CN102498559A - 基板保持架***、基板接合装置以及器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
为了成为将用于保持半导体基板的基板保持架彼此一体化而夹持所层叠的半导体基板的状态，需要将半导体基板彼此固定的固定机构。该固定机构中的接触部位也能够成为产生灰尘的原因。因此，为了抑制灰尘的产生而提供一种基板保持架***，该基板保持架***具备：保持第1基板的第1基板保持架；设置于第1基板保持架的结合构件；保持第2基板的第2基板保持架；被结合构件，该被结合构件设置于第2基板保持架上，当第1基板保持架和第2基板保持架夹持第1基板和第2基板而对置时，该被结合构件设置于与结合构件对置的位置；以及缓冲部，该缓冲部设置于结合构件或者被结合构件的各自的接触部的至少一方。
Description
技术领域
1本发明涉及一种基板保持架***、基板接合装置以及器件的制造方法。
背景技术
现有层叠分别形成了元件、电路等的半导体基板而制造成的层叠型半导体装置。在层叠半导体基板的情况下，将保持在基板保持架上的一对半导体基板以半导体电路的线宽精度精密定位并层叠之后，加热、加压来使基板整体接合。此时，使用对一对半导体基板进行定位的定位装置、以及进行加热加压来实现永久接合的加热加压装置。
专利文献1：日本特开平11-261000号公报
专利文献2：日本特开2005-251972号公报
专利文献3：日本特开2007-115978号公报
发明内容
在层叠2张半导体基板时，如果在相互对置的半导体电路区域间夹入尘埃的话，即使很少也会引起电路动作的不良。另外，局部的加热加压不充分，有时还导致接合强度不足。半导体处理工序原则上是在无尘室内进行，但是在处理半导体基板的处理装置、器具中分别存在驱动、滑动、流动等的成为产生灰尘原因的动作部分。作为其中的一个器具，可举出基板保持架。例如在定位装置中，为了将保持半导体基板的基板保持架彼此一体化并层叠得到的半导体基板为夹持状态，需要将半导体基板彼此固定的固定机构。该固定机构中的接触部位也能成为产生灰尘的原因。因而，要求充分考虑了抑制所产生灰尘的基板保持架的固定机构。
因此在本发明的一个侧面中，以提供能够解决上述的课题的“基板保持架***、基板接合装置以及器件的制造方法”为目的。该目的通过权利要求中的独立权利要求所记载的特征的组合来达成。另外从属权利要求规定了本发明的更有利的具体例。
为了解决上述课题，本发明的第1方式中的基板保持架***具备：保持第1基板的第1基板保持架；设置于第1基板保持架的结合构件；保持第2基板的第2基板保持架；被结合构件，该被结合构件在第2基板支架上，当第1基板保持架和第2基板保持架夹持第1基板和第2基板而对置时，该被结合构件设置于与结合构件对置的位置；以及缓冲部，该缓冲部设置于结合构件或者被结合构件的各自的接触部的至少一方。
为了解决上述课题，本发明的第2方式中的器件的制造方法是重叠多个基板而制造的器件的制造方法，重叠多个基板的工序包含使用基板保持架***，将第1基板载置在第1基板保持架的步骤、将第2基板载置在第2基板保持架的步骤、以及使结合构件和被结合构件进行接触来夹持第1基板和第2基板的步骤，该基板保持架***具备：保持第1基板的第1基板保持架；设置于第1基板保持架的结合构件；保持第2基板的第2基板保持架；被结合构件，被结合构件设置于第2基板支架上，当第1基板保持架和第2基板保持架夹持第1基板和第2基板而对置时，该被结合构件设置于与结合构件对置的位置；以及缓冲部，该缓冲部设置于结合构件或者被结合构件的各自的接触部的至少一方。
此外上述的发明的概要并非列举了本发明的必要特征的全部。另外，这些特征群的组合也还能够成为发明。
附图说明
图1是概要性地表示基板接合装置的说明图。
图2是概要性地表示半导体晶片的俯视图。
图3是概要性地表示保持了第1基板的第1基板保持架的俯视图。
图4是概要性地表示保持了第2基板的第2基板保持架的俯视图。
图5是概要性地表示即将形成基板保持架对之前的状态的截面图。
