JPH09146257A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法Info
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- JPH09146257A JPH09146257A JP30705695A JP30705695A JPH09146257A JP H09146257 A JPH09146257 A JP H09146257A JP 30705695 A JP30705695 A JP 30705695A JP 30705695 A JP30705695 A JP 30705695A JP H09146257 A JPH09146257 A JP H09146257A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハ上ショット面内の寸法ばらつきを低減
できるフォトマスクを提供すること。 【解決手段】 石英基板上に金属薄膜等からなる回路パ
ターンを有する縮小投影露光装置用のフォトマスクにお
いて、露光光が透過するパターン部分のサイズに応じた
露光光透過率を示す半透明膜をフォトマスクパターン面
上の該露光光透過部に形成する。これにより、光透過部
を透過する露光光の光量が調節され、ウェハ上に到達す
るパターンの光量を揃えられるので、マスク製造時に生
じたマスク面内のパターン寸法のばらつきに起因するウ
ェハ上ショット面内の寸法ばらつきを低減できる。
できるフォトマスクを提供すること。 【解決手段】 石英基板上に金属薄膜等からなる回路パ
ターンを有する縮小投影露光装置用のフォトマスクにお
いて、露光光が透過するパターン部分のサイズに応じた
露光光透過率を示す半透明膜をフォトマスクパターン面
上の該露光光透過部に形成する。これにより、光透過部
を透過する露光光の光量が調節され、ウェハ上に到達す
るパターンの光量を揃えられるので、マスク製造時に生
じたマスク面内のパターン寸法のばらつきに起因するウ
ェハ上ショット面内の寸法ばらつきを低減できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク及び
その製造方法に関し、特に、半導体等の電子デバイスの
製造工程において、マスクに形成された回路パターンを
ウェハ上に高精度に転写する際用いられる縮小投影露光
装置用フォトマスクとその製造方法に関する。
その製造方法に関し、特に、半導体等の電子デバイスの
製造工程において、マスクに形成された回路パターンを
ウェハ上に高精度に転写する際用いられる縮小投影露光
装置用フォトマスクとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置等の電子デバイスで
は、デバイスパターンの微細化に伴って、回路パターン
の転写の際用いられるマスクをより高精度とする必要が
ある。通常、デバイスの回路パターンを転写する際に用
いられるフォトマスクは、Ｃｒ等の金属薄膜によって露
光光を反射吸収する遮光パターンと、露光光を透過させ
る透光パターンとを備えている。
は、デバイスパターンの微細化に伴って、回路パターン
の転写の際用いられるマスクをより高精度とする必要が
ある。通常、デバイスの回路パターンを転写する際に用
いられるフォトマスクは、Ｃｒ等の金属薄膜によって露
光光を反射吸収する遮光パターンと、露光光を透過させ
る透光パターンとを備えている。
【０００３】ここで、このようなマスクの製造方法につ
いて概説する。
いて概説する。
【０００４】図２を参照して、まず、図２（Ａ）に示す
ように、フォトマスク基板１の一面（一主面）上に、ス
パッタリング又は蒸着等によって、Ｃｒ等の金属薄膜２
を形成する。そして、この金属薄膜２上に、フォトレジ
ストを一様に塗布してフォトレジスト膜５とする。
ように、フォトマスク基板１の一面（一主面）上に、ス
パッタリング又は蒸着等によって、Ｃｒ等の金属薄膜２
を形成する。そして、この金属薄膜２上に、フォトレジ
ストを一様に塗布してフォトレジスト膜５とする。
【０００５】次に、図２（Ｂ）に示すように、電子線又
は光等によって回路パターンの直接描画を行うか、又は
マスターマスクの密着あるいは近接露光を行って、現像
処理を施し、所定パターンの回路パターン開口部４（マ
スク寸法＞マスク面内最小寸法）及び回路パターン開口
部４′（マスク寸法がほぼマスク面内最小寸法に等し
い）を形成する。
は光等によって回路パターンの直接描画を行うか、又は
マスターマスクの密着あるいは近接露光を行って、現像
処理を施し、所定パターンの回路パターン開口部４（マ
スク寸法＞マスク面内最小寸法）及び回路パターン開口
部４′（マスク寸法がほぼマスク面内最小寸法に等し
い）を形成する。
【０００６】次いで、図２（Ｃ）に示すように、フォト
マスク基板１上に残存したフォトレジスト膜５のパター
