JPH02205818A - 調光フイルム - Google Patents
調光フイルムInfo
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- JPH02205818A JPH02205818A JP2588389A JP2588389A JPH02205818A JP H02205818 A JPH02205818 A JP H02205818A JP 2588389 A JP2588389 A JP 2588389A JP 2588389 A JP2588389 A JP 2588389A JP H02205818 A JPH02205818 A JP H02205818A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[利用分野]
本発明は調光フィルムに関する。液晶材料は電界や熱を
加えることにより光線の透過を制御できるので電卓の表
示素子やテレビ画面などに応用されている。近年、建物
の窓が大面積化しているため、窓の透視性を任意にコン
トロールすることができれば安全性、居住性、その他を
目的とした広範な応用が期待される。しかしながら従来
の前記の如き応用を目上して開発された液晶材料含有素
子は、上記の如き目的を達成する上では、全く不向きの
ものである。
加えることにより光線の透過を制御できるので電卓の表
示素子やテレビ画面などに応用されている。近年、建物
の窓が大面積化しているため、窓の透視性を任意にコン
トロールすることができれば安全性、居住性、その他を
目的とした広範な応用が期待される。しかしながら従来
の前記の如き応用を目上して開発された液晶材料含有素
子は、上記の如き目的を達成する上では、全く不向きの
ものである。
本発明者らは、上記の如き目的に適した液晶材料を用い
た構成体を得るべく鋭意研究し、本発明に到達したもの
である。
た構成体を得るべく鋭意研究し、本発明に到達したもの
である。
[発明の構成1
本発明は、可撓性透明フィルムの少くとも片面に透明導
電性膜が設けられた第1の透明導電性フィルムの透明導
電膜の両対辺に電極そ設置し、第2の透明導電性フィル
ムの透明導電膜の少なくとも1辺に電極を設置して、液
晶材料層の両面を上記透明導電膜が、液晶材料層の両面
に接するように挾み込んだ調光フィルムにおいて、第1
の透明導電性膜の電極間に通電時は、第2の透明導電性
フィルムには電圧印加しない様に第1の配線をし、第1
の透明導電性フィルムの片方の電極と第2の透明導電性
フィルムの電極間に電圧印加する様に第2の配線を設け
、第1の配線と第2の配線を切り換える様になしてある
調光フィルムである。
電性膜が設けられた第1の透明導電性フィルムの透明導
電膜の両対辺に電極そ設置し、第2の透明導電性フィル
ムの透明導電膜の少なくとも1辺に電極を設置して、液
晶材料層の両面を上記透明導電膜が、液晶材料層の両面
に接するように挾み込んだ調光フィルムにおいて、第1
の透明導電性膜の電極間に通電時は、第2の透明導電性
フィルムには電圧印加しない様に第1の配線をし、第1
の透明導電性フィルムの片方の電極と第2の透明導電性
フィルムの電極間に電圧印加する様に第2の配線を設け
、第1の配線と第2の配線を切り換える様になしてある
調光フィルムである。
本発明における透明導電性フィルムの可撓性透明フィル
ムは、主として有機高分子フィルムからなるものである
が、かかる有機高分子化合物としては、耐熱性を有する
透明な有機高分子化合物であれば特に限定しない。通常
耐熱性としては、好ましくは100℃以上、特に好まし
くは130℃以上のものであって、例えば、ポリイミド
、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリパラバン
酸。
ムは、主として有機高分子フィルムからなるものである
が、かかる有機高分子化合物としては、耐熱性を有する
透明な有機高分子化合物であれば特に限定しない。通常
耐熱性としては、好ましくは100℃以上、特に好まし
くは130℃以上のものであって、例えば、ポリイミド
、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリパラバン
酸。
ポリヒダントインを始めとし、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン−2,6−ナフタレンジカルボキシ
