JPH05166864A - Resin molding method of semiconductor device - Google Patents
Resin molding method of semiconductor deviceInfo
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- JPH05166864A JPH05166864A JP33233991A JP33233991A JPH05166864A JP H05166864 A JPH05166864 A JP H05166864A JP 33233991 A JP33233991 A JP 33233991A JP 33233991 A JP33233991 A JP 33233991A JP H05166864 A JPH05166864 A JP H05166864A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の樹脂成形
方法に係り、特に超多ピンのリード端子の変形を防止す
る半導体装置の樹脂成形方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin molding method for a semiconductor device, and more particularly to a resin molding method for a semiconductor device which prevents deformation of lead terminals having an extremely large number of pins.
【０００２】[0002]
【従来の技術】最近、機器の軽薄短小化に伴って、半導
体装置が高集積化され、従来と同様のパッケージサイズ
でリード端子が多くなり、リード端子の幅及びピッチが
一段と狭小となってきている。一方では半導体装置の寸
法精度の向上が要求されている。2. Description of the Related Art Recently, as devices have become lighter, thinner, shorter, and smaller, semiconductor devices have been highly integrated, and the number of lead terminals has increased in the same package size as before, and the width and pitch of the lead terminals have become narrower. There is. On the other hand, it is required to improve the dimensional accuracy of semiconductor devices.
【０００３】図３は、かかる従来の半導体装置の平面図
である。この図において、１は半導体装置を樹脂封止し
たパッケージ、２はそのパッケージ１から引き出された
リード端子、３はパッケージの樹脂成形における樹脂の
流止めダムバー、４はリードフレーム、５はリード端子
の変形を防止する樹脂により成形されるガードリング、
６はパッケージ１及びガードリング５を成形する樹脂の
流路ランナー、７，８はその流路ランナーに接続される
ゲートである。FIG. 3 is a plan view of such a conventional semiconductor device. In this figure, 1 is a package in which a semiconductor device is sealed with resin, 2 is a lead terminal pulled out from the package 1, 3 is a resin flow stop dam bar in resin molding of the package, 4 is a lead frame, and 5 is a lead terminal. Guard ring molded with resin to prevent deformation,
6 is a resin flow path runner for molding the package 1 and the guard ring 5, and 7 and 8 are gates connected to the flow path runner.
【０００４】この樹脂成形において、樹脂はランナー６
からゲート７を介して、ガードリングへ注入され、そし
て、ガートリング５を形成しながらパッケージ１が形成
される。そして、成形後、ランナー６はゲート７の位置
からリードフレーム４よりもぎ取られる。そして、リー
ドフレーム４は半田めっきが処理され、ダムバー３が打
抜かれ、各リード端子２は電気的に分離される。その
後、この半導体装置の電気特性の検査が行なわれ、リー
ド端子２は所定の形状に曲げ形成される。In this resin molding, the resin is the runner 6.
Is injected into the guard ring through the gate 7 and the package 1 is formed while forming the gart ring 5. After the molding, the runner 6 is stripped off the lead frame 4 from the position of the gate 7. Then, the lead frame 4 is subjected to solder plating, the dam bar 3 is punched out, and the lead terminals 2 are electrically separated. Then, the electrical characteristics of this semiconductor device are inspected, and the lead terminals 2 are bent and formed into a predetermined shape.
【０００５】この曲げ工程では、予めリード端子は曲げ
の展開長さで切断し、ガードリングより切り離されて加
工が行なわれる。図４は、このようにして製造された半
導体装置の完成品を示す図であり、この半導体装置はパ
ッケージ１と、そこから引き出され、所定の形状に曲げ
られたて形成されたリード端子２を有している。In this bending step, the lead terminal is cut in advance by the developed length of bending and separated from the guard ring for processing. FIG. 4 is a diagram showing a finished product of the semiconductor device manufactured in this manner. This semiconductor device includes a package 1 and a lead terminal 2 that is drawn out from the package 1 and bent into a predetermined shape. Have
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、リード
端子の先端は個々に分離した状態で曲げ加工が行なわれ
るので、変形し易く、品質上問題となっていた。本発明
は、以上述べたリード端子の曲げ工程における変形の問
題点を除去するために、リード端子の先端部をつないだ
状態でリード端子の曲げ加工が行なわれるように、ガー
ドリングのコーナー部を予め金型で容易に打抜きにより
除去できる厚さに形成する半導体装置の樹脂成形方法を
提供することを目的とする。However, since the tip ends of the lead terminals are bent separately, they are easily deformed, which is a quality problem. In order to eliminate the above-mentioned problem of deformation in the bending process of the lead terminal, the present invention eliminates the corner portion of the guard ring so that the bending of the lead terminal is performed with the tip portion of the lead terminal connected. An object of the present invention is to provide a resin molding method for a semiconductor device, which is formed in advance to a thickness that can be easily removed by punching.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体装置を樹脂封止するパッケージ
と、そのリード端子の先端部にガードリングを具備する
半導体装置の樹脂成形方法において、前記ガードリング
を樹脂の注入により成形し、前記ガードリングのコーナ
ー部を金型で容易に打抜ける厚さに形成するようにした
ものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a package for resin-sealing a semiconductor device, and a resin molding method for a semiconductor device, which comprises a guard ring at the tip of its lead terminal. The guard ring is formed by injecting a resin, and the corner portion of the guard ring is formed to have a thickness that can be easily punched by a mold.
