JPH02215129A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02215129A JPH02215129A JP3695389A JP3695389A JPH02215129A JP H02215129 A JPH02215129 A JP H02215129A JP 3695389 A JP3695389 A JP 3695389A JP 3695389 A JP3695389 A JP 3695389A JP H02215129 A JPH02215129 A JP H02215129A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造方法に係り、素子分離酸化膜の形成方
法に関し。
法に関し。
素子形成領域に侵入するバーズビークの長さのパターン
依存性をなりシ、全体としてバーズビークを短くして素
子の高集積化をはかることを目的とし。
依存性をなりシ、全体としてバーズビークを短くして素
子の高集積化をはかることを目的とし。
半導体基板（１）上に端部が少なくとも２方向で分離領
域に接したストライプ状の素子形成領域（１Ｂ）を画定
する素子分離酸化膜（６）を形成するに際し。
域に接したストライプ状の素子形成領域（１Ｂ）を画定
する素子分離酸化膜（６）を形成するに際し。
該素子形成領域（１Ｂ）を含んでストライプ幅方向に延
長した領域上に第１の耐酸化マスク（５Ｂ）を形成し、
該基板を選択酸化して該素子分離酸化膜（６）を形成し
ようとする領域のうちの一部領域の素子分離酸化膜（６
１）を該素子形成領域（１Ｂ）の端部に接して形成し、
該第１の耐酸化マスク（５Ｂ）を除去する工程と、該基
板の前記一部領域の素子分離酸化膜（６１）及び該素子
形成°領域（１Ｂ）上に第２の耐酸化マスク（７Ａ）を
形成し、該基板を選択酸化して残部領域の素子分離酸化
膜（６２）、 （６３）を形成し。
長した領域上に第１の耐酸化マスク（５Ｂ）を形成し、
該基板を選択酸化して該素子分離酸化膜（６）を形成し
ようとする領域のうちの一部領域の素子分離酸化膜（６
１）を該素子形成領域（１Ｂ）の端部に接して形成し、
該第１の耐酸化マスク（５Ｂ）を除去する工程と、該基
板の前記一部領域の素子分離酸化膜（６１）及び該素子
形成°領域（１Ｂ）上に第２の耐酸化マスク（７Ａ）を
形成し、該基板を選択酸化して残部領域の素子分離酸化
膜（６２）、 （６３）を形成し。
該第２の耐酸化マスク（７Ａ）を除去する工程とを有す
るように構成する。
るように構成する。
本発明は半導体装置の製造方法に係り、素子分離酸化膜
の形成方法に関する。
の形成方法に関する。
近年、半導体装置の高集積化に伴い、素子分離領域の縮
小化が要求されるようになった。
小化が要求されるようになった。
素子分離方法の一つとして、半導体基板上の素子形成領
域を窒化膜で覆い、これを耐酸化マスクとして素子形成
領域以外の領域を熱酸化して厚い素子分離酸化膜（フィ
ールド酸化膜）を形成する方法があり、この方法による
と素子分離酸化膜が素子形成領域にバーズビーク状に浸
食し、高集積化を阻害していた。
域を窒化膜で覆い、これを耐酸化マスクとして素子形成
領域以外の領域を熱酸化して厚い素子分離酸化膜（フィ
ールド酸化膜）を形成する方法があり、この方法による
と素子分離酸化膜が素子形成領域にバーズビーク状に浸
食し、高集積化を阻害していた。
〔従来の技術〕
第２図（１）、 （２）は従来例による素子分離酸化膜
の形成を説明する平面図と断面図である。
の形成を説明する平面図と断面図である。
図において、 Ｓｔ基板１上に薄い熱酸化膜２を形成し
、その上に窒化膜３を成長し、窒化１１！３をパターニ
ングして素子分離領域上に窒化膜３Ａと３Ｂを残して耐