レート、ポリジアリルフタレート、ポリカーボネート等
のポリエステル系樹脂、延伸硬質塩ビ、延伸ポリプロピ
レン、ポリエチレン等のポリオレフィン系樹脂及び芳香
族ポリアミド、セルローストリアセテート等が挙げられ
る。もちろんこれらはホモポリマー、コポリマーとして
、又、単独又はブレンドとしても使用しうる。
ート、ポリエチレン−2,6−ナフタレンジカルボキシ
レート、ポリジアリルフタレート、ポリカーボネート等
のポリエステル系樹脂、延伸硬質塩ビ、延伸ポリプロピ
レン、ポリエチレン等のポリオレフィン系樹脂及び芳香
族ポリアミド、セルローストリアセテート等が挙げられ
る。もちろんこれらはホモポリマー、コポリマーとして
、又、単独又はブレンドとしても使用しうる。
かかる有機高分子化合物の成型物の形状は特に限定され
るものではないが、通常シート状、フィルム状のものが
好ましく、中でもフィルム状のものは巻取り可能であり
、又連続生産が可能である為、特に好ましい。更にフィ
ルム状のものが使用される場合においては、フィルムの
厚さは6〜500μmが好ましく、更には12〜125
μmが好ましい。
るものではないが、通常シート状、フィルム状のものが
好ましく、中でもフィルム状のものは巻取り可能であり
、又連続生産が可能である為、特に好ましい。更にフィ
ルム状のものが使用される場合においては、フィルムの
厚さは6〜500μmが好ましく、更には12〜125
μmが好ましい。
これらのフィルム又はシートは透明性を損わない程度に
おいて顔料を添加したり、又、表面加工例えばサンドマ
ット加工等をほどこしてもよい。
おいて顔料を添加したり、又、表面加工例えばサンドマ
ット加工等をほどこしてもよい。
又、これらのフィルム又はシートは単独でもラミネート
して用いてもよい。
して用いてもよい。
更に、その上に形成される透明導電層との密着性を向上
させるため透明導電層形成前にフィルム上に中間層を形
成しても良い。中間層としては例えば有機ケイ素化合物
、チタンアルキルエステル。
させるため透明導電層形成前にフィルム上に中間層を形
成しても良い。中間層としては例えば有機ケイ素化合物
、チタンアルキルエステル。
ジルコニウムアルキルエステル等の有機金属化合物の加
水分解により生成された層が好ましく用いられる。鎖中
rへ層は、多層構成としても良い。
水分解により生成された層が好ましく用いられる。鎖中
rへ層は、多層構成としても良い。
該中間層は、フィルム上に塗布後、乾燥し、加熱、イオ
ンボンバード或いは紫外線、β線、γ線などの放射線に
より硬化させる。
ンボンバード或いは紫外線、β線、γ線などの放射線に
より硬化させる。
また該中間層の塗布には、透明フィルムや塗工液の形状
、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラビ
アロールコータ−、カーテンコーター、ナイフコーター
などの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、浸
漬法などが用いられる。
、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラビ
アロールコータ−、カーテンコーター、ナイフコーター
などの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、浸
漬法などが用いられる。
該中間層の厚さとしては、100〜1000人が好まし
く、特に200〜900人が好ましい。100人未満の
場合には、連続層を形成しないため密着性向上効果がな
い。又、1000人をこえると、クラックや剥離を生じ
たりして好ましくない。
く、特に200〜900人が好ましい。100人未満の
場合には、連続層を形成しないため密着性向上効果がな
い。又、1000人をこえると、クラックや剥離を生じ
たりして好ましくない。
又、本発明における透明導電性フィルムは例えばインジ
ウム酸化物よりなる透明導電性膜上に耐スクラッチ性を
向上させるといういわゆる表面保護の目的のために保護
層を積層させてもよい。
ウム酸化物よりなる透明導電性膜上に耐スクラッチ性を
向上させるといういわゆる表面保護の目的のために保護
層を積層させてもよい。
かかる保護層としては、Ti 02 、 Sn 02
。
。
Si 02 、Zr 02 、Zn O等の透明酸化物
。
。
Si3N4.TiN等の窒化物あるいはアクリロニトリ
ル樹脂、スチレン樹脂、アクリレート樹脂。