【０００８】また、パッケージを形成するためのランナ
ーと、該ランナーより分岐したガードリング形成用のゲ
ートを設けることにより、前記パッケージの成形と前記
ガードリングの成形を同時に行うようにしたものであ
る。更に、パッケージを形成するためのランナーと、前
記ガードリングを形成するためのランナーとを別個に設
け、前記パッケージと前記ガードリングとを別個の樹脂
を用いて行うようにしたものである。Further, by forming a runner for forming a package and a gate for forming a guard ring branched from the runner, the package and the guard ring are formed at the same time. Further, a runner for forming a package and a runner for forming the guard ring are separately provided, and the package and the guard ring are made of different resins.
【０００９】[0009]
【作用】本発明によれば、半導体装置を樹脂封止するパ
ッケージと、そのリード端子の先端部にガードリングを
具備する半導体装置の樹脂成形方法において、ガードリ
ングのコーナー部を金型で容易に打抜きできる厚さに形
成するようにしたので、リード端子の曲げ工程では予め
ガードリングのコーナー部を打抜くことにより、リード
端子の先端部は樹脂でつないだ状態で、そのリード端子
の曲げ加工を施すことができる。According to the present invention, in a resin molding method for a semiconductor device, which includes a package for resin-sealing a semiconductor device and a guard ring at a tip of a lead terminal thereof, a corner portion of the guard ring can be easily formed by a mold. Since it is formed with a thickness that can be punched, the corners of the guard ring are punched in advance in the lead terminal bending process, so that the lead terminals can be bent while the tip ends are connected with resin. Can be given.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す半
導体装置の平面図、図２は図１のＣ−Ｃ線断面図であ
る。これらの図において、１１は半導体素子が樹脂封止
されたパッケージ、１２はリード端子、１３はダムバ
ー、１４はリードフレーム、１５ａ、１５ｂはガードリ
ング、１６はランナー、１７，１８はゲートである。こ
こで、ガードリング１５ｂと１５ｂ間は、Ｂに示すよう
に、切り離されている。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. 1 is a plan view of a semiconductor device showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line CC of FIG. In these figures, 11 is a package in which a semiconductor element is sealed with resin, 12 is a lead terminal, 13 is a dam bar, 14 is a lead frame, 15a and 15b are guard rings, 16 is a runner, and 17 and 18 are gates. Here, the guard rings 15b and 15b are separated from each other as indicated by B.
【００１１】この半導体装置の樹脂成形では、樹脂はラ
ンナー１６よりゲート１７へと注入され、パッケージ１
１を形成すると同時に、ランナー１６より分岐したゲー
ト１８からガードリング１５ａと、更にスルーゲート１
９を介してガードリング１５ｂがそれぞれ形成される。
ここで、このスルーゲート１９は金型で容易に打抜ける
厚さの形状になっている。In the resin molding of this semiconductor device, the resin is injected from the runner 16 into the gate 17, and the package 1
1 is formed at the same time as the gate 18 branched from the runner 16 is connected to the guard ring 15a and the through gate 1
The guard rings 15b are formed through the respective holes 9.
Here, the through gate 19 has a thickness that can be easily punched by a mold.
【００１２】このように構成したので、パッケージ１１
とガードリング１５ａ，１５ｂが同時に形成され、しか
もガードリング１５ａと１５ｂ間のスルーゲート１９は
金型で容易に打抜けるように薄く形成され、パッケージ
１１の４辺より引き出される各リード端子群の先端部
は、それぞれ分離されたガードリング１５ａ，１５ｂに
より固定することができる。With this structure, the package 11
And the guard rings 15a and 15b are formed at the same time, and the through gate 19 between the guard rings 15a and 15b is thinly formed so as to be easily punched by a die, and the tip of each lead terminal group drawn from the four sides of the package 11 is formed. The parts can be fixed by separate guard rings 15a and 15b.
