JP2848266B2

JP2848266B2 - 透明電磁波シールド基板

Info

Publication number: JP2848266B2
Application number: JP7088796A
Authority: JP
Inventors: 健蔵福吉; 幸弘木村; 孝二今吉; 修古賀
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1995-03-22
Filing date: 1995-03-22
Publication date: 1999-01-20
Anticipated expiration: 2014-01-20
Also published as: JPH08264991A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電磁波を遮断して電磁
波障害（ＥＭＩ）を防止する電磁波シールド基板に係
り、特に、各種ディスプレイの表示画面表面や建築用窓
等に適用されてその透明性を損なうことなく、高い電磁
波シールド効果を長期間に亘って安定して発揮できる電
磁波シールド基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の発達に伴い、これら電
子機器が外部電磁波から悪影響を受けて誤動作を引起こ
す問題が懸念されており、これら電子機器を外部電磁波
から保護したり電子機器から発生する電磁波を遮断する
電磁波シールド技術が注目を集めている。

【０００３】この電磁波シールド効果は一般に下記
（１）式で表現される。すなわち、この式から分かるよ
うに電磁波シールド効果はその材料の導電性に関連して
おり、近年の高い要求（３０ｄＢ程度の電磁波シールド
効果）に応えるためには５Ω／□程度の低い表面抵抗率
が求められている。

【０００４】電磁波シールド効果（ｄＢ）＝２０×log（Ｅｉ／Ｅｔ）（１）（但し、式中、Ｅｉは電磁波シールド材料に入射した電
磁波の電界強度、Ｅｔはこの電磁波シールド材料を透過
した電磁波の電界強度をそれぞれ示す）このため、従来、電磁波シールド技術としては、金属
箔、導電性塗料の塗膜、あるいは溶射された亜鉛膜等の
高導電膜を利用する方法が知られており、例えば、電子
機器の箱体にこれら導電膜を施して電子機器を外部電磁
波から保護したり、電子機器から発生する電磁波の外部
への漏出を防止している。

【０００５】他方、透明性が要求される部位（例えば、
各種ディスプレイの表示画面）からの電磁波の透過を防
止する方法としては、透明導電膜として知られるＩＴＯ
薄膜を適用する方法が提案されている（例えば、特開昭
６２−２１５２０２号公報、Thin Solid Film 226(199
3) 104-109 参照）が、これらに適用されるＩＴＯ薄膜
の比抵抗はせいぜい２．４×１０^-4Ω・cmに過ぎない。
このため、厚さ３００ｎｍ程度のＩＴＯ薄膜を適用する
特開昭６２−２１５２０２号記載の発明においては十分
な電磁波シールド効果を得ることができず、他方、厚み
１０００ｎｍのＩＴＯ薄膜を適用する『Thin Solid Fil
m 226(1993) 104-109 』に記載の手段においても、２３
ｄＢ程度の電磁波シールド効果が得られるものの、可視
光線透過率が７５％まで低下しその透明性を犠牲にして
いる。また、ＩＴＯ薄膜は高い屈折率を有するためこの
表面の光反射率が高く、各種ディスプレイの表示画面表
面にＩＴＯ薄膜を適用した場合、蛍光灯等の外部光源が
表示画面中に映り込んでその視認性を低下させ易かっ
た。

【０００６】また、透明部位に適用する電磁波シールド
膜として導電性の高い銀薄膜を利用しかつその被膜を５
〜３０ｎｍ程度に薄膜化させて透明性を確保し、これに
ＩＴＯ等の透明な誘電体薄膜を積層して構成される多層
構造の電磁波シールド膜も提案されている（特開昭６３
−１７３３９５号公報参照）。そして、この手段により
８３％程度の可視光線透過率を維持したまま２３ｄＢ程
度の電磁波シールド効果が確保されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記特開昭６
３−１７３３９５号公報に記載された電磁波シールド膜
においては、空気中の水分とＩＴＯ及び銀薄膜とが反応
し易く、銀薄膜に経時的にシミ状の変質が生じてその透
明性が損なわれると共に電磁波シールド効果も低下する
問題点があった。

