JPH02205651A - 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 - Google Patents
磁気ディスク基板用アルミニウム合金Info
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- JPH02205651A JPH02205651A JP2702989A JP2702989A JPH02205651A JP H02205651 A JPH02205651 A JP H02205651A JP 2702989 A JP2702989 A JP 2702989A JP 2702989 A JP2702989 A JP 2702989A JP H02205651 A JPH02205651 A JP H02205651A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク基板用アルミニウム合金に関し、
特に下地処理および磁性体被覆後の表面欠陥が生じにく
いものである。
特に下地処理および磁性体被覆後の表面欠陥が生じにく
いものである。
電子計算機の記録装置に用いられる磁気ディスりには、
一般にアルミニウム合金からなる基板の表面に磁性体を
被覆したものが用いられている。
一般にアルミニウム合金からなる基板の表面に磁性体を
被覆したものが用いられている。
このような磁気ディスクは基板を所定の厚さに加工した
後、表面を鏡面研摩してから磁性体粉末と樹脂粉末の混
合物を塗布し、しかる後加熱処理して磁性体膜を形成す
ることにより作られている。
後、表面を鏡面研摩してから磁性体粉末と樹脂粉末の混
合物を塗布し、しかる後加熱処理して磁性体膜を形成す
ることにより作られている。
近年磁気ディスクは大容量化、高密度化が要請されるよ
うになり、磁気ディスクの１ビット当りの磁気領域は益
々微小化されると共に、磁気ヘッドと磁気ディスクとの
間隙も減少させることが必要となり、磁性体膜にも薄肉
化と耐摩耗性の改善が望まれるようになった。このため
基板を所定の厚さに加工した後、表面を鏡面加工してか
ら磁性体被覆のための下地処理としてクロメート処理、
ジンケート処理、無電解メツキあるいはアルマイト処理
等を施こし研磨した後スパッタリング又はメツキにより
磁性体、例えばＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金を被覆した磁気ディ
スクが提案されている。
うになり、磁気ディスクの１ビット当りの磁気領域は益
々微小化されると共に、磁気ヘッドと磁気ディスクとの
間隙も減少させることが必要となり、磁性体膜にも薄肉
化と耐摩耗性の改善が望まれるようになった。このため
基板を所定の厚さに加工した後、表面を鏡面加工してか
ら磁性体被覆のための下地処理としてクロメート処理、
ジンケート処理、無電解メツキあるいはアルマイト処理
等を施こし研磨した後スパッタリング又はメツキにより
磁性体、例えばＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金を被覆した磁気ディ
スクが提案されている。
このような磁気ディスクの基板には次のような特性が要
求されている。
求されている。
（１）非熱処理型で種々の加工および使用時の高速回転
に耐える十分な強度を有すること。
に耐える十分な強度を有すること。
（２）軽量で切削研磨により良好な鏡面が得られ、ピッ
ト等の表面欠陥が現われないこと。
ト等の表面欠陥が現われないこと。
（３）下地処理等を施した後も表面の平滑性が優れ、ピ
ット等の欠陥が現われないこと。
ット等の欠陥が現われないこと。
このような特性を満たす磁気ディスク用基板として、Ｊ
ＩＳＡ５０８６合金（Ｍ ｇ３．５〜４．５ｗｔ％、Ｆ
ｅ５０．５０ｗｔ％、ＳｉＳ２．４０ｗｔ％、Ｍｎ０．
２０〜０．７ｗｔ％、Ｃｒ ０．０５〜０．２５ｗｔ％
、Ｃｕ≦０．１０ｗｔ％、ＴｉＳ２．１５ｗｔ％、Ｚｎ
≦０ 、２５ｗ ｔ％、ＡＰ残部）又はＪＩＳＡ５０８
６合金の不純物であるＦｅやＳｌ等を規制してマトリッ
クス中に生成する金属化合物を小さくした合金あるいは
添加元素であるＭｎ、Ｃｒを低く規制したＡｎ−Ｍｇ基