【００１３】なお、この実施例においては、パッケージ
１１とガードリング１５ａ，１５ｂの成形を同時に行う
ために、例えば、ハイグレード樹脂である、日東電気工
業社製ＭＰ１０（商品名）、住友ベークラクト社製ＥＭ
６３００−Ｋ（商品名）等を用いる。図５は本発明の他
の実施例を示す半導体装置の樹脂成形方法を示す工程平
面図であり、図５（ａ）はその前半の工程を示す図、図
５（ｂ）はその後半の工程を示す図である。In this embodiment, in order to mold the package 11 and the guard rings 15a and 15b at the same time, for example, high-grade resin such as MP10 (trade name) manufactured by Nitto Denki Kogyo Co., Ltd., Sumitomo Bakelacto Co., Ltd. EM
6300-K (trade name) or the like is used. 5A and 5B are process plan views showing a resin molding method of a semiconductor device showing another embodiment of the present invention, FIG. 5A is a view showing a first half of the process, and FIG. 5B is a second half of the process. FIG.
【００１４】これらの図において、２１はパッケージ、
２２はリード端子、２３はダムバー、２４はリードフレ
ーム、２５ａ，２５ｂはガードリング、２６はパッケー
ジ形成用のランナー、２７はそのランナー２６に連通さ
れるゲート、２８はガードリング形成用のランナー、２
９はそのランナー２８に連通されるゲート、３０はガー
ドリング２５ａと２５ｂとを連通するスルーゲートであ
る。In these figures, 21 is a package,
22 is a lead terminal, 23 is a dam bar, 24 is a lead frame, 25a and 25b are guard rings, 26 is a runner for forming a package, 27 is a gate connected to the runner 26, 28 is a runner for forming a guard ring, 2
Reference numeral 9 is a gate that communicates with the runner 28, and 30 is a through gate that communicates the guard rings 25a and 25b.
【００１５】この半導体素子の樹脂成形において、樹脂
はパッケージ形成用のランナー２６とガードリング形成
用のランナー２８より、それぞれのゲート２７，２９へ
注入され、パッケージ２１、ガードリング２５ａ，２５
ｂが形成される。ランナー２６，２８は、ゲート２７と
２９より形成後、リードフレーム２４からもぎ取られ、
半田めっきがリードフレームに処理され、ダムバー２３
は打抜かれる。そして、半導体装置の電気特性の検査が
行なわれることは、従来と同様である。In the resin molding of this semiconductor element, the resin is injected into the respective gates 27 and 29 from the runner 26 for forming the package and the runner 28 for forming the guard ring, and the package 21 and the guard rings 25a, 25.
b is formed. The runners 26 and 28 are stripped from the lead frame 24 after being formed from the gates 27 and 29,
Solder plating is applied to the lead frame, dam bar 23
Is punched. Then, the inspection of the electrical characteristics of the semiconductor device is performed as in the conventional case.
【００１６】次に、図５（ｂ）に示すように、ガードリ
ングコーナーに相当するＡ部を金型で打抜く。したがっ
て、パッケージ２１の４辺より引き出される各リード端
子群の先端部は、それぞれ分離されたガードリング２５
ａ，２５ｂにより固定することができる。Next, as shown in FIG. 5B, the portion A corresponding to the guard ring corner is punched with a die. Therefore, the tips of the lead terminal groups drawn out from the four sides of the package 21 are separated from each other by the guard ring 25.
It can be fixed by a and 25b.
【００１７】そこで、先端部は樹脂からなるガードリン
グでつながった状態で、各リード端子群の曲げの成形加
工を行う。最後に、所定の寸法にリード端子は切断され
る。この実施例においては、パッケージ２１の成形と、
ガードリング２５ａ，２５ｂの成形とを別個に行うこと
ができる。したがって、２種類の樹脂を用いることがで
きる。その場合、パッケージの成形には前記実施例と同
様に、ハイグレード樹脂である、日東電気工業社製ＭＰ
１０（商品名）、住友ベークラクト社製ＥＭ６３００−
Ｋ（商品名）等を用いるが、ガードリングの成形には廉
価なジ・アリルスタレート樹脂、メラミン系樹脂等を用
いることができる。Therefore, the lead terminals are bent and formed in a state where the tips are connected by a guard ring made of resin. Finally, the lead terminal is cut to a predetermined size. In this embodiment, the package 21 is molded and
The molding of the guard rings 25a and 25b can be performed separately. Therefore, two types of resins can be used. In that case, as in the case of the above-mentioned embodiment, a high-grade resin, MP manufactured by Nitto Denki Kogyo Co., Ltd.