【０００８】本発明はこのような問題点に着目してなさ
れたもので、その課題とするところは、電磁波シールド
効果と可視光線透過率が高く、しかも経時劣化がなく長
期間に亘って安定した高いシールド効果と光透過性能と
を発揮できる電磁波シールド基板を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に係
る発明は、透明基板上に、透明酸化物薄膜、厚さ５〜３
０ｎｍの銀系薄膜及び透明酸化物薄膜の三層をこの順で
備える透明電磁波シールド基板を前提とし、上記透明酸
化物薄膜が、酸化インジウムから成る第１の基材と、銀
との固溶域をもたないか若しくは小さい元素の酸化物か
ら成る第２の基材との混合酸化物にて構成され、かつ、
上側の上記透明酸化物薄膜上に防湿性を有する低屈折率
の透明樹脂層が設けられていることを特徴とするもので
ある。

【００１０】そして、請求項１に係る発明においては上
側の透明酸化物薄膜上に防湿性を有する透明樹脂層が設
けられているため、この透明樹脂層が空気中の水分から
銀系薄膜を保護してその経時劣化を防止することが可能
となる。

【００１１】ここで、請求項１記載の発明に係る透明樹
脂層としては、空気中の水分の透過を防止する防湿性を
有する樹脂が利用でき、かつ、その表面の光反射を防止
して高い透明性を確保するため、屈折率１．３〜１．６
程度の低屈折率のものが好適に利用できる。また、その
厚みは、十分な透明性を確保し、かつ、コストを低く抑
えるため、０．１〜５μｍ程度が望ましい。

【００１２】尚、この透明樹脂層に指紋や水滴等が付着
することを防止して長期間に亘ってその透明性を高く維
持するため、この透明樹脂層として撥水性を有する樹脂
を適用することが望ましい。請求項２に係る発明はこの
ような技術的理由からなされている。

【００１３】すなわち、請求項２に係る発明は、請求項
１記載の発明に係る透明電磁波シールド基板を前提と
し、上記透明樹脂層が撥水性を有することを特徴とする
ものである。

【００１４】このような撥水性の透明樹脂層としては、
例えば、フッ素系樹脂、オルガノポリシラン樹脂やポリ
シロキサン樹脂等シリコン基を有する樹脂、エポキシ樹
脂等が挙げられる。

【００１５】また、上記透明樹脂層としては、透明酸化
物薄膜表面や銀系薄膜表面からの正反射光を防止してそ
のぎらつきを防止するため、光散乱性を有するものを適
用することが好ましい。光散乱性を有する透明樹脂とし
てはその表面に光の波長程度の凹凸を有するものが適用
できるが、上記透明樹脂層の厚みが０．１〜５μｍ程度
であることから、この透明樹脂層に粒径０．１〜０．９
μｍの透明粉末を分散させることによりその表面に上記
凹凸を設けることが可能である。請求項３及び４に係る
発明はこのような技術的理由からなされたものである。

【００１６】すなわち、請求項３に係る発明は、請求項
１又は２記載の発明に係る透明電磁波シールド基板を前
提とし、上記透明樹脂層が光散乱性を有することを特徴
とし、他方、請求項４に係る発明は、請求項３記載の発
明に係る透明電磁波シールド基板を前提とし、上記透明
樹脂層が平均粒径０．１〜０．９μｍの透明粉末を含有
することを特徴とするものである。

【００１７】そして、これら請求項３〜４に係る発明に
よれば、透明酸化物薄膜表面や銀系薄膜表面からの正反
射光が防止されてそのぎらつきを防止できるため、電磁
波シールド基板を通してその反対側を良好に透視するこ
とが可能となる。従って、例えば、液晶表示装置の表示
画面表面に電磁波シールド基板が適用された場合、その
表示画面を明るくまた高いコントラストで観察すること
が可能となる。

