JPH02165647A - 集積回路実装構造体 - Google Patents
集積回路実装構造体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
目 次
A、産業上の利用分野
B、従来の技術
C1発明が解決しようとする課題
り1課題を解決する手段
E、実施例
E−1,まえおき
E−2,TABテープ構造体
E−3,ICデバイスの接続方法
E−4,望ましい回路特性
E−5,片持ち支持の構造体
E−8,ICへのボンディング工程及び結果E−7,リ
ードの形成工程 E−8,基板へのボンディング工程及び結果E−9,フ
レキシブルでの工程及び結果E−10,第8図の構造体
の製造工程 E−11,多段金属層構造体 E−12,片持ち支持の構造体のまとめE−13,不拘
−厚さの構造体及び製造方法E−14.不均−厚さの構
造体の他の製造方法E−15,バランスの良いインピー
ダンスの構造体 F1発明の効果 A、産業上の利用分野 本発明は集積回路実装構造体に関するもので、さらに詳
しくは、インピーダンス特性が選択的に調整され、電子
デバイスへの電気的接続の数が最大になるようにビーム
・リードが配列された、電子デバイスを基板に電気的に
相互接続する多段金属構造体に関するものである。
ードの形成工程 E−8,基板へのボンディング工程及び結果E−9,フ
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−厚さの構造体及び製造方法E−14.不均−厚さの構
造体の他の製造方法E−15,バランスの良いインピー
ダンスの構造体 F1発明の効果 A、産業上の利用分野 本発明は集積回路実装構造体に関するもので、さらに詳
しくは、インピーダンス特性が選択的に調整され、電子
デバイスへの電気的接続の数が最大になるようにビーム
・リードが配列された、電子デバイスを基板に電気的に
相互接続する多段金属構造体に関するものである。
B、従来の技術
マイクロエレクトロニクス産業では、電子部品の製作コ
ストを低減する構成によって、プリント回路基板などの
基板上に、リード数が多くスイッチングが高速のVLS
I(超大規模集積回路)集積回路(IC)を電気的に装
着できるようになることが、ずっと望まれている。以前
は、電子デバイスは、デバイスの接点パッドを基板の接
点パッドに個々にワイヤ・ボンディングするなどの技術
によって、基板に表面実装されていた。その後、テープ
自動ボンディング(TAB)が開発されて、個別のワイ
ヤ・ボンディングは不要になった。TABでは、金属層
がビーム・リードのパターンとして作られる。ビーム・
リードは、リードをまとめて保持するフレキシブルな絶
縁フィルム上に作ることができ、絶縁フィルムがない場
合は、金属層のビーム・リードを相互接続する部分によ
ってまとめて保持され、相互接続する部分は、リードが
電子デバイスにボンディングされた後に取り外される。
ストを低減する構成によって、プリント回路基板などの
基板上に、リード数が多くスイッチングが高速のVLS
I(超大規模集積回路)集積回路(IC)を電気的に装
着できるようになることが、ずっと望まれている。以前
は、電子デバイスは、デバイスの接点パッドを基板の接
点パッドに個々にワイヤ・ボンディングするなどの技術
によって、基板に表面実装されていた。その後、テープ
自動ボンディング(TAB)が開発されて、個別のワイ
ヤ・ボンディングは不要になった。TABでは、金属層
がビーム・リードのパターンとして作られる。ビーム・
リードは、リードをまとめて保持するフレキシブルな絶
縁フィルム上に作ることができ、絶縁フィルムがない場
合は、金属層のビーム・リードを相互接続する部分によ
ってまとめて保持され、相互接続する部分は、リードが
電子デバイスにボンディングされた後に取り外される。
IC回路密度が増加するにつれて、一般に入出力の数が
増加し、それに電気接続するために必要なビーム・リー
ドの数が増加する。回路数の増加は、一般に回路の構成
デバイスの寸法を減少させることによって実現される。
増加し、それに電気接続するために必要なビーム・リー
ドの数が増加する。回路数の増加は、一般に回路の構成
デバイスの寸法を減少させることによって実現される。
この寸法の減少により、一般に回路のスイッチング速度
が増大する。
が増大する。
スイッチング速度の速い回路の波形は、スイッチング速
度の遅い回路の波形よりも、信号線インピーダンスから
のひずみを受けやすい。
度の遅い回路の波形よりも、信号線インピーダンスから
のひずみを受けやすい。
ICへの多数の電気的相互接続を実現し、同時に波形ひ
ずみを避けるために何らかのインピーダンス調整を行な
うための1つの技術は、複数の金属層を有する多段セラ
ミック実装基板上にICを装着するものである。これら
の層のいくつかは、波形ひずみの問題を軽減させるため
に使用できる。
ずみを避けるために何らかのインピーダンス調整を行な
うための1つの技術は、複数の金属層を有する多段セラ
ミック実装基板上にICを装着するものである。これら
の層のいくつかは、波形ひずみの問題を軽減させるため
に使用できる。
その後に、セラミック基板をプリント回路板上に装着す
ることができる。
ることができる。
セラミック基板はこれらの問題のいくつかを解決するけ
れども、製造コストが非常に高い。さらに、TAB式の
テープ製造技術によって与えられる自動ボンディング能
力が失われる。セラミック基板は、ICやプリント回路
板にボンディングする際、個々に取り扱わなければなら
ない。
れども、製造コストが非常に高い。さらに、TAB式の
テープ製造技術によって与えられる自動ボンディング能
力が失われる。セラミック基板は、ICやプリント回路
板にボンディングする際、個々に取り扱わなければなら
ない。
また、多段金属TABを使ってICへのボンディングを
行なうこともできる。
行なうこともできる。
アンジェルッチ(Angelucci )他の米国特許
第4064552号明細書は、その第5図に示すように
製造された多段金属TAB式のテープ構造を示している
。2つのテープが使用される。各テープは絶縁層の上に
単一金属層を有する。各テープの絶縁層の金属層のない
側が互いにボンディングされて、両面に金属パターンを
宵する複合絶縁層を持つ単一テープが形成される。複合
絶縁層は、個々のテープとその間の接着剤からなる絶縁
層2層から形成される。上記特許の第1図は、1つの金
属層のフレキシブル導電性フィンガの内端にボンディン
グされた半導体チップ18を示す。上記特許の第4図に
示すように、2つの金属被覆層が電気的に相互接続され
ている。2段金属テープの片面にある導体94は、各テ
ープの絶縁層中の接続開口90,91を通じて、複合絶
縁層80の反対側の面にある導体92に接続されている
。この手法では、複合絶縁層の一方の表面にある金属導
体を複合絶縁層の他方の表面にある他の導体と電気的に
相互接続するために、絶縁層を貫通する大きな開口の使
用が必要となる。
第4064552号明細書は、その第5図に示すように
製造された多段金属TAB式のテープ構造を示している
。2つのテープが使用される。各テープは絶縁層の上に
単一金属層を有する。各テープの絶縁層の金属層のない
側が互いにボンディングされて、両面に金属パターンを
宵する複合絶縁層を持つ単一テープが形成される。複合
絶縁層は、個々のテープとその間の接着剤からなる絶縁
層2層から形成される。上記特許の第1図は、1つの金
属層のフレキシブル導電性フィンガの内端にボンディン
グされた半導体チップ18を示す。上記特許の第4図に
示すように、2つの金属被覆層が電気的に相互接続され
ている。2段金属テープの片面にある導体94は、各テ
ープの絶縁層中の接続開口90,91を通じて、複合絶
縁層80の反対側の面にある導体92に接続されている
。この手法では、複合絶縁層の一方の表面にある金属導
体を複合絶縁層の他方の表面にある他の導体と電気的に
相互接続するために、絶縁層を貫通する大きな開口の使
用が必要となる。
シャシー(Schaller)の米国特許第45382
10号明細書は、電子デバイスを受は入れるためのウィ
ンドウを有する回路板を開示している。このデバイスは
プレート状に形成されており、両面にまたプレートの縁
部に沿って電気接点位置を有する。回路板は、ウィンド
ウ内に突き出た少なくとも2つの異なった長さの弾性支
持タブを有する。
10号明細書は、電子デバイスを受は入れるためのウィ
ンドウを有する回路板を開示している。このデバイスは
プレート状に形成されており、両面にまたプレートの縁
部に沿って電気接点位置を有する。回路板は、ウィンド
ウ内に突き出た少なくとも2つの異なった長さの弾性支
持タブを有する。
これらのタブは、回路板上の導体列の端部を形成する。
ウィンドウを通してプレートを押すと、短い支持タブが
はね返り、プレートは支持タブによって回路板に締め付
けられる。さらにタブは、回路板の導体パスとプレート
上の接点の電気的接続を行なう。このスナップ継手には
4種の変形があり、上記特許の第2図ないし第5図に示
されている。
はね返り、プレートは支持タブによって回路板に締め付
けられる。さらにタブは、回路板の導体パスとプレート
上の接点の電気的接続を行なう。このスナップ継手には
4種の変形があり、上記特許の第2図ないし第5図に示
されている。
どの変形においても、スナップ継手の端部は、締付は機
能を持たせるために2つの別々のプレート内にある。タ
ブとプレート接点の間の電気的接続は圧力で行なわれる
。
能を持たせるために2つの別々のプレート内にある。タ
ブとプレート接点の間の電気的接続は圧力で行なわれる
。
もう1つの手法は、絶縁層中の導電性バイアまたは貫通
孔を用いて1つの金属層上の導体を隣接の金属層に電気
的に接続する、多段金属TABテープを製造するもので
ある。すべての金属層は、これによって、絶縁層中の開
口に向かって内側に突き出したビーム・リードを有する
単一金属層に、電気的に接続される。ビーム・リードは
1つの金属層から内側に突き出ている。標準的なポンデ
ィング技術によって、ICを単一層からのビーム・リー
ドの内端にボンディングすることができる。
孔を用いて1つの金属層上の導体を隣接の金属層に電気
的に接続する、多段金属TABテープを製造するもので
ある。すべての金属層は、これによって、絶縁層中の開
口に向かって内側に突き出したビーム・リードを有する
単一金属層に、電気的に接続される。ビーム・リードは
1つの金属層から内側に突き出ている。標準的なポンデ
ィング技術によって、ICを単一層からのビーム・リー
ドの内端にボンディングすることができる。
バイアにはいくつかの固有の問題がある。バイアを使っ
である層上の導体を他の層上の導体に電気的に接続する
場合、バイアと導体の相対位置に統計的なばらつきがあ
る。この統計的ばらつきは、この構造を製造する工程と
ツールから発生するものである。この位置合せのばらつ
きのために、バイアと導体のオーバーラツプが最小にな
り、そのため導体とバイアの間の接点抵抗が高くなる恐
れがある。
である層上の導体を他の層上の導体に電気的に接続する
場合、バイアと導体の相対位置に統計的なばらつきがあ
る。この統計的ばらつきは、この構造を製造する工程と
ツールから発生するものである。この位置合せのばらつ
きのために、バイアと導体のオーバーラツプが最小にな
り、そのため導体とバイアの間の接点抵抗が高くなる恐
れがある。
′来の構造体の
第4図は、2金属層TABテープの概略上面図である。
ビーム・リード62及び64は第1金属層内にあり、そ
れぞれILB端θ端尺365を有する。ビーム・リード
86は第2金属層上にある。
れぞれILB端θ端尺365を有する。ビーム・リード
86は第2金属層上にある。
第1及び第2金属層は、絶縁性フィルムθ8で分離され
ている。第1金属層は、絶縁層68の表面69に設けら
れている。第2金属層は、絶縁層68の表面71に設け
られている。絶縁層の下にあるビーム・リード66は破
線で示されている。ビーム・リード68は、導電性バイ
ア70を経て第1金属層まで達している。導電性バイア
70は、■LB端74を有するビーム・リード72に電
気的に接続されている。83.85及び74などのIL
B端は、IC79上のバッド77に電気的に接続されて
いる。ビーム・リード66は、導電性バイア73を経て
第1金属層まで達している。導電性バイ773は、外側
リード・ボンド端65を有するビーム・リード67に電
気的に接続されている。
ている。第1金属層は、絶縁層68の表面69に設けら
れている。第2金属層は、絶縁層68の表面71に設け
られている。絶縁層の下にあるビーム・リード66は破
線で示されている。ビーム・リード68は、導電性バイ
ア70を経て第1金属層まで達している。導電性バイア
70は、■LB端74を有するビーム・リード72に電
気的に接続されている。83.85及び74などのIL
B端は、IC79上のバッド77に電気的に接続されて
いる。ビーム・リード66は、導電性バイア73を経て
第1金属層まで達している。導電性バイ773は、外側
リード・ボンド端65を有するビーム・リード67に電
気的に接続されている。
バイアを使って、ビーム・リードを第1及び第2金属層
に電気的に接続することは、多くの短所がある。一般に
、第4図の絶縁層68中のバイア・ホールは、ビーム・
リードと同じほど小さな寸法に作ることはできない。図
では、ビーム・リード68は幅Wを有し、バイアはWよ
り大きな幅Wfを有する。リード66と64などのビー
ム・リード間で実現可能な最大間隙は、ビーム・リード
64とバイア70の間で実現可能な最小間隔dによって
決まる。最小バイア幅W9は最小ビーム・リード幅Wよ
り大きいので、リードθ6が占める絶縁層68上のスペ
ースは、バイアが必要でない場合、より大きくなる。し
たがって、バイアを使用するときは、TA、Bテープ上
のリード群中に設けることのできるビーム・リードの数
が、バイアを使用しない場合よりも少なくなる。
に電気的に接続することは、多くの短所がある。一般に
、第4図の絶縁層68中のバイア・ホールは、ビーム・
リードと同じほど小さな寸法に作ることはできない。図
では、ビーム・リード68は幅Wを有し、バイアはWよ
り大きな幅Wfを有する。リード66と64などのビー
ム・リード間で実現可能な最大間隙は、ビーム・リード
64とバイア70の間で実現可能な最小間隔dによって
決まる。最小バイア幅W9は最小ビーム・リード幅Wよ
り大きいので、リードθ6が占める絶縁層68上のスペ
ースは、バイアが必要でない場合、より大きくなる。し
たがって、バイアを使用するときは、TA、Bテープ上
のリード群中に設けることのできるビーム・リードの数
が、バイアを使用しない場合よりも少なくなる。
バイアを使用する場合、他にも問題が生じる可能性があ
る。第5図は、第4図の線BHに沿った断面図である。
る。第5図は、第4図の線BHに沿った断面図である。
第4図と第5図で共通の番号は同じものを示す。ビーム
・リード62.64.72は、絶縁層88の表面69上
に配置されている。
・リード62.64.72は、絶縁層88の表面69上
に配置されている。
絶縁層68の表面71に配置されているビーム・リード
66は、絶縁層68中の導電性バイア70を通じて、ビ
ーム・リード72に電気的に接続されている。第5図の
線DDは、リード72と66の中心線、及びバイア70
の中心線を示す。この中心線は、その周りでリード及び
バイアが設計される線を示す。いかなる製造作業におい
ても、この中心線の周りで、微細形状の製造には統計的
ばらつきがある。リード及びバイアの設計位置は破線で
示されている。すなわち微細形状72.70166の設
計位置は、それぞれ72’ 70’ 68°である
。リード72及び66は中心線の右側にずれている。バ
イア70は中心線の左側にずれている。リード72は幅
Qの領域78でバイア70と交差し、リード66は幅Q
°の領域80でバイア70と交差している。両交差領域
78及び80はともに、リード72.86の幅W1及び
バイア70の幅W“より実質的に小さな寸法となってい
