JPH02124262A - 厳密精度加工用電気ガイド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、加工物を厳密な精度で加工するのに使われる
電気的なラッピングガイドに関する。

（従来の技術と課題） 加工物の加工で厳密な精度を達成することは要求の厳し
い努力目標であるが、それにも拘らず多くの状況で必要
とされている。特Ｋ、磁気読取／書込ヘッドなどの薄膜
磁気装置のラッピング（研磨）において重要である。こ
れらのヘッドは一般Ｋ、薄膜被着技術を用いて製造され
ている。−船釣な方法では、複数のヘッドが基板の上に
グリ・ノド状に形成される。次いで、基板は幾つかのバ
ーに切断され、−列のヘッドが各バー上に並置の関係で
存在する。ヘッドの各棒先端は、“空気ベアリング面（
ＡＢＣ）　　″と呼ばれるバーの第１面に向かって向き
決めされ、延びている。各ヘッドの棒先端の空気ベアリ
ング面の方に向かう延出長さが、かかる装置の“のど高
さ”を定義する。のど高さは、バーの第１面を所要の仕
様にラッピングすることによって調整し得る。高効率の
記録ヘッドに適した性能を達成するためには、のど高さ
を極めて厳密な精度でラップするのが好ましい。

のど高さを正確に達成するため、バーの空気ベアリング
面のラッピング中Ｋ、電気的なラッピングガイド（ＥＬ
Ｇ）が通常使われている。Ｅ　Ｌ　Ｇの間車な形が、第
１ａ図の概略図に示しである。

この例では、薄膜ヘンドウエバの表面に被着された−様
な抵抗層などの抵抗が、その抵抗の下縁がラップすべき
面（ＡＢＣ）と平行になるように向き決めされる。一般
Ｋ、抵抗の上縁はラッピング処理をそこで終了させたい
所望のラップ面（ＤＬＰ）を越えて位置し１、またたい
ていゼロののと高さ面（ＺＴＨ）も越えて延びている。

ラッピングが進むにつれ、抵抗は次第に狭くなり、それ
に応じて抵抗値が増大する。抵抗の初期幅が既知で、抵
抗の上縁がゼロののど尚さ面に対して正確に位置してい
れば１、この間車なＥｌ、Ｇでもラッピング処理を制御
するのに必要な全ての情報を与えられる。ゼロののど高
さフォトレジスト層によって決まるが、本発明者らは、
ゼロののど高さ面に沿って上縁が正確に位置するように
レジスト層をパターン形成するのは困難であることを見
いだした。

別の種類のＥＬＧが第１ｂｇに概略的に示してあり、こ
の例では１つの共通脚が４つの破断点（ブレークポイン
ト）導体に接続されると共Ｋ、各導体が共通脚との導通
試験用の電気リードを与える。これら４つの導体は、ゼ
ロののど高さ面に対して各々わずかに異なる位置で共通
脚を交差している。これによって、それぞれののど高さ
に割り当てられた複数の“破断点”が形成される。当初
、ごれらの導体は電気的に接続されている。ラッピング
が進むにつれ、空気ベアリング面に最も近い破断点がま
ず破断する。このような破断は、共通脚と第１の導体を
介した導通をモニターすることによって検出される。さ
らにラッピングが進行すると、第２の破断点が破断１，
７、これも共通脚と第２の導体を介した導通をモニター
することによって検出される、等々となる。つまり、そ
れぞれの導体と共通脚間の電気導通をチエツクすること
によって、ラッピング深さを容易に求めることができる
。

後者のＥＬＧは、慎重に制御したフォトレジスト処理に
よって各導通破断点の位置を決められるので、極めて正
確にすることができる。つまり、フォトレジストは第１
の絶縁層と同時に被着及びパターン形成でき、ゼロのの
ど高さ面に対して破断点を正確に位置決め可能である。

第１ｂ図の構成は、第１Ｃ図に概略的に示した構造に変
更することもできる。この構造では、４つの抵抗（ｒｃ
−ｒｆ）のそれぞれが４つの破断点導体の各々に追加さ
れ、これらの導体は一端が共通の試験端Ｂに共通に終端
されると共Ｋ、他端がゼロののど高さ面に対してそれぞ
れ異なる位置で共通脚に接続されている。共通脚は試験
点Ａに終端している。この構成では、どんなに多くの破
断点が使われる場合でも、導通チエツクを行うのに２本
のリードがあればよい。ラップ中、破断点の切断は、２
つの試験点Ａ、Ｂ間における抵抗変化を検出することに
よって簡単に求められる。従って、空気ベアリング面の
ラッピングが進むにつれ、破断点ｃ、ｄ、ｅ及びｆが逐
次破断され、抵抗ｒｃ−ｆｒをＡ−Ｂ測定回路から逐次
且つ効果的に取り除く。この結果、各々の破断点が破断
するにつれ、リードＡ、Ｂ間で測定される抵抗値の離散
的な増加が検出される。これらの抵抗変化が、空気ベア
リング面内に向かってのラフピング深さを示す。