【００１８】尚、請求項４に係る透明粉末としては、透
明樹脂層の透明性を維持するため、透明樹脂層の屈折率
と同程度の屈折率を有するものが好ましい。すなわち、
透明樹脂層の屈折率が１．３〜１．６程度であることか
ら、上記透明粉末も１．３〜１．６程度の屈折率を有す
るものが好適に利用できる。そして、透明樹脂と透明粉
末の屈折率が共に１．３〜１．６の範囲にある場合、光
透過率を高く維持したままその光反射とぎらつきとが防
止されて、透明性の高い電磁波シールド基材を得ること
が可能となる。他方、これに反して透明粉末の屈折率が
透明樹脂の屈折率と異なる場合には、その透明性は劣る
もののペーパーホワイト状に光散乱を呈するようになる
ため、その色彩を生かした用途に適用することができ
る。例えば、反射型液晶表示装置の表示画面表面に適用
されてその視野角を増大させることが可能となる。

【００１９】次に、請求項４記載の発明に係る透明粉末
としては、例えば、透明顔料が利用でき、このような透
明顔料としては、酸化チタン、酸化珪素、酸化亜鉛、酸
化アルミニウム等の無機酸化物；硫酸バリウム等の無機
硫化物；フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等のフ
ッ化物等が挙げられる。また、上記透明粉末として、ポ
リジビニルベンゼン、ポリスチレン、ポリテトラフルオ
ロエチレン等の樹脂粉末；これらの樹脂から構成される
中空のビーズ；あるいはこれらの樹脂又はその中空ビー
スの表面に表面処理を施した粉末等を利用することもで
きる。このような透明粉末は、上記透明樹脂層中で０．
１〜０．９μｍの平均粒径を有するものであればよく、
その製造工程中の粒径を問わない。例えば、０．１μｍ
より小さい平均粒径の透明粉末を含有する樹脂塗料や印
刷インキを使用し、この塗料を透明酸化物薄膜上に塗布
又は印刷しその乾燥工程中で上記透明粉末を二次凝集さ
せて、平均粒径０．１〜０．９μｍの透明粉末を形成す
ることも可能である。

【００２０】尚、請求項１〜４記載の発明に係る透明樹
脂層は、バーコーティング、ロールコーティング、グラ
ビアコーティング、カーテンコーティング、スピンコー
ティング、フレキソ印刷、スクリーン印刷等の方法で塗
布又は印刷して形成することが可能である。

【００２１】次に、銀系薄膜の両面に設けられる上記透
明酸化物薄膜としては、銀系薄膜の導電性を補ってその
電磁波シールド効果を増大させると共に、銀系薄膜との
化学反応が起こり難いものが好ましい。そこで、請求項
１記載の発明に係る透明酸化物薄膜として、酸化インジ
ウムから成る第１の基材と、銀との固溶域をもたないか
若しくは小さい元素の酸化物から成る第２の基材との混
合酸化物にて構成されるものが適用されている。

【００２２】

【００２３】この様に請求項１記載の発明に係る透明電
磁波シールド基板によれば、透明酸化物薄膜が酸化イン
ジウムから成る第１の基材と、銀との固溶域をもたない
か若しくは小さい元素の酸化物から成る第２の基材との
混合酸化物にて構成され、銀系薄膜の導電性を補ってそ
の電磁波シールド効果を増大させ、しかも銀系薄膜との
化学反応を起こすことなく銀系薄膜を安定に保つため、
その透明性と電磁波シールド効果を長期間に亘って維持
することが可能となる。

【００２４】尚、銀との固溶域をもたないか若しくは小
さい上記元素としては、例えば、チタン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、タンタル、セリウム、珪素、ビスマ
ス、クロム等が使用でき、これらの中でも、チタン、ジ
ルコニウム、ハフニウム、タンタル又はセリウムが好ま
しく利用できる。請求項５に係る発明は、上記元素を特
定した発明に関する。