ル樹脂、スチレン樹脂、アクリレート樹脂。
ポリエステル樹脂等の透明な有機化合物重合体或いは、
有機ケイ素化合物、チタンアルキルエステル、ジルコニ
ウムアルキルエステル等の有機金属化合物等を用いる事
ができる。
有機ケイ素化合物、チタンアルキルエステル、ジルコニ
ウムアルキルエステル等の有機金属化合物等を用いる事
ができる。
かかる保護膜の厚さは透明導電性膜の特性を低下させな
い範囲で任意に設ける事が可能である。
い範囲で任意に設ける事が可能である。
また本発明における透明導電性フィルムは、有機高分子
フィルムの両面に必要に応じて中間層を介して透明導電
性膜を積層した構成にしても良く、或いは有機高分子フ
ィルムの片面に必要に応じて中間層を介して透明導電性
膜を積層した構成において、透明導電性膜を積層した面
と反対面において透明性を損わない範囲で接着性2表面
硬度、光常時性等を改善する目的で、例えば前述した中
間層と同種の層や、酸化物層、窒化物層、硫化物層。
フィルムの両面に必要に応じて中間層を介して透明導電
性膜を積層した構成にしても良く、或いは有機高分子フ
ィルムの片面に必要に応じて中間層を介して透明導電性
膜を積層した構成において、透明導電性膜を積層した面
と反対面において透明性を損わない範囲で接着性2表面
硬度、光常時性等を改善する目的で、例えば前述した中
間層と同種の層や、酸化物層、窒化物層、硫化物層。
炭化物層や有機物層を設けても良い。
本発明の透明導電性膜は金属及び/又は金属酸化物薄膜
よりなる。金属薄膜単独あるいは金属酸化物薄膜単独で
あることもできるし、それらの組合せであることもでき
る。
よりなる。金属薄膜単独あるいは金属酸化物薄膜単独で
あることもできるし、それらの組合せであることもでき
る。
本発明で用いる透明導電層の特性は、波長550nmに
おける透過率が50%以上、好ましくは60%以上、表
面抵抗値が1〜1000Ω/口、好ましくは5〜500
Ω/口である。
おける透過率が50%以上、好ましくは60%以上、表
面抵抗値が1〜1000Ω/口、好ましくは5〜500
Ω/口である。
より具体的には以下の如きものを挙げることができる。
■ 金、銅、銀、アルミニウム、パラジウム等の単独或
いは合金金属簿膜: ■ 酸化インジウム、酸化スズ等の金属酸化物薄膜: ■ ■の金属薄膜と、■の金属酸化物薄膜との組合せに
より、ある波長領域における透明性を改善したもの: 特に上記■の構成体の代表的なものは、例えば真空蒸着
9反応性蒸着、化学コーティング法又はスパッタリング
法を用いて形成されたBi 203/Au /B! 2
03 、 Zn S/AIJ /Zn s。
いは合金金属簿膜: ■ 酸化インジウム、酸化スズ等の金属酸化物薄膜: ■ ■の金属薄膜と、■の金属酸化物薄膜との組合せに
より、ある波長領域における透明性を改善したもの: 特に上記■の構成体の代表的なものは、例えば真空蒸着
9反応性蒸着、化学コーティング法又はスパッタリング
法を用いて形成されたBi 203/Au /B! 2
03 、 Zn S/AIJ /Zn s。
Ti O2/AO/Ti 02 、 Si 02 /
(AU及び/又はAQ ) /Si Oz 、 7r
02 /AQCu /Zr 02 、 [n 203
/AIJ −Cu /In z Oa 、 Ti 0
2 /A!II ・Cu /Ti 02が挙げられる。
(AU及び/又はAQ ) /Si Oz 、 7r
02 /AQCu /Zr 02 、 [n 203
/AIJ −Cu /In z Oa 、 Ti 0
2 /A!II ・Cu /Ti 02が挙げられる。
又金属酸化物′Oa膜は金属薄膜の片面のみであっても
良い。
良い。
これら金属WI膜及び金属酸化物薄膜の膜厚は、通常数
十〜数千人の範囲であり、液晶材料の駆動電極としての
み使用するか、電流を通し発熱体として使用するか、断
熱性能を兼ねるために赤外反射能も備えるかにより膜厚
が異る。
十〜数千人の範囲であり、液晶材料の駆動電極としての
み使用するか、電流を通し発熱体として使用するか、断
熱性能を兼ねるために赤外反射能も備えるかにより膜厚
が異る。
−船内に金属薄膜を使用する前記■及び■の場合、その
膜厚は駆動電極のみの機能の場合50〜100人、赤外
反射能も必要な場合は100〜200人、および発熱体
として使用する場合は50〜200人程度が普通である
。
膜厚は駆動電極のみの機能の場合50〜100人、赤外
反射能も必要な場合は100〜200人、および発熱体
として使用する場合は50〜200人程度が普通である