ンをマスクとして、ウェットエッチング法又は反応性イ
オンエッチング法により、金属薄膜２をエッチングし、
金属薄膜２による回路パターンの形成を行なう。
マスク基板１上に残存したフォトレジスト膜５のパター
ンをマスクとして、ウェットエッチング法又は反応性イ
オンエッチング法により、金属薄膜２をエッチングし、
金属薄膜２による回路パターンの形成を行なう。
【０００７】そして、図２（Ｄ）に示すように、レジス
ト（レジスト膜５）を剥離除去して、マスクとする。そ
の後、パターン欠陥、位置精度、寸法誤差及び面内寸法
ばらつき等のマスク検査を行う。パターンの欠け及びド
ット残りのような欠陥不良に対しては、ＦＩＢによるカ
ーボン蒸着又はレーザーリペア等の手段によってマスク
の修正が行われる。
ト（レジスト膜５）を剥離除去して、マスクとする。そ
の後、パターン欠陥、位置精度、寸法誤差及び面内寸法
ばらつき等のマスク検査を行う。パターンの欠け及びド
ット残りのような欠陥不良に対しては、ＦＩＢによるカ
ーボン蒸着又はレーザーリペア等の手段によってマスク
の修正が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のフォ
トマスクでは、マスク製造時に生じた面内寸法ばらつき
を修正することができず、このため、マスク上に生じた
パターン寸法ばらつきが、ウェハ上出来上がり寸法のシ
ョット内ばらつきに大きく影響してしまう。
トマスクでは、マスク製造時に生じた面内寸法ばらつき
を修正することができず、このため、マスク上に生じた
パターン寸法ばらつきが、ウェハ上出来上がり寸法のシ
ョット内ばらつきに大きく影響してしまう。
【０００９】まず、第１に、ホール工程のパターンのよ
うに、マスク寸法に対するウェハ上出来上がり寸法の忠
実度（マスクリニアリティ）が悪いパターンの場合、マ
スク上の寸法ばらつきはウェハ上でさらに２〜３倍にも
増幅されることがあるという問題点がある。
うに、マスク寸法に対するウェハ上出来上がり寸法の忠
実度（マスクリニアリティ）が悪いパターンの場合、マ
スク上の寸法ばらつきはウェハ上でさらに２〜３倍にも
増幅されることがあるという問題点がある。
【００１０】そして、第２に、ホールパターンを形成す
る工程では、マスク面内の寸法ばらつきにより、寸法の
小さいホールが開口しない恐れがあるため、露光条件を
寸法の小さいホールに合わせ込む必要があるが、この
際、寸法の大きなホールに対しては、オーバー露光条件
となるため、ウェハ上出来上がり寸法は大きくなる。つ
まり、図３に示すように、ウェハ上出来上がり寸法のシ
ョット内ばらつきが極めて大きくなってしまう。
る工程では、マスク面内の寸法ばらつきにより、寸法の
小さいホールが開口しない恐れがあるため、露光条件を
寸法の小さいホールに合わせ込む必要があるが、この
際、寸法の大きなホールに対しては、オーバー露光条件
となるため、ウェハ上出来上がり寸法は大きくなる。つ
まり、図３に示すように、ウェハ上出来上がり寸法のシ
ョット内ばらつきが極めて大きくなってしまう。
【００１１】さらに、上述のマスクリニアリティを考慮
すると、結果的に、ウェハ上で生じるショット内の寸法
差は、マスク上寸法差の２〜３倍以上にまでも増幅され
る。その結果、リソグラフィ工程でそれ以前の工程のパ
ターンとのアライメントマージンが大きく減少してしま
うことがあるという問題点がある。
すると、結果的に、ウェハ上で生じるショット内の寸法
差は、マスク上寸法差の２〜３倍以上にまでも増幅され
る。その結果、リソグラフィ工程でそれ以前の工程のパ
ターンとのアライメントマージンが大きく減少してしま
うことがあるという問題点がある。
【００１２】本発明の目的は、ウェハ上における出来上
がり寸法の面内ばらつきを低減できるフォトマスク及び
その製造方法を提供することにある。
がり寸法の面内ばらつきを低減できるフォトマスク及び
その製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、石英基
板上に金属薄膜等からなる回路パターンを有する縮小投
影露光装置用のフォトマスクにおいて、露光光が透過す
るパターン部分のサイズに応じた露光光透過率を示す半
透明膜がパターン面上の露光光透過部に形成されている
ことを特徴とするフォトマスクが得られる。
板上に金属薄膜等からなる回路パターンを有する縮小投
影露光装置用のフォトマスクにおいて、露光光が透過す
るパターン部分のサイズに応じた露光光透過率を示す半
透明膜がパターン面上の露光光透過部に形成されている
ことを特徴とするフォトマスクが得られる。
【００１４】さらに、露光光が透過するパターン部分の
サイズに応じた露光光透過率を示す半透明膜は露光光が
透過するパターン部分に対応してガラス面（石英基板）
に形成するようにしてもよい。
サイズに応じた露光光透過率を示す半透明膜は露光光が