る。領域78.80には高い接点抵抗が生ずる。
66は、絶縁層68中の導電性バイア70を通じて、ビ
ーム・リード72に電気的に接続されている。第5図の
線DDは、リード72と66の中心線、及びバイア70
の中心線を示す。この中心線は、その周りでリード及び
バイアが設計される線を示す。いかなる製造作業におい
ても、この中心線の周りで、微細形状の製造には統計的
ばらつきがある。リード及びバイアの設計位置は破線で
示されている。すなわち微細形状72.70166の設
計位置は、それぞれ72’ 70’ 68°である
。リード72及び66は中心線の右側にずれている。バ
イア70は中心線の左側にずれている。リード72は幅
Qの領域78でバイア70と交差し、リード66は幅Q
°の領域80でバイア70と交差している。両交差領域
78及び80はともに、リード72.86の幅W1及び
バイア70の幅W“より実質的に小さな寸法となってい
る。領域78.80には高い接点抵抗が生ずる。
接点抵抗は寸法悲及びQ“に反比例する。高い接点抵抗
を避けるために、一般にバイアまたはリードの幅は、領
域78及び80の交差寸法がこの交差領域の面積が小さ
くならないようにするのに十分な大きさになるように広
げなければならない。
を避けるために、一般にバイアまたはリードの幅は、領
域78及び80の交差寸法がこの交差領域の面積が小さ
くならないようにするのに十分な大きさになるように広
げなければならない。
バイアまたはリードの幅が増加すると、リードが占める
スペースが増し、その結果、所与のビーム・リード群の
ビーム・リードの総数が少なくなる。
スペースが増し、その結果、所与のビーム・リード群の
ビーム・リードの総数が少なくなる。
バイア70の幾何形状の制限に加えて、バイア70とリ
ード66及び72の間に良好な電気的接続を行なわなけ
ればならない。バイアとリードの間に良好な電気的接続
を行なうには、バイアを使用する製造工程の一環として
、接点インターフェースを掃除して、その接合部で必要
以上に高い接点抵抗、電気的開路、及び信頼性の低下を
引き起こす可能性のある工程段階からの残渣をなくさな
ければならない。さらに、導電性バイア自体が、製造歩
留りの低下及び信頼性の低下を助長する追加の微細形状
をもたらす。
ード66及び72の間に良好な電気的接続を行なわなけ
ればならない。バイアとリードの間に良好な電気的接続
を行なうには、バイアを使用する製造工程の一環として
、接点インターフェースを掃除して、その接合部で必要
以上に高い接点抵抗、電気的開路、及び信頼性の低下を
引き起こす可能性のある工程段階からの残渣をなくさな
ければならない。さらに、導電性バイア自体が、製造歩
留りの低下及び信頼性の低下を助長する追加の微細形状
をもたらす。
第6図は、第4図の線CCに沿った断面図である。図で
は、ビーム・リード端83.74.65が、IC79上
のパッド77に電気的に接続されている。
は、ビーム・リード端83.74.65が、IC79上
のパッド77に電気的に接続されている。
第7図は、第、4図の線AAに沿った断面図である。第
7図と第4図で共通の番号はすべて同じものを示す。
7図と第4図で共通の番号はすべて同じものを示す。
従来技術の多段金属段TABテープでは、隣接する金属
被覆設相互間の絶縁体は均一の厚さを有する。
被覆設相互間の絶縁体は均一の厚さを有する。
第29図は、絶縁層204の表面202に複数のビーム
・リード200を有するTAB型テープの一部分の上面
図である。絶縁層204の反対側の表面20Bには、第
29図では見えない第2の金属被覆層208がある。
・リード200を有するTAB型テープの一部分の上面
図である。絶縁層204の反対側の表面20Bには、第
29図では見えない第2の金属被覆層208がある。
第30図は、典型的な従来技術による二重金属層TAB
テープの、第29図の線GGに沿った断面図である。第
29図と第30図で共通の番号は同じものを示す。金属
被覆層208は連続した金属層として示されている。こ
れは例示的なものにすぎず、それだけに限定されるわけ
ではない。連続した金属層208は、接地面または電圧
面を形成することができる。
テープの、第29図の線GGに沿った断面図である。第
29図と第30図で共通の番号は同じものを示す。金属
被覆層208は連続した金属層として示されている。こ
れは例示的なものにすぎず、それだけに限定されるわけ
ではない。連続した金属層208は、接地面または電圧
面を形成することができる。
導体210.212.214と面208の間の特性イン
ピーダンスは、導体の高さhと幅W1及び絶縁層204
の厚さdによって決まる。従来技術の構造体では、導体
210,212.214は、絶縁層204の表面202
全体に均一に付着した単一の金属層から作成される。こ
の金属層は、標準的なフォトリングラフィ法によってパ
ターンづけされる。導体210.212.214の特性
インピーダンスは、寸法Wを変えるだけで変化させるこ
とができる。寸法り及びdは加工上の制約によって固定
されている。したがって、導体の特性インピーダンスは
、幅Wを変えること以外によっては変化させることはで
きない。加工上の制限のために、線の最低幅がある。た
とえば配電線など、特性インピーダンスを低下させるこ
とが望まれる状況では、Wを増やすか、hを減らすかし
なければならない。
ピーダンスは、導体の高さhと幅W1及び絶縁層204
の厚さdによって決まる。従来技術の構造体では、導体
210,212.214は、絶縁層204の表面202
全体に均一に付着した単一の金属層から作成される。こ
の金属層は、標準的なフォトリングラフィ法によってパ
ターンづけされる。導体210.212.214の特性
インピーダンスは、寸法Wを変えるだけで変化させるこ
とができる。寸法り及びdは加工上の制約によって固定
されている。したがって、導体の特性インピーダンスは
、幅Wを変えること以外によっては変化させることはで
きない。加工上の制限のために、線の最低幅がある。た
とえば配電線など、特性インピーダンスを低下させるこ
とが望まれる状況では、Wを増やすか、hを減らすかし
なければならない。
第29図に示したTAB型テープをVLS I電子デバ
イスに電気的に接続する場合、電子デバイス上の多数の
入出力への電気的接続を行なうために、最大数のビーム
・リード200が必要である。
イスに電気的に接続する場合、電子デバイス上の多数の
入出力への電気的接続を行なうために、最大数のビーム
・リード200が必要である。
したがって、特定のビーム・リードの幅Wを増加させる
ことは、選択されたビーム・リードの特性インピーダン
スを、他のビーム・リードの特性インピーダンスに対し
て選択的に調節するための最も望ましい方法ではない。
ことは、選択されたビーム・リードの特性インピーダン
スを、他のビーム・リードの特性インピーダンスに対し
て選択的に調節するための最も望ましい方法ではない。
電気的接続点での信号反射を最小にするため、ビーム・
リードの特性インピーダンスを、ビーム・リードが電気
的に接続されている電子デバイスの入出力のインピーダ
ンスと一致するように調節する。さらに、配電システム
を電子デバイス入出力に電気的に接続するビーム・リー
ドのインピーダンスは、非常に低くすることが望ましい
。
リードの特性インピーダンスを、ビーム・リードが電気
的に接続されている電子デバイスの入出力のインピーダ
ンスと一致するように調節する。さらに、配電システム
を電子デバイス入出力に電気的に接続するビーム・リー
ドのインピーダンスは、非常に低くすることが望ましい
。
第29図及び第30図に示すような2金属層TABテー
プの場合では、たとえば導体212が電源入力導体であ
ると仮定すれば、電子デバイスへの電気的接続点におけ
るビーム・リードができるだけ広い範囲で理想的な電圧
源に見えるように、そのインピーダンスが低いことが望
ましい。第31図は、本発明による構造体を示す。第2
9図と第31図で共通の番号は同じものを示す。前に仮
定したように、導体212は、電子デバイスに電源を供
給するTABビーム・リードを示す。ビーム・リード2
12と金属被覆層208の間の絶縁層の厚さはdlであ
る。
プの場合では、たとえば導体212が電源入力導体であ
ると仮定すれば、電子デバイスへの電気的接続点におけ
るビーム・リードができるだけ広い範囲で理想的な電圧
源に見えるように、そのインピーダンスが低いことが望
ましい。第31図は、本発明による構造体を示す。第2
9図と第31図で共通の番号は同じものを示す。前に仮
定したように、導体212は、電子デバイスに電源を供
給するTABビーム・リードを示す。ビーム・リード2
12と金属被覆層208の間の絶縁層の厚さはdlであ
る。
2つの金属被覆層を有する第31図に示す構造体では、
1つの金属被覆層は絶縁層204の表面208にあり、
もう1つの金属被覆層は絶縁層204の表面202にあ
る。2金属層TAB型テープでは、1つの金属被覆層は
一般に、第28図に208で示す接地面である。第2の
金属層は、信号線と電源リードを含む。第31図では、
212は電源リードを示し、210と214は信号リー
ドを示す。信号リードは一般に、それが電気的に接続さ
れる電子デバイス入出力の入力と一致するように、約5
0〜80オームの特性インピーダンスをもつように作成
する。
1つの金属被覆層は絶縁層204の表面208にあり、
もう1つの金属被覆層は絶縁層204の表面202にあ
る。2金属層TAB型テープでは、1つの金属被覆層は
一般に、第28図に208で示す接地面である。第2の
金属層は、信号線と電源リードを含む。第31図では、
212は電源リードを示し、210と214は信号リー
ドを示す。信号リードは一般に、それが電気的に接続さ
れる電子デバイス入出力の入力と一致するように、約5
0〜80オームの特性インピーダンスをもつように作成
する。
C0発明が解決しようとする課題
前記の問題を回避するには、バイアまたは導体の幅をよ
り広くしなければならない。導体の幅を広くすると、ス
ペースを要し、したがって、ICへの電気的接続のため
の、開口に突き出るビーム・リードの数が少なくなる。
り広くしなければならない。導体の幅を広くすると、ス
ペースを要し、したがって、ICへの電気的接続のため
の、開口に突き出るビーム・リードの数が少なくなる。
隣接するビーム・リードへのバイアの短絡を避けるため
にバイアの幅を広くする場合は、隣接するビーム・リー
ド間の間隔を広げなければならず、やはりICへの接続
のためのビーム・リードの数が少なくなる。さらに、バ
イアへのビーム・リードの電気的接続の領域に加工処理
の残渣かたまる可能性があり、その結果、高い接点抵抗
、・電気的開路、または信頼性の欠如を来たすことにな
り、これらはすべて多段ビーム・リード構造体の製造歩
留りを低下させる結果となる。製造歩留りが低下すると
構造体の製造コストが高(なる。
にバイアの幅を広くする場合は、隣接するビーム・リー
ド間の間隔を広げなければならず、やはりICへの接続
のためのビーム・リードの数が少なくなる。さらに、バ
イアへのビーム・リードの電気的接続の領域に加工処理
の残渣かたまる可能性があり、その結果、高い接点抵抗
、・電気的開路、または信頼性の欠如を来たすことにな
り、これらはすべて多段ビーム・リード構造体の製造歩
留りを低下させる結果となる。製造歩留りが低下すると
構造体の製造コストが高(なる。
本発明の金属構造体は、バイアの使用に付随する問題を
回避するものである。全く意外なことに、ビーム・リー
ドを複数の金属被覆層から内側に片持ち式に開口中に突
き出させることができ、リードの内端がIC上の接点位
置にボンディングできるように実質的に同一平面内にあ
るように形成することができることが判明した。この形
成は、多層構造体をTAB型テープ上に作成するとき、
自動工程の一部として内端をICパッドにボンディング
するのと同時に行なうことができる。バイアのない多層
構造体によって、多数の入出力コネクタを有する最新の
高密度VLSI ICデバイスへの電気的接続が可能
となる。また、バイアのない構造体は、バイアを使用す
る構造体よりも信頼性が高い。
回避するものである。全く意外なことに、ビーム・リー
ドを複数の金属被覆層から内側に片持ち式に開口中に突
き出させることができ、リードの内端がIC上の接点位
置にボンディングできるように実質的に同一平面内にあ
るように形成することができることが判明した。この形
成は、多層構造体をTAB型テープ上に作成するとき、
自動工程の一部として内端をICパッドにボンディング
するのと同時に行なうことができる。バイアのない多層
構造体によって、多数の入出力コネクタを有する最新の
高密度VLSI ICデバイスへの電気的接続が可能
となる。また、バイアのない構造体は、バイアを使用す
る構造体よりも信頼性が高い。
本発明の構造体は、1つの金属層から開口中に突き出た
、ICへの電気的接続のためのビーム・リードを有し、
大きな開口を使って第2金属層を第1金属層に電気的に
接続する構造体を記述している、上記第4064552
号特許の構造体とは異なっている。
、ICへの電気的接続のためのビーム・リードを有し、
大きな開口を使って第2金属層を第1金属層に電気的に
接続する構造体を記述している、上記第4064552
号特許の構造体とは異なっている。
本発明の構造体は、プレートに電気的に接続し、かつプ
レートを支持するため、その端部が単一平面内にない弾
性スナップ継手が突き出している、上記第453821
0号特許の構造体とは異なっている。
レートを支持するため、その端部が単一平面内にない弾
性スナップ継手が突き出している、上記第453821
0号特許の構造体とは異なっている。
したがって、本発明の1つの目的は、電子デバイスを基
板に電気的に相互接続するために使用される、下記のよ
うな改良されたIC実装構造体を提供することである。
板に電気的に相互接続するために使用される、下記のよ
うな改良されたIC実装構造体を提供することである。
この構造体は、複数の金属被覆層を有し、そこからビー
ム・リードが、内側に構造体の絶縁層中の開口を越えて
片持ち式に突き出ている。ビーム・リードの内端は、電
子デバイスの上の接点位置にボンディングできるように
、実質的に同一の平面内にある。
ム・リードが、内側に構造体の絶縁層中の開口を越えて
片持ち式に突き出ている。ビーム・リードの内端は、電
子デバイスの上の接点位置にボンディングできるように
、実質的に同一の平面内にある。
本発明の他の目的は、複数の電子デバイスを基板に電気
的に相互接続するための、低コストの自動化された方法
に有用な、複数の金属構造体を有する、改良されたTA
Bテープを提供することである。
的に相互接続するための、低コストの自動化された方法
に有用な、複数の金属構造体を有する、改良されたTA
Bテープを提供することである。
隣接する金属被覆層上の導体間の絶縁体の厚さを変える
ことによって、多層金属実装構造体のインピーダンス特
性をさらに改良することができる。
ことによって、多層金属実装構造体のインピーダンス特
性をさらに改良することができる。
本発明の他の目的は、電子デバイスを基板に電気的に接
続するための、可変の厚さの絶縁体を有する、改良され
たIC実装構造体を提供することである。
続するための、可変の厚さの絶縁体を有する、改良され
たIC実装構造体を提供することである。
電源線と接地線の間に信号線を対称的に配置することに
よって、多層金属実装構造体のインピーダンス特性をさ
らに改良することができる。
よって、多層金属実装構造体のインピーダンス特性をさ
らに改良することができる。
本発明の他の目的は、電源線と接地線の間に信号線を対
称的に配置することによって改良されたインピーダンス
特性を有する、改良されたIC実装構造体を提供するこ
とである。
称的に配置することによって改良されたインピーダンス
特性を有する、改良されたIC実装構造体を提供するこ
とである。
06課題を解決するための手段
最も広い態様では、本発明は、選択的に調整されたイン
ピーダンス特性と、電子デバイスへの電気的接続のため
の最大数の電気結線を有する、改良された電子デバイス
実装構造体である。
ピーダンス特性と、電子デバイスへの電気的接続のため
の最大数の電気結線を有する、改良された電子デバイス
実装構造体である。
本発明の具体的な態様では、改良された電子デバイス実
装構造体は、少なくとも2つの金属被覆層を含む。各金
属被覆層の間に絶縁層が配置されている。各絶縁層は少
なくとも1つの開口を有し、この開口は絶縁層を貫通し
て構造体内に中央開口を形成するようにたがいに位置合
せされている。
装構造体は、少なくとも2つの金属被覆層を含む。各金
属被覆層の間に絶縁層が配置されている。各絶縁層は少
なくとも1つの開口を有し、この開口は絶縁層を貫通し
て構造体内に中央開口を形成するようにたがいに位置合
せされている。
2つの金属被覆層の各々から少なくとも1本のビーム・
リードが、片持)式に中央開口中に突き出ている。この
リードの内端は実質的に同一平面内にある。
リードが、片持)式に中央開口中に突き出ている。この
リードの内端は実質的に同一平面内にある。
本発明のもう1つの具体的な態様では、少なくとも1本
のビーム・リードが、絶縁層の外端を越えて片持ち式に
外側に突き出ている。この外端はセラミックやプリント
回路板などの基板の上の接点位置に電気的に接続するこ
とができる。
のビーム・リードが、絶縁層の外端を越えて片持ち式に
外側に突き出ている。この外端はセラミックやプリント
回路板などの基板の上の接点位置に電気的に接続するこ
とができる。
本発明の複数のビーム・リード構造体は、電子デバイス
をビーム・リードの内端に自動的にボンディングするた
め、また電子デバイスとビーム・リードの組合せを基板
に自動的にボンディングするために、フレキシブル・テ
ープ上に作成することができる。
をビーム・リードの内端に自動的にボンディングするた
め、また電子デバイスとビーム・リードの組合せを基板
に自動的にボンディングするために、フレキシブル・テ
ープ上に作成することができる。
本発明のもう1つの具体的な態様では、多層電子デバイ
ス実装構造体は、隣接する金属被覆層間に、絶縁体の厚
さが可変である少なくとも1つの絶縁層を有する。
ス実装構造体は、隣接する金属被覆層間に、絶縁体の厚
さが可変である少なくとも1つの絶縁層を有する。
本発明のもう1つの具体的な態様では、多層電子デバイ
ス実装構造体は、隣接する金属被覆層上に電圧線と接地
線の間に対称的に配置された信号線を有する。
ス実装構造体は、隣接する金属被覆層上に電圧線と接地
線の間に対称的に配置された信号線を有する。
上記及びその他の目的、特徴及び利点は、以下に記述す
る好ましい実施例の詳しい説明から明らかになるはずで
ある。
る好ましい実施例の詳しい説明から明らかになるはずで
ある。
E、実施例
E−1,まえおき
便宜上、本発明を、好ましい実施例のための環境である
テープ自動ボンディング(TAB)に関して説明するこ
とにする。しかしながら、ここに説明する構造体と方法
は、TAB環境のみに限定されるものではない。
テープ自動ボンディング(TAB)に関して説明するこ
とにする。しかしながら、ここに説明する構造体と方法
は、TAB環境のみに限定されるものではない。
一般にTAB環境では、隔置された一連のビーム・リー
ド・パターンが、ICデバイスのビーム・リードへのボ
ンディングやICビーム・リード・アセンブリの基板へ
のボンディングなどの自動化工程のために、リールに巻
きつけリールから巻き戻すことのできる、TABテープ
と呼ばれるフレキシブルな支持構造体上に製造される。
ド・パターンが、ICデバイスのビーム・リードへのボ
ンディングやICビーム・リード・アセンブリの基板へ
のボンディングなどの自動化工程のために、リールに巻
きつけリールから巻き戻すことのできる、TABテープ
と呼ばれるフレキシブルな支持構造体上に製造される。
ただし、本発明は離散的なフレキシブルでない支持構造
体にも使用できる。
体にも使用できる。
E−2,TABテープ構造体
第1図は、1つの金属層と1つの絶縁層を有するTAB
型テープの構造体10の一部分の例を示す。絶縁層は、
約12.5ないし250ミクロンの厚さを育するポリマ
ー材料でよい。第1図に示したテープは、フレキシブル
・キャリア12を有する。キャリア12は、プラスチッ
ク様材料から作成できる。複数の導体14が、キャリア
12上に作成されている。各導体は、1つの内側リード
・ボンド(ILB)端16と工つの外側リード・ボンド
(OLB)端18を育する。複数の導体が、一般にキャ
リア中の開口に向かって内側に突き出ている。第1図に
は、開口20に向かって内側に突き出ており、開口20
を越えて片持ち式に突き出ている導体14の内端1Bが
示されている。集積゛回路デバイス22が開口20の近
くに示されている。ビーム・リード14の内端は、デバ
イス22上の接点パッド(図示せず)にボンディングさ
れている。ボンドは、はんだボンド及びはんだなしボン
ドによって形成できる。はんだなしボンドは、ビーム・
リード端18をデバイス・パッドに熱圧着または超音波
ボンディングすることによって形成できる。第1図の構
造体は、キャリア即ち層12中に複数の開口24を含む
。ビーム・リード14の外端18は、開口を横切って延
びている。
型テープの構造体10の一部分の例を示す。絶縁層は、
約12.5ないし250ミクロンの厚さを育するポリマ
ー材料でよい。第1図に示したテープは、フレキシブル
・キャリア12を有する。キャリア12は、プラスチッ
ク様材料から作成できる。複数の導体14が、キャリア
12上に作成されている。各導体は、1つの内側リード
・ボンド(ILB)端16と工つの外側リード・ボンド
(OLB)端18を育する。複数の導体が、一般にキャ
リア中の開口に向かって内側に突き出ている。第1図に
は、開口20に向かって内側に突き出ており、開口20
を越えて片持ち式に突き出ている導体14の内端1Bが
示されている。集積゛回路デバイス22が開口20の近
くに示されている。ビーム・リード14の内端は、デバ
イス22上の接点パッド(図示せず)にボンディングさ
れている。ボンドは、はんだボンド及びはんだなしボン
ドによって形成できる。はんだなしボンドは、ビーム・
リード端18をデバイス・パッドに熱圧着または超音波
ボンディングすることによって形成できる。第1図の構
造体は、キャリア即ち層12中に複数の開口24を含む
。ビーム・リード14の外端18は、開口を横切って延
びている。
開口14があるため、外端18をプリント回路板などの
基板にボンディングし、それによってデバイス22を基
板に電気的に接続することができる。
基板にボンディングし、それによってデバイス22を基
板に電気的に接続することができる。
層12の周縁に複数の開口26がある。開口28は、内
側及び外側リード・ボンディングなどの、自動操作を行
なうためTABテープを前進させる、スプロケット手段
と係合するためのものである。
側及び外側リード・ボンディングなどの、自動操作を行
なうためTABテープを前進させる、スプロケット手段
と係合するためのものである。
チップの活性面及びILB端とチップ・パッドの間のボ
ンドは、その上にポリマー材を付着することによってバ
ッジベージロン化することができる。
ンドは、その上にポリマー材を付着することによってバ
ッジベージロン化することができる。
第2図は、第1図の構造体10の概略断面図であり、こ
の図ではビーム・リード14の外側リード端18が、基
板30上のパッド28にボンディングされている。ビー
ム・リード14の内側リード端16は、デバイス22上
のパッド32にボンディングされている。第1図と第2
図で共通の番号は、同じものを表す。
の図ではビーム・リード14の外側リード端18が、基
板30上のパッド28にボンディングされている。ビー
ム・リード14の内側リード端16は、デバイス22上
のパッド32にボンディングされている。第1図と第2
図で共通の番号は、同じものを表す。
E−3,ICデバイスの接続方法
第3図は、ICデバイスをビーム・リード・パターンの
内端に電気的に接続するための自動化された方法で使用
される、その上に一連のビーム・リード・パターン群が
隔置されたフィルムを示している。隔置された一連のビ
ーム・リード・パターン群38を載せた金属被覆された
キャリア36が、リール34に巻きつけられている。第
1図は、これらのパターンの一例である。フィルムは、
スプロケット送り手段40及び42によって送られる。
内端に電気的に接続するための自動化された方法で使用
される、その上に一連のビーム・リード・パターン群が
隔置されたフィルムを示している。隔置された一連のビ
ーム・リード・パターン群38を載せた金属被覆された
キャリア36が、リール34に巻きつけられている。第
1図は、これらのパターンの一例である。フィルムは、
スプロケット送り手段40及び42によって送られる。
スプロケット送り手段は、第1図のスプロケット穴26
と噛み合う面を宵する。フィルムは、取付具44と46
の間を送られる。取付具44上には、半導体チップ48
が、通常用いられる真空ピックアップ(図示せず)によ
って、チップの活性面をフィルム36に向けて保持され
ている。リード・セット50のビーム・リードのILB
端は、チップ48の活性面上の接点パッドと位置合せさ
れている。接点パッドをビーム・リードに位置合せする
ための光学システムは、当技術分野で通常使用されてい
るものである。ビーム・リード・セット50をチップ4
8に位置合せした後、内側リード・ボンド・ヘッド52
が内側リード端をチップ・パッドに対して熱圧着して、
熱圧着ボンドを形成する。
と噛み合う面を宵する。フィルムは、取付具44と46
の間を送られる。取付具44上には、半導体チップ48
が、通常用いられる真空ピックアップ(図示せず)によ
って、チップの活性面をフィルム36に向けて保持され
ている。リード・セット50のビーム・リードのILB
端は、チップ48の活性面上の接点パッドと位置合せさ
れている。接点パッドをビーム・リードに位置合せする
ための光学システムは、当技術分野で通常使用されてい
るものである。ビーム・リード・セット50をチップ4
8に位置合せした後、内側リード・ボンド・ヘッド52
が内側リード端をチップ・パッドに対して熱圧着して、
熱圧着ボンドを形成する。
ボンド・ヘッドを引っ込めて、真空ピックアップを外す
。フィルムを、40と42などのスプロケット手段によ
って前進させる。リード・フレーム50′にボンディン
グされたチップ 48°のアセンブリを、第3図に概略的に示す。
。フィルムを、40と42などのスプロケット手段によ
って前進させる。リード・フレーム50′にボンディン
グされたチップ 48°のアセンブリを、第3図に概略的に示す。
次いで、隔置された一連のこのアセンブリを有するフィ
ルムを、リール54に巻き取る。
ルムを、リール54に巻き取る。
E−4,望ましい回路特性
高い回路密度と高速の回路を有する最新のVLSI(超
大規模集積)回路デバイスを活用するには、チップ接点
ノずラドにボンディングするために使用できるILB端
の数を最大限に増加し、ビーム・リードの伝送線特性を
改善しなければならない。
大規模集積)回路デバイスを活用するには、チップ接点
ノずラドにボンディングするために使用できるILB端
の数を最大限に増加し、ビーム・リードの伝送線特性を
改善しなければならない。
本発明を実施するために有用な最新のICチップは、4
00本もの入出力線を有することができ、各入出力線は
寸法25ミクロン、ピッチ50ミクロンである。最新の
ビーム・リードも、ILB寸法25ミクロン、ピッチ5
0ミクロンである。
00本もの入出力線を有することができ、各入出力線は
寸法25ミクロン、ピッチ50ミクロンである。最新の
ビーム・リードも、ILB寸法25ミクロン、ピッチ5
0ミクロンである。
ICデバイスの動作の際には、一般に、所定のIC入出
力パッドに電圧を印加することによってICに電力を供
給する。所定のIC入出力パッドを接地することによっ
て電圧基準が与えられ、残りのIC入出力パッドによっ
てICとの電気的通信用の信号が供給される。
力パッドに電圧を印加することによってICに電力を供
給する。所定のIC入出力パッドを接地することによっ
て電圧基準が与えられ、残りのIC入出力パッドによっ
てICとの電気的通信用の信号が供給される。
単金属層TABテープでは、単金属層に信号、電圧及び
接地用の多数のリードをパターンづけすると、電気信号
が、チップに電圧及び接地電位を供給する限られた数の
リードを通って戻り、その電流ループを閉じる。単層T
ABテープ上のリードの大部分は信号リードである。こ
の幾何形状により、信号線、電源線及び接地線の間に大
きな自己インダクタンス及び相互インダクタンスが生じ
、信号線上で許容される誘導ノイズ電圧を越えないよう
に、同時切換回路の通信速度を低下させる。
接地用の多数のリードをパターンづけすると、電気信号
が、チップに電圧及び接地電位を供給する限られた数の
リードを通って戻り、その電流ループを閉じる。単層T
ABテープ上のリードの大部分は信号リードである。こ
の幾何形状により、信号線、電源線及び接地線の間に大
きな自己インダクタンス及び相互インダクタンスが生じ
、信号線上で許容される誘導ノイズ電圧を越えないよう
に、同時切換回路の通信速度を低下させる。
別法として、第2の金属面を、また高性能の適用例で必
要な場合は第3の金属面をTABテープ構造体中に設け
ることによって、誘導電圧を減少させることができる。
要な場合は第3の金属面をTABテープ構造体中に設け
ることによって、誘導電圧を減少させることができる。
多金属層のTABテープを使ってICへの電気的接続を
行なうときには、ビーム・リードILB端は、絶縁層中
の開口を越えて内側に突き出すことができる場合、単一
平面内にはない。ILBパッドが電気的に接続されるI
C接点パッドは、単一平面内にある。
行なうときには、ビーム・リードILB端は、絶縁層中
の開口を越えて内側に突き出すことができる場合、単一
平面内にはない。ILBパッドが電気的に接続されるI
C接点パッドは、単一平面内にある。
IC接点パッドに電気的に接続できる単一平面内のIL
B端をもたらす1つの構造は、バイアを用いて、多層T
AB構造体の全ての金属段を、絶縁層中の開口を越えて
内側に突き出ているビーム・リードを備えた金属層の1
つに電気的に接続するものである。これによって単一平
面内にあるILB端がもたらされる。
B端をもたらす1つの構造は、バイアを用いて、多層T
AB構造体の全ての金属段を、絶縁層中の開口を越えて
内側に突き出ているビーム・リードを備えた金属層の1
つに電気的に接続するものである。これによって単一平
面内にあるILB端がもたらされる。
E−51片持ち支持の構造体
第8図は、本発明によるTABテープ構造体の概略上面
図である。この構造体は2つの金属段を存しており、バ
イアは使用しない。2つの金属段は例示的なものにすぎ
ず、3段以上の金属段を使って本発明を実施することも
できる。ビーム・リード90.92.94.96は、絶
縁層100の表面98上の第1金属層を形成する。ビー
ム・リード102.104.10B、108.112.
114は、絶縁層100の表面116上の第2金属層を
形成する。表面116は、第8図の上面図では見えない
が、見えている表面98の反対側にある。第8図の上面
図では見えない第2金a層上にあるビーム・リードのこ
の2つの部分は、破線で示しである。各ビーム・′リー
ドは、1つの内側リード端と1つの外側リード端を宵す
る。ビーム・リード94は、内側リード端118と外側
リード端120を有する。ビーム・リード106は、内
側リード端122と外側リード端124を有する。
図である。この構造体は2つの金属段を存しており、バ
イアは使用しない。2つの金属段は例示的なものにすぎ
ず、3段以上の金属段を使って本発明を実施することも
できる。ビーム・リード90.92.94.96は、絶
縁層100の表面98上の第1金属層を形成する。ビー
ム・リード102.104.10B、108.112.
114は、絶縁層100の表面116上の第2金属層を
形成する。表面116は、第8図の上面図では見えない
が、見えている表面98の反対側にある。第8図の上面
図では見えない第2金a層上にあるビーム・リードのこ
の2つの部分は、破線で示しである。各ビーム・′リー
ドは、1つの内側リード端と1つの外側リード端を宵す
る。ビーム・リード94は、内側リード端118と外側
リード端120を有する。ビーム・リード106は、内
側リード端122と外側リード端124を有する。
ビーム・リード96は、内側リード端126と外側リー
ド端128を有する。ビーム・リード114は内側リー
ド端130と外側リード端132を有する。内側リード
端は、IC138上の131.133.135.137
などの接点パッドにボンディングされている。ビーム・
リードのILB端は、絶縁層100中の開口138を越
えて片持ち式に突き出ている。ビーム・リードのOLB
端は、絶縁層100の外端140を越えて片持ち式に突
き出ている。
ド端128を有する。ビーム・リード114は内側リー
ド端130と外側リード端132を有する。内側リード
端は、IC138上の131.133.135.137
などの接点パッドにボンディングされている。ビーム・
リードのILB端は、絶縁層100中の開口138を越
えて片持ち式に突き出ている。ビーム・リードのOLB
端は、絶縁層100の外端140を越えて片持ち式に突
き出ている。
E−8,ICへのボンディング工程
第9図は、第8図の異なる2つの金属層上にビーム・リ
ードのILB端をボンディングする工程を示す。第9図
は、第8図の構造の線EEと線FFの間の部分を示す。
ードのILB端をボンディングする工程を示す。第9図
は、第8図の構造の線EEと線FFの間の部分を示す。
第9図のこれらの部分は、第8図には示されていないボ
ンド・ヘッド141及び取付具142を図式的に示して
いる。第8図と第9図で共通の番号は同じものを示す。
ンド・ヘッド141及び取付具142を図式的に示して
いる。第8図と第9図で共通の番号は同じものを示す。
第9図に示したボンディング操作は、当技術分野で周知
の熱圧着操作である。IC13Bは、一般的に真空ピッ
クアップ148によって、取付具142内のウェル14
6に保持する。ビーム・リードのILB端は、通常使用
されている光学システムにょうて対応するIC接点パッ
ドに位置合せさせる。第9図で、リード114のILB
端130はパッド137の上に重ね合わされ、リード9
4のILB端118はパッド135の上に重ね合わされ
ている。リード98のILB端126とリード106の
ILB端122は、それぞれパッド137と135の背
後にある第9図には示されていないパッドの上に重ね合
わされている。ボンド・ヘッド141は、たとえば加熱
コイル、カートリッジ・ヒータ、またはボンド・ヘッド
中に電流を通すことによる抵抗加熱などのヘッド加熱手
段を有している。
の熱圧着操作である。IC13Bは、一般的に真空ピッ
クアップ148によって、取付具142内のウェル14
6に保持する。ビーム・リードのILB端は、通常使用
されている光学システムにょうて対応するIC接点パッ
ドに位置合せさせる。第9図で、リード114のILB
端130はパッド137の上に重ね合わされ、リード9
4のILB端118はパッド135の上に重ね合わされ
ている。リード98のILB端126とリード106の
ILB端122は、それぞれパッド137と135の背
後にある第9図には示されていないパッドの上に重ね合
わされている。ボンド・ヘッド141は、たとえば加熱
コイル、カートリッジ・ヒータ、またはボンド・ヘッド
中に電流を通すことによる抵抗加熱などのヘッド加熱手
段を有している。
ボンド・ヘッド141は、所定の温度に加熱され、IC
13Bに向かって移動する。ボンド・ヘッドの先端14
4がビーム・リードのILB端と係合し、ILB端をI
C接点パッドに対して十分な熱と圧力で圧しつけて、熱
圧着ボンドを形成する。
13Bに向かって移動する。ボンド・ヘッドの先端14
4がビーム・リードのILB端と係合し、ILB端をI
C接点パッドに対して十分な熱と圧力で圧しつけて、熱
圧着ボンドを形成する。
意外なことに、多くの金属被覆層から絶縁層中の開口を
越えて片持ち式に内側に突き出ているビーム・リードは
、ボンド・リードで圧着することによって、ビーム・リ
ードの片持ち部分をゆがめてビーム・リードのILB端
をそれらの各IC接点パッドから位置外れさせることな
く、ICパッドにボンディングできることが判明した。
越えて片持ち式に内側に突き出ているビーム・リードは
、ボンド・リードで圧着することによって、ビーム・リ
ードの片持ち部分をゆがめてビーム・リードのILB端
をそれらの各IC接点パッドから位置外れさせることな
く、ICパッドにボンディングできることが判明した。
この技術によって、バイアを使用せずに構造体を製造す
ることが可能となり、したがって前記の、バイアによる
余分な工程上の複雑さ及び固有の問題が回避される。
ることが可能となり、したがって前記の、バイアによる
余分な工程上の複雑さ及び固有の問題が回避される。
ビーム・リードは、Cu s A Q s A uなど
の導電性材料によって形成できる。ILB端は、たとえ
ば熱圧着ボンディングや超音波ボンディングなどによっ
てはんだなしでIC接点パッドにボンディングされる、
AQI Cu1Ni1Snなどの導電性材料で被覆する
ことが好ましい。ビーム・リードへのはんだなしボンデ
ィングを形成するのに有用な接点パッド構造体は、ビッ
クフォード(Bickford )他のrTABボンデ
ィング用のアルミニウム・バンプ、再加工可能バンプ及
び窒化チタン構造体(Aluminum Bump、
ReworkableBumpand Titaniu
m−Nitride 5tructures for
TABBondfng) Jと題する1988年8月1
1日出願の関連米国特許出願第08/895092号明
細書に記載されている。上記出願を引用により本明細書
に合体する。この構造体の最上層は、たとえばCu5A
n%A u % A gまたはそれらの合金など、はん
だなしでボンディングすることが可能な層を有する。
の導電性材料によって形成できる。ILB端は、たとえ
ば熱圧着ボンディングや超音波ボンディングなどによっ
てはんだなしでIC接点パッドにボンディングされる、
AQI Cu1Ni1Snなどの導電性材料で被覆する
ことが好ましい。ビーム・リードへのはんだなしボンデ
ィングを形成するのに有用な接点パッド構造体は、ビッ
クフォード(Bickford )他のrTABボンデ
ィング用のアルミニウム・バンプ、再加工可能バンプ及
び窒化チタン構造体(Aluminum Bump、
ReworkableBumpand Titaniu
m−Nitride 5tructures for
TABBondfng) Jと題する1988年8月1
1日出願の関連米国特許出願第08/895092号明
細書に記載されている。上記出願を引用により本明細書
に合体する。この構造体の最上層は、たとえばCu5A
n%A u % A gまたはそれらの合金など、はん
だなしでボンディングすることが可能な層を有する。
宵効な低接点抵抗のはんだなし熱圧着ボンドを形成する
ため、ILB端を約350℃ないし約450℃の温度に
加熱する。
ため、ILB端を約350℃ないし約450℃の温度に
加熱する。
ビーム・リードILB端のIC接点パッドへのボンディ
ングは、はんだボンディングによっても可能である。は
んだボンドを形成するために、IC接点パッドは、たと
えばPb/5n1Pb/In1Pb/Sbまたはその他
のはんだなどのはんだの上面で被覆することができる。
ングは、はんだボンディングによっても可能である。は
んだボンドを形成するために、IC接点パッドは、たと
えばPb/5n1Pb/In1Pb/Sbまたはその他
のはんだなどのはんだの上面で被覆することができる。
ビーム・リードILB端とIC接点パッドは、たとえば
A u 1CuvNiなど、はんだぬれ性の材料で被覆
する。
A u 1CuvNiなど、はんだぬれ性の材料で被覆
する。
ビーム・リードを上記のIC接点パッドに対して圧しつ
け、はんだを溶かすに十分な温度にまではんだを加熱す
る。はんだを冷却すると、ボンドが形成される。951
5 Pb/Snはんだの溶融温度は約312℃、37
/83 Pb/Snはんだでは約183℃である。こ
れらのはんだボンディング操作は当技術分野で周雉であ
る。
け、はんだを溶かすに十分な温度にまではんだを加熱す
る。はんだを冷却すると、ボンドが形成される。951
5 Pb/Snはんだの溶融温度は約312℃、37
/83 Pb/Snはんだでは約183℃である。こ
れらのはんだボンディング操作は当技術分野で周雉であ
る。
第9図に示した熱圧着ボンディングによって得られる構
造体を、第10図ないし第12図に示す。
造体を、第10図ないし第12図に示す。
第9図、第10図、第11図及び第12図で共通の番号
は、すべて同じものを示す。第10図、第11図及び第
12図は、絶縁層100の表面98上のリードの曲げ角
、及び絶縁層100の表面116の上のリードの曲げ角
のみが異なっている。
は、すべて同じものを示す。第10図、第11図及び第
12図は、絶縁層100の表面98上のリードの曲げ角
、及び絶縁層100の表面116の上のリードの曲げ角
のみが異なっている。
この曲げの差が発生するのは、第1図、第2図及び第3
図に関して説明したように、絶縁層がフレキシブルであ
る場合、及びビーム・リードをその上に有するフレキシ
ブル・フィルムが、第3図に関して説明した方法で、第
9図に示したボンディング操作に送られる場合である。
図に関して説明したように、絶縁層がフレキシブルであ
る場合、及びビーム・リードをその上に有するフレキシ
ブル・フィルムが、第3図に関して説明した方法で、第
9図に示したボンディング操作に送られる場合である。
リードが圧されると、フレキシブル絶縁層は曲がる。表
面98から絶縁体100中の開口138を越えて片持ち
式に突き出たリードの数が、表面11θから突き出たリ
ードより多い場合は、第10図に示すタイプの構造にな
る。開口を越えて突き出たリードの数が、表面98から
と表面118からでほぼ同じ場合には、第11図に示す
タイプの構造になる。開口を越えて突き出たリードの数
が、表面116からの方が表面98からよりも多い場合
は、第12図に示すタイプの構造になる。ビーム・リー
ドの内端は、ビーム・リードがボンディングされる相手
の接点パッド表面によって画定される平面と実質的に同
一平面内にある。電子デバイスのパッドの高さまたは曲
がりのばらつきのために、接点パッド表面が厳密には同
一幾何平面内にないことがある。「実質的に同一平面内
に」という語は、このようなばらつきを考慮したもので
ある。
面98から絶縁体100中の開口138を越えて片持ち
式に突き出たリードの数が、表面11θから突き出たリ
ードより多い場合は、第10図に示すタイプの構造にな
る。開口を越えて突き出たリードの数が、表面98から
と表面118からでほぼ同じ場合には、第11図に示す
タイプの構造になる。開口を越えて突き出たリードの数
が、表面116からの方が表面98からよりも多い場合
は、第12図に示すタイプの構造になる。ビーム・リー
ドの内端は、ビーム・リードがボンディングされる相手
の接点パッド表面によって画定される平面と実質的に同
一平面内にある。電子デバイスのパッドの高さまたは曲
がりのばらつきのために、接点パッド表面が厳密には同
一幾何平面内にないことがある。「実質的に同一平面内
に」という語は、このようなばらつきを考慮したもので
ある。
第10図ないし第12図に示す構造体は、ICをILB
端にボンディングせずに製造することができる。加熱さ
れていないボンド・ヘッドが、リードの内端を適当な表
面に圧しつけて、各ILB端が実質的に同一平面内にく
るようにリードを形成することができる。しかしながら
、好ましい実施例では、リードの形成とILB端のIC
接点パッドへのボンディングを同時に行なうことが、よ
り好都合であり、かつコストが安くなる。
端にボンディングせずに製造することができる。加熱さ
れていないボンド・ヘッドが、リードの内端を適当な表
面に圧しつけて、各ILB端が実質的に同一平面内にく
るようにリードを形成することができる。しかしながら
、好ましい実施例では、リードの形成とILB端のIC
接点パッドへのボンディングを同時に行なうことが、よ
り好都合であり、かつコストが安くなる。
E−7,リードの形成工程
TABパッケージの外側リードを基板にボンディングす
る前に、リードを切断し成形しなければならない。これ
を行なうために、1組のリードの工LB端にボンディン
グされたICのアセンブリを、通常使用されている切断
成形デバイスに自動的に供給することができる。この自
動供給は、第3図に関して説明したILBボンディング
のための自動供給と類似している。第13図及び第14
図に、切断成形作業を示す。切断パンチ129が下降し
て、リード120.124.128.132の外端を切
断し、ダイ・キャビティに押し込んでリードを成形する
。意外にも、この工程は、実質的に同一平面上にあり通
常の外側リード・ボンディングを行なえるリードをもた
らすことが判明した。
る前に、リードを切断し成形しなければならない。これ
を行なうために、1組のリードの工LB端にボンディン
グされたICのアセンブリを、通常使用されている切断
成形デバイスに自動的に供給することができる。この自
動供給は、第3図に関して説明したILBボンディング
のための自動供給と類似している。第13図及び第14
図に、切断成形作業を示す。切断パンチ129が下降し
て、リード120.124.128.132の外端を切
断し、ダイ・キャビティに押し込んでリードを成形する
。意外にも、この工程は、実質的に同一平面上にあり通
常の外側リード・ボンディングを行なえるリードをもた
らすことが判明した。
また意外にも、OLBの切断と成形に使用されるパンチ
とダイのセットは、単一金属段TABテープを切断し成
形するのに使用されるツールと異なるものではない。第
10図、第13図及び第14図で共通の番号は、同じも
のを示す。
とダイのセットは、単一金属段TABテープを切断し成
形するのに使用されるツールと異なるものではない。第
10図、第13図及び第14図で共通の番号は、同じも
のを示す。
E−8,基板へのボンディング工程及び結果第15図は
、第14図に示した構造体の、セラミック材料やガラス
セラミック材料などで作ることのできる基板152への
ボンディングを示す。
、第14図に示した構造体の、セラミック材料やガラス
セラミック材料などで作ることのできる基板152への
ボンディングを示す。
第14図と第15図で共通の番号は同じものを示す。基
板152及びその上にある接点パッド149と150が
断面で示されている。ビーム・リード94及び114が
断面で示されている。IC136及びICパッド135
と137が断面で示されている。ビーム・リード96と
106は図の平面内にはないので、断面では示されてい
ない。ビーム・リード94の外側リード・ボンド(OL
B)端120は、基板パッド150と位置合せされてい
る。OLB端124は、第15図では見えない基板パッ
ド150の背後の基板パッドと位置合せされている。O
LB端132は、基板パッド149と位置合せされてい
る。OLB端128は、第15図では見えない基板パッ
ド148の背後の基板パッドと位置合せされている。こ
の位置合せは、通常使用される光学的位置合せシステム
を使って実現することができる。基板152は、通常使
用される取付具(図示せず)を用いて支持される。
板152及びその上にある接点パッド149と150が
断面で示されている。ビーム・リード94及び114が
断面で示されている。IC136及びICパッド135
と137が断面で示されている。ビーム・リード96と
106は図の平面内にはないので、断面では示されてい
ない。ビーム・リード94の外側リード・ボンド(OL
B)端120は、基板パッド150と位置合せされてい
る。OLB端124は、第15図では見えない基板パッ
ド150の背後の基板パッドと位置合せされている。O
LB端132は、基板パッド149と位置合せされてい
る。OLB端128は、第15図では見えない基板パッ
ド148の背後の基板パッドと位置合せされている。こ
の位置合せは、通常使用される光学的位置合せシステム
を使って実現することができる。基板152は、通常使
用される取付具(図示せず)を用いて支持される。
ボンド・ヘッドの先端156がOLB端1201124
.128.132に接点して、これらのOLB端を、こ
れらが位置合せされる当該の基板接点パッドに対して押
しつける。ボンド・ヘッドは、第9図に関して説明した
内側リード・ボンド・ヘッドと同様にして加熱すること
ができる。はんだなしボンドまたははんだボンドを、O
LB端と基板接点パッドとの間に形成することができる
。第9図に関して説明したILBボンディング作業の場
合と同様のビーム・リード、接点パッド金属被覆、及び
ボンディング温度が、OLHのボンディングにも適用さ
れる。
.128.132に接点して、これらのOLB端を、こ
れらが位置合せされる当該の基板接点パッドに対して押
しつける。ボンド・ヘッドは、第9図に関して説明した
内側リード・ボンド・ヘッドと同様にして加熱すること
ができる。はんだなしボンドまたははんだボンドを、O
LB端と基板接点パッドとの間に形成することができる
。第9図に関して説明したILBボンディング作業の場
合と同様のビーム・リード、接点パッド金属被覆、及び
ボンディング温度が、OLHのボンディングにも適用さ
れる。
第16図は、第15図に示したボンディング作業の結果
を示す。第16図は、第8図の上面図に示した1組のビ
ーム・リードにボンディングされたチップを示す。ビー
ム・リードに取り付けられたチップ・アセンブリを基板
152に取り付けた所が示されている。これらのアセン
ブリを1つの基板に複数個載せることができる。基板1
52は、電子計算機システムのプリント回路板上やセラ
ミック基板上などにあるアセンブリに電気的に相互接続
することのできる電気導体を含むことができる。
を示す。第16図は、第8図の上面図に示した1組のビ
ーム・リードにボンディングされたチップを示す。ビー
ム・リードに取り付けられたチップ・アセンブリを基板
152に取り付けた所が示されている。これらのアセン
ブリを1つの基板に複数個載せることができる。基板1
52は、電子計算機システムのプリント回路板上やセラ
ミック基板上などにあるアセンブリに電気的に相互接続
することのできる電気導体を含むことができる。
第17図に示すように複数のICを1組のビーム・リー
ドのILB端にボンディングすることができる。第16
図と第17図で共通の番号は同じものを示す。第17図
には、第16図の要素に加えて、断面で示されていない
接点パッド164と162を有するIC180がある。
ドのILB端にボンディングすることができる。第16
図と第17図で共通の番号は同じものを示す。第17図
には、第16図の要素に加えて、断面で示されていない
接点パッド164と162を有するIC180がある。
パッド162は、ビーム・リード108の(第9図に示
した)ILB端122に電気的に接続させることができ
る。パッド164は、ビーム・リード96の(第9図に
示した)ILB端126に電気的に接続させることがで
きる。二重電子デバイス構造体の構造及び製造方法の詳
細は、H,R,ビブクフォード他の「改良された半導体
デバイス実装構造体(Improved Sem1co
nductor Device PackagingS
tructures ) Jと題する本出願人の198
8年5月2日米国特許出願に出ている。上記出願を引用
により本明細書に合体する。内側及び外側リード・ボン
ディング、接点パッド及びビーム・リード金属被覆につ
いての詳細は、上記の特許出願に出ている。
した)ILB端122に電気的に接続させることができ
る。パッド164は、ビーム・リード96の(第9図に
示した)ILB端126に電気的に接続させることがで
きる。二重電子デバイス構造体の構造及び製造方法の詳
細は、H,R,ビブクフォード他の「改良された半導体
デバイス実装構造体(Improved Sem1co
nductor Device PackagingS
tructures ) Jと題する本出願人の198
8年5月2日米国特許出願に出ている。上記出願を引用
により本明細書に合体する。内側及び外側リード・ボン
ディング、接点パッド及びビーム・リード金属被覆につ
いての詳細は、上記の特許出願に出ている。
E−9,フレキシブル・フィルムでの工程第18図ない
し第28図は、ポリイミド・フィルムなどのフレキシブ
ルな絶縁性フィルム上に2つの金属層を作成するための
工程順序を示す。第18図ないし第23図は、第8図の
タイプの構造の製造を第8図の線■に沿った断面図とし
て示す。
し第28図は、ポリイミド・フィルムなどのフレキシブ
ルな絶縁性フィルム上に2つの金属層を作成するための
工程順序を示す。第18図ないし第23図は、第8図の
タイプの構造の製造を第8図の線■に沿った断面図とし
て示す。
第8図のリード配置は、第18図ないし第23図で製造
される構造体のリード配置と同じではない。
される構造体のリード配置と同じではない。
第18図で、出発構造体170、すなわち金属/誘導体
/金属フィルムは、金属層172、絶縁層174及び金
属層178から成る。好ましい実施例では、170はポ
リイミド絶縁層である。金属層は、まずポリイミドの両
面にCrを、次いでCuをスパッタ被覆することによっ
て形成される。
/金属フィルムは、金属層172、絶縁層174及び金
属層178から成る。好ましい実施例では、170はポ
リイミド絶縁層である。金属層は、まずポリイミドの両
面にCrを、次いでCuをスパッタ被覆することによっ
て形成される。
Crはボンディングを促進するために使用され、薄いC
uは後でCuを電気めっきしてリードを形成するための
、ベースとなる。このような材料は、サウス・ウオール
社(South Wall Inc、)を含む多くの供
給元から市販されている。Cr/Cuめっきベースの使
用は例示的なものにすぎず、これに限定されるものでは
ない。第19図は、金属層172及び176に塗布され
る、リストン(RISTON)の名称でデュポンから市
販されている、乾式膜フォトレジストなどのレジスト型
の層178及び180を示す。レジストを塗布した後、
第19図のレジストで被覆された構造体の両面を、フォ
トレジストのメーカが推奨する標準露光量を用いてフォ
トマスクを介して同時に露光させる。
uは後でCuを電気めっきしてリードを形成するための
、ベースとなる。このような材料は、サウス・ウオール
社(South Wall Inc、)を含む多くの供
給元から市販されている。Cr/Cuめっきベースの使
用は例示的なものにすぎず、これに限定されるものでは
ない。第19図は、金属層172及び176に塗布され
る、リストン(RISTON)の名称でデュポンから市
販されている、乾式膜フォトレジストなどのレジスト型
の層178及び180を示す。レジストを塗布した後、
第19図のレジストで被覆された構造体の両面を、フォ
トレジストのメーカが推奨する標準露光量を用いてフォ
トマスクを介して同時に露光させる。
第20図は、レジスト・メーカの指示に従ってレジスト
を現像した後の部分を示す。この工程で、リードが必要
なところでは、レジスト層178中に開口部182が残
り、レジスト層180中に開口部184が残る。この段
階で、たとえば酸性CUめっき溶液の使用など標準のパ
ターンめっき技法によって、レジスト層178の開口部
182を介して、霧光された層172上にリードをパタ
ーンづけする。第21rIAは、パターンめっき後の第
20図の構造体を示す。金属層172上にリード186
が示され、金属層176上にリード188が示されてい
る。第22図は、標準の方法を用いてレジストを除去し
た後の第21図の構造体を示す。この時点で、標準エッ
チ洛中で急速エツチングすることによって、薄いめっき
ベース172及び176が除去され、第23図に示した
構造体が残る。これで、リードのCuパターンが完成す
る。
を現像した後の部分を示す。この工程で、リードが必要
なところでは、レジスト層178中に開口部182が残
り、レジスト層180中に開口部184が残る。この段
階で、たとえば酸性CUめっき溶液の使用など標準のパ
ターンめっき技法によって、レジスト層178の開口部
182を介して、霧光された層172上にリードをパタ
ーンづけする。第21rIAは、パターンめっき後の第
20図の構造体を示す。金属層172上にリード186
が示され、金属層176上にリード188が示されてい
る。第22図は、標準の方法を用いてレジストを除去し
た後の第21図の構造体を示す。この時点で、標準エッ
チ洛中で急速エツチングすることによって、薄いめっき
ベース172及び176が除去され、第23図に示した
構造体が残る。これで、リードのCuパターンが完成す
る。
第23図には、絶縁層174の表面190上のIJ−ド
186と、絶縁層174の表面192上のり一ド188
が示されている。第24図は、第23図と同じ構造体を
別の角度から見たところを示す。
186と、絶縁層174の表面192上のり一ド188
が示されている。第24図は、第23図と同じ構造体を
別の角度から見たところを示す。
E−10,第8図の構造体の製造工程
第24図ないし第28図は、第8図の線EEとFFの間
にある、第8図のタイプの構造体の製造を示したもので
ある。第24図ないし第28図のクロスハツチで示した
部分は、断線EEに沿っている。第8図と第24図で共
通の番号は同じものを示す。この工程の次のステップは
、絶縁層100中にウィンドウを開けることである。第
25図は、第24図の構造体の上面198にレジスト型
の材料194を塗布し、下面200にレジスト196を
塗布した後の、第24図の構造体を示す。
にある、第8図のタイプの構造体の製造を示したもので
ある。第24図ないし第28図のクロスハツチで示した
部分は、断線EEに沿っている。第8図と第24図で共
通の番号は同じものを示す。この工程の次のステップは
、絶縁層100中にウィンドウを開けることである。第
25図は、第24図の構造体の上面198にレジスト型
の材料194を塗布し、下面200にレジスト196を
塗布した後の、第24図の構造体を示す。
この場合も、デュポンのりストンなど通常の乾式膜レジ
ストが使用できる。第26図に示すように、レジスト層
194及び196は、両面のレジストをマスクを介して
同時に露光して、レジスト層194及び196中にそれ
ぞれ領域195及び197を開口させることによって、
パターンづけされる。第26図は、レジストのメーカに
よる仕様に従ってレジストを現像した後の部分を示す。
ストが使用できる。第26図に示すように、レジスト層
194及び196は、両面のレジストをマスクを介して
同時に露光して、レジスト層194及び196中にそれ
ぞれ領域195及び197を開口させることによって、
パターンづけされる。第26図は、レジストのメーカに
よる仕様に従ってレジストを現像した後の部分を示す。
レジストは、除去すべき場所以外のすべての領域で絶縁
体100を保護する。第27図は、絶縁体をエツチング
によって除去した後の第26図の構造体を示す。好まし
い実施例では、熱KOH溶液でエツチングすることによ
って、ポリイミド絶縁体を除去する。このステップで、
絶縁体中に、内側リード端及び外側リード端をそれぞれ
ボンディングするための、縁部138及び140を有す
る開口が残る。第28図は、フォトレジストを除去した
後の完成した構造体を示す。点線127及び129は、
背景の絶縁層の縁部である。
体100を保護する。第27図は、絶縁体をエツチング
によって除去した後の第26図の構造体を示す。好まし
い実施例では、熱KOH溶液でエツチングすることによ
って、ポリイミド絶縁体を除去する。このステップで、
絶縁体中に、内側リード端及び外側リード端をそれぞれ
ボンディングするための、縁部138及び140を有す
る開口が残る。第28図は、フォトレジストを除去した
後の完成した構造体を示す。点線127及び129は、
背景の絶縁層の縁部である。
E−11,多段金属構造体
第18図ないし第28図は、2つの金属層を有するTA
B型テープを製造するための工程順序を示す。当業者に
とっては明白なように、前記の工程順序を拡張すること
によって、各金属層の間に1つの絶縁層を有する3つ以
上の金属層を製造することもできる。
B型テープを製造するための工程順序を示す。当業者に
とっては明白なように、前記の工程順序を拡張すること
によって、各金属層の間に1つの絶縁層を有する3つ以
上の金属層を製造することもできる。
多段金属層構造体は複数の絶縁層を有する。各絶縁層は
開口を有し、ビーム・リードの内端は開口縁部を越えて
この開口中に片持ち式に突き出ることができる。各絶縁
層の開口は、多層構造体の絶縁層中に中央開口を形成す
るように位置合せされる。各絶縁層の開口が同じ寸法を
持つ必要はない。中央開口の全体寸法は、中央開口中に
突き出ているILB端をIC接点パッドにボンディング
するのに十分な大きさである。
開口を有し、ビーム・リードの内端は開口縁部を越えて
この開口中に片持ち式に突き出ることができる。各絶縁
層の開口は、多層構造体の絶縁層中に中央開口を形成す
るように位置合せされる。各絶縁層の開口が同じ寸法を
持つ必要はない。中央開口の全体寸法は、中央開口中に
突き出ているILB端をIC接点パッドにボンディング
するのに十分な大きさである。
多段金属構造体では、1つの金属被覆層を信号線用に使
用することができる。この層は、絶縁層中の開口を越え
て内側に突き出ている多数のビーム・リードを有するこ
とになる。もう1つの金属被覆層は、1つまたは複数の
導体領域からなる接地面をもたらす。他の1つまたは複
数の金属被覆層は、1つまたは複数の電圧面をもたらす
。電圧面は1つまたは複数の大きな導体領域から構成す
ることができる。単一の金属被覆層から複数の電圧を供
給することができる。電圧面及び接地面は、信号線に対
して、所望の磁束遮蔽特性及びインピーダンス特性がも
たらされるような位置に配置することができる。
用することができる。この層は、絶縁層中の開口を越え
て内側に突き出ている多数のビーム・リードを有するこ
とになる。もう1つの金属被覆層は、1つまたは複数の
導体領域からなる接地面をもたらす。他の1つまたは複
数の金属被覆層は、1つまたは複数の電圧面をもたらす
。電圧面は1つまたは複数の大きな導体領域から構成す
ることができる。単一の金属被覆層から複数の電圧を供
給することができる。電圧面及び接地面は、信号線に対
して、所望の磁束遮蔽特性及びインピーダンス特性がも
たらされるような位置に配置することができる。
E−12,片持ち支持の構造体のまとめ明細書に記載し
た構造体及びその製造方法は、バイアを使用する必要が
なく、かつIC上のビーム・リード端を接点パッドに電
気的に接続するため、そこからビーム・リードがTAB
構造体の絶縁層中の開口を越えて片持ち式に内側に突き
出ている1つの層に、すべての金属層を電気的に接続す
ることに付随する問題がない、TABテープ構造体を提
供する。本発明によれば、複数の金属層からのビーム・
リードが、絶縁層内部の開口を越えて片持ち式に内側に
突き出ている。意外なことに、標準のボンディング・ツ
ールを使用して、ビーム・リード端をIC接点パッドに
高い歩留りと信頼性でボンディングできることが判明し
た。このため、バイアを使用する方法よりずっと簡単な
方法によって製造されるこの構造体は、製造コストが安
くなる。またバイアを省いたため、内側リード・ボンド
端のパターン密度が高くなり、これによってより高密度
ICへの電気的接続が可能になる。
た構造体及びその製造方法は、バイアを使用する必要が
なく、かつIC上のビーム・リード端を接点パッドに電
気的に接続するため、そこからビーム・リードがTAB
構造体の絶縁層中の開口を越えて片持ち式に内側に突き
出ている1つの層に、すべての金属層を電気的に接続す
ることに付随する問題がない、TABテープ構造体を提
供する。本発明によれば、複数の金属層からのビーム・
リードが、絶縁層内部の開口を越えて片持ち式に内側に
突き出ている。意外なことに、標準のボンディング・ツ
ールを使用して、ビーム・リード端をIC接点パッドに
高い歩留りと信頼性でボンディングできることが判明し
た。このため、バイアを使用する方法よりずっと簡単な
方法によって製造されるこの構造体は、製造コストが安
くなる。またバイアを省いたため、内側リード・ボンド
端のパターン密度が高くなり、これによってより高密度
ICへの電気的接続が可能になる。
以上、本発明をその好ましい実施例に関して図示し説明
してきたが、本発明はここで開示した通りの構造だけに
限定されるものではなく、頭記の特許請求の範囲で定義
される本発明の範囲に含まれるすべての変更及び改訂に
対しても権利は留保されていることを了解されたい。
してきたが、本発明はここで開示した通りの構造だけに
限定されるものではなく、頭記の特許請求の範囲で定義
される本発明の範囲に含まれるすべての変更及び改訂に
対しても権利は留保されていることを了解されたい。
E−13,不拘−厚さの構造体及び製造方法第31図に
示す一般的構造を有する、厚さが可変の絶縁Ta2層を
製造するいくつかの方法を次に説明する。これらの方法
は例示的なものにすぎず、それだけに限定されるわけで
はない。
示す一般的構造を有する、厚さが可変の絶縁Ta2層を
製造するいくつかの方法を次に説明する。これらの方法
は例示的なものにすぎず、それだけに限定されるわけで
はない。
第32図ないし第40図は、可変厚絶縁TABテープの
製造法を示すものである。たとえばスプレィ・コーティ
ング、デイツプ・コーティング、積層など周知の方法に
よって、絶縁層220をより厚い絶縁層222の上に形
成する。たとえば、層220はポリイミド、またはポリ
エーテルイミド、エポキシ、シロキサンなどの他の高温
エツチング可能有機材料でよい。層220及び222の
厚さは、これらの層を製造するために使用される材料の
絶縁率、及び製造されるビーム・リードに必要な特性イ
ンピーダンスによって決まる。層222が厚さ約50〜
100μmのポリアミドであり、金属層が厚さ約10〜
50μmの場合、特性インピーダンスは約50〜80オ
ームとなる。層220はより薄い厚さ約5〜15μmの
有機物である。層220を製造するために使用される有
機材料は、他のエツチング可能な高温有機物のグループ
から選択できる。層220は、層222をエツチングす
るエッチャントによって侵されない。
製造法を示すものである。たとえばスプレィ・コーティ
ング、デイツプ・コーティング、積層など周知の方法に
よって、絶縁層220をより厚い絶縁層222の上に形
成する。たとえば、層220はポリイミド、またはポリ
エーテルイミド、エポキシ、シロキサンなどの他の高温
エツチング可能有機材料でよい。層220及び222の
厚さは、これらの層を製造するために使用される材料の
絶縁率、及び製造されるビーム・リードに必要な特性イ
ンピーダンスによって決まる。層222が厚さ約50〜
100μmのポリアミドであり、金属層が厚さ約10〜
50μmの場合、特性インピーダンスは約50〜80オ
ームとなる。層220はより薄い厚さ約5〜15μmの
有機物である。層220を製造するために使用される有
機材料は、他のエツチング可能な高温有機物のグループ
から選択できる。層220は、層222をエツチングす
るエッチャントによって侵されない。
第33図で、レジスト型の材料230を、第32図の構
造体228の表面226に付着する。通常使用されるフ
ォトリソグラフィ技法によって、レジスト型の材料を選
択的に露光し、現像し、露出した表面226の領域23
2と234をパターンづけする。
造体228の表面226に付着する。通常使用されるフ
ォトリソグラフィ技法によって、レジスト型の材料を選
択的に露光し、現像し、露出した表面226の領域23
2と234をパターンづけする。
第34図で、絶縁体表面226をエッチャントにさらし
て、露出領域232及び234からポリマー層222を
除去する。たとえば湿式エツチング、イオン・ミリング
、レーザ・アブレージロンなど周知のどの技法を使用し
てもよい。これらのエツチング技術は例示的なものにす
ぎず、それだけに限定されるわけではない。
て、露出領域232及び234からポリマー層222を
除去する。たとえば湿式エツチング、イオン・ミリング
、レーザ・アブレージロンなど周知のどの技法を使用し
てもよい。これらのエツチング技術は例示的なものにす
ぎず、それだけに限定されるわけではない。
第35図で、パターンづけしたレジストの表面224.
238.238及び側壁240を、Cu1pbまたは他
のシード・メタルなどの薄い金属層で被覆する。これら
の金属薄層はめっきのベースとして使用される。たとえ
ばスパッタ付着、蒸着、化学付着など、シードすべき対
象物をシード溶液に浸すことによってシード層を付着す
る、周知のどのはんだベース付着方法を使用してもよい
。これらのはんだベース付着方法は、例示的なもので、
それだけに限定されるわけではない。
238.238及び側壁240を、Cu1pbまたは他
のシード・メタルなどの薄い金属層で被覆する。これら
の金属薄層はめっきのベースとして使用される。たとえ
ばスパッタ付着、蒸着、化学付着など、シードすべき対
象物をシード溶液に浸すことによってシード層を付着す
る、周知のどのはんだベース付着方法を使用してもよい
。これらのはんだベース付着方法は、例示的なもので、
それだけに限定されるわけではない。
レジスト型材料は、第35図に示した構造体、すなわち
シード層242及びシード層244の両面に付着するこ
とができる。
シード層242及びシード層244の両面に付着するこ
とができる。
第38図は、シード層242上のレジスト型材料248
、及びシード層244上のレジスト型材料248を示す
。
、及びシード層244上のレジスト型材料248を示す
。
第37図では、レジスト型材料248が領域250及び
252から選択的に除去され、レジスト型材料246が
領域254から選択的に除去されている。レジスト層2
48は、粗い表面形状を有するシード層244の上にあ
る。必要ならば、次に形成される金属258のパターン
づけがうまくいくように、複数のレジスト層をシード層
244の上に付着することもできる。
252から選択的に除去され、レジスト型材料246が
領域254から選択的に除去されている。レジスト層2
48は、粗い表面形状を有するシード層244の上にあ
る。必要ならば、次に形成される金属258のパターン
づけがうまくいくように、複数のレジスト層をシード層
244の上に付着することもできる。
第38図は、レジスト層246中にエッチされた領域2
54で露出したシード層242上にめっきされた金属2
56を示す。金属パターン258及び260は、それぞ
れレジスト層248の領域250と252で露出したシ
ード層244上にめっきされている。シード層244に
めっきされた導体のめっき厚は50ミクロンもの高さに
なることがあるので、まずシード層にKTPRなどの薄
いレジスト層を塗布することが必要である。このレジス
ト層で表面を被覆し、次いで厚い層の上に直壁のパター
ンを形成するために通常使用される乾膜、たとえばリス
トンなどのより厚いレジスト型材料を均一に被覆する。
54で露出したシード層242上にめっきされた金属2
56を示す。金属パターン258及び260は、それぞ
れレジスト層248の領域250と252で露出したシ
ード層244上にめっきされている。シード層244に
めっきされた導体のめっき厚は50ミクロンもの高さに
なることがあるので、まずシード層にKTPRなどの薄
いレジスト層を塗布することが必要である。このレジス
ト層で表面を被覆し、次いで厚い層の上に直壁のパター
ンを形成するために通常使用される乾膜、たとえばリス
トンなどのより厚いレジスト型材料を均一に被覆する。
領域254.250,252にめっきされる金属として
は、Cut Ni1A u 1A g及びこれらの合金
など、電気めっきまたは無電解めっきされたどの金属で
もよい。これらの金属は例示的なもので、それだけに限
定されるわけではない。めっきされた金属の厚さは、5
Oミグ02以上にすることができる。好ましい金属層は
約10〜40ミクロンである。
は、Cut Ni1A u 1A g及びこれらの合金
など、電気めっきまたは無電解めっきされたどの金属で
もよい。これらの金属は例示的なもので、それだけに限
定されるわけではない。めっきされた金属の厚さは、5
Oミグ02以上にすることができる。好ましい金属層は
約10〜40ミクロンである。
第39図に示すように、レジスト型材料の層248及び
248を、それぞれめっきベース242及び244から
除去する。その後、金属層256の下にないめっきベー
ス層242を、通常使用される湿式または乾式エツチン
グ技法によって除去し、金属パターン258及び2θO
の下にないめっきベース層244を除去する。
248を、それぞれめっきベース242及び244から
除去する。その後、金属層256の下にないめっきベー
ス層242を、通常使用される湿式または乾式エツチン
グ技法によって除去し、金属パターン258及び2θO
の下にないめっきベース層244を除去する。
第40図に示すように、最終ステップでは、露出した薄
い有機層220を、たとえば湿式エツチング、RIE1
イオン・ミリングなど周知のエッチ技法によって除去し
、内側及び外側ポンディング・サイトの開口を形成する
。
い有機層220を、たとえば湿式エツチング、RIE1
イオン・ミリングなど周知のエッチ技法によって除去し
、内側及び外側ポンディング・サイトの開口を形成する
。
E−14,不拘−厚さの構造体の他の製造方法第31図
に示した構造体を製造するための方法の1つの変形は、
片面に厚い金属層を有する2重絶縁層から出発するもの
である。第41図ないし第46図は、第31図に示した
構造体を実現するための他の工程順序を示す。この方法
は、第31図の絶縁層204用に単一材料を使用するも
のである。
に示した構造体を製造するための方法の1つの変形は、
片面に厚い金属層を有する2重絶縁層から出発するもの
である。第41図ないし第46図は、第31図に示した
構造体を実現するための他の工程順序を示す。この方法
は、第31図の絶縁層204用に単一材料を使用するも
のである。
第41図は、Cut Aus Ags Mot Nt及
びこれらの合金などの導体から、エンボシング、スタン
ピング、圧印その他の方法で成形された出発金属層を示
す。このリストは例示的なものであり、それだけに限定
されるわけではない。
びこれらの合金などの導体から、エンボシング、スタン
ピング、圧印その他の方法で成形された出発金属層を示
す。このリストは例示的なものであり、それだけに限定
されるわけではない。
第42図を参照すると、エンボスまたは成形された層2
64上に、たとえばスプレィ・コーティングやスピン・
コーティングによって成形可能な絶縁層262を設ける
。たとえば表面264の上に層266を積層することに
よって、絶縁11282の表面264に金属層266を
付着する。金属層266の例としては、CulAulA
gt NI、Mo及びこれらの合金がある。成形可能な
絶縁体の例としては、デュポン社製のポリイミド25.
25がある。。成形可能な絶縁層262は、金属層26
6と280の間の接着剤として使用される。
64上に、たとえばスプレィ・コーティングやスピン・
コーティングによって成形可能な絶縁層262を設ける
。たとえば表面264の上に層266を積層することに
よって、絶縁11282の表面264に金属層266を
付着する。金属層266の例としては、CulAulA
gt NI、Mo及びこれらの合金がある。成形可能な
絶縁体の例としては、デュポン社製のポリイミド25.
25がある。。成形可能な絶縁層262は、金属層26
6と280の間の接着剤として使用される。
第43図に示すように、レジスト型材料288を金属2
θ6に付着し、レジスト型材料270を金属280に付
着する。レジスト型材料は、通常使用されるフォトレジ
ストでよい。金属層の間で短絡が起こると問題になるの
で、平面状金属層286にボンディングした薄い有機層
を使うて、金属層266と260との分離を確実に行な
うことができる。
θ6に付着し、レジスト型材料270を金属280に付
着する。レジスト型材料は、通常使用されるフォトレジ
ストでよい。金属層の間で短絡が起こると問題になるの
で、平面状金属層286にボンディングした薄い有機層
を使うて、金属層266と260との分離を確実に行な
うことができる。
第44図に示すように、レジスト型材料層268と27
0を選択的に除去する。レジスト型材料の現像及び除去
の方法は、当業者には周知である。
0を選択的に除去する。レジスト型材料の現像及び除去
の方法は、当業者には周知である。
選択的除去の後に、領域268°は金属層266上のレ
ジスト268から離れ、領域270′及び270″は金
属層260の上のレジスト270から離れる。
ジスト268から離れ、領域270′及び270″は金
属層260の上のレジスト270から離れる。
第45図に示すように、金属領域266° 2so’及
び280”を残して余剰の金属Ji12θ6と280を
エツチングで取り除くことによって、レジスト領域26
89にない金属266とレジスト領域270gと270
″にない金属280を除去する。層260及び266上
の余剰金属は、通常使用されている湿式エツチング、R
IEエツチング、イオン・ミリングなどによってエツチ
ング可能である。これらの除去工程は例示的なものにす
ぎず、それだけに限定されるわけではない。適切な除去
工程ならどれを使用してもよい。
び280”を残して余剰の金属Ji12θ6と280を
エツチングで取り除くことによって、レジスト領域26
89にない金属266とレジスト領域270gと270
″にない金属280を除去する。層260及び266上
の余剰金属は、通常使用されている湿式エツチング、R
IEエツチング、イオン・ミリングなどによってエツチ
ング可能である。これらの除去工程は例示的なものにす
ぎず、それだけに限定されるわけではない。適切な除去
工程ならどれを使用してもよい。
第46図で、残っているレジスト型材料の領域268°
2701及び270″″を除去すると、2つの金属層
とこれらの金属層の間の厚さの可変な絶縁体を有する構
造体が残る。
2701及び270″″を除去すると、2つの金属層
とこれらの金属層の間の厚さの可変な絶縁体を有する構
造体が残る。
第47図ないし第49図は、第31図に示した構造体を
製造するための別の工程順序を示したものである。この
方法は、平面状金属層の上に選択的に金属をはんだづけ
することによって作成された可変厚金属層を使用する。
製造するための別の工程順序を示したものである。この
方法は、平面状金属層の上に選択的に金属をはんだづけ
することによって作成された可変厚金属層を使用する。
平面状金属層は、Cuz AulAg1N is Mo
及びこれらの合金でよい。このリストは例示的なものに
すぎず、それだけに限定されるわけではない。周知の方
法によって、Cus Aus AglNtlMoなどの
金属を、平面状金属層の上に選択的にはんだづけするこ
とができる。別法として、平面状金属層を周知の方法に
よって選択的にエツチングして、可変厚金属層を形成す
ることもできる。
及びこれらの合金でよい。このリストは例示的なものに
すぎず、それだけに限定されるわけではない。周知の方
法によって、Cus Aus AglNtlMoなどの
金属を、平面状金属層の上に選択的にはんだづけするこ
とができる。別法として、平面状金属層を周知の方法に
よって選択的にエツチングして、可変厚金属層を形成す
ることもできる。
第47図は、エッチ°ングまたはパターンはんだづけさ
れた厚さの可変な導電層を示す。
れた厚さの可変な導電層を示す。
厚さ50〜100ミクロンの成形可能な絶縁層286を
、導電層280のパターンづけした表面282上に積層
させる。第2導電層290を成形可能な絶縁層290の
面288に積層させる。
、導電層280のパターンづけした表面282上に積層
させる。第2導電層290を成形可能な絶縁層290の
面288に積層させる。
第41図ないし第49図に関して説明したのと同様にし
て、金属層290及び280を選択的にエツチングする
ことができる。
て、金属層290及び280を選択的にエツチングする
ことができる。
第49図は、導電層290を選択的に除去して得られた
、間に可変厚絶縁層286を有する2つの金属層構造体
を示す。当業者には明白なように、可変厚絶縁体を実現
するための前記の方法を適当に修正して、絶縁体の所望
の局部的厚さを実現することが可能である。絶縁層の厚
さの変動は、2つの厚さの間での選択だけに限定される
ものではない。第31図では絶縁層204の厚さが2通
り示しであるが、工程を適切に修正して、何通りの絶縁
体厚さにすることもできる。適切な局部絶縁体厚さ、導
体の幅及び導体の厚さを選択することによって、導体の
所望の特性インピーダンスを実現することができる。
、間に可変厚絶縁層286を有する2つの金属層構造体
を示す。当業者には明白なように、可変厚絶縁体を実現
するための前記の方法を適当に修正して、絶縁体の所望
の局部的厚さを実現することが可能である。絶縁層の厚
さの変動は、2つの厚さの間での選択だけに限定される
ものではない。第31図では絶縁層204の厚さが2通
り示しであるが、工程を適切に修正して、何通りの絶縁
体厚さにすることもできる。適切な局部絶縁体厚さ、導
体の幅及び導体の厚さを選択することによって、導体の
所望の特性インピーダンスを実現することができる。
可変インピーダンス構造体を製造するための他の一般的
手法は、2つの独立に作成したTABテープをボンディ
ングするものである。そうするには、所望の構造体の多
くで、狭い位置合せの許容差が必要となる。しかし、そ
の他の構造体では、これは好ましい製造方法である。第
31図に示した構造体は、第7図のバイアを用いて、ま
たは第8図に示したバイアのない構造体を用いて実現す
ることができる。
手法は、2つの独立に作成したTABテープをボンディ
ングするものである。そうするには、所望の構造体の多
くで、狭い位置合せの許容差が必要となる。しかし、そ
の他の構造体では、これは好ましい製造方法である。第
31図に示した構造体は、第7図のバイアを用いて、ま
たは第8図に示したバイアのない構造体を用いて実現す
ることができる。
当業者には明白なように、前記の方法を一般化すること
によって、隣接する導電層の間に可変厚の絶縁体を持つ
導電層を3つ以上有する構造体が実現できる。隣接する
金属層間に可変厚絶縁体を有する多金属層構造体では、
電源リード、信号リード及び接地リードを減結合するた
めの減結合コンデンサを製造することができる。たとえ
ば、2金属層構造体では、1つの金属層が信号リード及
び電源リードをもたらし、もう1つの金属層は接地面を
もたらす。構造体上のある位置で電源リードを延長して
、コンデンサ電極に大きな表面を与えることができる。
によって、隣接する導電層の間に可変厚の絶縁体を持つ
導電層を3つ以上有する構造体が実現できる。隣接する
金属層間に可変厚絶縁体を有する多金属層構造体では、
電源リード、信号リード及び接地リードを減結合するた
めの減結合コンデンサを製造することができる。たとえ
ば、2金属層構造体では、1つの金属層が信号リード及
び電源リードをもたらし、もう1つの金属層は接地面を
もたらす。構造体上のある位置で電源リードを延長して
、コンデンサ電極に大きな表面を与えることができる。
接地面上には、第2のコンデンサ電極用に対応する大き
な金属面を形成することができる。2つの電極間の導電
体の厚さは、2電極間で大きなキャパシタンスが得られ
るようにできるだけ薄<シ、これによって電源リードと
接地リードとの間に減結合コンデンサを形成することが
できる。
な金属面を形成することができる。2つの電極間の導電
体の厚さは、2電極間で大きなキャパシタンスが得られ
るようにできるだけ薄<シ、これによって電源リードと
接地リードとの間に減結合コンデンサを形成することが
できる。
E−15,バランスの良いインピーダンスの構造体
一般に、集積回路(IC)密度が高くなるにつれて、信
号入出力の必要が増加し、かつますます多くのオフ、チ
ップ・ドライバ(OCD)を同時に切り換える必要性が
増す。所与のICパッケージで許される同時切換えOC
Dの数は、ノイズの問題によって制限される。許容され
る同時切換えOCDの数を増加させるために使用できる
1つの方法は、ICに電力を供給するために全パッケー
ジ・リードの大きな部分を使用するものである。この方
法は、使用可能なリードの合計数、必要とされる信号入
出力の数、及び追加リードを有するパッケージの高いコ
ストを考慮すれば、一般に効率が低い。第50図に示す
発明は、はとんどのIC実装技術に適用できる構造体で
ある。このパッケージは少なくとも2つの金属層を有す
る。3プレ一ト構造体は、信号リードが常に電圧リード
の真上または上の近くにあって接地リードに隣接するか
、またはその逆になるように、電圧リードと接地リード
をインターリーブさせることによって実現される。
号入出力の必要が増加し、かつますます多くのオフ、チ
ップ・ドライバ(OCD)を同時に切り換える必要性が
増す。所与のICパッケージで許される同時切換えOC
Dの数は、ノイズの問題によって制限される。許容され
る同時切換えOCDの数を増加させるために使用できる
1つの方法は、ICに電力を供給するために全パッケー
ジ・リードの大きな部分を使用するものである。この方
法は、使用可能なリードの合計数、必要とされる信号入
出力の数、及び追加リードを有するパッケージの高いコ
ストを考慮すれば、一般に効率が低い。第50図に示す
発明は、はとんどのIC実装技術に適用できる構造体で
ある。このパッケージは少なくとも2つの金属層を有す
る。3プレ一ト構造体は、信号リードが常に電圧リード
の真上または上の近くにあって接地リードに隣接するか
、またはその逆になるように、電圧リードと接地リード
をインターリーブさせることによって実現される。
第50図は、それぞれ第4図と第8図の線G−G及びH
−Hに沿った断面図と類似する、2層金属被覆構造体の
断面図である。第50図における導体の配置は、第4図
及び第7図に示したものと同じではない。
−Hに沿った断面図と類似する、2層金属被覆構造体の
断面図である。第50図における導体の配置は、第4図
及び第7図に示したものと同じではない。
第50図は、導体層302及び304と、その間の絶縁
層306を示す。層302は複数の導体308.310
.312.314.31B、318を有し、これらはそ
れぞれ信号、信号、接地、信号、信号、接地の順になっ
ている。層304は複数の導体320.322.324
.326.328.330を有し、これらはそれぞれ電
圧、信号、信号、電圧、信号、信号の順になっている。
層306を示す。層302は複数の導体308.310
.312.314.31B、318を有し、これらはそ
れぞれ信号、信号、接地、信号、信号、接地の順になっ
ている。層304は複数の導体320.322.324
.326.328.330を有し、これらはそれぞれ電
圧、信号、信号、電圧、信号、信号の順になっている。
第50図の特定の例は例示的なものにすぎず、それだけ
に限定されるわけではない。
に限定されるわけではない。
第50図は、層302上の接地リードの間の2本の信号
リード、及び層304上の接地リードの間の2本の信号
リードを示す。したがって、各信号リードは電圧リード
及び接地リードに隣接している。各信号リードが接地リ
ードと電源リードに隣接するように、接地リード間及び
電圧リード間に1つの信号リードを配置することができ
る。第50図の構造体は、40〜80オームの範囲のイ
ンピーダンスをもたらすようにTABテープ技術で製造
することができる。それを実現するためのポリイミド絶
縁体の厚さの例は、20〜60ミクロンである。
リード、及び層304上の接地リードの間の2本の信号
リードを示す。したがって、各信号リードは電圧リード
及び接地リードに隣接している。各信号リードが接地リ
ードと電源リードに隣接するように、接地リード間及び
電圧リード間に1つの信号リードを配置することができ
る。第50図の構造体は、40〜80オームの範囲のイ
ンピーダンスをもたらすようにTABテープ技術で製造
することができる。それを実現するためのポリイミド絶
縁体の厚さの例は、20〜60ミクロンである。
各信号線ごとに、近傍の電圧線と接地線が電流の戻り線
をもたらし、これによってパッケージの有効電源インダ
クタンスを減少させる。さらに、散在する電源リードが
信号線対相互の有効な絶縁を行ない、これによってパッ
ケージにおける結合ノイズを減少させる。2本の信号線
を接地リード間または電圧リード間に配置するときは、
所望のインピーダンスに従うて信号線を隔置する。隣接
する信号線の間隔、絶縁体30Bの厚さ、接地リード及
び電源リードの幅は、様々なレベルの性能が実現される
ように調節することができる。
をもたらし、これによってパッケージの有効電源インダ
クタンスを減少させる。さらに、散在する電源リードが
信号線対相互の有効な絶縁を行ない、これによってパッ
ケージにおける結合ノイズを減少させる。2本の信号線
を接地リード間または電圧リード間に配置するときは、
所望のインピーダンスに従うて信号線を隔置する。隣接
する信号線の間隔、絶縁体30Bの厚さ、接地リード及
び電源リードの幅は、様々なレベルの性能が実現される
ように調節することができる。
第50図に示すように接地線と電圧線の間に対称的に信
号線を隔置するときは、バランスのとれたシステムが実
現される。接地リードから電圧リードへまたはその逆に
電流の流れをシフトさせる回路に入力信号を供給する信
号線は、はぼ同じインピーダンスを示すことになる。信
号リードが通常使用される・プッシュプル・オフチップ
・ドライバへの入力であるときは、バランスのとれたイ
ンピーダンスが望ましい。プッシュプル・ドライバ回路
では、信号入力端の電圧レベルによって、電流が接地電
源と電圧電源のどちらから引かれるかが決まる。入力端
の電圧が所定の値に変化するとき、電流は接地電源から
電圧電源に、または電圧電源側から接地電源にスイング
する。CMOSプッシュプル・ドライバは、通常は5ボ
ルトのスイング幅を有する。このバランスのとれた設計
により、回路遅延に対する高い同時切換え動作の影響が
最小になった、ノイズがよく抑制されたシステムが作ら
れる。さらに、電圧リードと電源リードのオーバーラツ
プにより、低インピーダンスの電源供給ネットワークが
もたらされ、また電圧電源の追加的比較減結合がもたら
される。
号線を隔置するときは、バランスのとれたシステムが実
現される。接地リードから電圧リードへまたはその逆に
電流の流れをシフトさせる回路に入力信号を供給する信
号線は、はぼ同じインピーダンスを示すことになる。信
号リードが通常使用される・プッシュプル・オフチップ
・ドライバへの入力であるときは、バランスのとれたイ
ンピーダンスが望ましい。プッシュプル・ドライバ回路
では、信号入力端の電圧レベルによって、電流が接地電
源と電圧電源のどちらから引かれるかが決まる。入力端
の電圧が所定の値に変化するとき、電流は接地電源から
電圧電源に、または電圧電源側から接地電源にスイング
する。CMOSプッシュプル・ドライバは、通常は5ボ
ルトのスイング幅を有する。このバランスのとれた設計
により、回路遅延に対する高い同時切換え動作の影響が
最小になった、ノイズがよく抑制されたシステムが作ら
れる。さらに、電圧リードと電源リードのオーバーラツ
プにより、低インピーダンスの電源供給ネットワークが
もたらされ、また電圧電源の追加的比較減結合がもたら
される。
第50図の構造体は、FET型技術に特に有利である。
高性能VLSIで使用される高速オフチップ・ドライバ
は、切換え速度が高く、関連する電流変化速度(d I
/d t)が大きいために、パッケージ設計者にとって
特別の問題を提起する。高い切換え速度はクロストーク
の増加をもたらし、大きなd I/d tは(デルタ!
ノイズと呼ばれる)誘導性ノイズをもたらす。デルタI
ノイズが発生するのは、電源供給ネットワークが誘導的
性質をもち、オフチップ・ドライバに電流を供給するた
めテアル。tなt)ち、AV=L dI/dt。
は、切換え速度が高く、関連する電流変化速度(d I
/d t)が大きいために、パッケージ設計者にとって
特別の問題を提起する。高い切換え速度はクロストーク
の増加をもたらし、大きなd I/d tは(デルタ!
ノイズと呼ばれる)誘導性ノイズをもたらす。デルタI
ノイズが発生するのは、電源供給ネットワークが誘導的
性質をもち、オフチップ・ドライバに電流を供給するた
めテアル。tなt)ち、AV=L dI/dt。
デルタIノイズの問題は、バイポーラ技術と0MO8技
術では、電流切換え挙動が異なるために、いくらか異な
っている。現在のバイポーラ技術では、電源から電流が
連続的に引かれ、電流は状態を切り換えるためにトラン
ジスタによって「方向制御」される。0MO8技術では
、非常に小さな連続電流しか必要とされず、回路内の容
量性ノードを帯電させるために電流がオンオフに切り換
えられる。この違いから、別々の手法を用いてデルタ■
ノイズの問題が解決できることが示唆される。
術では、電流切換え挙動が異なるために、いくらか異な
っている。現在のバイポーラ技術では、電源から電流が
連続的に引かれ、電流は状態を切り換えるためにトラン
ジスタによって「方向制御」される。0MO8技術では
、非常に小さな連続電流しか必要とされず、回路内の容
量性ノードを帯電させるために電流がオンオフに切り換
えられる。この違いから、別々の手法を用いてデルタ■
ノイズの問題が解決できることが示唆される。
高速度集積回路の実装に使用されるモジュールでは、平
行な信号線のごく近くに1つの導電面を設けることによ
って、電気的クロストークの問題が軽減できることが知
られている。この平面は、通常効果が最大となるように
大地に対して基準づけられ、接地面と呼ばれる。クロス
トークの軽減に加えて、接地面は、電流の帰路及び信号
伝送線の接地基準としても使用される。現在の多層パッ
ケージでは、接地面は中実面またはメツシュ平面によっ
て形成され、限られた数のピンを介してプリント回路カ
ードの接地側に接続される。同様な構造体がカード及び
ボード用の電源コアにも利用される。
行な信号線のごく近くに1つの導電面を設けることによ
って、電気的クロストークの問題が軽減できることが知
られている。この平面は、通常効果が最大となるように
大地に対して基準づけられ、接地面と呼ばれる。クロス
トークの軽減に加えて、接地面は、電流の帰路及び信号
伝送線の接地基準としても使用される。現在の多層パッ
ケージでは、接地面は中実面またはメツシュ平面によっ
て形成され、限られた数のピンを介してプリント回路カ
ードの接地側に接続される。同様な構造体がカード及び
ボード用の電源コアにも利用される。
デルタ夏ノイズの問題に通常関連する利点は、モジュー
ルの実効電源インダクタンスである。実効電源インダク
タンスとは、完全に減結合された電源での短絡ループ・
インダクタンスである。これは、電源網の供給側と帰還
側の電流経路の自己インダクタンスを加算し、これらの
経路間の相互インダクタンスを減算することによって導
き出される。通常のモジュールでは、設計者は、電源網
の電源供給側及び帰還側の自己インダクタンスを最小に
し、それらの相互インダクタンスを最大にしようとする
。こうすると、バイポーラ回路の実効インダクタンスと
リード・デルタ夏ノイズが最小になる。
ルの実効電源インダクタンスである。実効電源インダク
タンスとは、完全に減結合された電源での短絡ループ・
インダクタンスである。これは、電源網の供給側と帰還
側の電流経路の自己インダクタンスを加算し、これらの
経路間の相互インダクタンスを減算することによって導
き出される。通常のモジュールでは、設計者は、電源網
の電源供給側及び帰還側の自己インダクタンスを最小に
し、それらの相互インダクタンスを最大にしようとする
。こうすると、バイポーラ回路の実効インダクタンスと
リード・デルタ夏ノイズが最小になる。
0M08回路の場合には、電源の供給側から帰還側への
直接の電流経路がないため、供給側と帰還側の間の相互
インダクタンスの効果がなくなり、また同じdI/dt
でも、バイポーラ回路に対するデルタ夏ノイズの効果が
増大する。すなわち、前に定義した通常の利点が0MO
8におけるデルタ夏ノイズの問題には適用できない。0
M08回路では、2つの別々の重要な電流経路を考慮す
べきである。正の電源を仮定すると、これらの経路は下
記の通りである。
直接の電流経路がないため、供給側と帰還側の間の相互
インダクタンスの効果がなくなり、また同じdI/dt
でも、バイポーラ回路に対するデルタ夏ノイズの効果が
増大する。すなわち、前に定義した通常の利点が0MO
8におけるデルタ夏ノイズの問題には適用できない。0
M08回路では、2つの別々の重要な電流経路を考慮す
べきである。正の電源を仮定すると、これらの経路は下
記の通りである。
1、正の供給側から適切な信号線を介して、負荷キャパ
シタンスに向かう、立上り信号遷移用の経路。
シタンスに向かう、立上り信号遷移用の経路。
2、負荷キャパシタンスの正の側から信号線及びネット
の接地側を介して電源側に向かう、立下り遷移用の経路
。
の接地側を介して電源側に向かう、立下り遷移用の経路
。
したがって、0MO8について、デルタ夏ノイズの問題
にとって重要な2種のインダクタンスがあることが判る
。すなわち、信号線−Vdd電源ループの実効インダク
タンスと、信号線−接地−電源ループの実効インダクタ
ンスである。
にとって重要な2種のインダクタンスがあることが判る
。すなわち、信号線−Vdd電源ループの実効インダク
タンスと、信号線−接地−電源ループの実効インダクタ
ンスである。
0M08回路のデルタ夏ノイズを最小にするには、供給
網の供給側脚と帰還側脚の一自己インダクタンスならび
に信号線の自己インダクタンスを最小にし、信号線と供
給側脚のr−1及び信号線と帰還側脚の間の相互インダ
クタンスを増加させることが望ましい。
網の供給側脚と帰還側脚の一自己インダクタンスならび
に信号線の自己インダクタンスを最小にし、信号線と供
給側脚のr−1及び信号線と帰還側脚の間の相互インダ
クタンスを増加させることが望ましい。
第50図のこの構造体は、チップと第2段パッケージの
間の電気的不連続性を最小にし、それによって結合ノイ
ズの効果を最小にし、電磁的干渉を減少させる。支持用
の第2段は、多層/バイア配線の形状及び構造に基づく
最新の第1段の概念、実施及び開発の傾向と比べて、よ
り育利な寸法形状及び絶縁体でランダム信号配線に利用
される。
間の電気的不連続性を最小にし、それによって結合ノイ
ズの効果を最小にし、電磁的干渉を減少させる。支持用
の第2段は、多層/バイア配線の形状及び構造に基づく
最新の第1段の概念、実施及び開発の傾向と比べて、よ
り育利な寸法形状及び絶縁体でランダム信号配線に利用
される。
さらに、ご浦方法は、やはり多層/バイア配線の形状に
基づく既存の第2段の実施にも適用できるが、第1段パ
ッケージと第2段パッケージの間に最小の電気的不連続
性でより短い実効「遮蔽」電気経路を得ることができる
、新たに出現したマルチワイヤ第2段技術に対してはさ
らによく適用できる。この新しい技術は、超小型同軸ケ
ーブルを使って、カード中で相互接続を行なう。現在の
実施では、信号を第1段パッケージを介して相互接続す
るときは、この技術の利点の多くが失われる。
基づく既存の第2段の実施にも適用できるが、第1段パ
ッケージと第2段パッケージの間に最小の電気的不連続
性でより短い実効「遮蔽」電気経路を得ることができる
、新たに出現したマルチワイヤ第2段技術に対してはさ
らによく適用できる。この新しい技術は、超小型同軸ケ
ーブルを使って、カード中で相互接続を行なう。現在の
実施では、信号を第1段パッケージを介して相互接続す
るときは、この技術の利点の多くが失われる。
第50図の構造体を用いると、チップの縁部に至るまで
制御されたインピーダンス信号環境を維持することがで
きる。第50図の構造体をTAB型テープ上に作成する
と、テスト接点を使ってリール間でテストを行なうこと
ができ、境界スキャン(自己テスト)と組み合わせた場
合、リール間モードで焼き付けることが可能になる。こ
れらのテスト接点は、パッケージの切断時に除去する。
制御されたインピーダンス信号環境を維持することがで
きる。第50図の構造体をTAB型テープ上に作成する
と、テスト接点を使ってリール間でテストを行なうこと
ができ、境界スキャン(自己テスト)と組み合わせた場
合、リール間モードで焼き付けることが可能になる。こ
れらのテスト接点は、パッケージの切断時に除去する。
これらの特徴はオプションであり、基本発明にとって必
須のものではなく、本発明の製造上のフレキシビリティ
を示す例として含めたものである。
須のものではなく、本発明の製造上のフレキシビリティ
を示す例として含めたものである。
第48図の構造体を有するTAB型リード・フレームに
よって、ICをボードに電気的に接続するときは、同時
切換えを実際に支援するために必要な第2段実装カード
またはボードに対する位置関係から、ランダム信号再分
配が、セラミックの第1段実装からカードまたはボード
に移り、それによってカード材料に固有の改良された絶
縁体が活用される。ピン止め構造から表面はんだづけ構
造に移すことによって、さらに改良が実現される。
よって、ICをボードに電気的に接続するときは、同時
切換えを実際に支援するために必要な第2段実装カード
またはボードに対する位置関係から、ランダム信号再分
配が、セラミックの第1段実装からカードまたはボード
に移り、それによってカード材料に固有の改良された絶
縁体が活用される。ピン止め構造から表面はんだづけ構
造に移すことによって、さらに改良が実現される。
これは、セラミック構造体上の低い絶縁体再分配を有効
に「フロート」させる現在の開発及びシステムの傾向に
逆らうものであることに留意すべきである。
に「フロート」させる現在の開発及びシステムの傾向に
逆らうものであることに留意すべきである。
上記の実施例は、本発明の原理の単なる例示であること
を理解されたい。本発明の原理を実施する当業者なら、
他にも様々な修正や変更を思いつくだろうが、それらも
本発明の精神及び範囲に含まれる。
を理解されたい。本発明の原理を実施する当業者なら、
他にも様々な修正や変更を思いつくだろうが、それらも
本発明の精神及び範囲に含まれる。
F0発明の効果
本発明により、電気的接続の数が最大になるように、或
いはインピーダンス特性が改良された集積回路実装構造
体が提供される。
いはインピーダンス特性が改良された集積回路実装構造
体が提供される。
第1図は、ビーム・リード中に形成された1段の金属被
覆層、及び1つの絶縁層を有し、ビーム・リードの内端
に電子デバイスがボンディングされた、TABテープの
上面図である。 第2図は、第1図の構造体の断面図である。 第3図は、1連のビーム・リード・パターンを有するT
ABテープへの電子デバイスの自動ボンディングを示す
断面図である。 第4図は、2つの金属被覆層を有し、その一方の層がバ
イアによって他の層に電気的にボンディングされている
ようなTABテープから、1つのリード・フレームの1
つの金属被覆層からのビーム・リード内端にボンディン
グされた電子デバイスを含む、構造体の上面図である。 第5図は、第4図の線BBに沿った第4図の構造体の断
面図である。 第6図は、第4図の線CCに沿った第4図の構造体の断
面図である。 第7図は、第4図の線AAに沿った第4図の構造体の断
面図である。 第8図は、2つの金属被覆層を有するTABテープから
、1つのリード・フレームの各金属被覆層からのビーム
・リードの内端にボンディングされた電子デバイスを含
む、構造体の上面図である。 第9図は、ビーム・リード内端を電子デバイスにボンデ
ィングする前の、線EEとFFの間に含まれる第8図の
構造体の図である。第8図に示されていないボンディン
グ・ツールは、第9図に陰影で示した断面図で表わされ
ている。 第10図ないし第12図は、第9図のボンディング作業
の結果を示す図である。 第13図は、成形切断工具と位置合せした第12図の構
造体を示す図である。 第14図は、第12図の構造体のリード外端の切断と成
形を示す図である。 第15図は、第14図の形成されたリードの外側リード
端の基板へのボンディングを示す図である。 第16図は、第15図のボンディング作業の結果を示す
図である。 第17図は、ビーム・リード内端に2つの電子デバイス
がボンディングされた、第16図の構造体と類似の構造
体を示す図である。 第18図ないし第28図は、−緒に作成された2つの金
属被覆層を有する、TABテープを製造する工程の概略
図である。 第29図は、2つの金属被覆段を有するTABテープの
部分図である。 第30図は、第29図の線GGに沿った断面図である。 第31図は、金属被覆層間の絶縁層が可変厚さの、第3
0図と類似の断面図である。 第32図ないし第40図は、第31図の構造体を製造す
る工程の概略図である。 第41図ないし第46図は、第31図の構造体を製造す
る他の工程の概略図である。 第47図ないし第49図は、第31図の構造体を製造す
る他の工程の概略図である。 第50図は、2つの金属被覆段を宵し、信号リードが電
圧リード及び接地リードの近くに分散されている、TA
Bテープの断面図である。 10・・・・TAB型テープ、12・・・・キャリア、
14・・・・導体、16・・・・内側リード・ボンド(
■LB)端、18・・・・外側リード・ボンド(OLB
)端、20・・・・開口、22・・・・集積回路(IC
)デバイス。
覆層、及び1つの絶縁層を有し、ビーム・リードの内端
に電子デバイスがボンディングされた、TABテープの
上面図である。 第2図は、第1図の構造体の断面図である。 第3図は、1連のビーム・リード・パターンを有するT
ABテープへの電子デバイスの自動ボンディングを示す
断面図である。 第4図は、2つの金属被覆層を有し、その一方の層がバ
イアによって他の層に電気的にボンディングされている
ようなTABテープから、1つのリード・フレームの1
つの金属被覆層からのビーム・リード内端にボンディン
グされた電子デバイスを含む、構造体の上面図である。 第5図は、第4図の線BBに沿った第4図の構造体の断
面図である。 第6図は、第4図の線CCに沿った第4図の構造体の断
面図である。 第7図は、第4図の線AAに沿った第4図の構造体の断
面図である。 第8図は、2つの金属被覆層を有するTABテープから
、1つのリード・フレームの各金属被覆層からのビーム
・リードの内端にボンディングされた電子デバイスを含
む、構造体の上面図である。 第9図は、ビーム・リード内端を電子デバイスにボンデ
ィングする前の、線EEとFFの間に含まれる第8図の
構造体の図である。第8図に示されていないボンディン
グ・ツールは、第9図に陰影で示した断面図で表わされ
ている。 第10図ないし第12図は、第9図のボンディング作業
の結果を示す図である。 第13図は、成形切断工具と位置合せした第12図の構
造体を示す図である。 第14図は、第12図の構造体のリード外端の切断と成
形を示す図である。 第15図は、第14図の形成されたリードの外側リード
端の基板へのボンディングを示す図である。 第16図は、第15図のボンディング作業の結果を示す
図である。 第17図は、ビーム・リード内端に2つの電子デバイス
がボンディングされた、第16図の構造体と類似の構造
体を示す図である。 第18図ないし第28図は、−緒に作成された2つの金
属被覆層を有する、TABテープを製造する工程の概略
図である。 第29図は、2つの金属被覆段を有するTABテープの
部分図である。 第30図は、第29図の線GGに沿った断面図である。 第31図は、金属被覆層間の絶縁層が可変厚さの、第3
0図と類似の断面図である。 第32図ないし第40図は、第31図の構造体を製造す
る工程の概略図である。 第41図ないし第46図は、第31図の構造体を製造す
る他の工程の概略図である。 第47図ないし第49図は、第31図の構造体を製造す
る他の工程の概略図である。 第50図は、2つの金属被覆段を宵し、信号リードが電
圧リード及び接地リードの近くに分散されている、TA
Bテープの断面図である。 10・・・・TAB型テープ、12・・・・キャリア、
14・・・・導体、16・・・・内側リード・ボンド(
■LB)端、18・・・・外側リード・ボンド(OLB
)端、20・・・・開口、22・・・・集積回路(IC
)デバイス。
Claims (6)
- (1)少なくとも2つの導電層、 前記導電層中に形成された複数のビーム・リード、 隣接する各導電層の間の絶縁層、及び 構造体内の中央開口を含み、 前記導電層のうちの少なくとも2層が、内側に向かって
片持ち式に前記中央開口中に突き出た少なくとも1本の
導電性ビーム・リードを有し、前記複数のビーム・リー
ドの内端が、実質的に同一平面内にある集積回路実装構
造体。 - (2)少なくとも2つの導電層、 前記導電層中に形成された複数のビーム・リード、 隣接する各導電層の間の絶縁層、及び 構造体内の中央開口を含み、 前記導電層のうちの少なくとも2層が、内側に向かって
片持ち式に前記中央開口中に突き出た少なくとも1本の
導電性ビーム・リードを有し、少なくとも1本の前記ビ
ーム・リードの内端に電気的に接続された接点位置をそ
の主表面上に有する少なくとも1つの電子デバイスを有
し、前記導電層のうちの少なくとも2層が、前記絶縁層
の外端を越えて片持ち式に外側に突き出た少なくとも1
本の導電性ビーム・リードを有し、前記の外側に突き出
た複数のビーム・リードの外端が、実質的に同一平面内
にあり、 前記の外側に突き出たビーム・リードの前記外端に電気
的に接続された接点位置をその上に有する基板を含む集
積回路実装構造体。 - (3)少なくとも2つの導電層、及び隣接する各導電層
の間に少なくとも1つの絶縁層を有するフレキシブル・
テープ、 前記テープ内に前記導電層から形成された複数組のビー
ム・リード、及び 前記各組ごとに、前記絶縁層中の中央開口を含み、 前記各組ごとに、前記導電層のうちの少なくとも2層が
、内側に向かって片持ち式に前記中央開口中に突き出た
少なくとも1本の導電性ビーム・リードを有し、 前記各組ごとに、前記中央開口中に突き出た前記複数の
ビーム・リードの内端が、実質的に同一平面内にある集
積回路実装構造体。 - (4)少なくとも2つの導電層、 前記導電層中に形成された複数のビーム・リード、 隣接する各導電層の間の絶縁層、及び 構造体内の中央開口を含み、 前記導電層のうちの少なくとも1層が、内側に向かって
片持ち式に前記中央開口中に突き出た少なくとも1本の
導電性ビーム・リードを有し、隣接する厚さが不均一の
導電層の間の、少なくとも1つの前記絶縁層が、前記の
隣接する導電層中の導電性リードの間に可変厚さの絶縁
体をもたらす集積回路実装構造体。 - (5)少なくとも2つの導電層、 隣接する各導電層の間の絶縁層、及び 構造体内の中央開口を含み、 前記導電層のうちの少なくとも1層が、内側に向かって
片持ち式に前記中央開口中に突き出た少なくとも1本の
導電性リードを有し、 同一導電層内の接地リードと電源リードのうちから選ば
れた1本のリードに隣接し、かつ隣接する導電層内の接
地リードと電源リードのうちの他方のリードと対向して
、少なくとも1本の信号リードがある集積回路実装構造
体。 - (6)少なくとも2つの導電層、 隣接する各導電層の間の絶縁層、及び 構造体内の中央開口を含み、 前記導電層のうちの少なくとも2層が、内側に向かって
片持ち式に前記中央開口中に突き出た少なくとも1本の
導電性リードを有し、 同一導電層内の接地リードと電源リードのうちから選ば
れた1本のリードに隣接し、かつ隣接する導電層内の接
地リードと電源リードのうちの他方のリードと対向して
、少なくとも1本の信号リードがあり、 前記ビーム・リードの内端に電気的に接続された接点位
置をその主表面上に有する少なくとも1個の電子デバイ
スを含み、 前記電子デバイスが、それぞれ少なくとも1つの接続位
置の1つに電気的に接続された、少なくとも信号入力、
電圧入力及び接地入力を有する電子回路を少なくとも1
個有し、前記の少なくとも1本の信号リード、前記接地
リード及び前記電源リードがそれぞれ前記信号入力、前
記接地入力及び前記電源入力に電気的に接続されており
、前記回路は、前記信号入力に第1の所定値の電圧が印
加されたときは前記接地入力と前記信号入力の間に電流
が引かれ、第2の所定値の電圧が印加されたときは前記
電圧入力と前記信号入力の間に電流が引かれるという性
質を有しており、 前記導電層のうちの少なくとも2層が、前記絶縁層の外
端を越えて片持ち式に外側に突き出た少なくとも1本の
導電性ビーム・リードを有し、前記の外側に突き出たビ
ーム・リードの前記外端に電気的に接続された接点位置
を上に有する基板を含む集積回路実装構造体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/263,835 US5028983A (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Multilevel integrated circuit packaging structures |
US263835 | 1994-06-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02165647A true JPH02165647A (ja) | 1990-06-26 |
JPH0612782B2 JPH0612782B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=23003430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1277337A Expired - Lifetime JPH0612782B2 (ja) | 1988-10-28 | 1989-10-26 | 集積回路実装構造体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5028983A (ja) |
EP (1) | EP0365783B1 (ja) |
JP (1) | JPH0612782B2 (ja) |
DE (1) | DE68920944T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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