薄膜読取／書込ヘッドの一つの周知な構成は、第１ｄ図
に示したような単一の構造ユニット（“スライダと称す
る）内Ｋ、第１及び第２の薄膜ヘッドを含む。各ヘッド
の極は、。スライダの底表面から突出したそれぞれの“
レール”Ｃ，Ｄ内へと延びている。図示してないが、第
１ｄ図のスライダの空気ベアリング面を見込む図には、
各先端が絶縁ギャップによって分離され且つ空気ベアリ
ング面へと延びた上方極片Ｐ２と下方極片Ｐ１を有する
各薄膜ヘッドが現れて見えることが理解されよう。２つ
のへラドスライダの各ヘッドは、ヘッドの動作時に読取
／書込を可能とするコイル、トランスデユーサまたはそ
の他同様な装置も備えている。複数のスライダが、製造
中ウェハからスライスされた単一バー上に並置される。

（課題を解決するための手段） 一般Ｋ、本発明の一特徴は、加工物の表面を最小高さ面
より上方のある高さにまでラッピングする際、加工物が
ラッピング面と実質上平行で且つラッピング面に対する
近面及び遠面を備えたアナログ抵抗センサと、ラッピン
グ中にそれぞれ較正事象として破断されるようになされ
た複数の接触点を有する離散抵抗センサとを有する電子
的ラッピングガイドを持つ場合Ｋ、ラッピング中におけ
る前記最小高さ面に対する前記表面の現うッピング高さ
が；ラフピング前Ｋ、アナログセンサの抵抗値Ｒｐをア
ナログセンサの既知の高さｈと関連付ける定数にを求め
、第１の較正事象に応じて、前記最小高さ面から遠面ま
での距離Ｇを求め、さらに前記最小高さ面の位置に対す
る現ラップ高さ２を求めることによって求められる点に
ある。これらの測定後、第２の較正事象に応じて、Ｒｐ
の新しい値を測定し、さらにＲｐの新しい値がら現うン
プ高さ２を求め直すこともできる。

本発明の好ましい実施例は、下記の特徴を含む。

定数にを求めるステップは式Ｒｐ　＝　Ｋ　／　ｈをＫ
について解くこと、距離Ｇを求めるステップは式Ｒｐ　
＝Ｋ／　（ｚ　＋Ｇ）をＧについて解くこと、及び高さ
２を求めるステップは式ｚ＝（Ｋ／Ｒｐ）−Ｇを２につ
いて解くことを含む。高さ２を求め直すステップは、式
ｚ＝　（Ｋ／Ｒｐ）−Ｇ＠ｚについて解くことを含む。

本発明の別の一般的な特徴は、加工物の表面をラッピン
グする際、前記加工物が、高さｈと抵抗Ｒｐを有すると
共Ｋ、ラッピング面と実質上平行で且つラッピング面に
対する近面及び遠面を有するアナログ抵抗センサと、直
列抵抗Ｒ３、但しＲｐ　＝Ｒｐｌ−Ｒ３、を有するアナ
ログセンサに付属のリードと、ラッピング中にそれぞれ
較正事象として破断されるようになされた複数の接触点
を備えた抵抗Ｒｂの離散抵抗センサとを有する電予約ラ
フピングガイドを持ち、前記センサがそれぞれの端部で
試験点において相互に接続されている場合Ｋ、ラッピン
グ高さ２の現在値が：う・ノビフグ前（既知の高さｈ）
に抵抗Ｒｐを測定しく時点０）、第１の較正事象が検出
されるまでラッピングし、既知の高さｚ１におけるＲｐ
′を測定しく時点１）、第２の較正事象が検出されるま
でラッピングし、既知の高さｚ２におけるＩ？ｐ’を測
定しく時点２）、下記の式をＧ、Ｋ、Ｒ５について同時
に解き： Ｒｐ　　（０）＝Ｋ／ｈ＋Ｒｓ。