合金が種これら５０８６の様な従来合金および種々の開
発合金においては、いずれもピット等の表面の微小欠陥
を無くす為に合金中の不純物、特にＦｅ、Ｓｌ等の比較
的粗大な金属間化合物を生じ易い元素が低く規制されて
いる。しかしながらこれら合金からなる基板においても
表面ピット等の微小欠陥は減少はするものの必ずしも満
足すべき水準ではなかった。その理由としては工業純度
のＡＩ２地金は最も高純度のものでも９９．９９ｗｔ％
純度程度のものであり、磁気ディスク用合金に使用され
る一般的な地金は９９．９％〜９９．９９ｗｔ％のもの
であるために、このような純度においてもＦｅ等による
金属間化合物は完全に無くなることはない、したがって
この様な金属間化合物の脱落に伴う微小表面欠陥の発生
は不純物の規制により低減はするものの完全になくする
ことはできなか本発明はこれに鑑み材料表面の欠陥と金
属組織との関係について詳細に観察、検討した結果以下
の知見を得た。すなわち、 ■素材中に存在する金属間化合物のすべてがピット等の
表面欠陥となるのではなく、脱落等により欠陥となる化
合物と切削等の工程を経ても脱落することなく残存し欠
陥とはならない化合物とが存在する。
ＩＳＡ５０８６合金（Ｍ ｇ３．５〜４．５ｗｔ％、Ｆ
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２０〜０．７ｗｔ％、Ｃｒ ０．０５〜０．２５ｗｔ％
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６合金の不純物であるＦｅやＳｌ等を規制してマトリッ
クス中に生成する金属化合物を小さくした合金あるいは
添加元素であるＭｎ、Ｃｒを低く規制したＡｎ−Ｍｇ基
合金が種これら５０８６の様な従来合金および種々の開
発合金においては、いずれもピット等の表面の微小欠陥
を無くす為に合金中の不純物、特にＦｅ、Ｓｌ等の比較
的粗大な金属間化合物を生じ易い元素が低く規制されて
いる。しかしながらこれら合金からなる基板においても
表面ピット等の微小欠陥は減少はするものの必ずしも満
足すべき水準ではなかった。その理由としては工業純度
のＡＩ２地金は最も高純度のものでも９９．９９ｗｔ％
純度程度のものであり、磁気ディスク用合金に使用され
る一般的な地金は９９．９％〜９９．９９ｗｔ％のもの
であるために、このような純度においてもＦｅ等による
金属間化合物は完全に無くなることはない、したがって
この様な金属間化合物の脱落に伴う微小表面欠陥の発生
は不純物の規制により低減はするものの完全になくする
ことはできなか本発明はこれに鑑み材料表面の欠陥と金
属組織との関係について詳細に観察、検討した結果以下
の知見を得た。すなわち、 ■素材中に存在する金属間化合物のすべてがピット等の
表面欠陥となるのではなく、脱落等により欠陥となる化
合物と切削等の工程を経ても脱落することなく残存し欠
陥とはならない化合物とが存在する。
■さらには欠陥となる化合物と欠陥とならない化合物の
量比が素材（製造ロフト）により異なる。
量比が素材（製造ロフト）により異なる。
■化合物のサイズについては１５μｍ以上のものは素材
の違いにかかわらず表面欠陥となりやすいが、それ以下
のサイズの化合物については欠陥となるか、ならないか
についての相関は認め難い。
の違いにかかわらず表面欠陥となりやすいが、それ以下
のサイズの化合物については欠陥となるか、ならないか
についての相関は認め難い。
■金属間化合物の存在が確認されなかったマトリックス
中にも種々の加工後に非常に微小な欠陥の認められた材
料が確認された。ただしこの様な欠陥は非常に微小であ
ることから製品において問題となることはなかった。
中にも種々の加工後に非常に微小な欠陥の認められた材
料が確認された。ただしこの様な欠陥は非常に微小であ
ることから製品において問題となることはなかった。
これらの事実を鑑み、表面欠陥となる化合物には化合物
を脱落しやすくしている他の要因が作用している事を確
信した。そこでこれら金属間化合物をさらに詳細に調査
すると共に欠陥の生じ易い素材（製造ロフト）と生じに
くい素材との間の組成および製造条件の差について詳細
な検討を行った。
を脱落しやすくしている他の要因が作用している事を確
信した。そこでこれら金属間化合物をさらに詳細に調査