【００２５】すなわち、請求項５に係る発明は、請求項
１記載の発明に係る透明電磁波シールド基板を前提と
し、銀との固溶域をもたないか若しくは小さい上記元素
が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル及び
セリウムから選択された１又は２以上の元素にて構成さ
れていることを特徴とするものである。

【００２６】そして、請求項５記載の発明に係る透明電
磁波シールド基板によれば、銀との固溶域をもたないか
若しくは小さい元素が、チタン、ジルコニウム、ハフニ
ウム、タンタル及びセリウムから選択された１又は２以
上の元素にて構成されているため、透明酸化物薄膜がＩ
ＴＯ薄膜により構成されている場合に較べてその屈折率
を約２．１〜２．３へと大きく増大させることができ
る。従って、この透明酸化物薄膜が銀系薄膜の反射防止
膜として作用し、光反射率を低下させてその光透過率を
増大させるため、高い透明性を維持したまま銀系薄膜の
膜厚を増大させてその導電率と電磁波シールド効果とを
増大させることが可能となる。例えば、銀系薄膜の厚さ
を１４ｎｍとすると面積抵抗率が２．８Ω／□、１６ｎ
ｍとすると２Ω／□程度の高導電率でしかも可視光線の
全域に亘って８０％以上の高透過率を有する透明電磁波
シールド膜を得ることが可能となる。

【００２７】尚、銀との固溶域をもたないか若しくは小
さい上記元素の含有割合がインジウムに対し５atom％
（原子％）未満である場合にはその耐湿性や屈折率が不
足して保存安定性や光透過率の改善が不十分である。他
方、５０atom％を越えると、その成膜に適用されるター
ゲットの加工が困難で割れ易くなり、また成膜速度が著
しく低下する。これに対し、５〜５０atom％の場合に
は、スパッタリング法を適用し、高屈折率で高品質の透
明酸化物薄膜を高速度で効率的に成膜することができ
る。このため、銀との固溶域をもたないか若しくは小さ
い上記元素の含有割合は５〜５０atom％が望ましい。

【００２８】ここで、上記スパッタリング法としては、
ＤＣスパッタリングやＲＦ−ＤＣスパッタリング等の直
流スパッタリング法、ＲＦ（高周波）スパッタリング法
が利用できる。但し、銀との固溶域をもたないか若しく
は小さい上記元素の含有割合がインジウムに対し３０at
om％を越えた場合、その成膜に必要なターゲットの導電
性が失われるため、ＤＣスパッタリングやＲＦ−ＤＣス
パッタリング等の直流スパッタリングによる成膜は不可
能となる。この場合、ＲＦスパッタリングによる成膜は
可能であるが、ＲＦスパッタリングにおいては成膜につ
れて透明酸化物薄膜を支持する基板が加熱されるため、
上記基板がプラスチックフィルムである場合、上記加熱
やスパッタリング時に生じる酸素プラズマにより銀系薄
膜が凝集してその導電率が低下することがある。

【００２９】次に、銀との固溶域をもたないか若しくは
小さい上記元素がチタンとこれより少量のセリウムとか
ら構成されている場合、スパッタリング速度が大きく増
大し（上記元素がチタンのみから構成される場合と較べ
て２０〜３０％増大する）、しかもスパッタリング装置
内の酸素分圧の変動に影響され難く光透過率や導電率が
安定した透明酸化物薄膜を形成することができる。請求
項６に係る発明は、このような技術的理由に基づいてな
されたものである。

【００３０】すなわち、請求項６に係る発明は、請求項
５記載の発明に係る透明電磁波シールド基板を前提と
し、銀との固溶域をもたないか若しくは小さい上記元素
が、チタンとこれより少量のセリウムとで構成されてい
ることを特徴とするものである。