Ｒｐ　　（１）＝Ｋ／　（ｚｔ＋Ｇ）＋Ｒｓ、Ｒｐ　（
２）＝Ｋ／　（Ｚｚ＋Ｑ）＋Ｒｓ、さらに（現時点にお
ける）Ｒｐ’の現読取値と、前記で求められたＧ、Ｋ、
Ｒ３の各値とを用い、下記の式をｚｃｃｕｒｒｅｎ　ｔ
について解く：ｚｃｕｒｒｅｎｔ＝Ｋ／（Ｒｐ　’　ｃ
ｕｒｒｅｎｔ−Ｒｓ　）　−Ｇことによって計算される
点にある。

本発明の別の一般的な特徴は、アナログ抵抗センサＲｐ
と離散抵抗センサＲｂを有し、アナログ抵抗センサが近
面と遠面を有し、該両面が最小の高さ面に対して所望の
高さに加工されるべき面と平行であり、前記離散抵抗セ
ンサＲｂが複数の離散接触点を有し、該接触点の各々が
最小高さ面に対する既知の較正位置を有している電子的
加工ガイドを用いる際、Ｒｂの値をモニターし、Ｒｂの
値の増加を用いて、前記少なくとも１つの接触点の連続
性の実質的破断を指示し、前記接触点の既知位置を用い
て、前記最小高さ面に対する遠面の位置を求め、ＲｐＯ
値をモニターし、ＲｐＯ値の増加を用いて、前記接触点
の少なくとも１つの識別を確認することによって、前記
遠面の位置が接触点の少なくとも１つの位置を参照する
ことで前記最小高さ面に対して較正可能で、またＲ１）
の値を参照することで前記接触点の少なくとも１つの識
別が確認可能な点にある。

本発明の別の一般的な特徴は、電子的なう・ンピングガ
イドを備えた加工物に対して導電性のラップ工具を用い
る際、前記ガイドを通じ電圧を印加してラッピングの進
行を求め、さらに前記電圧を、ラップ工具へのショート
が実質上注じない値に制限する点にある。前記電圧は７
００ミリボルトより低いことが好ましい。

さらＫ、本発明の好ましい実施例は次の特徴を含む。加
工物の所望高さまでの加工中に現時点の加工高さを求め
る電子的加工ガイドは；アナログ抵抗センサ、離散抵抗
センサ、該離散抵抗センサにおいて並列に接続された複
数の抵抗要素、該抵抗要素が割り当てられた異なる抵抗
値と、総合抵抗値Ｒｂとを有し、各抵抗要素の一端が共
通点に接続される一方、各抵抗要素の他端がそれぞれ離
間した接触点で共通の導体へ別々に接続されており、前
記接触点のうち少なくとも第１接触点の連続性の破断に
よって、抵抗値Ｒｈがほぼ所定の増分だけ増加すること
、及び前記各センサが相互に接続され１．現時点での加
工高さが求められることを含む。前記アナログセンサは
少なくとも第１及び第２の抵抗部分と導体とを有する直
列抵抗を含み、該第１の抵抗部分が導体を介して第２の
抵抗部分へ直列に接続され、両抵抗部分が各々第１縁と
第２縁を存し、該第２縁が第１８Ｍと実質上平行であり
、抵抗部分の第１縁が少なくとも加工後に実質上同一面
内に位置し、抵抗部分の第２縁が他の同一面内に実質上
位置し、さらに前記センサが、加工中に現時点の加工高
さを求めることのできる抵抗読取値を与える。前記直列
抵抗はさらＫ、第３の抵抗部分と第２の導体を備え、該
第３の抵抗部分が第２の導体を介して前記第２の抵抗部
分に接続される。前記離散抵抗センサは例えば、５つの
抵抗要素からなり、所定の増分が約５０％である。前記
ガイドはさらＫ、離散抵抗センサに接続され、加工前に
離散抵抗センサの完全性試験を独立に可能とする完全性
センサを含む。該完全性センサは抵抗値Ｒを有し、Ｒ／
Ｒ１）の比が離散抵抗センサの完全性を指示する。

その他の好ましい実施例は、以下の特徴を有する。最小
高さ面に対する所望の高さ面にまでラップすべき表面を
有する積層装置は、電子的ラツプヒングガイドを具備し
、さらに−特別部位、該特別部位に付設されたアナログ
抵抗センサと離散抵抗センサ、該各センサの抵抗値の読
取を可能とする回路、前記アナログ抵抗センサが近国と
遠面を有し、該近国がラップすべき表面と平行で且つ隣
接して既知の冑さに配設されていること、前記離散抵抗
センサが、前記最小高さ面に対して異なる既知の高さに
装置内で階層状に位置された破断点をそれぞれ限定する
異なる値で且つ並列な抵抗指示脚を有し、破断点の識別
とラップすべき表面の前記最小高さ面に対する現高さが
前記両センサの読取抵抗値から認識可能であることを含
む。