すると共に欠陥の生じ易い素材（製造ロフト）と生じに
くい素材との間の組成および製造条件の差について詳細
な検討を行った。
その結果素材中に通常不純物として含まれる微量のＧａ
が金属間化合物とマトリックスとの界面に存在する場合
にその金属間化合物は非常に脱落しやすくなり、表面欠
陥の原因となっている事が判明した。またＧａの含有量
が多い場合にはマトリックス中においても微小なビット
を生じることもｆｉｌｌた。
が金属間化合物とマトリックスとの界面に存在する場合
にその金属間化合物は非常に脱落しやすくなり、表面欠
陥の原因となっている事が判明した。またＧａの含有量
が多い場合にはマトリックス中においても微小なビット
を生じることもｆｉｌｌた。
本発明はこれらの知見に基づいてなされたものである。
即ち本発明合金の第１は、添加元素としてＭｇ１〜８ｗ
ｔ％を含有し、不純物元素として、Ｓｉｎ。
ｔ％を含有し、不純物元素として、Ｓｉｎ。
１ｗｔ％以下、Ｆ ｅ ０．１ｗｔ％以下、Ｇ ａ １
５０ｐｐ−以下に規制し、残部がその他の不可避的不純
物とＡｌからなることを特徴とする磁気ディスク基板用
アルミニウム合金であり、第２は、添加元素としてＭｇ
１〜８ｗｔ％を含有し、不純物元素として、Ｓｉ０．１
ｗｔ％以下、Ｆ ｅ ０．１ｗｔ％以下、Ｇ ａ １５
０ｐｐｍ以下に規制し、さらにＣｕ １．０ｗｔ％以下
Ｚｎ２ｗｔ％以下のいずれか１種又は２種を含有し残部
がその他の不可避的不純物とＡｌからなる磁気ディスク
基板用アルミニウム合金であり、第３は、添加元素とし
てＭｇ１〜８ｗｔ％を含有し、不純物元素として、Ｓ
ｉ ０．１ｗｔ％以下、Ｆｅ０．１ｗｔ％以下、Ｇ
ａ １５０ｐｐ−以下に規制し、さらにＭｎ１、ＯｗＬ
％以下、Ｃｒ０．４ｗｔ％以下、Ｚｒ０．２ｗｔ％以下
、Ｔｉ０．２ｉ１ｔ％以下の内１種又は２種以上の元素
を選択的に含有し、残部がその他の不可避的不純物とＡ
ｌからなることを特徴とする磁気ディスク基板用アルミ
ニウム合金であり、第４は、添加元素として、Ｍｇ１〜
８ｗｔ％を含有し、不純物元素として、Ｓ ｉ ０．
１ｗｔ％以下、Ｆ ｅ ０．１ｗｔ％以下、Ｇ ａ １
５０ｐｐ−以下に規制し、さらにＣｕ１．０ｗｔ％以下
、Ｚｎ２ｗＬ％以下のいずれか１種又は２種及び、Ｍ
ｎ １０ｗｔ％の以下、Ｃｒ０．４ｗｔ％以下、Ｚ ｒ
０．２ｗｔ％以下、ＴＩ０．２ｉｉｔ％以下の内１種
又は２種以上を選択的に含有し、残部がその他の不可避
的不純物とＡＩｌからなることを特徴とする磁気ディス
クの基板用アルミニウム合金である。
５０ｐｐ−以下に規制し、残部がその他の不可避的不純
物とＡｌからなることを特徴とする磁気ディスク基板用
アルミニウム合金であり、第２は、添加元素としてＭｇ
１〜８ｗｔ％を含有し、不純物元素として、Ｓｉ０．１
ｗｔ％以下、Ｆ ｅ ０．１ｗｔ％以下、Ｇ ａ １５
０ｐｐｍ以下に規制し、さらにＣｕ １．０ｗｔ％以下
Ｚｎ２ｗｔ％以下のいずれか１種又は２種を含有し残部
がその他の不可避的不純物とＡｌからなる磁気ディスク
基板用アルミニウム合金であり、第３は、添加元素とし
てＭｇ１〜８ｗｔ％を含有し、不純物元素として、Ｓ
ｉ ０．１ｗｔ％以下、Ｆｅ０．１ｗｔ％以下、Ｇ
ａ １５０ｐｐ−以下に規制し、さらにＭｎ１、ＯｗＬ
％以下、Ｃｒ０．４ｗｔ％以下、Ｚｒ０．２ｗｔ％以下
、Ｔｉ０．２ｉ１ｔ％以下の内１種又は２種以上の元素
を選択的に含有し、残部がその他の不可避的不純物とＡ
ｌからなることを特徴とする磁気ディスク基板用アルミ
ニウム合金であり、第４は、添加元素として、Ｍｇ１〜
８ｗｔ％を含有し、不純物元素として、Ｓ ｉ ０．
１ｗｔ％以下、Ｆ ｅ ０．１ｗｔ％以下、Ｇ ａ １
５０ｐｐ−以下に規制し、さらにＣｕ１．０ｗｔ％以下
、Ｚｎ２ｗＬ％以下のいずれか１種又は２種及び、Ｍ
ｎ １０ｗｔ％の以下、Ｃｒ０．４ｗｔ％以下、Ｚ ｒ
０．２ｗｔ％以下、ＴＩ０．２ｉｉｔ％以下の内１種
又は２種以上を選択的に含有し、残部がその他の不可避
的不純物とＡＩｌからなることを特徴とする磁気ディス
クの基板用アルミニウム合金である。
以上の本発明合金において合金組成を上記の範囲に限定
したのは下記の理由によるものである（以下−１％を単
に％と略記する）。
したのは下記の理由によるものである（以下−１％を単