酸化マスクとする。
、その上に窒化膜３を成長し、窒化１１！３をパターニ
ングして素子分離領域上に窒化膜３Ａと３Ｂを残して耐
酸化マスクとする。
窒化膜３Ａは垂直方向のストライプに形成され。
窒化膜３Ｂは素子分離領域を隔てて窒化１１ｉ３Ａのス
トライプに垂直に形成される。
トライプに垂直に形成される。
次に、基板をウェット酸化して素子分離酸化膜４を形成
する。
する。
この場合、薄い熱酸化膜２は硬い窒化膜と基板間の影響
緩和のために敷かれるが、この酸化膜２中を酸素が拡散
するので、窒化膜下であっても窒化膜端近傍では酸化膜
が成長し、バーズビーク４Ａ及び４Ｂが形成される。
緩和のために敷かれるが、この酸化膜２中を酸素が拡散
するので、窒化膜下であっても窒化膜端近傍では酸化膜
が成長し、バーズビーク４Ａ及び４Ｂが形成される。
この現象は特に窒化膜３Ｂの端部においては３方向から
酸素の供給が行われるのでこの領域のバーズビーク４Ｂ
は、窒化膜３Ａ側のバーズビーク４Ａより更に大きくな
る。
酸素の供給が行われるのでこの領域のバーズビーク４Ｂ
は、窒化膜３Ａ側のバーズビーク４Ａより更に大きくな
る。
又、バーズビーク４Ａの成長は、レジストの丸まりによ
って窒化膜３Ｂの端部のコーナ部が丸まって形成される
ことによる影響も無視できない。
って窒化膜３Ｂの端部のコーナ部が丸まって形成される
ことによる影響も無視できない。
上記のように従来例による方法では、耐酸化膜のパター
ンによりバーズビークが長（なるという欠点があった。
ンによりバーズビークが長（なるという欠点があった。
本発明はバーズビークの長さのパターン依存性をなくシ
、全体としてバーズビークを短くすることを目的とする
。
、全体としてバーズビークを短くすることを目的とする
。
上記課題の解決は、半導体基板（１）上に端部が少なく
とも２方向で分離領域に接したストライプ状の素子形成
領域 （１Ｂ）を画定する素子分離酸化膜（６）を形成
するに際して、該素子形成領域（１Ｂ）を含んでストラ
イプ幅方向に延長した領域上に第１の耐酸化マスク（５
Ｂ）を形成し、該基板を選択酸化して該素子分離酸化膜
（６）を形成しようとする領域のうちの一部領域の素子
分離酸化膜（６１）を該素子形成領域（１Ｂ）の端部に
接して形成し、該第１の耐酸化マスク（５Ｂ）を除去す
る工程と、該基板の前記一部領域の素子分離酸化膜（６
１）及び該素子形成領域（１Ｂ）上に第２の耐酸化マス
ク（７Ａ）を形成し。
とも２方向で分離領域に接したストライプ状の素子形成
領域 （１Ｂ）を画定する素子分離酸化膜（６）を形成
するに際して、該素子形成領域（１Ｂ）を含んでストラ
イプ幅方向に延長した領域上に第１の耐酸化マスク（５
Ｂ）を形成し、該基板を選択酸化して該素子分離酸化膜
（６）を形成しようとする領域のうちの一部領域の素子
分離酸化膜（６１）を該素子形成領域（１Ｂ）の端部に
接して形成し、該第１の耐酸化マスク（５Ｂ）を除去す
る工程と、該基板の前記一部領域の素子分離酸化膜（６
１）及び該素子形成領域（１Ｂ）上に第２の耐酸化マス
ク（７Ａ）を形成し。
該基板を選択酸化して残部領域の素子分離酸化膜（６２
）、 （６３）を形成し、該第２の耐酸化マスク（７Ａ
）を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法によ
り達成される。
）、 （６３）を形成し、該第２の耐酸化マスク（７Ａ
）を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法によ
り達成される。
本発明は選択酸化工程の窒化膜パターン形成から選択酸
化までの工程を２回に分割し、１回目及び２回目の酸化
ともバーズビーク形成の原因となる酸素の供給を１方向