图6是概要性地表示刚刚形成基板保持架对之后的状态的截面图。
图7是概要性地表示磁体单元的立体图。
图8是概要性地表示磁体单元的其它例子的立体图。
图9是概要性地表示吸附单元的板簧的俯视图。
图10是概要性地表示板簧弹性变形后的状态的立体图。
图11是在图10中表示的板簧的变形状态中包含吸附器而表示的立体图。
图12是概要性地表示在吸附器中配设球状凸体的例子的立体图。
图13是表示磁体单元与吸附单元的结合作用的截面图。
图14是表示磁体单元与吸附单元的结合作用的截面图。
图15是概要性地表示结合限制单元的纵截面图。
图16是概要性地表示传送装置把持基板保持架对的状态的侧视图。
图17是概要性地表示接合装置的要部的侧视图。
具体实施方式
下面，通过发明的实施方式来说明本发明，但是下面的实施方式不限于权利要求范围所涉及的发明。另外，实施方式中说明的特征的组合的全部并不一定是发明的解决手段所必须的。
图1是概要性地表示本实施方式所涉及的基板接合装置10的说明图。基板接合装置10具备对准装置11，该对准装置11进行作为半导体晶片的第1基板16、以及作为层叠于该第1基板16的半导体晶片的第2基板17的相对的对位。还具备接合装置12，该接合装置12相互地接合通过对准装置11进行对位的第1基板16以及第2基板17。
第1基板16被第1基板保持架14保持，第2基板17被第2基板保持架15保持。在对准装置11中，当第1基板16与第2基板17被对位时，第1基板保持架14与第2基板保持架15挟持第1基板16与第2基板17而使其进行一体化，从而形成基板保持架对18。具体的基板保持架对18的结构将后述。
基板接合装置10还具备传送装置13，该传送装置13将被对准装置11一体化后的基板保持架对18向接合装置12传送。另外，传送装置13也能够在装置间传送半导体晶片、基板保持架单体。传送装置13具备：用于把持基板保持架对18等的把持物的把持部19、以及通过旋转、伸缩动作使把持物向规定的位置移动的臂部20。
图2是概要性地表示本实施方式所涉及的半导体晶片的俯视图。作为半导体晶片的第1基板16、第2基板17是由圆形的薄板构件构成，该薄板构件由单一的单晶硅构成，在其一面设置多个电路区域21。在区段形成了矩阵状的电路区域21中形成有晶体管、电阻体以及电容器等的电路元件。电路元件是以光刻技术为核心使用薄膜形成技术、蚀刻技术以及杂质扩散技术等的成形技术来形成。另外，在各个电路区域21的内部设置有对准标记。对准标记是用于基板彼此之间的对位的标示。在第1基板16以及第2基板17的各个中分别设置的多个对准标记将其设计坐标值分别保存在存储器中来进行管理。此外，成为层叠的对象的半导体晶片也可以是将已经层叠的其它半导体晶片进一步叠置的半导体晶片。在这种情况下，已经被层叠的电路层优选是经过减薄工序来去除不需要的厚度。
图3是概要性地表示保持了第1基板16的第1基板保持架14的俯视图。第1基板保持架14具有保持架主体22以及吸附单元30，作为整体形成直径比第1基板16还大一圈的圆板状。保持架主体22是由陶瓷、金属等的高刚性材料一体成形。
保持架主体22在其表面具备保持第1基板16的区域。该保持区域经过研磨而具有高度的平坦性。借助利用了静电力的吸附来进行第1基板16的保持。具体地说，通过向嵌入在保持架主体22的电极经由设置在保持架主体22的背面的电压施加端子来施加电压，在第1基板保持架14与第1基板16之间产生电位差，使第1基板16吸附于第1基板保持架14。此外，第1基板16的吸附面是与设置了电路区域21的面相反的面。
吸附单元30在保持第1基板16的表面中在作为比保持的第1基板16更外侧的外周区域配置多个。图示的情况是以每120度2个为一组共计配置有6个吸附单元30。具体的结构将后述。
图4是概要性地表示保持了第2基板17的第2基板保持架15的俯视图。第2基板保持架15具有保持架主体23以及磁体单元31，作为整体形成直径比第2基板17还大一圈的圆板状。保持架主体23是由陶瓷、金属等的高刚性材料一体成形。