透過するパターン部分に対応してガラス面（石英基板）
に形成するようにしてもよい。
【００１５】このようなフォトマスクを製造する際に
は、石英基板上に金属薄膜等からなる回路パターンを形
成した後、露光光に対し半透明な光重合性材料からなる
膜を形成する。その後、露光光が透過するパターン部分
において半透明膜の膜厚を自己的に制御して、パターン
サイズによって露光光透過率が異なる半透明膜を形成す
る。
は、石英基板上に金属薄膜等からなる回路パターンを形
成した後、露光光に対し半透明な光重合性材料からなる
膜を形成する。その後、露光光が透過するパターン部分
において半透明膜の膜厚を自己的に制御して、パターン
サイズによって露光光透過率が異なる半透明膜を形成す
る。
【００１６】露光光が透過するパターン部分において、
パターンサイズによって露光光透過率が異なる半透明膜
を形成する際には、１度フォトマスクを透過した光を凹
面鏡と台形ミラーを用いて再びフォトマスク上に照射し
て、フォトマスク上に光を複数回結像させるようにして
もよい。
パターンサイズによって露光光透過率が異なる半透明膜
を形成する際には、１度フォトマスクを透過した光を凹
面鏡と台形ミラーを用いて再びフォトマスク上に照射し
て、フォトマスク上に光を複数回結像させるようにして
もよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１８】図１は、本発明によるフォトマスクの一例
を示す断面図である。図１を参照して、図示のフォトマ
スクは、フォトマスク基板（石英基板）１、フォトマス
ク基板１上に形成された金属薄膜（遮光パターン）２、
及び透光パターン部に配置形成された光重合性膜３を有
している。
を示す断面図である。図１を参照して、図示のフォトマ
スクは、フォトマスク基板（石英基板）１、フォトマス
ク基板１上に形成された金属薄膜（遮光パターン）２、
及び透光パターン部に配置形成された光重合性膜３を有
している。
【００１９】ここで、図４を参照して、図２を用いて説
明した手法と同様にして、まず、フォトマスク基板１の
一面（一主面）上に、スパッタリング又は蒸着等によっ
て、Ｃｒ等の金属薄膜２を形成する。そして、この金属
薄膜２上に、フォトレジストを一様に塗布してフォトレ
ジスト膜５とする（図４（Ａ））。
明した手法と同様にして、まず、フォトマスク基板１の
一面（一主面）上に、スパッタリング又は蒸着等によっ
て、Ｃｒ等の金属薄膜２を形成する。そして、この金属
薄膜２上に、フォトレジストを一様に塗布してフォトレ
ジスト膜５とする（図４（Ａ））。
【００２０】次に、電子線又は光等によって回路パター
ンの直接描画を行うか、又はマスターマスクの密着ある
いは近接露光を行って、現像処理を施し、所定パターン
の開口部４，４′を形成する（図４（Ｂ））。
ンの直接描画を行うか、又はマスターマスクの密着ある
いは近接露光を行って、現像処理を施し、所定パターン
の開口部４，４′を形成する（図４（Ｂ））。
【００２１】次いで、フォトマスク基板１上に残存した
フォトレジスト膜５のパターンをマスクとして、ウェッ
トエッチング法又は反応性イオンエッチング法により、
金属薄膜２をエッチングし、金属薄膜２による回路パタ
ーンの形成を行なう（図４（Ｃ））。そして、レジスト
（レジスト膜５）を剥離除去する（図４（Ｄ））。
フォトレジスト膜５のパターンをマスクとして、ウェッ
トエッチング法又は反応性イオンエッチング法により、
金属薄膜２をエッチングし、金属薄膜２による回路パタ
ーンの形成を行なう（図４（Ｃ））。そして、レジスト
（レジスト膜５）を剥離除去する（図４（Ｄ））。
【００２２】その後、マスクのパターン面上に光重合性
材料を含む有機溶媒を一様に塗布し、均一な光重合性膜
３を形成させる。ついで、マスクのガラス面（フォトマ
スク基板）側から、マスク上にパターニングされている
金属薄膜をマスクとして光照射を行なう（図４（Ｅ）。
材料を含む有機溶媒を一様に塗布し、均一な光重合性膜
３を形成させる。ついで、マスクのガラス面（フォトマ
スク基板）側から、マスク上にパターニングされている
金属薄膜をマスクとして光照射を行なう（図４（Ｅ）。
【００２３】次いで、所定の溶媒で未照射部分の光重合
性膜３を除去したのち、ホットプレートでベークし、溶
媒の除去を行ない、フォトマスクとする（図４
（Ｆ））。
性膜３を除去したのち、ホットプレートでベークし、溶
媒の除去を行ない、フォトマスクとする（図４
（Ｆ））。
【００２４】上述の光重合性材料とは、所定の波長を有
する光の照射量によって重合反応が進行し、図５（Ａ）
に示すように、特定の溶媒に対して溶解性が連続的に変
化する材料である。従って、光照射後、特定の溶媒で一
定時間処理すると光照射量に応じて、図５図（Ｂ）に示
すように、光重合性膜の残膜量が連続的に変化する。
する光の照射量によって重合反応が進行し、図５（Ａ）