に％と略記する）。
Ｍｇは主として強度を得るためのもので、その含有量を
１〜８％と限定したのは、１％未満では十分な強度が得
られず、その結果製品となる工程において、あるいは製
品となった状態において変形を受けやす（真直度や回転
時の磁気ヘッドの加速度特性が悪くなる。８％を越える
とＡｌ−Ｍｇ金属間化合物を生成すると共に溶解鋳造時
の高温酸化によりＭｇＯなどの非金属介在物の生成が著
しくなり、ピット不良を発生させる原因となるためであ
る。
１〜８％と限定したのは、１％未満では十分な強度が得
られず、その結果製品となる工程において、あるいは製
品となった状態において変形を受けやす（真直度や回転
時の磁気ヘッドの加速度特性が悪くなる。８％を越える
とＡｌ−Ｍｇ金属間化合物を生成すると共に溶解鋳造時
の高温酸化によりＭｇＯなどの非金属介在物の生成が著
しくなり、ピット不良を発生させる原因となるためであ
る。
Ｇａはその量の多少は別にして、アルミニウム地金およ
び母合金に不可避的に不純物として含有されている０発
明者等の調査によると通常のアルミニウム合金であれば
数百ｐｐｍ、従来のメモリーディスク等に用いられる高
純度の合金でも１００〜３００ｐｐ−程度以上含有する
ことが一般的である。
び母合金に不可避的に不純物として含有されている０発
明者等の調査によると通常のアルミニウム合金であれば
数百ｐｐｍ、従来のメモリーディスク等に用いられる高
純度の合金でも１００〜３００ｐｐ−程度以上含有する
ことが一般的である。
磁気ディスク基盤用アルミニウム合金においてはこれま
ではとくに問題とされることは無かった為に、Ｇａ含有
量に関する規制は設けられていなかった。しかし前述の
如〈発明者等の研究によりＧａの含有量により表面欠陥
の原因となることが判明した。これはＧａがマトリック
スと金属間化合物との界面あるいは結晶粒界に優先的に
存在し、核部を脆弱にする為である。またＧａの含有量
が多い場合には結晶粒内にもＧａがミクロ的な凝集をお
こすことがある。このようにＧａにより脆弱となった部
分が表面あるいは表面近傍に存在した場合においては、
該部分は表面欠陥となりやすい。
ではとくに問題とされることは無かった為に、Ｇａ含有
量に関する規制は設けられていなかった。しかし前述の
如〈発明者等の研究によりＧａの含有量により表面欠陥
の原因となることが判明した。これはＧａがマトリック
スと金属間化合物との界面あるいは結晶粒界に優先的に
存在し、核部を脆弱にする為である。またＧａの含有量
が多い場合には結晶粒内にもＧａがミクロ的な凝集をお
こすことがある。このようにＧａにより脆弱となった部
分が表面あるいは表面近傍に存在した場合においては、
該部分は表面欠陥となりやすい。
Ｇａが１５０ｐρ■を越えるとこのような表面欠陥が多
くなるため、Ｇａは１５０ｐｐ−以下好ましくは１２０
ｐｐｍ以下とすることが望ましい。
くなるため、Ｇａは１５０ｐｐ−以下好ましくは１２０
ｐｐｍ以下とすることが望ましい。
本発明合金による磁気ディスク基板に磁性体被覆の為の
下地処理として、ジンケート処理等の前処理およびＮ１
−Ｐ等の硬質非磁性金属の無電解メツキを行う場合には
Ｚｎまたは／およびＣｕの添加が必要である。
下地処理として、ジンケート処理等の前処理およびＮ１
−Ｐ等の硬質非磁性金属の無電解メツキを行う場合には
Ｚｎまたは／およびＣｕの添加が必要である。
Ｚｎは本発明による磁気ディスク基盤の下地処理として
ジンケート処理を施す場合に必要な元素であり、その含
有量を２％以下と限定したのは、２％を越えると圧延加
工性及び耐食性を低下し、特にメツキ処理工程において
材料の耐食性が劣ることにより、ジンケート処理が不均
一となり、メツキの密着性や表面の平滑性を低下するた
めである。尚Ｚｎ含有量を上記範囲内とすることにより
、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少し、その後の無
電解メツキにおける平滑性を高めることができる。
ジンケート処理を施す場合に必要な元素であり、その含
有量を２％以下と限定したのは、２％を越えると圧延加
工性及び耐食性を低下し、特にメツキ処理工程において
材料の耐食性が劣ることにより、ジンケート処理が不均
一となり、メツキの密着性や表面の平滑性を低下するた
