JPS6033333A - 磁気デイスク基板用Al合金 - Google Patents

磁気デイスク基板用Al合金

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JPS6033333A
JPS6033333A JP14073083A JP14073083A JPS6033333A JP S6033333 A JPS6033333 A JP S6033333A JP 14073083 A JP14073083 A JP 14073083A JP 14073083 A JP14073083 A JP 14073083A JP S6033333 A JPS6033333 A JP S6033333A
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less
alloy
magnetic disc
disc substrate
intermetallic compound
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Kazuo Yamada
一雄 山田
Masahiro Tsuchiya
土屋 昌宏
Hideaki Kakita
柿田 英明
Reijiro Maruyama
丸山 ▲れい▼二郎
Yoshinobu Okada
岡田 凱延
Isao Takeuchi
竹内 庸
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MA Aluminum Corp
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Mitsubishi Aluminum Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、高硬度および高強度を有し、かつ素地中に
分散する金属間化合物が著しく微細であると共に、非金
属介在物がほとんど存在せず、したがって、これらの特
性が要求される磁気ディスク基板として用いた場合に、
磁気ディスクの高記録密度化を可能にするAQ合金に関
するものである。
近年、磁気ディスクに対して、記憶容量の増大。
アクセス時間の短縮、1ビツト当シの両路の低減。
小型化、および軽量化が強く要求されるようになってお
シ、これらの要求を満足させるために1は、磁気ディス
クの磁気記録の高密度化がf町欠の要件であるばかシで
なく、磁気記録媒体の皮膜を保持する基板も軽量にして
、高硬度および高強度をもつことが必要である。
このような要求から、各種のAQ合金が磁気ディスク基
板として用いられるようになシ、中でもMg:3〜6%
を含有し、残りがAQと不可避不純物からなる組成(以
上重量係、以下同じ)を有するAQ合金が、軽量にして
、高硬度および高強度をもっAQ合金として提案されて
いる1、 一方、磁気記録の高密度化をはかるためには、磁気記録
媒体に欠陥がなく、かつその表面が平滑で、しかも磁気
記録媒体の膜厚が薄く均一であることが必要である。
しかし、磁気記録媒体を薄くした場合、基板の素地に大
きな金属間化合物や非金属介在物が存在すると、これが
ビット落(情報の一部が記録されない現象)などの欠陥
の原因となることから、大きな金属間化合物や非金属介
在物の存在しない基板が必要となるが、例えば、上記の
Aε−Mg合金においては、溶湯濾過などにより非金属
介在物を著しく低減した状態にすることができるが、金
属間化合物が比較的大寸の状態で存在することから、磁
気記録媒体の薄膜化にも限度があるものであった。
そこで、本発明者等は、上記の従来Ag−Mg合金に着
目し、この合金のもつ高硬度および高強度な損なうこと
なく、素地に分散する金属間化合物の微細化をはかるべ
く研究を行なった結果、上記のAQ−Mg合金に不可避
不純物として含有し、かついずれも金属間化合物形成元
素であるSi、 Fe、 Mn。
Cr、 Ni、V、 Ti+ およびBの含有量を、そ
れぞれSi:0.1係以下。
Fe:0.1%以下。
Mn:0.01係以下。
Cr:0.01%以下。
Nコニ0.01%以下。
V:0.01%以下。
Ti:0.008係以下。
B:0.001%以下。
とした状態で、これに、 Zr: 0.03〜0.5 %。
を含有させると金属間化合物が著しく微細化するように
なり、さらにZrとの共存において、Be: 0.00
05〜0.02係。
を含有させると、さらに一段と金属間化合物の微細化が
促進されるようになるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたもノテあッ
テ、Mg: 3〜5 %、 Zr: 0.03〜0.5
%を含有し、さらに必要に応じてBe:0.0O05〜
002係を含有し、かつ不可避不純物としてのSi。
Fe、 Mn、 Cr 、 Ni 、V 、 Ti、お
よびBの含有量が、それぞれSi:0.1%以下、Fe
:0.1%以下、Mn:0.01%以下、Cr:0.0
1%以下、Ni:0.01%以下、V:0.01%以下
、 Ti: 0.008%以下。
およびB:0.001%以下であシ、残シがAεとその
他の不可避不純物からなる組成を有し、特に素地に分散
する金属間化合物が著しく微細なので磁気ディスク基板
として用いた場ばにすぐれた性能を発揮する。AQ合金
に特徴を有するものである。
つぎに、この発明のA9.合金において、成分組成を上
記の通りに限定した理由を説明する。
(a) lvig 砲成分には、合金の硬さおよび強度を向上させる作用が
あるが、その含有量が3係未満では前記作用に所望の効
果が得られず、一方5係を越えて含有させると、圧延加
工が困難になるばかシでなく、AA−Mg系の粗大な金
属間化合物が形成され易くなることから、その含有量を
3〜5チと定めた。
(b)Zr Zr成分には、素地に分散する各種A1合金系の金属間
化合物を著しく微細化する作用があるが、その含有量が
0.03%未満では所望の微細化効果が得られず、一方
0.5チを越えて含有させると、粗大なAA−Zr系の
金属間化合物が形成されるようになることから、その含
有量を0.03〜05%と定めた。
(C)Be Be成分には、Zrとの共存において、金属間化合物を
さらに一段と微細化するほか、非金属介在物を著しく低
減させる作用があるので、特に高品質の磁気ディスク基
板が要求される場合に必要に応じて含有されるが、その
含有量が0.0005%未満では前記作用に所望の向上
効果が得られず、一方0.02%を越えて含有させても
よシ一層の向上効果が得られないばかりでなく、002
チを越えた含有は作業上毒性発生の原因となることから
、その含有量を0.0005〜0.02%と定めだ。
(d) 不可避不純物 不可避不純物としてのSi、 Fe、 Mn、 Cr、
 Ni、V 。
Ti、およびB成分は、いずれも金属間化合物形成元素
であるので、それぞれSl:0.1%、Fe:0.1%
、Mn:Ooo 1 %、 Cr: 0.01%、Ni
:0.01%。
V:0.01%、 Ti: 0.008係、およびB:
O,OO1係を越えた含有は粗大な金属間化合物形成の
原因となるばかりでなく、特にV、Ti、およびBにあ
っては、研磨後の基板表面にストリンガ−(すし状欠陥
)発生の原因となることから、前記の上限値を越えて含
有させてはならない。
つぎに、この発明のAε合金を実施例によシ具体的に説
明する。
実施例 通常の反射炉を用い、塩素ガスによる脱ガス処理、沈静
化処理、および耐火物製フィルターによる非金属介在物
除去処理を併用して、それぞれ第1表に示され゛る成分
組成をもった本発明Aε合金l〜8および比較Ap、合
金1〜7の溶湯な調製した後、直接冷却連続鋳造法にて
幅:1200wX長さ:2500mmX厚さ:300+
u+の寸法をもった鋳塊に鋳造し、ついでこの鋳塊に、
510〜540℃の範囲内の所定監度に12時間保持後
、室温まで放冷の熱処理を施した後、その上下両面を厚
さ:15+u+に亘って面削し、引続いて温度:500
℃に加熱した状態で熱間圧延を施して板厚二51nfn
の熱延板とし、さらに、この熱延板に冷間圧延を施して
板厚:2頭の冷延板とし、この冷延板より直径:200
7tLmの円板をプレスにて打抜き、ついでこの円板に
、温度:350℃に2時間保持の条件で加圧焼鈍を施し
た後、荒研磨とパフ研磨を施して、表面が鏡面仕上げさ
れた板厚:18Mの基板を製造した。
なお、比較M合金1〜7は、いずれも構成成分および不
可避不純物のうちのいずれかの含有量(第1表に※印を
付したもの)がこの発明の範囲から外れた組成をもつも
のである。
ついで、この結果得られた本発明八ε合金1〜8および
比較A9合金1〜7の基板について、その鏡面仕上げ面
における最大金属間化合物サイズと表面粗さを測定する
と共に、引張強さとビッカース硬さを測定した。これら
の測定結果を第2表に示した。
第2表に示される結果から、本発明A1合金1〜8にお
いては、従来、V−Mg合金か通常的23〜29 kg
f/maの引張強さを有し、かつ約60〜75のビッカ
ース硬さを示すのと比較して、これと同等の高強度およ
び高硬度を有し、かつ良好な鏡面仕上げ面を確保するこ
とができ、さらに金属間化合物も著しく微細であるのに
対して、比較M合金1〜7、特に比較A9合金2〜7に
見られるように、構成成分および不町避不純物のうちの
いずれかのき有量でもこの発明の範囲から外れると粗大
な金属間化合物が発生するようになることが明らかであ
る。また特に比較M合金5においては、不町避不純物と
してのT1の含有量がこの発明の範囲を越えて高いので
、ストリンガ−の発生が見られた。
上述のように、この発明のAA金合金、高強度および高
硬度を有するので、これを磁気ディスク基板として用い
た場合には小型化および軽量化がはかれるばかシでなく
、短かいパフ研磨時間で良好な鏡面仕上げ面を得ること
ができ、しかも金属間化合物が著しく微細であると共に
、非金属介在物がほとんど存在しないので、ビット落な
どの欠陥発生の懸念なく、磁気記録媒体の薄膜化が可能
であるなど工業上有用な特性を有するのでざる。
出願人 三菱アルミニウム株式会社 代理人 富 1) 和 夫 外1名