に示すように、特定の溶媒に対して溶解性が連続的に変
化する材料である。従って、光照射後、特定の溶媒で一
定時間処理すると光照射量に応じて、図５図（Ｂ）に示
すように、光重合性膜の残膜量が連続的に変化する。
【００２５】この場合、光の照射量は、溶媒処理後の残
膜量が連続的に変化する範囲であるとし、照射量の変化
に対して残膜量が著しく変化するものが望ましい。
膜量が連続的に変化する範囲であるとし、照射量の変化
に対して残膜量が著しく変化するものが望ましい。
【００２６】さらに、上述の光重合性材料は、その膜厚
に対して連続的に透過率が変化する材料である。
に対して連続的に透過率が変化する材料である。
【００２７】ところで、金属薄膜等でパターニングされ
たフォトマスクの光透過部を透過しウェハ上に到達する
光量は、その光透過部のサイズによって異なる。従っ
て、上述のように、金属薄膜等でパターニングされたフ
ォトマスクの光透過部にのみ光重合性膜を形成し、か
つ、その膜厚は、透過部分のサイズに応じた膜厚となっ
ている。つまり、光重合性膜の膜厚によって濾光光透過
率が制御されることになる。
たフォトマスクの光透過部を透過しウェハ上に到達する
光量は、その光透過部のサイズによって異なる。従っ
て、上述のように、金属薄膜等でパターニングされたフ
ォトマスクの光透過部にのみ光重合性膜を形成し、か
つ、その膜厚は、透過部分のサイズに応じた膜厚となっ
ている。つまり、光重合性膜の膜厚によって濾光光透過
率が制御されることになる。
【００２８】面内すべてのパターンが設計上同一寸法で
ある場合、マスク製造時に面内で寸法ばらつきが生じて
いると、設計よりも大きめにマスクパターンが形成され
ている部分では、設計よりも小さめにマスクパターンが
形成されている部分よりも、光透過部における光量が大
きくなるので、その分、光重合反応が進む。
ある場合、マスク製造時に面内で寸法ばらつきが生じて
いると、設計よりも大きめにマスクパターンが形成され
ている部分では、設計よりも小さめにマスクパターンが
形成されている部分よりも、光透過部における光量が大
きくなるので、その分、光重合反応が進む。
【００２９】従って、寸法の比較的大きいパターンで
は、溶媒処理後の半透明膜の残膜厚が厚くなり、露光光
透過率が減少するため、面内で寸法の比較的小さいパタ
ーンで露光条件を設定しても、オーバー露光とならず、
結果的にウェハ上で生じる面内寸法差を低減できる。
は、溶媒処理後の半透明膜の残膜厚が厚くなり、露光光
透過率が減少するため、面内で寸法の比較的小さいパタ
ーンで露光条件を設定しても、オーバー露光とならず、
結果的にウェハ上で生じる面内寸法差を低減できる。
【００３０】光重合性材料の具体的な一例としては、ネ
ガ型のｉ線用染料含有フォトレジスト材料がある。この
材料を用いた場合には、未照射部分を溶解させる溶媒は
ネガ型フォトレジストで一般的に用いられる現像液でも
よい。
ガ型のｉ線用染料含有フォトレジスト材料がある。この
材料を用いた場合には、未照射部分を溶解させる溶媒は
ネガ型フォトレジストで一般的に用いられる現像液でも
よい。
【００３１】ところで、マスク面内に存在するパターン
の寸法が設計上多種混在する場合には、例えば、ホール
パターンのようにマスクリニアリティの悪い場合におい
ては、通常、寸法の小さい種類のパターンに露光条件を
合わせた際、寸法の大きいパターンではマスクリニアリ
ティの悪さから、さらに大きい寸法になってしまう。
の寸法が設計上多種混在する場合には、例えば、ホール
パターンのようにマスクリニアリティの悪い場合におい
ては、通常、寸法の小さい種類のパターンに露光条件を
合わせた際、寸法の大きいパターンではマスクリニアリ
ティの悪さから、さらに大きい寸法になってしまう。
【００３２】このような場合にも、上述のフォトマスク
を用いることによって、パターン設計値とウェハ上出来
上がり寸法との寸法差に対してマスクリニアリティ分の
補正をかけることができ、この結果、従来の露光方法と
比較して、設計上のパターン寸法に対してより高い忠実
度を実現できる。
を用いることによって、パターン設計値とウェハ上出来
上がり寸法との寸法差に対してマスクリニアリティ分の
補正をかけることができ、この結果、従来の露光方法と
比較して、設計上のパターン寸法に対してより高い忠実
度を実現できる。
【００３３】ＫｒＦエキシマ・レーザーを露光光とした
際、ノボラック樹脂をベースとするｉ線レジスト材料は
２４８ｎｍの光に対して透過率が低いので、上述の光重
合性材料として用いることができる。
際、ノボラック樹脂をベースとするｉ線レジスト材料は
２４８ｎｍの光に対して透過率が低いので、上述の光重
合性材料として用いることができる。
【００３４】フォトマスクの光透過部を透過する露光光
透過率を制御する光重合性膜は、図６（Ａ）に示すよう
に、ガラス面（フォトマスク基板）１上に直接形成して
もよい。この場合には、パターン面（金属薄膜）２側か
ら光照射してパターニングされる（図６（Ｂ））。
透過率を制御する光重合性膜は、図６（Ａ）に示すよう
に、ガラス面（フォトマスク基板）１上に直接形成して
もよい。この場合には、パターン面（金属薄膜）２側か
ら光照射してパターニングされる（図６（Ｂ））。
【００３５】なお、その他のフォトマスクの製造のプロ
セスは図４に示す例と同様である。
セスは図４に示す例と同様である。
【００３６】ここで、パターンサイズによって露光光透
過率が異なる半透明膜を形成する際の他の例について説
明する。
過率が異なる半透明膜を形成する際の他の例について説
明する。
【００３７】図７を参照して、図示の装置は、光源（光
重合性膜照射用光源）６、ハーフミラー（半透鏡）７、
凹面鏡８、及び台形ミラー９を備えている。レチクル１
０はハーフミラー７の光軸上に配置される。
重合性膜照射用光源）６、ハーフミラー（半透鏡）７、
凹面鏡８、及び台形ミラー９を備えている。レチクル１
０はハーフミラー７の光軸上に配置される。
【００３８】光源６からの光は反射ミラー６ａで反射さ
れて、ハーフミラー７に達する。ハーフミラー７は反射
ミラーからの光を一部反射するから、この反射光がレチ
クル１０に照射される。レチクル１０を通過した光は、
実線矢印で示すように、凹面鏡８、台形ミラー９、及び
凹面鏡８で反射され、再び、凹面鏡８、台形ミラー９、
及び凹面鏡８で反射されて、ハーフミラー７に入射す
る。ハーフミラー７はこの入射光の一部を透過するか
ら、この透過光が再びレチクル１０に照射される。
れて、ハーフミラー７に達する。ハーフミラー７は反射
ミラーからの光を一部反射するから、この反射光がレチ
クル１０に照射される。レチクル１０を通過した光は、
実線矢印で示すように、凹面鏡８、台形ミラー９、及び
凹面鏡８で反射され、再び、凹面鏡８、台形ミラー９、
及び凹面鏡８で反射されて、ハーフミラー７に入射す
る。ハーフミラー７はこの入射光の一部を透過するか
ら、この透過光が再びレチクル１０に照射される。
【００３９】このように、ハーフミラー７からはマスク
上露光光が透過するパターン部分に、パターンサイズに
よって露光光透過率が異なる半透明膜を形成する際、１
度、フォトマスク（レチクル）を透過した光を凹面鏡８
と台形ミラー９によって、再び、元のフォトマスク上に
結像させる。
上露光光が透過するパターン部分に、パターンサイズに
よって露光光透過率が異なる半透明膜を形成する際、１
度、フォトマスク（レチクル）を透過した光を凹面鏡８
と台形ミラー９によって、再び、元のフォトマスク上に
結像させる。
【００４０】この方法によれば、パターンサイズの差が
小さいために、１度のみの照射だけでは、形成される半
透明膜の膜厚に差が出にくい場合でも、複数回マスク上
に光を結像させることでパターンサイズ差による光重合
性材料への照射量の差を増幅させることができる。この
結果、上述の効果を十分に引き出すことができる。
小さいために、１度のみの照射だけでは、形成される半
透明膜の膜厚に差が出にくい場合でも、複数回マスク上
に光を結像させることでパターンサイズ差による光重合
性材料への照射量の差を増幅させることができる。この
結果、上述の効果を十分に引き出すことができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、縮小
投影露光装置用のフォトマスクの回路パターン上の露光
光透過部に、この光透過部のサイズに応じた露光光透過
率を示す半透明膜を形成して、光透過部を透過する露光
光の光量を調節するようにしたから、ウェハ上に到達す
るパターンの光量を揃えることができ、その結果、マス
ク製造時に生じたマスク面内のパターン寸法のばらつき
に起因するウェハ上ショット面内の寸法ばらつきを低減
することができるという効果がある。
投影露光装置用のフォトマスクの回路パターン上の露光
光透過部に、この光透過部のサイズに応じた露光光透過
率を示す半透明膜を形成して、光透過部を透過する露光
光の光量を調節するようにしたから、ウェハ上に到達す
るパターンの光量を揃えることができ、その結果、マス
ク製造時に生じたマスク面内のパターン寸法のばらつき
に起因するウェハ上ショット面内の寸法ばらつきを低減
することができるという効果がある。
【図１】本発明によるフォトマスクの一例を示す断面図
である。
である。
【図２】従来のフォトマスクの製造工程を説明するため
の図である。
の図である。
【図３】ウェハ上に形成されるレジストパターンの寸法
と露光量との特性図である。
と露光量との特性図である。
【図４】本発明によるフォトマスクの製造工程の一例を
示す図である。
示す図である。
【図５】（Ａ）は光重合性膜の溶媒に対する溶解速度と
光の照射量との特性図であり、（Ｂ）は光重合性膜の溶
媒処理後の残存膜厚と光の照射量との特性図ある。