。
■の金属酸化物のみの場合は、駆動電極のみの機能の場
合150〜300人、発熱体としてのみの機能の場合2
00〜5000人、赤外反射能も備える場合0.2〜0
.5μm程度が普通である。
合150〜300人、発熱体としてのみの機能の場合2
00〜5000人、赤外反射能も備える場合0.2〜0
.5μm程度が普通である。
■の場合の金属酸化物は、光の干渉に関与する機能のみ
であるので導電性は必要なく膜厚は100〜300人程
度である。
であるので導電性は必要なく膜厚は100〜300人程
度である。
金属薄膜は、薄い膜厚で導電性、赤外反91能の機能を
発現する事ができ、基板フィルム側の電極材料としては
適している。しかしながら、膜厚が厚くなると透明性が
下るので■の例で示したように、金属酸化物の積層によ
り透過率アップを計る事が好ましい。
発現する事ができ、基板フィルム側の電極材料としては
適している。しかしながら、膜厚が厚くなると透明性が
下るので■の例で示したように、金属酸化物の積層によ
り透過率アップを計る事が好ましい。
更に又、前記金属酸化物で前記金属層を挾んだ構成の一
層又は複数層とする事も出来る。
層又は複数層とする事も出来る。
本発明に用いられる透明導電性膜は主としてインジウム
酸化物を含む層がとりわけ好適である。
酸化物を含む層がとりわけ好適である。
インジウム酸化物層は本来透明な電気絶縁体であるが、
■微量の不純物を含有する場合、■わずかに酸素不足に
なっている場合等に半導体になる。
■微量の不純物を含有する場合、■わずかに酸素不足に
なっている場合等に半導体になる。
好ましい半導体金属酸化物としては、例えば、不純物と
して錫又はフッ素を含む酸化インジウムをあげることが
できる。特に好ましくは、酸化錫を2〜20wt%含む
インジウム酸化物の膜である。
して錫又はフッ素を含む酸化インジウムをあげることが
できる。特に好ましくは、酸化錫を2〜20wt%含む
インジウム酸化物の膜である。
本発明に用いられる主としてインジウム酸化物よりなる
透明導電層の膜厚は十分な導電性を得るためには、30
Å以上であることが好ましく、50Å以上であれば更に
好ましい。また、十分に透明度の高い被膜を得るため、
には、500Å以下である事が好ましく、400Å以下
がより好ましい。
透明導電層の膜厚は十分な導電性を得るためには、30
Å以上であることが好ましく、50Å以上であれば更に
好ましい。また、十分に透明度の高い被膜を得るため、
には、500Å以下である事が好ましく、400Å以下
がより好ましい。
このインジウム酸化物を含む層は真空蒸着法。
スパッタリング法、イオンブレーティング法等によって
形成することができる。
形成することができる。
真空蒸着法には、インジウムを主成分とする合金又は酸
化インジウムを主成分とする成型物を用いることができ
る。前者においては真空槽内に酸素ガス等の反応性ガス
を導入して反応性蒸着を行なう。後者においては、真空
槽内に微量の酸素ガス等の反応性ガスを導入するか或い
はガス導入をせずに蒸着を行なう。
化インジウムを主成分とする成型物を用いることができ
る。前者においては真空槽内に酸素ガス等の反応性ガス
を導入して反応性蒸着を行なう。後者においては、真空
槽内に微量の酸素ガス等の反応性ガスを導入するか或い
はガス導入をせずに蒸着を行なう。
蒸着材料の加熱手段としては抵抗加熱方式、高周波加熱
方式、電子ビーム加熱方式等公知の方式が適用できる。
方式、電子ビーム加熱方式等公知の方式が適用できる。
高速で組成ずれなく膜形成を行なう方法としては電子ビ
ーム加熱方式が好ましい。
ーム加熱方式が好ましい。
スパッタリング法には、インジウムを主成分とする合金
又は、酸化インジウムを主成分とする焼結体をターゲッ
トとして用いることができる。前者においては、アルゴ
ン等の不活性ガス及び酸素ガス等の反応性ガスを真空槽
内に導入して、反応性スパッタリングを行なう。後者に
おいては、アルゴン等の不活性ガス単独か或いはアルゴ
ン等の不活性ガスに微徨の酸素ガス等の反応性ガスを混
合したものを用いてスパッタリングを行なう。スパッタ
リングの方式は直流又は高周波二極スパッタ、直流又は
高周波マグネトロンスパッタ、イオンビームスパッタ等
公知の方式が適用できる。中でもマグネトロン方式は基
板へのプラズマ衝撃が少く、高速製膜が可能で好ましい
。
又は、酸化インジウムを主成分とする焼結体をターゲッ
トとして用いることができる。前者においては、アルゴ