保持架主体23在其表面具备保持第2基板17的区域。该保持区域经过研磨而具有高度的平坦性。借助利用了静电力的吸附来进行第2基板17的保持。具体地说，通过向嵌入在保持架主体23的电极经由设置在保持架主体23的背面的电压施加端子来施加电压，在第2基板保持架15与第2基板17之间产生电位差，使第2基板17吸附在第2基板保持架15。此外，第2基板17的吸附面是与设置了电路区域21的面相反的面。
磁体单元31在保持第2基板17的表面中在作为比保持的第2基板17更外侧的外周区域配置多个。图示的情况是以每120度2个为一组共计配置有6个磁体单元31。
磁体单元31配置成与第1基板保持架14的吸附单元30分别相对应。并且，当使保持了第1基板16的第1基板保持架14、和保持了第2基板17的第2基板保持架15相互面对面来使吸附单元30和磁体单元31进行作用时，能够以重叠了第1基板16和第2基板17的状态进行夹持来固定。这样进行挟持来固定的状态是基板保持架对18。具体的结构以及吸附的作用等将后述。
图5是概要性地表示在对准装置11中即将形成基板保持架对18的之前的状态的截面图。具体地说，是如下状态的截面图：保持了第1基板16的第1基板保持架14真空吸附固定在对准装置11的第1层51，保持了第2基板17的第2基板保持架15真空吸附固定在对准装置11的第2层52。特别是表示沿着图3以及图4中表示的各自的A-A线的截面图。
第1层51，能够相对于第2基板17，在层积第1基板16的方向的Z轴方向、各自垂直于Z轴的X轴、Y轴方向移动。对准装置11，使用为了能够观察第1基板16而配置在对准装置11上的第1显微镜、和为了能够观察第2基板17而配置在对准装置11上的第2显微镜进行第1基板16和第2基板17的对位。
具体地说，通过各自的显微镜来拍摄成为观察对象的各基板的对准标记，通过对拍摄的摄像数据进行图像处理来检测对准标记的精确的位置。并且，运算相对应的对准标记彼此之间的位置偏离量，根据该位置偏离量来移动第1层51，使第1基板16与第2基板17对置。由此，第1基板16的电路区域21的各个与第2基板17的相对应的电路区域21的各个对置。另外，位置偏差量的计算，譬如，采用全球定位法等计算，统计性地决定为在第1基板16的多个对位记号和第2基板17的多个对位记号重叠的时候，互相的位置偏差量变得最小的状态。
当将第1基板16相对于第2基板17进行对位时，即将第1层51在XY平面内进行移动时，在两者之间形成若干的间隙，使得第1基板16与第2基板17不接触。在该状态中，第2层52具备多个结合限制单元53，使得吸附单元30不与磁体单元31结合。
结合限制单元53主要由作为柱状的构件的按压销54和驱动它的气缸部55构成。按压销54在扩展位置中通过设置在第2基板保持架15上的保持架插通孔24和设置在与该保持架插通孔24一致的方式对位配设的磁体单元31上的磁体插通孔32的内部，该按压销54的尖端自磁体插通孔32突出。在收纳位置中，其一部分被收纳到气缸部55的内部，从各个插通孔退避。也就是说，按压销54在各个插通孔的内部，通过气缸部55的驱动而在Z轴方向进退。
如图5所示，当第1基板16与第2基板17能够相对地向XY方向移动时，按压销54被控制在扩展位置而与吸附单元30的上表面接触，阻止吸附单元30向磁体单元31的结合。即，吸附单元30由吸附器33和固定它的板簧34构成，但是按压销54将吸附器33从上方压下来抑制板簧34的弹性变形，使得板簧34弹性变形后吸附器33不向磁体单元31进行结合。
此外，基于对准装置11的第1基板16与第2基板17的对位，在最终的微调整阶段中，在按压销54的前端能够在吸附单元30的上表面滑动的程度的移动量中执行。在除此以外的阶段，例如在用显微镜观察对准标记的阶段中，第1基板16与第2基板17成为向XYZ轴方向相对地较大离开的状态，因此吸附单元30不会意外地向磁体单元31进行结合。因此，按压销54在磁体单元31的磁力到达吸附单元30，且要限制两者的结合的时候，被控制在扩展位置，在除此以外的时候被控制在收纳位置。
