JPH04262522A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH04262522A JPH04262522A JP2250091A JP2250091A JPH04262522A JP H04262522 A JPH04262522 A JP H04262522A JP 2250091 A JP2250091 A JP 2250091A JP 2250091 A JP2250091 A JP 2250091A JP H04262522 A JPH04262522 A JP H04262522A
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- pattern
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Links
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路製造用の
フォトマスクの製造方法に関する。
フォトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造に使用されるフォ
トマスクは、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１上
にクロム等の金属層２を被着したのち、金属層２の上に
設けられたフォトレジスト膜の露光・現像工程により得
られたパターン（以下レジストパターンという）３Ａを
マスクとしてこの金属層２をエッチングする事により形
成される。フォトレジスト膜の露光には電子ビームまた
は紫外線が用いられているが、電子ビーム露光の場合は
現像後にフォトレジスト膜の残渣が生じるので、デスカ
ム処理と呼ばれる工程が付加される。
トマスクは、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１上
にクロム等の金属層２を被着したのち、金属層２の上に
設けられたフォトレジスト膜の露光・現像工程により得
られたパターン（以下レジストパターンという）３Ａを
マスクとしてこの金属層２をエッチングする事により形
成される。フォトレジスト膜の露光には電子ビームまた
は紫外線が用いられているが、電子ビーム露光の場合は
現像後にフォトレジスト膜の残渣が生じるので、デスカ
ム処理と呼ばれる工程が付加される。
【０００３】このデスカム処理は、プラズマによるエッ
チング技術を用いたフォトレジスト膜残渣の除去手段で
ある。従来のデスカム処理工程によれば、フォトレジス
ト膜の露光・現像工程を終えたマスク基板は、バレル型
または平行平板型の電極を有する処理室内に収容され、
フォトレジスト膜の表面が全面にわたってごく薄くプラ
ズマによって除去される。最後にエッチング工程で不要
な金属層２がエッチング除去される。エッチング工程で
はエッチング液で金属層を溶解するウェットエッチング
法とプラズマ中で金属層を蒸散させるドライエッチング
法の二種類があり、最近では精度の高いドライエッチン
グ法が多用されるようになってきている。
チング技術を用いたフォトレジスト膜残渣の除去手段で
ある。従来のデスカム処理工程によれば、フォトレジス
ト膜の露光・現像工程を終えたマスク基板は、バレル型
または平行平板型の電極を有する処理室内に収容され、
フォトレジスト膜の表面が全面にわたってごく薄くプラ
ズマによって除去される。最後にエッチング工程で不要
な金属層２がエッチング除去される。エッチング工程で
はエッチング液で金属層を溶解するウェットエッチング
法とプラズマ中で金属層を蒸散させるドライエッチング
法の二種類があり、最近では精度の高いドライエッチン
グ法が多用されるようになってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来のフォトマスクの製造方法では、現像後のレジスト
パターン３Ａのエッジ部には図３（ａ）に示したように
、テーパがある為、ドライエッチング後の金属パターン
２Ｂにも図３（ｂ）に示すようにテーパが形成され、金
属パターン２Ｂの精度が低下するという欠点があった。 これは図３（ｂ）に示したように、エッチング工程でク
ロム等の金属層だけでなくレジストパターン３Ａもエッ
チングされてしまうからである。従ってエッチング後垂
直な金属パターンのエッジを形成する為には、レジスト
パターン３Ａのエッジを垂直にしておく必要がある。
従来のフォトマスクの製造方法では、現像後のレジスト
パターン３Ａのエッジ部には図３（ａ）に示したように
、テーパがある為、ドライエッチング後の金属パターン
２Ｂにも図３（ｂ）に示すようにテーパが形成され、金
属パターン２Ｂの精度が低下するという欠点があった。 これは図３（ｂ）に示したように、エッチング工程でク
ロム等の金属層だけでなくレジストパターン３Ａもエッ