よりのみ行うことによりバーズビーク長のパターン依存
性をなくするようにしたものである。
化までの工程を２回に分割し、１回目及び２回目の酸化
ともバーズビーク形成の原因となる酸素の供給を１方向
よりのみ行うことによりバーズビーク長のパターン依存
性をなくするようにしたものである。
第１図（１）〜（５）は本発明の一実施例による素子分
離酸化膜の形成を説明する平面図及び断面図である。
離酸化膜の形成を説明する平面図及び断面図である。
この例は比較のために第２図の従来例と同じパターンを
使用する。
使用する。
第２図の窒化膜３＾及び３Ｂに対応する領域を、ここで
は第１の素子形成領域ＩＡ及び第２の素子形成領域１Ｂ
とする。
は第１の素子形成領域ＩＡ及び第２の素子形成領域１Ｂ
とする。
■ 第１回目の選択酸化
第１図（１）、 （２）において、 Ｓｉ基板１上に厚
さ３００人の薄い熱酸化膜２を形成し、その上に窒化膜
５を成長し、窒化膜５をパターニングして窒化膜５＾及
び５Ｂを残し第１の耐酸化マスクとする。
さ３００人の薄い熱酸化膜２を形成し、その上に窒化膜
５を成長し、窒化膜５をパターニングして窒化膜５＾及
び５Ｂを残し第１の耐酸化マスクとする。
窒化膜５Ａは素子形成領域ＩＡ上において垂直方向のス
トライプに形成され、窒化膜５Ｂは素子分離領域を隔て
て素子形成領域１Ｂを含んで窒化膜５Ａに平行にストラ
イプ状に形成される。
トライプに形成され、窒化膜５Ｂは素子分離領域を隔て
て素子形成領域１Ｂを含んで窒化膜５Ａに平行にストラ
イプ状に形成される。
次に、基板をウェット酸化して素子分離酸化膜６のうち
の一部領域上に素子分離酸化膜６１を形成する。
の一部領域上に素子分離酸化膜６１を形成する。
この場合、バーズビーク６１Ａ及び６１Ｂが形成される
が、いずれも酸素の供給は１方向のみから行われるため
バーズビーク長は同程度であり、且つ短い。
が、いずれも酸素の供給は１方向のみから行われるため
バーズビーク長は同程度であり、且つ短い。
次に、熱燐酸を用いて耐酸化マスク５Ａ及び５Ｂを除去
する。
する。
■ 第２回目の選択酸化
第１図（３）〜（５）にいて、基板全面に窒化膜７を成
長し、窒化膜７をパターニングして窒化膜７＾を残して
第２の耐酸化マスクとする。
長し、窒化膜７をパターニングして窒化膜７＾を残して
第２の耐酸化マスクとする。
窒化膜７Ａは、素子形成領域１＾、素子分離酸化膜６１
及び素子形成領域１Ｂ上を覆って形成する。
及び素子形成領域１Ｂ上を覆って形成する。
次に、基板をウェット酸化して残部の素子分離酸化膜６
２．６３を形成し、前記の素子分離酸化膜６１と一体化
して全体の素子分離酸化膜６を得る。
２．６３を形成し、前記の素子分離酸化膜６１と一体化
して全体の素子分離酸化膜６を得る。
この場合、バーズビーク６２＾及び６３Ｂが形成される
が、いずれも酸素の供給は１方向のみから行われるため
バーズビーク長は同程度で短い。
が、いずれも酸素の供給は１方向のみから行われるため
バーズビーク長は同程度で短い。
次に、熱燐酸を用いて窒化膜７Ａを除去して素子分離工
程を終了する。
程を終了する。
上記の素子分離酸化膜の形成は水蒸気雰囲気中で９００
℃、３２０分で５００人の膜厚が得られる。
℃、３２０分で５００人の膜厚が得られる。
又、この膜厚に対してバーズビーク長は従来長いもので
０．４μｍ程度であったが、実施例ではすべて０．１５
μｍ程度に形成することができた。
０．４μｍ程度であったが、実施例ではすべて０．１５
μｍ程度に形成することができた。
又、耐酸化マスク用の窒化膜はいずれも、気相成長（Ｃ
ＶＤ）法を用いて厚さ１５００人に成長した。
ＶＤ）法を用いて厚さ１５００人に成長した。
この後通常の工程を経て素子形成領域に素子形成を行い
半導体装置を完成する。
半導体装置を完成する。