【００３１】尚、本発明に係る透明酸化物薄膜は、これ
を単層の薄膜にて構成できる他、多層の薄膜にて構成す
ることも可能である。例えば、銀系薄膜に接触させて、
酸化インジウムから成る第１の基材と、銀との固溶域を
もたないか若しくは小さい元素の酸化物から成る第２の
基材との混合酸化物にて構成される薄膜を設け、この上
に酸化珪素薄膜を設けてこれら２層の薄膜により上記透
明酸化物薄膜を構成してもよい。また、上記透明酸化物
薄膜として、その組成が膜厚方向に連続的に変化する薄
膜を利用することもできる。この様な透明酸化物薄膜と
しては、銀系薄膜に接触する面が、酸化インジウムから
成る第１の基材と、銀との固溶域をもたないか若しくは
小さい元素の酸化物から成る第２の基材との混合酸化物
にて構成され、銀系薄膜から遠ざかるに従って連続的に
酸化珪素の濃度が増大する薄膜等が例示される。

【００３２】次に、本発明に係る銀系薄膜としては、銀
単体の薄膜の他、銀の拡散を防止し、あるいはその硬度
を増大させるため、銀の固溶限度以下の濃度で他の元素
を添加した合金が利用できる。このような添加元素とし
ては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｕ又
はＳｎ等が例示できるが、上記透明酸化物薄膜との化学
反応に起因した銀系薄膜の損傷を防止するため、銀との
固溶域をもたないか若しくは小さい上記元素に対して固
溶域のない金属元素を使用することが望ましい。このよ
うな金属元素としては、Ａｌ、Ｃｕ又はＮｉが挙げられ
る。

【００３３】尚、上記銀系薄膜が膜厚５ｎｍに満たない
場合その導電性が低く、また３０ｎｍを越える場合その
光透過率が低く、いずれの場合も上記透明電磁波シール
ド基板に適さない。

【００３４】また、上記銀系薄膜と透明酸化物薄膜と
は、いずれもスパッタリング法によって成膜できる他、
真空蒸着法やイオンプレーティング法等の真空成膜法に
よって成膜することが可能であるが、その生産性の点か
ら上述したスパッタリング法が好ましく利用できる。そ
して、成膜の際、成膜装置内部の酸素量を制御すること
により上記透明酸化物薄膜中の酸素元素含有量を制御し
てその屈折率をコントロールすることができる。また、
この際、銀系薄膜の劣化を防止するため成膜装置内部の
水分は少ない方が好ましく、また、１８０℃以下又は室
温の基板温度で成膜することが望ましい。そして、銀系
薄膜と透明酸化物薄膜の全体を１８０℃以下又は室温の
基板温度で成膜した後、２００℃以上の温度でアニーリ
ング処理を施すことによりこれら膜全体の導電性を増大
させることが可能である。

【００３５】次に、本発明に係る透明基板としては、例
えば、ガラス、プラスチックボード、プラスチックフィ
ルム等が利用できる。また、本発明に係る透明基板とし
て、偏光フィルムを有する液晶表示装置のパネル基板
や、その反対面に透明電極や液晶駆動素子あるいはカラ
ーフィルター層等を備える液晶表示装置のパネル基板等
を利用することもでき、また、上記偏光フィルム、位相
差フィルム、又はこれらの保護フィルムを透明基板とし
てこの上に銀系薄膜や透明酸化物薄膜及び透明樹脂層を
積層して本発明に係る透明電磁波シールド基板を構成さ
せ、この透明電磁波シールド基板を上記パネル基板に積
層することも可能である。尚、上記保護フィルムとして
は、トリアセチルセルロースフィルム、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム等が使用できる。