チングされてしまうからである。従ってエッチング後垂
直な金属パターンのエッジを形成する為には、レジスト
パターン３Ａのエッジを垂直にしておく必要がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクの
製造方法は、プラズマ中でフォトレジスト膜の残渣を除
去するデスカム工程の後に、レジストパターンを成形す
る為にパターンエッジ部のみをイオンビームで走査する
工程を有している。
製造方法は、プラズマ中でフォトレジスト膜の残渣を除
去するデスカム工程の後に、レジストパターンを成形す
る為にパターンエッジ部のみをイオンビームで走査する
工程を有している。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する為
に工程順に示したフォトマスクの断面図である。
。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する為
に工程順に示したフォトマスクの断面図である。
【０００７】まず図１（ａ）に示すように、ガラス基板
１の上にクロム等の金属層２を０．１μｍの厚さに蒸着
する。次に金属層２の上にフォトレジスト膜３を０．５
μｍの厚さに塗布する。次にフォトレジスト膜３を０．
５〜１０μｃ／ｃｍ２ のドーズ量の電子ビーム４によ
り走査して所定のパターンを露光する。
１の上にクロム等の金属層２を０．１μｍの厚さに蒸着
する。次に金属層２の上にフォトレジスト膜３を０．５
μｍの厚さに塗布する。次にフォトレジスト膜３を０．
５〜１０μｃ／ｃｍ２ のドーズ量の電子ビーム４によ
り走査して所定のパターンを露光する。
【０００８】次に図１（ｂ）に示すように、フォトレジ
スト膜３を現像してレジストパターン３Ａを形成する。 ここで現像後の金属層２の上にフォトレジスト膜３の残
渣５が薄く分布して残存する。次でプラズマ中でのデス
カム処理を実施し残渣５を除去する。
スト膜３を現像してレジストパターン３Ａを形成する。 ここで現像後の金属層２の上にフォトレジスト膜３の残
渣５が薄く分布して残存する。次でプラズマ中でのデス
カム処理を実施し残渣５を除去する。
【０００９】次に図１（ｃ）に示すように、イオンビー
ム６がガラス基板全面を走査できるようにステージが順
次移動するデスカム処理装置を用い、イオンビーム６が
レジストパターン３Ａのエッジ部に到達した時点で０．
１〜０．５μｍΦとなるイオンビームを５〜５０ｋＶの
加速度で照射し、レジストパターンを成形し、テーパの
ないレジストパターン３Ｂとする。
ム６がガラス基板全面を走査できるようにステージが順
次移動するデスカム処理装置を用い、イオンビーム６が
レジストパターン３Ａのエッジ部に到達した時点で０．
１〜０．５μｍΦとなるイオンビームを５〜５０ｋＶの
加速度で照射し、レジストパターンを成形し、テーパの
ないレジストパターン３Ｂとする。
【００１０】次に図１（ｄ）に示すように、レジストパ
ターン３Ｂをマスクとし金属層２をエッチングして除去
し、金属パターン２Ａを形成する。以下レジストパター
ンを剥離してフォトマスクを完成させる。
ターン３Ｂをマスクとし金属層２をエッチングして除去
し、金属パターン２Ａを形成する。以下レジストパター
ンを剥離してフォトマスクを完成させる。
【００１１】このように本実施例によれば、テーパのな
いレジストパターン３Ｂを用いて金属層２をエッチング
するため、テーパがなくパターン精度の向上した金属パ
ターン２Ａを形成できる。
いレジストパターン３Ｂを用いて金属層２をエッチング
するため、テーパがなくパターン精度の向上した金属パ
ターン２Ａを形成できる。
【００１２】図２は本実施例におけるレジストパターン
の成形処理工程に使用するデスカム処理装置を説明する
為のブロック図である。
の成形処理工程に使用するデスカム処理装置を説明する
為のブロック図である。
【００１３】図２に示すようにデスカム処理装置は、イ
オンビームを作り出すイオン源７とヒータ電源１３、ビ
ームを成形するアパーチャ８、ビームの加速フォーカス
調整を行うフォーカスレンズ９、加速電源１４、加速制
御部１５、フォーカス電源１６、フォーカス制御部１７
、ビームのブランキングを行うブランキング電極１０、
ブランキング電源１８、ブランキング制御部１９、ビー
ム偏向を行う偏向電極１１、偏向電源２０、偏向制御部
２１、マスクをセットするステージ１２、ステージを移
動させるモータ２２、ステージ制御部２３、マスクパタ
ーン配置データを入力するデータ入力装置２５及び入力
データの変換装置２４より主に構成される。
オンビームを作り出すイオン源７とヒータ電源１３、ビ
ームを成形するアパーチャ８、ビームの加速フォーカス
調整を行うフォーカスレンズ９、加速電源１４、加速制
御部１５、フォーカス電源１６、フォーカス制御部１７
、ビームのブランキングを行うブランキング電極１０、