ン等の不活性ガス及び酸素ガス等の反応性ガスを真空槽
内に導入して、反応性スパッタリングを行なう。後者に
おいては、アルゴン等の不活性ガス単独か或いはアルゴ
ン等の不活性ガスに微徨の酸素ガス等の反応性ガスを混
合したものを用いてスパッタリングを行なう。スパッタ
リングの方式は直流又は高周波二極スパッタ、直流又は
高周波マグネトロンスパッタ、イオンビームスパッタ等
公知の方式が適用できる。中でもマグネトロン方式は基
板へのプラズマ衝撃が少く、高速製膜が可能で好ましい
。
又、イオンブレーティング法には、インジウムを主成分
とする合金又は、酸化インジウムを主成分とする成型物
を用いることができる。前者においては酸素ガス等の反
応性ガス単独、或いは反応性ガスとアルゴン等の不活性
ガスの混合ガスを真空槽内に導入して反応性イオンブレ
ーティングを行なう。後者においては、アルゴン等の不
活性ガス単独か或いは不活性ガスにy!ilの酸素ガス
等の反応性ガスを混合したものを用いる。
とする合金又は、酸化インジウムを主成分とする成型物
を用いることができる。前者においては酸素ガス等の反
応性ガス単独、或いは反応性ガスとアルゴン等の不活性
ガスの混合ガスを真空槽内に導入して反応性イオンブレ
ーティングを行なう。後者においては、アルゴン等の不
活性ガス単独か或いは不活性ガスにy!ilの酸素ガス
等の反応性ガスを混合したものを用いる。
ここでイオンブレーティング法とは蒸発粒子及び/又は
導入ガスの一部をイオン化しつつ膜形成を行なうもので
あり、イオン化の手段としては、直流、交流、高周波、
マイクロ波等を印加する方法がある。又蒸発源近くにイ
オン化電極を設け、導入ガスを必要としない方法もある
。
導入ガスの一部をイオン化しつつ膜形成を行なうもので
あり、イオン化の手段としては、直流、交流、高周波、
マイクロ波等を印加する方法がある。又蒸発源近くにイ
オン化電極を設け、導入ガスを必要としない方法もある
。
本発明における液晶材料はネマチック型、コレステリッ
ク型、スメクチック型のいずれもが用いられる。
ク型、スメクチック型のいずれもが用いられる。
ネマチック型としては、ポリ〈p−フェニレンテレフタ
ルアミド)、ポリ(p−ベンズアミド)。
ルアミド)、ポリ(p−ベンズアミド)。
ポリ(p−フェニレンベンゾビスオキサゾール)。
ポリ(p−フェニレンベンゾビスチアゾール)等の高分
子液晶、あるいは4′−メトキシベンジリデン−4′−
ブチルアニリン、4−シアノ−4′−ヘキソキシビフェ
ニル、シアノビフェニル化合物、シアノフェニルシクロ
ヘキサン化合物、シアノシクロへキシルシクロヘキサン
化合物などの化合物があげられる。
子液晶、あるいは4′−メトキシベンジリデン−4′−
ブチルアニリン、4−シアノ−4′−ヘキソキシビフェ
ニル、シアノビフェニル化合物、シアノフェニルシクロ
ヘキサン化合物、シアノシクロへキシルシクロヘキサン
化合物などの化合物があげられる。
これらの化合物は、駆動特性、安定性などを調整するた
めに数種混合されて使用される場合が茨い。又、それら
混合された商品も多数市販されており、これらも適用で
きる。
めに数種混合されて使用される場合が茨い。又、それら
混合された商品も多数市販されており、これらも適用で
きる。
コレステリック型としては、コレステリルリル−ト、コ
レステリルオレエート、セルロース。
レステリルオレエート、セルロース。
セルロース誘導体、DNA、RNA、ポリペプチド等が
ある。
ある。
スメクチック型としては、ポリエステル等がある。
本発明における液晶材料は、正の誘電異方性を備えたネ
マチック型の液晶が好ましい。
マチック型の液晶が好ましい。
本発明の液晶層は、これら液晶材料はそのままで用いる
ごともできるし、高分子化合物などの固体物質中に包含
させることもできる。包含する方法としては、単純に高
分子化合物と液晶材料を溶剤などと共に混合し、電極を
備えたプラスチックフィルム基板などに塗布した後、溶
剤をとばして該基板フィルム上に液晶材料を包含した高
分子化合物の膜として形成する方法、あらかじめ液晶材
料をマイクロカプセル化しておきその後に高分子化合物
及び溶剤と混合して塗布、乾燥する方法などがあり、任
意の方法が選択される。この場合、液晶層の膜厚は数μ
m〜数百μmの範囲で任意に選ばれるが、コスト、透明
性の点などから数十μ乳の膜厚が好ましい。
ごともできるし、高分子化合物などの固体物質中に包含
させることもできる。包含する方法としては、単純に高