【００３６】

【作用】請求項１〜６記載の発明に係る透明電磁波シー
ルド基板によれば、厚さ５〜３０ｎｍの銀系薄膜上に設
けられた透明酸化物薄膜の上に防湿性を有する低屈折率
の透明樹脂層を備えるため、この透明樹脂層が空気中の
水分から銀系薄膜を保護してその経時劣化を防止でき、
かつ、表面の光反射をも防止することが可能となり、更
に、上記透明酸化物薄膜が酸化インジウムから成る第１
の基材と、銀との固溶域をもたないか若しくは小さい元
素の酸化物から成る第２の基材との混合酸化物にて構成
され、銀系薄膜の導電性を補ってその電磁波シールド効
果を増大させ、しかも銀系薄膜との化学反応を起こすこ
となく銀系薄膜を安定に保つため、その透明性と電磁波
シールド効果を長期間に亘って維持することが可能とな
る。次に、請求項２記載の発明に係る透明電磁波シール
ド基板によれば、上記透明樹脂層が撥水性を有している
ため、この透明樹脂層に指紋や水滴等が付着することを
防止して長期間に亘ってその透明性を高く維持すること
が可能となる。

【００３７】また、請求項３〜４記載の発明に係る透明
電磁波シールド基板によれば、上記透明樹脂層が光散乱
性を有していることから、透明酸化物薄膜表面や銀系薄
膜表面からの正反射光が防止されてそのぎらつきを防止
でき、電磁波シールド基板を通してその反対側を良好に
透視することが可能となる。

【００３８】

【００３９】また、請求項５〜６記載の発明に係る透明
電磁波シールド基板によれば、銀との固溶域をもたない
か若しくは小さい元素が、チタン、ジルコニウム、ハフ
ニウム、タンタル及びセリウムから選択された１又は２
以上の元素にて構成されているため、透明酸化物薄膜が
ＩＴＯ薄膜により構成されている場合に較べてその屈折
率を約２．１〜２．３へと大きく増大させることができ
る。従って、この透明酸化物薄膜が銀系薄膜の反射防止
膜として作用し、光反射率を低下させてその光透過率を
増大させるため、高い透明性を維持したまま銀系薄膜の
膜厚を増大させその導電率と電磁波シールド効果とを増
大させることが可能となる。

【００４０】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て詳細に説明する。

【００４１】［実施例１］この実施例に係る透明電磁波
シールド基板１は、図１に示すように偏光フィルムを透
明基板１０とし、この透明基板１０上に順次積層された
厚さ４０ｎｍの透明酸化物薄膜１１と、厚さ１４ｎｍの
銀系薄膜１２及び厚さ４０ｎｍの透明酸化物薄膜１３
と、この透明酸化物薄膜１３上に積層された厚さ約０．
２５μｍの透明樹脂層１４とでその主要部が構成されて
いる。尚、上記透明酸化物薄膜１１，１３は、いずれも
ジルコニア（ＺｒＯ₂）を１８atom％含有する酸化イン
ジウムの薄膜（ＩＺＯ）にて構成されており、他方、銀
系薄膜１２は銅（Ｃｕ）を２atom％含有する銀により構
成されている。また、透明樹脂層１４は平均粒径０．２
μｍのフッ化マグネシウム粉末を均一に分散させたフッ
素系アクリル樹脂にて構成されている。

【００４２】そして、上記透明酸化物薄膜１１、銀系薄
膜１２及び透明酸化物薄膜１３の全体の面積抵抗を測定
したところ、約４．５Ω／□であった。また、波長５５
０ｎｍの可視光線の反射率は約０．５％であった。

【００４３】次に、この実施例に係る透明電磁波シール
ド基板１を空気中で１ケ月間放置して観察したところ、
その表面に外観の変化はまったく観察されなかった。

【００４４】［実施例２］この実施例に係る透明電磁波
シールド基板２は、図２に示すようにガラス基板２０上
に順次積層された厚さ４０ｎｍのＩＺＯ薄膜２１と、厚
さ１２ｎｍの銀系薄膜２２及び厚さ４０ｎｍのＩＺＯ薄
膜２３と、このＩＺＯ薄膜２３上に積層された厚さ約
０．２μｍの透明樹脂層２４とでその主要部が構成され
ている。尚、銀系薄膜２２はアルミニウム（Ａｌ）を１
atom％含有する銀により構成されている。また、透明樹
脂層２４は平均粒径０．１μｍの酸化珪素（ＳｉＯ₂）
粉末を均一に分散させたエポキシ樹脂にて構成されてい
る。

