 半導体ウェーハの研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2602948B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4697839B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP5829560B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2015-12-09 | 三菱重工業株式会社 | 冷却装置、加工装置、および、冷却油流量決定方法 |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP9038789A patent/JP2602948B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02269564A (ja) | 1990-11-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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