めである。尚Ｚｎ含有量を上記範囲内とすることにより
、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少し、その後の無
電解メツキにおける平滑性を高めることができる。
Ｃｕの添加はジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少し、
さらにジンケート皮膜を薄く、均−且つ緻密に付着させ
その後の無電解メツキの表面平滑性を高めるためで、Ｃ
ｕ含有量を１．０％以下と限定したのは、１．０％を越
える圧延加工性及び耐食性を低下し、特にメツキ処理工
程において材料の耐食性が劣ることにより、ジンケート
処理が不均一となり、メツキの密着性や表面の平滑性が
劣るようになるためである。
さらにジンケート皮膜を薄く、均−且つ緻密に付着させ
その後の無電解メツキの表面平滑性を高めるためで、Ｃ
ｕ含有量を１．０％以下と限定したのは、１．０％を越
える圧延加工性及び耐食性を低下し、特にメツキ処理工
程において材料の耐食性が劣ることにより、ジンケート
処理が不均一となり、メツキの密着性や表面の平滑性が
劣るようになるためである。
Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、ＴＩは均質化処理および／または熱
間圧延、焼鈍時に微細な化合物として析出し、再結晶粒
を微細化すると共に、その一部はマトリックス中に固溶
しその強度を向上させると同時に無電界メツキの密着性
を向上させる作用があり、それらの相互作用により基板
の切削・研磨性の向上およびＮ１−Ｐメツキ皮膜の密着
性向上に寄与するものである。それぞれ前記の上限を越
えると鋳造時のフィルターによる溶湯処理において過剰
の元素が除去されて無駄となるばかりか粗大な金属間化
合物が生成し、アルカリエツチングおよびジンケート処
理だけでなく、切削、研摩加工を施す際にも脱落してピ
ット欠陥となる。
間圧延、焼鈍時に微細な化合物として析出し、再結晶粒
を微細化すると共に、その一部はマトリックス中に固溶
しその強度を向上させると同時に無電界メツキの密着性
を向上させる作用があり、それらの相互作用により基板
の切削・研磨性の向上およびＮ１−Ｐメツキ皮膜の密着
性向上に寄与するものである。それぞれ前記の上限を越
えると鋳造時のフィルターによる溶湯処理において過剰
の元素が除去されて無駄となるばかりか粗大な金属間化
合物が生成し、アルカリエツチングおよびジンケート処
理だけでなく、切削、研摩加工を施す際にも脱落してピ
ット欠陥となる。
これらのＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉは単独で添加しても又
目的に応じて複合で添加してもよい。
目的に応じて複合で添加してもよい。
不純物元素であるＦｅ、Ｓｉをそれぞれ０．１％以下に
限定したＦｅやＳｉはアルミニウム中にほとんど固溶せ
ず金属間化合物として析出するが、その量が多い場合に
は、Ａｌ１−Ｆｅ系、Ａｌｆｉ−Ｆｅ−３１系等の粗大
な金属間化合物が多数存在し、基板の切削・研磨および
ジンケート処理時等に脱落してピット欠陥となり易いた
めである。
限定したＦｅやＳｉはアルミニウム中にほとんど固溶せ
ず金属間化合物として析出するが、その量が多い場合に
は、Ａｌ１−Ｆｅ系、Ａｌｆｉ−Ｆｅ−３１系等の粗大
な金属間化合物が多数存在し、基板の切削・研磨および
ジンケート処理時等に脱落してピット欠陥となり易いた
めである。
また他の不純物元素はそれぞれ０．１％以下であれば本
発明合金の特性に影響しない。
発明合金の特性に影響しない。
尚本発明合金はその１ｍ中に含まれる金属間化合物につ
いては、その最大径を１５μｍ以下とすることが望まし
い、金属間化合物は前述のように切削加工時等に脱落し
てピット欠陥となりやすく、その最大径が１５μｍを越
えるとその危険性が高くなる為である。１０μｍ以下で
あることが好ましい。
いては、その最大径を１５μｍ以下とすることが望まし
い、金属間化合物は前述のように切削加工時等に脱落し
てピット欠陥となりやすく、その最大径が１５μｍを越
えるとその危険性が高くなる為である。１０μｍ以下で
あることが好ましい。