图6是概要性地表示在对准装置11中刚刚形成基板保持架对18之后的状态的截面图。具体地说，从图5的状态中表示将第1层51向Z轴方向进行驱动的状态使得第1基板16的表面与第2基板17的表面进行接触、而且表示按压销54控制在收纳位置而吸附单元30结合在磁体单元31的状态。
在从图5的状态向图6的状态转移的过程中，第1基板16与第2基板17被对位，作为结合构件的磁体单元31与作为被结合构件的吸附单30进行结合。并且，第1基板保持架14与第2基板保持架15一体化来形成作为基板保持架***的基板保持架对18。
在对准装置11中Z轴方向是重力方向，第1层51位于比第2层52更靠下方的位置。于是，对于重力方向的各面的关系是从上向下依次坐落有第2基板保持架15的第2基板17的保持面、第2基板17与第1基板16的接合面、第1基板保持架14的第1基板16的保持面。
在从图5的状态向图6的状态进行转移的过程中，伴随着使按压销54移动到收纳位置的动作，板簧34进行弹性变形，吸附单元30结合在磁体单元31。此时，吸附单元30的吸附器33伴随着一定程度的冲击结合在磁体单元31。因此此时的吸附器33与磁体单元31的接触面的重力方向的位置设定成位于比第2基板17与第1基板16的接合面更靠下方的位置。优选是，设定成位于比第1基板保持架14的第1基板16的保持面更靠下方的位置。
当设定成为这种位置关系时，例如能够期待如下效果：即使由于吸附单元30与磁体单元31的结合冲击而产生尘埃并飞散，尘埃也因重力而下落，不会进入第1基板16与第2基板17之间。即，进入基板间的尘埃对电路动作带来不良、而且还导致接合强度不足，但是通过采用如上所述的位置关系，能够期待避免这种不良情况。
而且，如果设定成位于比第1基板保持架14的第1基板16的保持面更靠下方的位置，则还能够抑制该面中的尘埃的附着。由此，能够将重复使用的第1基板保持架14保持为清洁的状态，在载置其它第1基板16的情况下也没有带入尘埃的担忧。因而，能够期待避免接合装置12中的接合不均匀、第1基板16的倾斜等。
此外，形成了基板保持架对18之后，基板保持架对18解除来自第2层52的真空吸附，通过第1层51来拉下并通过传送装置13向接合装置12进行传送。关于传送装置13的传送机构以及接合装置12的接合工序将后述。
接着，说明磁体单元31的结构。图7是概要性地表示磁体单元31的立体图。磁体单元31具备：磁铁36、收纳磁铁36并对磁铁36进行支承的支承部35、以及多个球状凸体41。
支承部35具有收纳磁铁36的圆筒状的收纳部，另外具有使固定在第2基板17的螺钉进行贯通的螺纹孔37。支承部35例如由碳素钢S25C形成。磁铁36是构成嵌入在支承部35的收纳部的圆柱形的永磁铁，例如具有8N左右大小的磁力。在磁铁36的中心轴设置有供按压销54插通的插通孔38，在支承部35中以与该插通孔38连续的方式设置有插通孔39。通过该2个插通孔来形成磁体插通孔32。
支承部35具有与吸附器33对置的对置面40。并且在对置面40中埋设有至少3个球状凸体41。球状凸体41是经由设置在对置面40的例如作为环状的黄铜的固定构件42利用压入来埋设、固定的。或者也可以构成为：通过磨削等来加工支承部35的对置面40，与支承部35一体地形成球状凸体41。
通过这样形成球状凸体41，能够使磁体单元31与吸附器33进行点接触。即，通过球状凸体41假想地形成的面成为与吸附器33的接触面，因此能够大幅度地降低两者的接触面积，由此能够极力地抑制尘埃的产生。
图8是概要性地表示磁体单元31的其它例子的立体图。与图7的磁体单元31不同，在对置面40形成了截面形状为三角形的凸部亦即线状凸体50。线状凸体50也可以按照如下方式构成：通过磨削等来加工支承部35的对置面40并与支承部35一体地形成、或分开形成并固定在对置面40。
通过这样形成线状凸体50，能够使磁体单元31与吸附器33进行线接触。例如，如果截面形状为三角形，则通过以其顶点为棱的直线来假想地形成的面成为与吸附器33的接触面，因此与面接触相比，能够大幅度地降低两者的接触面积，由此能够极力地抑制尘埃的产生。此外，截面形状不限于三角形，如果是实质上能够实现线接触的形状则可以是任意形状。另外，即使通过磨削加工等在接触部残留若干的平面部，也只要实质上视作线接触即可。