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) Mg: 3〜5%。 Zr: 0.03〜0.5%。 を含有し、残シがAQと不可避不純物からなる組成(以
    上重量%)を有し、かつ不可避不純物としてのSi、 
    Fe、 Mn、 Cr、 Ni、 V 、 Ti、およ
    びBの含有量が、同じく重量%で、 Si:0.1チ以下。 Fe : 0.1チ以下。 Mn : 0.01%以下。 cr二〇、01係以下。 Ni : 0101%以下。 V:0.01%以下。 ’ri:0.008チ以下。 B二O,OO1チ以下。 であることを特徴とする磁気ディスク基板用Al−合金
  2. (2) Mg: 3〜5%。 Zr: 0.03〜0.5 %。 なき有し、さらに、 Be: 0.0005〜0.02%。 を含有し、残りがAP、と不可避不純物からなる組成 
    ′(以上重量%)を有し、かつ不可避不純物としてのS
    i、 Fe 、 Mn、 Cr、Ni 、 V 、 T
    i、およびBの含有量が、同じく重量%で、 Si:O,:L%以下。 Fe:0.1%以下。 Mn: 0.01係以下。 Cr:0.01係以下。 Ni:0.01チ以下。 V:0.01チ以下。 Ti:0.008係以下。 B:o、oo191H以下。 であることを特徴とする磁気ディスク基板用M合金。
JP14073083A 1983-08-01 1983-08-01 磁気デイスク基板用Al合金 Granted JPS6033333A (ja)

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