市販の純度９９．５％以上のＡ１地金を溶解し、これに
合金元素を添加して第１表に示す成分組成の合金溶湯に
調製し、脱ガス、沈静処理した後、フィルターで濾過し
てから水冷鋳造し、厚さ３５０ｍｍ、中１０００ｍ、長
さ２０００ｍｍの鋳塊を得た。
合金元素を添加して第１表に示す成分組成の合金溶湯に
調製し、脱ガス、沈静処理した後、フィルターで濾過し
てから水冷鋳造し、厚さ３５０ｍｍ、中１０００ｍ、長
さ２０００ｍｍの鋳塊を得た。
この鋳塊の両面を片面につきＩＯＷずつ面前してから４
８０±３０℃の温度で約６時間均熱処理した後、常法に
従って熱間圧延と冷間圧延により厚さ１．５■の板材と
した。
８０±３０℃の温度で約６時間均熱処理した後、常法に
従って熱間圧延と冷間圧延により厚さ１．５■の板材と
した。
この板材から直径９５■の円板を打抜き、３５０℃で２
時間焼鈍した後、荒研磨と仕上げ研磨を施して鏡面に仕
上げた。これらの供試材の表面を光学顕微鏡により観察
し、金属間化合物の最大径の測定とビット、スクラッチ
等の表面欠陥の有無を調査した。その結果を第２表に示
した。
時間焼鈍した後、荒研磨と仕上げ研磨を施して鏡面に仕
上げた。これらの供試材の表面を光学顕微鏡により観察
し、金属間化合物の最大径の測定とビット、スクラッチ
等の表面欠陥の有無を調査した。その結果を第２表に示
した。
以上の結果より明らかな様に本発明合金材は事実上ピッ
ト等の不良が発生せず、本発明の範囲を外れる比較材、
あるいは従来材のＪ Ｉ Ｓ Ａ３０８６合金材と比較
して優れた特性を有することが確認された。
ト等の不良が発生せず、本発明の範囲を外れる比較材、
あるいは従来材のＪ Ｉ Ｓ Ａ３０８６合金材と比較
して優れた特性を有することが確認された。
尚本発明合金！！１２、Ｎａ３ （Ｚｎ、Ｃｕを添加し
たもの）について、ジンケート処理、無電解ＮｉＰメツ
キ処理を施こした結果、メツキ性は良好であった。
たもの）について、ジンケート処理、無電解ＮｉＰメツ
キ処理を施こした結果、メツキ性は良好であった。
第
表
〔発明の効果〕
以上述べたごとく、本発明合金は、磁気ディスク基板と
して使用する際、表面を研磨して鏡面に仕上げても、ビ
ット等の表面欠陥を生じなく、又その後の下地処理等に
おいても欠陥を生じない等すぐれた効果を有するもので
ある。
して使用する際、表面を研磨して鏡面に仕上げても、ビ
ット等の表面欠陥を生じなく、又その後の下地処理等に
おいても欠陥を生じない等すぐれた効果を有するもので
ある。
Claims (4)
- （１）添加元素として、Ｍｇ１〜８ｗｔ％を含有し、不
純物元素として、Ｓｉ０．１ｗｔ％以下、Ｆｅ０．１ｗ
ｔ％以下、Ｇａ１５０ｐｐｍ以下に規制し、残部がその
他の不可避的不純物とＡｌからなることを特徴とする磁
気ディスク基板用アルミニウム合金。 - （２）添加元素としてＭｇ１〜８ｗｔ％を含有し、不純
物元素として、Ｓｉ０．１ｗｔ％以下、Ｆｅ０．１ｗｔ
％以下、Ｇａ１５０ｐｐｍ以下に規制し、さらにＣｕ１
．０ｗｔ％以下Ｚｎ２ｗｔ％以下のいずれか１種又は２
種を含有し、残部がその他の不可避的不純物とＡｌから
なることを特徴とする磁気ディスク基板用アルミニウム
合金。 - （３）添加元素としてＭｇ１〜８ｗｔ％を含有し、不純
物元素として、Ｓｉ０．１ｗｔ％以下、Ｆｅ０．１ｗｔ
％以下、Ｇａ１５０ｐｐｍ以下に規制し、さらにＭｎ１
．０ｗｔ％以下、Ｃｒ０．４ｗｔ％以下、Ｚｒ０．２ｗ
ｔ％以下、Ｔｉ０．２ｗｔ％以下の内１種又は２種以上
の元素を選択的に含有し、残部がその他の不可避的不純
物とＡｌからなることを特徴とする磁気ディスク基板用
アルミニウム合金。 - （４）添加元素として、Ｍｇ１〜８ｗｔ％を含有し不純
物元素として、Ｓｉ０．１ｗｔ％以下、Ｆｅ０．１ｗｔ
％以下、Ｃａ１５０ｐｐｍ以下に規制し、さらにＣｕ１
．０ｗｔ％以下、Ｚｎ２ｗｔ％以下のいずれか１種又は
２種及びＭｎ１．０ｗｔ以下、Ｃｒ０．４ｗｔ％以下、
Ｚｒ０．２ｗｔ％以下、Ｔｉ０．２ｗｔ％以下の内１種
又は２種以上を選択的に含有し、残部がその他の不可避
的不純物とＡｌからなることを特徴とする磁気ディスク