【００４５】そして、上記ＩＺＯ薄膜２１、銀系薄膜２
２及びＩＺＯ薄膜２３の全体の面積抵抗を測定したとこ
ろ、約４．０Ω／□であった。また、波長５５０ｎｍの
可視光線の反射率は約０．８％であった。

【００４６】次に、この透明電磁波シールド基板２を空
気中で１ケ月間放置して観察したところ、実施例１と同
様にその表面に外観の変化はまったく観察されなかっ
た。

【００４７】［比較例］実施例１及び２と比較するた
め、ガラス基板を透明基板とし、この上に、順次、厚さ
４０ｎｍの酸化インジウム薄膜、厚さ１２ｎｍの銀薄膜
及び厚さ４０ｎｍの酸化インジウム薄膜を積層した。

【００４８】そして、上記酸化インジウム薄膜を露出さ
せたまま空気中で１ケ月間放置して観察したところ、実
施例に係る透明電磁波シールド基板と相違して肉眼で観
察できるシミが多数発生していることが確認できた。

【００４９】［実施例３］この実施例に係る透明電磁波
シールド基板３は、図３に示すように厚さ０．７ｍｍの
ガラス基板３０と、この上に順次積層された厚さ３５ｎ
ｍの透明酸化物薄膜３１と、厚さ１４ｎｍの銀系薄膜
（但し、銅を０．８atom％含有する）３２及び厚さ３５
ｎｍの透明酸化物薄膜３３と、この透明酸化物薄膜３３
上に積層された厚さ約０．２５μｍの透明樹脂層３４と
でその主要部が構成されている。尚、上記透明酸化物薄
膜３１，３３は、いずれも、酸化チタン（ＴｉＯ₂）を
含有する酸化インジウムの薄膜にて構成されており、酸
化チタンの含有量は、チタン元素がインジウム元素の２
０atom％となる量である。また、透明樹脂層３４は平均
粒径０．２μｍのフッ化マグネシウム粉末を均一に分散
させたフッ素系アクリル樹脂にて構成されている。

【００５０】そして、この透明電磁波シールド基板３
は、以下のような方法で製造されたものである。

【００５１】まず、ガラス基板３０の表面をアルカリ系
界面活性剤と水とで洗浄した後、真空槽内に収容し、逆
スパッタリングと呼ばれるプラズマ処理を施してさらに
洗浄した。

【００５２】次に、ガラス基板３０を真空槽中から取り
出すことなく、このガラス基板３０を室温に維持した状
態で、スパッタリング法により、透明酸化物薄膜３１、
銀薄膜３２及び透明酸化物薄膜３３を順次成膜した。

【００５３】次に、２２０℃、１時間のアニール処理を
施し、続いて上記透明樹脂層３４を塗布乾燥して、上記
透明電磁波シールド基板３を製造した。

【００５４】そして、上記透明酸化物薄膜３１、銀薄膜
３２及び透明酸化物薄膜３３の全体の面積抵抗を測定し
たところ、約２．７Ω／□であった。また、その可視光
線透過率について下記表１に示す。

【００５５】次に、この実施例に係る透明電磁波シール
ド基板３を空気中で８週間間放置して観察したところ、
実施例１と同様にその表面に外観の変化はまったく観察
されなかった。

【００５６】［実施例４］この実施例に係る透明電磁波
シールド基板３は、透明酸化物薄膜３１，３３として、
酸化チタン（ＴｉＯ₂）及び酸化セリウム（ＣｅＯ₂）
を含有する酸化インジウムの薄膜が適用されている点を
除き実施例３と略同一である。尚、酸化チタンの含有量
は、チタン元素がインジウム元素の１６atom％となる量
であり、酸化セリウムの含有量は、セリウム元素がイン
ジウム元素の４atom％となる量である。