分子化合物と液晶材料を溶剤などと共に混合し、電極を
備えたプラスチックフィルム基板などに塗布した後、溶
剤をとばして該基板フィルム上に液晶材料を包含した高
分子化合物の膜として形成する方法、あらかじめ液晶材
料をマイクロカプセル化しておきその後に高分子化合物
及び溶剤と混合して塗布、乾燥する方法などがあり、任
意の方法が選択される。この場合、液晶層の膜厚は数μ
m〜数百μmの範囲で任意に選ばれるが、コスト、透明
性の点などから数十μ乳の膜厚が好ましい。
上記の中でも液晶材料は高分子材料等の固体物質中に数
μmの大きさに球状に包含される事が好ましい。公知の
通り液晶層はこのような状態で電極に電圧を印加しない
場合、液晶材料が全体としてランダムに配向するために
入射してくる光を散乱する。そして電極に所定例えば5
0〜100Vの直流ないし交流電圧を印加すると液晶材
料の持つ誘電異方性により液晶材料は電場に平行に配向
し、入射する光を散乱する事なく透過する。この現象に
より積層構成の調光フィルムは電圧のオン、オフにより
光の透過量を調整する事ができ、調光窓。
μmの大きさに球状に包含される事が好ましい。公知の
通り液晶層はこのような状態で電極に電圧を印加しない
場合、液晶材料が全体としてランダムに配向するために
入射してくる光を散乱する。そして電極に所定例えば5
0〜100Vの直流ないし交流電圧を印加すると液晶材
料の持つ誘電異方性により液晶材料は電場に平行に配向
し、入射する光を散乱する事なく透過する。この現象に
より積層構成の調光フィルムは電圧のオン、オフにより
光の透過量を調整する事ができ、調光窓。
調光カーテンなどとして使用できる。
本発明における調光フィルムにおいては、第1の透明導
電性フィルムの両対辺に電極を設け、通電により発熱体
として使用できる様に第1の配線を設けてあり、又、第
2の透明導電性フィルムは調光フィルムの機能のため、
電極は最少1辺に設け、第1の透明導電性フィルムの通
電用の電極の1方との間に電圧印加できる様に第2の配
線が設置されている。通常、調光フィルムは、ボ時、電
圧印加により透明にする様な使用方法は考えられず、必
要な時のみ電圧印加し、透明にし、透視できる様にする
使用方法が液晶材料の耐久性の点から普通である。
電性フィルムの両対辺に電極を設け、通電により発熱体
として使用できる様に第1の配線を設けてあり、又、第
2の透明導電性フィルムは調光フィルムの機能のため、
電極は最少1辺に設け、第1の透明導電性フィルムの通
電用の電極の1方との間に電圧印加できる様に第2の配
線が設置されている。通常、調光フィルムは、ボ時、電
圧印加により透明にする様な使用方法は考えられず、必
要な時のみ電圧印加し、透明にし、透視できる様にする
使用方法が液晶材料の耐久性の点から普通である。
よって、通常、液晶材料間には電場は必要でない。よっ
て本発明においては第1の透明導電性フィルムの機能を
有効に使用するには、液晶材料間に電場をかけない時は
透明導電性フィルムを発熱体として使用し、その機能を
最大限に生かすことが可能である。第1の配線と第2の
配線は、スイッチにより切り換えて、同時に入らない様
にしておかなければ調光フィルムとしての機能を果し得
ない。
て本発明においては第1の透明導電性フィルムの機能を
有効に使用するには、液晶材料間に電場をかけない時は
透明導電性フィルムを発熱体として使用し、その機能を
最大限に生かすことが可能である。第1の配線と第2の
配線は、スイッチにより切り換えて、同時に入らない様
にしておかなければ調光フィルムとしての機能を果し得
ない。
本発明の調光フィルムにおいては、調光フィルムに2つ
の機能があり、スイッチの切り換えという簡単な操作で
、調光フィルムでありながら発熱体であるという特徴を
有している。よって、その効果は大きく、建物や車輌の
窓等においては、調光機能以外に発熱体として結露防止
効果をもたすことができる。又、陳列ケース等において
結露防止効果があり、調光可能をもった窓を有する扉を
つけることも可能となる。勿論、冷房強化により、通常
より低い温度に調整されている実験室や保温倉庫等の昨
や窓に使用できることは言うまでもない。又、発熱体と
して、常時、澗められているため低温時においても液晶
の変化は早いという利点がある。
の機能があり、スイッチの切り換えという簡単な操作で
、調光フィルムでありながら発熱体であるという特徴を
有している。よって、その効果は大きく、建物や車輌の