の基板用アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2702989A JPH02205651A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2702989A JPH02205651A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205651A true JPH02205651A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12209648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2702989A Pending JPH02205651A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205651A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0499143A (ja) * | 1990-08-06 | 1992-03-31 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | ＮｉＰめっき性の良い磁気ディスク基板用アルミニウム合金 |
| JPH09235640A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金板及びその製造方法 |
| US6492593B2 (en) | 2000-05-31 | 2002-12-10 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Gold wire for semiconductor element connection and semiconductor element connection method |
| JP2006241513A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Kobe Steel Ltd | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板およびその製造方法 |
| US7494043B2 (en) | 2004-10-15 | 2009-02-24 | Aleris Aluminum Koblenz Gmbh | Method for constructing a welded construction utilizing an Al-Mg-Mn weld filler alloy |
| CN102465222A (zh) * | 2010-11-02 | 2012-05-23 | 株式会社神户制钢所 | 磁盘用铝合金基板及其制造方法 |
| US11211088B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-12-28 | Uacj Corporation | Magnetic disc, aluminum alloy substrate for magnetic disc, and production method for aluminum alloy substrate |
| US11270730B2 (en) | 2018-03-09 | 2022-03-08 | Uacj Corporation | Magnetic disk substrate, method for manufacturing same and magnetic disk |
Citations (4)
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| JPH01312054A (ja) * | 1988-06-13 | 1989-12-15 | Kobe Steel Ltd | 磁気ディスク用アルミニウム合金及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-02-06 JP JP2702989A patent/JPH02205651A/ja active Pending
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