接着，说明吸附单元30的结构。图9是概要性地表示吸附单元30的板簧34的俯视图。
板簧34是在与保持第2基板17的第2基板保持架15的保持面正交的方向具有弹性的弹性构件，例如由SUS631等的高强度弥散硬化型不锈钢形成。另外，板簧34由中心附近的圆形部43和耳状突出的安装部44构成，圆形部43的直径为22mm，厚度为0.1mm。
在圆形部43中形成了相互沿着相同方向延伸、且向与扩展方向正交的方向隔着间隔配置的一对狭缝46。各狭缝46离圆形部43的中心的距离相互相等。利用这2个狭缝46，在圆形部43的中心附近形成带状部48。在带状部48中在成为圆形部43的中心的位置设置有固定吸附器33的贯通孔47。相同地，在安装部44中具有供将板簧34固定在第2基板保持架15的螺钉贯通的螺纹孔45。板簧34相对第2基板保持架15以2个螺纹孔45沿着第2基板保持架15的周方向、且狭缝46的扩展方向沿着第2基板保持架15的大致径向的方式配置在保持架主体23的外周区域。
图10是概要性地表示板簧34弹性变形后的状态的立体图。具体地说，表示固定在板簧34的吸附器33被磁体单元31吸引而结合时的变形状态。但是，图中没有表示吸附器33。
板簧34是通过吸附器33被磁体单元31吸引，带状部48以贯通孔47为顶点的方式浮起，伴随于此，以圆形部43的周边部中的与带状部48连接的2个部分相互靠近的方式弹性变形。此时，各狭缝46以允许各自的变形的方式使开口形状变形。
图11是在图10中所示的板簧34的变形状态中包含吸附器33而表示的立体图。吸附器33经由贯通孔47利用螺钉等的紧固构件固定在板簧34。
吸附器33由强磁性体形成。例如，由碳素钢S25C形成。并且，在吸附器33的与磁体单元31接触的接触面固定有缓冲板49。缓冲板49的硬度比形成磁体单元31的接触面的构件的硬度还小。例如，作为缓冲板的材料使用Si系材料或者树脂系材料。
另外，缓冲板49优选是能够对吸附器33进行更换的结构。缓冲板49与磁体单元31的接触面接触、特别是设置有如球状凸体41、线状凸体50那样的凸部的情况下将受到集中的应力，因此由于吸收冲击有时可能产生凹陷、削落等。因此，每次使用一定期间之后即更换缓冲板49。缓冲板49通过嵌入或是使用粘接剂等的粘贴固定在吸附器33上设置的凹部中。
此外，在上述中说明了如下结构：在磁体单元31的支承部35设置球状凸体41等的凸部，在与它对置的吸附器33中设置缓冲板49。但是，作为结合构件的磁体单元31与作为被结合构件的吸附单元30是相对的关系，因此凸部和缓冲板49的形成部位也可以是相反的。
作为它的例子，在图12中表示在吸附器33配设了球状凸体41的情况下的立体图。与设置在磁体单元31的支承部35的情况相同，将至少3个球状凸体41经由例如作为环状的黄铜的固定构件42通过压入来埋设。或者也可以按照如下方式构成：通过磨削等来进行加工，与吸附器33一体地形成球状凸体41。在这样构成的情况下，相反，在磁体单元31的支承部35设置缓冲板49。
但是，在逆转了凸部和缓冲板49的形成场所的情况下，吸附器33与磁体单元31的接触面的重力方向的位置设定成位于比第2基板17与第1基板16的接合面更靠下方的位置。优选是，设定成位于比第1基板保持架14的第1基板16的保持面更靠下方的位置。
图13是表示磁体单元31与吸附单元30的结合作用的截面图。特别是，表示沿着图3以及图4中所示的各自的B-B线的截面图。但是，省略第1基板16、第2基板17以及按压销54等的记载。图13表示吸附器33向磁体单元31进行结合之前的状态。另外，图14表示在与图13相同的截面部中吸附器33向磁体单元31进行结合之后的状态。
如图所示，磁体单元31经由螺钉来固定在第2基板保持架15的表面。另外，与构成吸附器33的接触面的缓冲板49接触的平面是通过球状凸体41的顶点构成的假想的平面，该假想的平面位于比第1基板保持架14的第1基板16的保持面更靠下方的位置。