ブランキング電源１８、ブランキング制御部１９、ビー
ム偏向を行う偏向電極１１、偏向電源２０、偏向制御部
２１、マスクをセットするステージ１２、ステージを移
動させるモータ２２、ステージ制御部２３、マスクパタ
ーン配置データを入力するデータ入力装置２５及び入力
データの変換装置２４より主に構成される。
【００１４】データ入力装置２５より入力されたマスク
パターン配置データは変換装置２４でパターンエッジ情
報に変換され、各制御部１５，１７，１９，２１，２３
に送られる。ステージ１２はモータ２２でマスク基板１
の端から順に移動していき、パターンエッジの存在して
いる部分に来るとイオン源７よりイオンビームが照射さ
れるように構成されている。なお、ステージ１２がマス
クの一端から順次動いていくのではなく、パターンエッ
ジの存在する部分のみを移動させるようにしてもよい。 この場合は一枚のマスクにイオンビームを照射する時間
を低減させることができる。
パターン配置データは変換装置２４でパターンエッジ情
報に変換され、各制御部１５，１７，１９，２１，２３
に送られる。ステージ１２はモータ２２でマスク基板１
の端から順に移動していき、パターンエッジの存在して
いる部分に来るとイオン源７よりイオンビームが照射さ
れるように構成されている。なお、ステージ１２がマス
クの一端から順次動いていくのではなく、パターンエッ
ジの存在する部分のみを移動させるようにしてもよい。 この場合は一枚のマスクにイオンビームを照射する時間
を低減させることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ォトレジスト膜からなるパターンのエッジ部を垂直にき
り立たせる事ができるため、パターン精度の向上した金
属パターンを有するフォトマスクが得られるという効果
がある。
ォトレジスト膜からなるパターンのエッジ部を垂直にき
り立たせる事ができるため、パターン精度の向上した金
属パターンを有するフォトマスクが得られるという効果
がある。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのフォトマス
クの断面図である。
クの断面図である。
【図２】実施例に使用するディスカム処理装置のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図３】従来のフォトマスクの製造方法を説明するため
のフォトマスクの断面図である。
のフォトマスクの断面図である。
１ ガラス基板
２ 金属層
２Ａ，２Ｂ 金属パターン
３ フォトレジスト膜
３Ａ，３Ｂ レジストパターン
４ 電子ビーム
５ 残渣
６ イオンビーム
７ イオン源
８ アパーチャ
９ フォーカスレンズ
１０ ブランキング電極
１１ 偏向電極
１２ ステージ
１３ ヒータ電源
１４ 加速電源
１５ 加速制御部
１６ フォーカス電源
１７ フォーカス制御部
１８ ブランキング電源
１９ ブランキング制御部
２０ 偏向電源
２１ 偏向制御部
２２ モータ
２３ ステージ制御部
２４ 変換装置
２５ データ入力装置
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板の一主面上にマスク用金属
層を被着したのち全面にフォトレジスト膜を形成する工
程と、前記フォトレジスト膜を露光・現像しパターンを
形成したのちプラズマ中でフォトレジスト膜の残渣を除
去する工程と、前記フォトレジスト膜のパターンのエッ
ジ部のみをイオンビームで走査しパターンを成形する工
程とを有する事を特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2250091A JPH04262522A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2250091A JPH04262522A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04262522A true JPH04262522A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=12084467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2250091A Pending JPH04262522A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04262522A (ja) |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP2250091A patent/JPH04262522A/ja active Pending
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