【００５７】そして、透明酸化物薄膜３１、銀系薄膜３
２及び透明酸化物薄膜３３の全体の面積抵抗は約２．７
Ω／□であった。またその可視光線透過率を表１に示
す。

【００５８】また、この透明導電膜３を空気中で８週間
間放置して観察したところ、実施例１と同様にその表面
に外観の変化はまったく観察されなかった。

【００５９】

【表１】

【００６０】

【発明の効果】請求項１〜６に係る発明によれば、厚さ
５〜３０ｎｍの銀系薄膜上に設けられた透明酸化物薄膜
の上に防湿性を有する低屈折率の透明樹脂層を備えるた
め、この透明樹脂層が空気中の水分から銀系薄膜を保護
してその経時劣化を防止でき、かつ、表面の光反射をも
防止することが可能となり、更に、上記透明酸化物薄膜
が酸化インジウムから成る第１の基材と、銀との固溶域
をもたないか若しくは小さい元素の酸化物から成る第２
の基材との混合酸化物にて構成され、銀系薄膜の導電性
を補ってその電磁波シールド効果を増大させ、しかも銀
系薄膜との化学反応を起こすことなく銀系薄膜を安定に
保つため、その透明性と電磁波シールド効果を長期間に
亘って維持することが可能となる。

【００６１】従って、本発明に係る透明電磁波シールド
基板が各種ディスプレイの表示画面表面や建築用窓等に
適用された場合、その透明性を損なうことなくしかも高
い電磁波シールド効果を長期間に亘って安定して発揮で
きる効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１に係る透明電磁波シールド基板の断面
図。

【図２】実施例２に係る透明電磁波シールド基板の断面
図。

【図３】実施例３に係る透明電磁波シールド基板の断面
図。

【符号の説明】

１透明電磁波シールド基板１０透明基板１１透明酸化物薄膜１２銀系薄膜１３透明酸化物薄膜１４透明樹脂層２透明電磁波シールド基板２０ガラス基板２１透明酸化物薄膜２２銀系薄膜２３透明酸化物薄膜２４透明樹脂層３透明電磁波シールド基板３０ガラス基板３１透明酸化物薄膜３２銀系薄膜３３透明酸化物薄膜３４透明樹脂層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者古賀修東京都台東区台東１丁目５番１号凸版印刷株式会社内 (56)参考文献特開昭63−173395（ＪＰ，Ａ) 特開平６−164186（ＪＰ，Ａ) 特開平１−232301（ＪＰ，Ａ) 実開昭61−145631（ＪＰ，Ｕ) 特公昭56−39038（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H05K 9/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に、透明酸化物薄膜、厚さ５〜
３０ｎｍの銀系薄膜及び透明酸化物薄膜の三層をこの順
で備える透明電磁波シールド基板において、上記透明酸化物薄膜が、酸化インジウムから成る第１の
基材と、銀との固溶域をもたないか若しくは小さい元素
の酸化物から成る第２の基材との混合酸化物にて構成さ
れ、かつ、上側の上記透明酸化物薄膜上に防湿性を有す
る低屈折率の透明樹脂層が設けられていることを特徴と
する透明電磁波シールド基板。
【請求項２】上記透明樹脂層が、撥水性を有することを
特徴とする請求項１記載の透明電磁波シールド基板。
【請求項３】上記透明樹脂層が、光散乱性を有すること
を特徴とする請求項１又は２記載の透明電磁波シールド
基板。
【請求項４】上記透明樹脂層が、平均粒径０．１〜０．
９μｍの透明粉末を含有することを特徴とする請求項３
記載の透明電磁波シールド基板。
【請求項５】銀との固溶域をもたないか若しくは小さい
上記元素が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タン
タル及びセリウムから選択された１又は２以上の元素に
て構成されていることを特徴とする請求項１記載の透明
電磁波シールド基板。
【請求項６】銀との固溶域をもたないか若しくは小さい
上記元素が、チタンとこれより少量のセリウムとで構成
されていることを特徴とする請求項５記載の透明電磁波
シールド基板。