以上説明したように本発明によれば、半導体装置の製造
における素子分離酸化膜形成工程において、バーズビー
クの長さのパターン依存性をなくすることができる。こ
の結果、全体としてバーズビークを短くでき、デバイス
の高集積化に寄与することができる。
における素子分離酸化膜形成工程において、バーズビー
クの長さのパターン依存性をなくすることができる。こ
の結果、全体としてバーズビークを短くでき、デバイス
の高集積化に寄与することができる。
第１図（υ〜（５）は本発明の一実施例による素子分離
酸化膜の形成を説明する平面図及び断面図。 第２図（１）、 （２）は従来例による素子分離酸化膜
の形成を説明する平面図と断面図である。 １はＳｔ基板。 ＩＡは第１の素子形成領域。 １Ｂは第２の素子形成領域。 ２は薄い熱酸化膜。 ５は窒化膜。 ５Ａ、 ５Ｂは窒化膜で第１の耐酸化マスク。 ６ （６１，６２，６３）は素子分離酸化膜。 ７は窒化膜。 ７Ａは窒化膜で第２の耐酸化マスク 第 図 平面図 （２）Ａ−八 新開 従来例を説明する図 第 図
酸化膜の形成を説明する平面図及び断面図。 第２図（１）、 （２）は従来例による素子分離酸化膜
の形成を説明する平面図と断面図である。 １はＳｔ基板。 ＩＡは第１の素子形成領域。 １Ｂは第２の素子形成領域。 ２は薄い熱酸化膜。 ５は窒化膜。 ５Ａ、 ５Ｂは窒化膜で第１の耐酸化マスク。 ６ （６１，６２，６３）は素子分離酸化膜。 ７は窒化膜。 ７Ａは窒化膜で第２の耐酸化マスク 第 図 平面図 （２）Ａ−八 新開 従来例を説明する図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板（１）上に端部が少なくとも２方向で分離領
域に接したストライプ状の素子形成領域（１Ｂ）を画定
する素子分離酸化膜（６）を形成するに際し、 該素子形成領域（１Ｂ）を含んでストライプ幅方向に延
長した領域上に第１の耐酸化マスク（５Ｂ）を形成し、
該基板を選択酸化して該素子分離酸化膜（６）を形成し
ようとする領域のうちの一部領域の素子分離酸化膜（６
１）を該素子形成領域（１Ｂ）の端部に接して形成し、
該第１の耐酸化マスク（５Ｂ）を除去する工程と、 該基板の前記一部領域の素子分離酸化膜（６１）及び該
素子形成領域（１Ｂ）上に第２の耐酸化マスク（７Ａ）
を形成し、該基板を選択酸化して残部領域の素子分離酸
化膜（６２）、（６３）を形成し、該第２の耐酸化マス
ク（７Ａ）を除去する工程 とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3695389A JPH02215129A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3695389A JPH02215129A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215129A true JPH02215129A (ja) | 1990-08-28 |
Family
ID=12484111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3695389A Pending JPH02215129A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02215129A (ja) |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP3695389A patent/JPH02215129A/ja active Pending
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