即，在第1基板保持架14中与设置吸附单元30的区域相对应地设置形成了比第1基板16的保持面低一层的面的凹部25。并且，由球状凸体41的顶点构成的假想平面在第1基板16的表面与第2基板17的表面接触的状态下，位于该凹部25的空间内。
在凹部25中设置有允许吸附器33的上下移动的贯通孔26。另外，从第1基板保持架14中与第1基板16的保持面相反的面的背面侧，在贯通孔26的周围设置有凹部27，以收纳在该凹部中的方式配置板簧34、以及将板簧34相对于第1基板保持架14进行固定的螺钉。
如从图13的状态向图14的状态的变化所示，固定吸附器33的带状部48通过吸附器33被磁铁36吸引而弹性变形。此时，安装部44还固定于第1基板保持架14，因此板簧34夹持第1基板16和第2基板17而将第1基板保持架14和第2基板保持架15向相互吸引的方向施力来平衡。
图15是概要性地表示结合限制单元53的纵截面图。结合限制单元53与磁体单元31相对应在第2基板保持架15配置多个。在气缸部55中连接有调整气缸部55的内部的气压的气泵56。控制部通过控制气泵56来使按压销54进退。即，控制按压销54的至少一部分位于气缸部55的内部的收纳位置、和按压销54的前端57按压缓冲板49的扩展位置。因而，按压销54按压缓冲板49的按压力具有对抗板簧34的弹性力的大小。
按压销54的前端57被加工成球状以使与缓冲板49进行点接触。或者，也可以在前端部分体设置像球状凸体41那样的球。
图16是概要性地表示传送装置13把持基板保持架对18的状态的侧视图。传送装置13具备臂部20、以及与它连接的把持部19。把持部19具有将基板保持架对18从下方进行支承的支承板62、以及从上方按压的按压板63。在支承板62中设置有真空吸附固定基板保持架对18的进气孔，基板保持架对18借助该作用而固定在支承板62上。
按压板63设置于在支承板62的端部设置的支柱64，能够向夹住基板保持架对18的方向进退。按压板63通过向固定在支承板62的基板保持架对18作用按压力，能够由按压板63和支承板62来夹持基板保持架对18。传送装置13通过以该状态使臂部20进行工作，将基板保持架对18从对准装置11向接合装置12传送。
图17是概要性地表示接合装置12的要部的侧视图。接合装置12具备配置在第1基板保持架14的下方的下部加压层65、以及配置在第2基板保持架15的上方的上部加压层66。上部加压层66为了与下部加压层65协作而对基板保持架对18进行加压，向接近下部加压层65的方向移动。在下部加压层65以及上部加压层66的内部内置有加热器，不仅能够对载置的基板保持架对18进行加压而且还能够进行加热。通过加压、加热基板保持架对18，第1基板16与第2基板17的相互接触的电极彼此之间进行熔敷。由此第1基板16与第2基板17的各自相对应的电路区域21被接合。
在以上的实施方式中，说明了在磁体单元31以及吸附器33中的至少一个中设置缓冲板49的情况，但是缓冲板49是承担抑制当磁体单元31与吸附器33接触时的灰尘产生的功能的构件，因此其形状也可以不是板状。即，只要在两者的接触部中的至少一个中设置缓冲部即可。
缓冲部为了抑制当磁体单元31与吸附器33接触时的灰尘产生，而形成为与接触的对象的硬度不同。即，无论在比缓冲部一侧所接触的对象柔软的情况下、还是相反地比缓冲部一侧所接触的对应硬的情况下，都不会削掉对象的表面、而且，只要缓冲部自身的表面也没有缺欠，则作为缓冲部的功能是充分的。因而，作为缓冲部的方式，除了板状以外例如也可以是缓冲原材料涂敷在接触部的方式。作为涂敷材料，如上所述可举出Si系材料或者树脂系材料。在由涂敷材料来构成缓冲部的情况下，即使不是平面也能够对例如上述的球状凸体41等，构成接触部的凸部施以涂敷材料。
以上，通过实施方式说明了本发明，不过，本发明的技术范围并不限定于上述实施方式所记载的发明。另外，本领域技术人员明白，能够对上述实施方式加以多种多样的改良和变更。根据权利要求的记载可以明确，实施了这样的变更和改良的实施方式也包含在本发明的技术范围之内。
符号说明：