窓等においては、調光機能以外に発熱体として結露防止
効果をもたすことができる。又、陳列ケース等において
結露防止効果があり、調光可能をもった窓を有する扉を
つけることも可能となる。勿論、冷房強化により、通常
より低い温度に調整されている実験室や保温倉庫等の昨
や窓に使用できることは言うまでもない。又、発熱体と
して、常時、澗められているため低温時においても液晶
の変化は早いという利点がある。
以下、実施例により、更に具体的に説明する。
実施例
無色透明な二輪延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ム(厚み125μ)をスパッタリング装置内の基板保持
台に固定し真空槽内を2X10−5T orrまで排気
した。Ar102混合ガス(0225%)を真空槽内に
導入し圧力を4 x 1O−3T orrに保持し、1
n3nターゲツト(3方5wt%)を用いて、反応性ス
パッタリングを行ない有機ケイ素化合物層上にITO膜
からなる透明導電層を形成した。
ム(厚み125μ)をスパッタリング装置内の基板保持
台に固定し真空槽内を2X10−5T orrまで排気
した。Ar102混合ガス(0225%)を真空槽内に
導入し圧力を4 x 1O−3T orrに保持し、1
n3nターゲツト(3方5wt%)を用いて、反応性ス
パッタリングを行ない有機ケイ素化合物層上にITO膜
からなる透明導電層を形成した。
第1の透明導電層としては、TTO膜厚を400人とし
、その表面抵抗110Ω/口、波長550niの透過率
は79%とした。又、第2の透明導電層としてはITO
膜厚を270人としその表面抵抗300Ω/口、波長5
50nmの透過率は84%であった。
、その表面抵抗110Ω/口、波長550niの透過率
は79%とした。又、第2の透明導電層としてはITO
膜厚を270人としその表面抵抗300Ω/口、波長5
50nmの透過率は84%であった。
次に第1の透明導電性フィルムをeo、、 X so、
、の大きさに切り、ITO膜上の両辺に発熱体としての
電極を設け、その電極にリード線を取り付けた。
、の大きさに切り、ITO膜上の両辺に発熱体としての
電極を設け、その電極にリード線を取り付けた。
リード線間の抵抗値は168Ωであった。
続いて、上記第1の透明導電性フィルムのIT0膜面上
に、アクリル樹脂(三菱レーヨン LR574)と液晶
<BDH社 E−37)との混合物(固形分換算で1:
1,3)のメチルエチルケトン溶液を塗工した後、
100℃2分間乾燥し、厚さ11μmの液晶材料層を形
成した。
に、アクリル樹脂(三菱レーヨン LR574)と液晶
<BDH社 E−37)との混合物(固形分換算で1:
1,3)のメチルエチルケトン溶液を塗工した後、
100℃2分間乾燥し、厚さ11μmの液晶材料層を形
成した。
次に第2の透明導電性フィルムを60cta X 60
CIRの大きさに切り、ITO膜上の1辺に電極をとり
付け、その電極にリード線をとりつけた後、第1の透明
導電性フィルム上の液晶材料層側に第2の透明II性フ
ィルムのITO膜面を向けて貼り合わせ、発熱体の機能
を有する調光フィルムを作成した。
CIRの大きさに切り、ITO膜上の1辺に電極をとり
付け、その電極にリード線をとりつけた後、第1の透明
導電性フィルム上の液晶材料層側に第2の透明II性フ
ィルムのITO膜面を向けて貼り合わせ、発熱体の機能
を有する調光フィルムを作成した。
続いて、第1の透明導電性フィルムのリード線間に交流
100Vを通電出来る様に第1の配線をし、第1のスイ
ッチ取り付け、又、第2の透明IJN性フィルムのリー
ド線と第1の透明導電性フィルムのリード線の1方との
間に交流100Vの電圧が印加出来る様に第2の配線を
し、第2のスイッチを取りつけた。第1の配線、第2の
配線に取りつけられている第1のスイッチと第2のスイ
ッチは連動させてあり、双方同時に入らない様にしであ
る。
100Vを通電出来る様に第1の配線をし、第1のスイ
ッチ取り付け、又、第2の透明IJN性フィルムのリー
ド線と第1の透明導電性フィルムのリード線の1方との
間に交流100Vの電圧が印加出来る様に第2の配線を
し、第2のスイッチを取りつけた。第1の配線、第2の
配線に取りつけられている第1のスイッチと第2のスイ
ッチは連動させてあり、双方同時に入らない様にしであ
る。
第1のスイッチを1閉ONIにして通電したところ、約
5分後、調光フィルムの温度が11℃上昇した。又、第
2のスイッチを1閉ON+にしたところ(当然筒1のス