10 (trade name), Sumitomo Bakelacto EM6300-
Although K (trade name) or the like is used, inexpensive di-allyl starate resin, melamine resin, or the like can be used for molding the guard ring.
【００１８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the spirit of the present invention, which are not excluded from the scope of the present invention.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、ガードリングのコーナー部を容易に金型で打抜
ける厚さの形状に樹脂成形するようにしたので、リード
端子の曲げ工程前にそのコーナー部を打抜けば、先端部
は樹脂でつながった状態でリード端子を加工することが
できるので、リードが変形する心配がなくなり、高品質
の半導体装置を図ることができる。As described above in detail, according to the present invention, since the corner portion of the guard ring is resin-molded into a shape having a thickness that can be easily punched by the die, the bending of the lead terminal is prevented. If the corner portion is punched out before the process, the lead terminal can be processed in a state where the tip portion is connected with the resin, so that there is no fear of deformation of the lead, and a high quality semiconductor device can be achieved.
【図１】本発明の実施例を示す半導体装置の平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＣ−Ｃ線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line CC of FIG.
【図３】従来の半導体装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a conventional semiconductor device.
【図４】従来の半導体装置の完成品を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a finished product of a conventional semiconductor device.
【図５】本発明の他の実施例を示す半導体装置の製造工
程平面図である。FIG. 5 is a plan view of a manufacturing process of a semiconductor device showing another embodiment of the present invention.
１１，２１ パッケージ １２，２２ リード端子 １３，２３ ダムバー １４，２４ リードフレーム １５ａ，１５ｂ，２５ａ，２５ｂ ガードリング １６，２６，２８ ランナー １７，１８，２７，２９ ゲート １９，３０ スルーゲート 11,21 Package 12,22 Lead terminal 13,23 Dam bar 14,24 Lead frame 15a, 15b, 25a, 25b Guard ring 16,26,28 Runner 17,18,27,29 Gate 19,30 Through gate
Claims (3)
と、そのリード端子の先端部にガードリングを具備する
半導体装置の樹脂成形方法において、 （ａ）前記ガードリングを樹脂の注入により成形し、 （ｂ）前記ガードリングのコーナー部を金型で容易に打
抜ける厚さに形成する半導体装置の樹脂成形方法。1. A resin molding method for a semiconductor device, comprising: a package for sealing a semiconductor device with a resin; and a guard ring at a tip of a lead terminal of the package. (A) molding the guard ring by injecting a resin; b) A resin molding method for a semiconductor device, in which a corner portion of the guard ring is formed to have a thickness that can be easily punched with a mold.
と、該ランナーより分岐したガードリング形成用のゲー
トを設けることにより、前記パッケージの成形と前記ガ
ードリングの成形を同時に行う請求項１記載の半導体装
置の樹脂成形方法。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein molding of the package and molding of the guard ring are performed simultaneously by providing a runner for forming a package and a gate for forming a guard ring branched from the runner. Resin molding method.
と、前記ガードリングを形成するためのランナーとを別
個に設け、前記パッケージと前記ガードリングとを別個
の樹脂を用いて形成する請求項１記載の半導体装置の樹
脂成形方法。3. A runner for forming a package and a runner for forming the guard ring are separately provided, and the package and the guard ring are formed by using different resins. Resin molding method for semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33233991A JPH05166864A (en) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | Resin molding method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33233991A JPH05166864A (en) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | Resin molding method of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166864A true JPH05166864A (en) | 1993-07-02 |
Family
ID=18253863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33233991A Withdrawn JPH05166864A (en) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | Resin molding method of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166864A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224243A (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Rohm Co Ltd | Molding die |
| JP2019021823A (en) * | 2017-07-20 | 2019-02-07 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Power semiconductor device, electric power conversion device using the same, and method of manufacturing power semiconductor device |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP33233991A patent/JPH05166864A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224243A (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Rohm Co Ltd | Molding die |
| JP2019021823A (en) * | 2017-07-20 | 2019-02-07 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Power semiconductor device, electric power conversion device using the same, and method of manufacturing power semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |