JPH02153528A - ウェーハ表面研削機 - Google Patents
ウェーハ表面研削機Info
- Publication number
- JPH02153528A JPH02153528A JP63308211A JP30821188A JPH02153528A JP H02153528 A JPH02153528 A JP H02153528A JP 63308211 A JP63308211 A JP 63308211A JP 30821188 A JP30821188 A JP 30821188A JP H02153528 A JPH02153528 A JP H02153528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- wafer
- spindle
- spindle shaft
- ground
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハ基板を研削し、所定の厚さ及び
表面粗度に加工するウェーハ表面研削機に関する。
表面粗度に加工するウェーハ表面研削機に関する。
従来、この種の研削機を用いた研削方式としては、主と
して第3図(a)の部分断面図に示すように、定速で矢
印A方向に回転するロータリーテーブル4上のチャック
テーブル5に吸着されたウェーハlOを、それぞれ角度
θだけ幾分傾けた荒研削、中研削、仕上研削の3本のス
ピンドル軸8に取りつけたブレード9aで、ウェーハl
Oの側面方向から研削するスルーフィード方式のものと
、第4図(a)の部分断面図に示すように、ウェーハl
Oを吸着したチャックテーブル5を自転させ、上からス
ピンドル軸8を降下させてそれぞれ取りつけられたブレ
ード9bで荒研削、仕上研削(中研削はしないこともあ
る)を行うダウンフィード方式の2種類がある。
して第3図(a)の部分断面図に示すように、定速で矢
印A方向に回転するロータリーテーブル4上のチャック
テーブル5に吸着されたウェーハlOを、それぞれ角度
θだけ幾分傾けた荒研削、中研削、仕上研削の3本のス
ピンドル軸8に取りつけたブレード9aで、ウェーハl
Oの側面方向から研削するスルーフィード方式のものと
、第4図(a)の部分断面図に示すように、ウェーハl
Oを吸着したチャックテーブル5を自転させ、上からス
ピンドル軸8を降下させてそれぞれ取りつけられたブレ
ード9bで荒研削、仕上研削(中研削はしないこともあ
る)を行うダウンフィード方式の2種類がある。
第3図(a)に示したスルーフィード方式では、スピン
ドル軸8はチャックテーブル5の垂線に対して角度θだ
け傾いている。このθの傾きは10〜50μII/20
c鳳である。このようにスピンドル軸を傾けることによ
り、ブレードが出口側でウェーハに当るのを防いでいる
。又、第3図(b)はスルーフィード方式によるウェー
ハ面のソーマークllaを示す平面図で、矢印A方向に
移動するウェーハ10の面に渡って大方均−である。
ドル軸8はチャックテーブル5の垂線に対して角度θだ
け傾いている。このθの傾きは10〜50μII/20
c鳳である。このようにスピンドル軸を傾けることによ
り、ブレードが出口側でウェーハに当るのを防いでいる
。又、第3図(b)はスルーフィード方式によるウェー
ハ面のソーマークllaを示す平面図で、矢印A方向に
移動するウェーハ10の面に渡って大方均−である。
第4図(a)に示したダウンフィード方式では、スピン
ドル軸8は、ウェーハ10を真空吸着し自転するチャッ
クテーブル5の垂線に対し傾いていない、又、第4図(
b)はダウンフィード方式にょるウェーハ面のソーマー
クllbを示す平面図で、ウェーハ10の中央部が密で
あり、周辺が疎になっている。
ドル軸8は、ウェーハ10を真空吸着し自転するチャッ
クテーブル5の垂線に対し傾いていない、又、第4図(
b)はダウンフィード方式にょるウェーハ面のソーマー
クllbを示す平面図で、ウェーハ10の中央部が密で
あり、周辺が疎になっている。
上述した従来のスルーフィード方式は、スピンドル軸を
傾けているためウェーへの厚さの均一性が悪く、又、反
りも存在する。一方、ダウンフィード方式は、研削面の
状態が均一でなく、又、チャックテーブルの回転中心付
近に段差が生じるという欠点がある。
傾けているためウェーへの厚さの均一性が悪く、又、反
りも存在する。一方、ダウンフィード方式は、研削面の
状態が均一でなく、又、チャックテーブルの回転中心付
近に段差が生じるという欠点がある。
本発明は、被研削ウェーハを載置するロータリーテーブ
ルを有し、このロータリーテーブルの回転により前記ウ
ェーハが送られる各研削ポジションにそれぞれスピンド
ル軸を設置し、第1ポジションのスピンドル軸にはダウ
ンフィード方式による荒研削用ブレードを取りつけ、第
2ポジションのスピンドル軸にはダウンフィード方式に
よる中研削用ブレードを取りつけ、第3ポジションのス
ピンドル軸にはスルーフィード方式による仕上研削用ブ
レードを取りつけなウェーハ表面研削機である。
ルを有し、このロータリーテーブルの回転により前記ウ
ェーハが送られる各研削ポジションにそれぞれスピンド
ル軸を設置し、第1ポジションのスピンドル軸にはダウ
ンフィード方式による荒研削用ブレードを取りつけ、第
2ポジションのスピンドル軸にはダウンフィード方式に
よる中研削用ブレードを取りつけ、第3ポジションのス
ピンドル軸にはスルーフィード方式による仕上研削用ブ
レードを取りつけなウェーハ表面研削機である。
第1図は本発明の一実施例を示すレイアウト図である。
ロータリーテーブル4上の5箇所に設けられたチャック
テーブル5は、ロータリーテーブル4の回転によりそれ
ぞれが5箇所のポジションを通る。
テーブル5は、ロータリーテーブル4の回転によりそれ
ぞれが5箇所のポジションを通る。
まず、ロードポイント6で被研削ウェーハを吸着し、第
1スピンドル軸1のポジションで荒研削を行い、次に第
2スピンドル軸2のポジションで中研削を行い、次に第
3スピンドル軸3のポジションで仕上研削を行い、最後
にアンロードポイント7でウェーハは取り出される。こ
こで、第1゜第2スピンドル軸はダウンフィード方式に
よる研削を行い、第3スピンドル軸はスルーフィード方
式による研削を行う。
1スピンドル軸1のポジションで荒研削を行い、次に第
2スピンドル軸2のポジションで中研削を行い、次に第
3スピンドル軸3のポジションで仕上研削を行い、最後
にアンロードポイント7でウェーハは取り出される。こ
こで、第1゜第2スピンドル軸はダウンフィード方式に
よる研削を行い、第3スピンドル軸はスルーフィード方
式による研削を行う。
第3スピンドル軸3のポジションでの研削時には、ロー
タリーテーブル4は定速でゆっくり動き、その他の移動
、すなわちチャックテーブル5が第1スピンドル軸1.
第2スピンドル軸2.ロードポイント6、アンロードポ
イント7へ移動する時には速やかに動く、又、第1.第
2スピンドル軸ポジションでは、ロータリーテーブル4
は停止し、その問チャックテーブル5は自転している。
タリーテーブル4は定速でゆっくり動き、その他の移動
、すなわちチャックテーブル5が第1スピンドル軸1.
第2スピンドル軸2.ロードポイント6、アンロードポ
イント7へ移動する時には速やかに動く、又、第1.第
2スピンドル軸ポジションでは、ロータリーテーブル4
は停止し、その問チャックテーブル5は自転している。
ロード、アンロード方式に関しては、一般的なものであ
り言及しない。
り言及しない。
第2図(a)は本発明で使用する研削方式の一例である
スルーフィード方式を説明する部分断面図で、第3スピ
ンドル軸ポジションを示している。
スルーフィード方式を説明する部分断面図で、第3スピ
ンドル軸ポジションを示している。
又、同図(b)はソーマークを示す平面図である。ウェ
ーハlOはチャックテーブル5に吸着され、矢印Aの方
向に低速で進み、第3スピンドル軸3に取りつけられ回
転しているブレード9&により研削される。第1〜第3
スピンドル軸1〜3のチャックテーブル5の垂線に対す
る傾き角θは全て0度である。なお、第2図(b)に示
すように、矢印A方向に移動するウェーハlOのソーマ
ーク11aは、スルーフィード方式のものは、従来と同
様大方均−である。
ーハlOはチャックテーブル5に吸着され、矢印Aの方
向に低速で進み、第3スピンドル軸3に取りつけられ回
転しているブレード9&により研削される。第1〜第3
スピンドル軸1〜3のチャックテーブル5の垂線に対す
る傾き角θは全て0度である。なお、第2図(b)に示
すように、矢印A方向に移動するウェーハlOのソーマ
ーク11aは、スルーフィード方式のものは、従来と同
様大方均−である。
このように、本実施例によれば、研削負荷の大きい第1
.第2スピンドル軸にはダウンフィード方式を用いて厚
さ精度、平面性を確保し、第3スピンドル軸の仕上研削
にはスルーフィード方式を用いて均一な研削面を得るよ
うにしている。
.第2スピンドル軸にはダウンフィード方式を用いて厚
さ精度、平面性を確保し、第3スピンドル軸の仕上研削
にはスルーフィード方式を用いて均一な研削面を得るよ
うにしている。
又、第1〜第3スピンドル軸はウェーハ及びチャックテ
ーブルの高さを検出し、自動的に一定の厚さにウェーハ
を仕上げると共に、研削時以外は上方に逃げているよう
にしである。ここで、第3スピンドル軸は、仕上研削が
終った時点で上方に逃げるようにしておけば、ウェーハ
が出て行く時はブレードは逃げているのでスピンドル軸
を傾ける必要はない、従って厚さ精度が良く、平坦で均
一な研削面を有するウェーハが得られる。
ーブルの高さを検出し、自動的に一定の厚さにウェーハ
を仕上げると共に、研削時以外は上方に逃げているよう
にしである。ここで、第3スピンドル軸は、仕上研削が
終った時点で上方に逃げるようにしておけば、ウェーハ
が出て行く時はブレードは逃げているのでスピンドル軸
を傾ける必要はない、従って厚さ精度が良く、平坦で均
一な研削面を有するウェーハが得られる。
第4図は本発明に使用する改良されたチャックテーブル
の平面図である。すなわち、従来のものは円形で、周囲
がセラミック部12、又内部が真空吸着部となるポーラ
ス部13で形成されている0本改良例では従来の側面の
一部を突出させ、そこにポーラス部!4を設けたもので
ある。
の平面図である。すなわち、従来のものは円形で、周囲
がセラミック部12、又内部が真空吸着部となるポーラ
ス部13で形成されている0本改良例では従来の側面の
一部を突出させ、そこにポーラス部!4を設けたもので
ある。
本発明においては、第1〜第3の全てのスピンドル軸は
、チャックテーブルの高さを検出してその高さを調節し
ているが、第3スピンドル軸の場合、通常のチャックテ
ーブルだと高さを検出する場所はセラミック部12であ
るが、ウェーハの置かれるポーラス部13はセラミック
部12より軟らかいため、製作時の平面研削の際、セラ
ミック部12より1〜3μm程度低くなってしまい、そ
のためウェーハ厚の精度が落ちる。
、チャックテーブルの高さを検出してその高さを調節し
ているが、第3スピンドル軸の場合、通常のチャックテ
ーブルだと高さを検出する場所はセラミック部12であ
るが、ウェーハの置かれるポーラス部13はセラミック
部12より軟らかいため、製作時の平面研削の際、セラ
ミック部12より1〜3μm程度低くなってしまい、そ
のためウェーハ厚の精度が落ちる。
そこで、この改良されたチャックテーブルでは、矢印A
で示す移動方向の手前部分に、ポーラス部13の形成と
同時にポーラス部14を突出させて設けておき、ここに
触針させることによってつ工−ハ吸着面からの高さを検
出するようにしたため、より正確にウェーハの厚さ、す
なわち研削量を求めることができる。
で示す移動方向の手前部分に、ポーラス部13の形成と
同時にポーラス部14を突出させて設けておき、ここに
触針させることによってつ工−ハ吸着面からの高さを検
出するようにしたため、より正確にウェーハの厚さ、す
なわち研削量を求めることができる。
以上説明したように本発明は、主研削に負荷の少ないダ
ウンフィード方式を用いているためつ工−ハの反りが少
なく、又、チャックテーブル軸とスピンドル軸との傾き
がないため平面性がよく、又、仕上研削にスルーフィー
ド方式を用いているため研削面が均一になっており、更
に、チャックテーブルに対してスピンドル軸の高さを調
整しているので厚さ精度が良い。
ウンフィード方式を用いているためつ工−ハの反りが少
なく、又、チャックテーブル軸とスピンドル軸との傾き
がないため平面性がよく、又、仕上研削にスルーフィー
ド方式を用いているため研削面が均一になっており、更
に、チャックテーブルに対してスピンドル軸の高さを調
整しているので厚さ精度が良い。
第1図は本発明の一実施例を示すレイアウト図、第2図
(a)は本発明で使用する研削方式の一例を示す部分断
面図、同図(b)はソーマークを示す平面図、第3図(
a)は従来の研削方式の一例を示す部分断面図、同図(
b)はソーマークを示す平面図、第4図(a)は従来の
研削方式の他の例を示す部分断面図、同図(b)はソー
マークを示す平面図、第5図は本発明に使用するチャッ
クテーブルの改良例を示す平面図である。 1・・・第1スピンドル軸、 2・・・第2スピンドル
軸、 3・・・第3スピンドル軸、 4・・・ロータリ
ーテーブル、 5・・・チャックテーブル、 6・・・
ロードポイント、 7・・・アンロードポイント、 8
・・・スピンドル軸、 9a、 9b・・・ブレード、
lO・・・ウェーハ、 lla 、 llb・・・ソ
ーマーク、 12・・・セラミック部、 13.14・
・・ポーラス部。
(a)は本発明で使用する研削方式の一例を示す部分断
面図、同図(b)はソーマークを示す平面図、第3図(
a)は従来の研削方式の一例を示す部分断面図、同図(
b)はソーマークを示す平面図、第4図(a)は従来の
研削方式の他の例を示す部分断面図、同図(b)はソー
マークを示す平面図、第5図は本発明に使用するチャッ
クテーブルの改良例を示す平面図である。 1・・・第1スピンドル軸、 2・・・第2スピンドル
軸、 3・・・第3スピンドル軸、 4・・・ロータリ
ーテーブル、 5・・・チャックテーブル、 6・・・
ロードポイント、 7・・・アンロードポイント、 8
・・・スピンドル軸、 9a、 9b・・・ブレード、
lO・・・ウェーハ、 lla 、 llb・・・ソ
ーマーク、 12・・・セラミック部、 13.14・
・・ポーラス部。
Claims (1)
- 被研削ウェーハを載置するロータリーテーブルを有し、
このロータリーテーブルの回転により、前記ウェーハが
送られる各研削ポジションにそれぞれスピンドル軸を設
置し、第1ポジションのスピンドル軸にはダウンフィー
ド方式による荒研削用ブレードを取りつけ、第2ポジシ
ョンのスピンドル軸にはダウンフィード方式による中研
削用ブレードを取りつけ、第3ポジションのスピンドル
軸にはスルーフィード方式による仕上研削用ブレードを
取りつけたことを特徴とするウェーハ表面研削機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63308211A JPH02153528A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | ウェーハ表面研削機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63308211A JPH02153528A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | ウェーハ表面研削機 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02153528A true JPH02153528A (ja) | 1990-06-13 |
Family
ID=17978256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63308211A Pending JPH02153528A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | ウェーハ表面研削機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02153528A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001022484A1 (fr) * | 1999-09-20 | 2001-03-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de fabrication d'une tranche de semi-conducteur |
JP2020015117A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 株式会社ディスコ | クリープフィード研削方法 |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP63308211A patent/JPH02153528A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001022484A1 (fr) * | 1999-09-20 | 2001-03-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de fabrication d'une tranche de semi-conducteur |
JP2020015117A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 株式会社ディスコ | クリープフィード研削方法 |
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