光の照射量との特性図であり、（Ｂ）は光重合性膜の溶
媒処理後の残存膜厚と光の照射量との特性図ある。
【図６】本発明によるフォトマスクの他の例を説明する
ための図である。
ための図である。
【図７】本発明によるフォトマスクを製造する際に用い
られる光照射装置の一例を示す図である。
られる光照射装置の一例を示す図である。
１ フォトマスク基板 ２ 金属薄膜 ３ 光重合性膜 ４ 回路パターン開口部 ４′ 回路パターン開口部 ５ レジスト膜 ６ 光重合性膜照射用光源 ７ ハーフミラー ８ 凹面鏡 ９ 台形ミラー １０ レチクル
Claims (6)
- 【請求項１】 フォトマスク基板上の一面に透光パター
ンと遮光パターンとを備える回路パターンを有する縮小
投影露光装置用のフォトマスクにおいて、前記透光パタ
ーンのサイズに応じた露光光透過率を示す半透明膜が前
記透光パターン上に形成されていることを特徴とするフ
ォトマスク。 - 【請求項２】 フォトマスク基板上の一面に透光パター
ンと遮光パターンとを備える回路パターンを有する縮小
投影露光装置用のフォトマスクにおいて、前記透光パタ
ーンのサイズに応じた露光光透過率を示す半透明膜が前
記透光パターンに対応して前記フォトマスク基板の他面
上に形成されていることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載されたフォトマス
クにおいて、前記フォトマスク基板は石英基板であるこ
とを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項４】 フォトマスク基板上の一面に透光パター
ンと遮光パターンとを備える回路パターンを形成する第
１の工程と、前記回路パターン上に光重合性材料からな
る半透明膜を形成する第２の工程と、前記透光パターン
部分において該半透明膜の膜厚を制御して前記透過パタ
ーンのサイズに応じて露光光透過率が異なる半透明膜を
形成する第３の工程を有することを特徴とするフォトマ
スクの製造方法。 - 【請求項５】 フォトマスク基板上の一面に透光パター
ンと遮光パターンとを備える回路パターンを形成する第
１の工程と、前記フォトマスク基板上の他面に光重合性
材料からなる半透明膜を形成する第２の工程と、前記透
光パターンに対応する部分において該半透明膜の膜厚を
制御して前記透過パターンのサイズに応じて露光光透過
率が異なる半透明膜を形成する第３の工程を有すること
を特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項６】 請求項４又は５に記載されたフォトマス
クの製造方法において、前記第３の工程には、前記フォ
トマスク基板に対して光を照射する第１いしのステップ
と、該フォトマスク基板を透過した光を再び前記フォト
マスク基板に照射する第２のステップとが含まれ、前記
フォトマスク基板に光を複数回結像させるようにしたこ
とを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30705695A JP3130777B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | フォトマスク及びその製造方法 |
| US08/751,816 US5807648A (en) | 1995-11-27 | 1996-11-19 | Photo-Mask having optical filtering layer on transparent substrate uncovered with photo-shield pattern and process of fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30705695A JP3130777B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | フォトマスク及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09146257A true JPH09146257A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3130777B2 JP3130777B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=17964523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30705695A Expired - Fee Related JP3130777B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | フォトマスク及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5807648A (ja) |