イッチは1間OFF+となり、調光フィルムの温度は低
下してくる)、可視光透過率が4%から60%まで瞬時
にして変化し、良好な透視性を有していた。更に第2の
スイッチを開OFF+としたところ、再び調光フィルム
は発熱体としての機能を発揮し、上記の温度まで上昇し
た。
5分後、調光フィルムの温度が11℃上昇した。又、第
2のスイッチを1閉ON+にしたところ(当然筒1のス
イッチは1間OFF+となり、調光フィルムの温度は低
下してくる)、可視光透過率が4%から60%まで瞬時
にして変化し、良好な透視性を有していた。更に第2の
スイッチを開OFF+としたところ、再び調光フィルム
は発熱体としての機能を発揮し、上記の温度まで上昇し
た。
Claims (1)
- (1)可撓性透明フィルムの少くとも片面に透明導電性
膜が設けられた第1の透明導電性フィルムの透明導電膜
の両対辺に電極を設置し、第2の透明導電性フィルムの
透明導電膜の少なくとも1辺に電極を設置して、液晶材
料層の両面を上記透明導電膜が、液晶材料層の両面に接
するように挾み込んだ調光フィルムにおいて、第1の透
明導電性膜の電極間に通電時は、第2の透明導電性フィ
ルムには電圧印加しない様に第1の配線をし、第1の透
明導電性フィルムの片方の電極と第2の透明導電性フィ
ルムの電極間に電圧印加する様に第2の配線を設け、第
1の配線と第2の配線を切り換える様になしてある調光
フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2588389A JPH02205818A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 調光フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2588389A JPH02205818A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 調光フイルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02205818A true JPH02205818A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12178181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2588389A Pending JPH02205818A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 調光フイルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02205818A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120300208A1 (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Seiko Epson Corporation | Optical filter, optical filter module, and photometric analyzer |
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1989
- 1989-02-06 JP JP2588389A patent/JPH02205818A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120300208A1 (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Seiko Epson Corporation | Optical filter, optical filter module, and photometric analyzer |
US8817268B2 (en) * | 2011-05-25 | 2014-08-26 | Seiko Epson Corporation | Optical filter, optical filter module, and photometric analyzer |
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