10...基板连接装置；11...对准装置；12...连接装置；13...传送装置；14...第1基板保持架；15...第2基板保持架；16...第1基板；17...第2基板；18...基板保持架对；19...把持部；20...臂部；21...电路区域；22、23...保持架主体；24...保持架插通孔；25...凹部；26...贯通孔；27...凹部；30...吸附单元；31...磁体单元；32...磁体插通孔；33吸附构件；34板簧；35支持部；36...磁铁；37...螺纹孔；38、39...插通孔；40...相对面；41球状凸体；42固定构件；43...圆形部；44...安装部；45...螺纹孔；46...狭缝；47...贯通孔；48...带状部；49...缓冲板；50...线状凸体；51...第1层；52...第2层；53...结合限制单元；54...按压销；55...气缸部；56...气泵；57...尖端；62...支承板；63...按压板；64...支柱；65...下部加压层；66...上部加压层。
Claims (12)
1.一种基板保持架***，其特征在于，
该基板保持架***具备：
保持第1基板的第1基板保持架；
设置于所述第1基板保持架的结合构件；
保持第2基板的第2基板保持架；
被结合构件，该被结合构件设置于所述第2基板支架上，当所述第1基板保持架和所述第2基板保持架夹持所述第1基板和所述第2基板而对置时，该被结合构件设置于与所述结合构件对置的位置；以及
缓冲部，该缓冲部设置于所述结合构件或者所述被结合构件的各自的接触部的至少一方。
2.根据权利要求1所述的基板保持架***，其特征在于，
在所述缓冲部与所述结合构件或者所述被结合构件接触的情况下，所述缓冲部的硬度与所述结合构件或者所述被结合构件的接触部的硬度不同。
3.根据权利要求1或2所述的基板保持架***，其特征在于，
所述缓冲部由板状的缓冲板构成。
4.根据权利要求3所述的基板保持架***，其特征在于，
在所述缓冲板与所述结合构件或者所述被结合构件接触的情况下，所述缓冲板的硬度比所述结合构件或者所述被结合构件的接触部的硬度小。
5.根据权利要求4所述的基板保持架***，其特征在于，
与所述缓冲板接触的所述结合构件或者所述被结合构件的接触部形成为凸部，以与所述缓冲板进行点接触或者线接触。
6.根据权利要求5所述的基板保持架***，其特征在于，
所述凸部是将至少3个球构件埋设在所述结合构件或者所述被结合构件中而形成的。
7.根据权利要求3～6中任一项所述的基板保持架***，其特征在于，
所述缓冲板能够更换。
8.根据权利要求1或2所述的基板保持架***，其特征在于，
所述缓冲部由涂敷在所述结合构件或者所述被结合构件的各自的接触部的至少一方的涂敷材料构成。
9.根据权利要求8所述的基板保持架***，其特征在于，
所述结合构件或者所述被结合构件的接触部形成为被涂敷了所述涂敷材料的凸部。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的基板保持架***，其特征在于，
所述缓冲部由Si系材料或者树脂系材料形成。
11.一种基板接合装置，其特征在于，该基本接合装置具有权利要求1～10中任一项所述的基板保持架***。
12.一种器件的制造方法，该器件的制造方法是重叠多个基板而制造的器件的制造方法，
该器件的制造方法的特征在于，
重叠所述多个基板的工序包含：使用基板保持架***，将所述第1基板载置在所述第1基板保持架的步骤、将所述第2基板载置在所述第2基板保持架的步骤、以及使所述结合构件和所述被结合构件接触来夹持所述第1基板和所述第2基板的步骤，其中，该基板保持架***具备：保持第1基板的第1基板保持架；设置于所述第1基板保持架的结合构件；保持第2基板的第2基板保持架；被结合构件，该被结合构件设置于所述第2基板支架上，当所述第1基板保持架和所述第2基板保持架夹持所述第1基板和所述第2基板而对置时，该被结合构件设置于与所述结合构件对置的位置；以及缓冲部，该缓冲部设置于所述结合构件或者所述被结合构件的各自的接触部的至少一方。
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