| JP (1) | JP3130777B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100746625B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2007-08-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 높은 빔 컨트라스트를 나타내는 포토마스크 및 그제조방법과, 이를 이용한 노광방법 |
| JP2009092789A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Elpida Memory Inc | 位相シフト型フォトマスクの製造方法、位相シフト型フォトマスク、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2009192927A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法 |
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Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH1155460A (ja) * | 1997-08-06 | 1999-02-26 | Nec Corp | 画像読取り装置 |
| US20020070354A1 (en) * | 2000-12-11 | 2002-06-13 | Nobuo Shimazu | Manufacturing method of mask for electron beam proximity exposure and mask |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0815848A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Kyushu Ltd | フォトレチクル |
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| JPS61210358A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Toshiba Corp | フオトマスク |
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-
1995
- 1995-11-27 JP JP30705695A patent/JP3130777B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-19 US US08/751,816 patent/US5807648A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0815848A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Kyushu Ltd | フォトレチクル |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100746625B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2007-08-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 높은 빔 컨트라스트를 나타내는 포토마스크 및 그제조방법과, 이를 이용한 노광방법 |
| US7904851B2 (en) | 2006-07-25 | 2011-03-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method |
| JP2009092789A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Elpida Memory Inc | 位相シフト型フォトマスクの製造方法、位相シフト型フォトマスク、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2009192927A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5807648A (en) | 1998-09-15 |
| JP3130777B2 (ja) | 2001-01-31 |
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