ラップすべき表面に第１部位が位置し、前記両センサの
付設された特別部位が第１部位のラップ速度とほぼ同じ
速度でラップされるように構成されている。第２部位を
さらに含まれ、第１、第２及び特別部位がそれぞれ第１
レール、第２レールからなり、該各レールがラッピング
前Ｋ、ラップすべき前記表面で装置から突出しており、
前記ガイドの少なくとも一部分が前記第３レール内に位
置している。第１及び第２トランスデユーサがさらに含
まれ、第１及び第２レールに第１及び第２トランスデユ
ーサがそれぞれ付設されており、装置がさらに前記トラ
ンスデユーサと前記ガイドに共通な複数のフォトレジス
ト層をさらに含んでいる。前記ガイドは、各々のレール
内におけるフォトレジストの形成が類似するような少な
くとも１つの特徴を備えている。またラフピング前Ｋ、
離散抵抗センサの完全性をチエツクする抵抗完全性セン
サが含まれる。完全性センサは抵抗値Ｒを有し、Ｒ対離
散抵抗センサの抵抗値Ｒｂの比が離散抵抗センサの完全
性を指示する。

スライダ上の電子的ラッピングガイドで、該スライダが
各々少なくとも２つの動作電気リードを与える２つのト
ランスデユーサを有するガイドはさらに５つの試験パッ
ドを含み、前記少なくとも２つのリードが各々試験パッ
ドのうち４つの各々にそれぞれ電気的に接続され、ガイ
ドが５つの試験バンドの各々にそれぞれ電気的に接続さ
れている。

上記以外の利点及び特徴は、好ましい実施例の以下の説
明と特許請求の範囲から明かとなろう。

（実施例） 次に第２図を参照すると、好ましいＥＬＧＩＯ：よ薄膜
へフド１３のコイル１２を具備し、コイル１２の第１リ
ードは第１試験点ＴＰＩに終端している。コイル１２の
他端は第２試験点１゛Ｐ２に接続されると共Ｋ、抵抗Ｒ
ｐの第１端に接続されている。抵抗Ｒｐは装置の空気ベ
アリング面及びゼロののど高さ面と平行に位置し、抵抗
Ｒｐの近縁１９は空気ベアリング面によって限定される
一方、抵抗Ｒｐの遠縁は１７はゼロののど高さ面に隣接
し５、それをわずかに越えて位置する。抵抗Ｒｐが、第
１．　ａ図のセンサと類似したアナログラフピングセン
サを与える。抵抗Ｒｐの他端は、抵抗Ｒを介して第３試
験点ＴＰ５に接続されると共Ｋ、並列の抵抗回路Ｒｈを
介して試験点ＴＰ４に接続されζいる。抵抗回路Ｒｂは
、５つの並列抵抗Ｒｉ〜Ｒｖを含む。この並列回路は第
１Ｃ図に見られるものと類似しているが、ここでは５つ
の接触破断点ｉ　％　Ｖが、空気ベアリング面とゼロの
のど高さ面との間の第３レール（第３図に図示）内でそ
れぞれの割り当て深さに位置する。第２薄膜ヘツド１５
のコイル１４が、両試験点ＴＰ３とＴＰｄ間に接続され
ている。

本発明のＥＬＧは第３図に示すようＫ、第３レール１８
の領域内で、（バー上の一連の並置スライダの１つなど
）２−＼ラド１３．１５を含むスライダ２０内に組み込
まれている。図示してないが、へ７Ｆ″１３と１５の極
片Ｐ１、Ｐ２の各先端がレヘル２３と２５でバーの空気
ベアリング面へとそれぞれ延びていることが理解されよ
う。薄膜ヘッド１３のコイル１２は、ポンディングパッ
ド２８．３０に終端している。薄膜ヘッド１５のコイル
１４は、ポンディングパッド３４．３６に終端している
。

本発明のうち、第３図のレール１８内に具備される部分
が、第４図にさらに詳しく示しである。

このため、第２図と併せて第３及び４図を参照すること
によって、並列抵抗Ｒｈに接続される直列抵抗Ｒｐはレ
ール１８内Ｋ、複数部分からなる積層構造の形で設けら
れていることが理解されよう。

抵抗Ｒｐの第１リード４０は、導体２７を介してポンデ
ィングパッド３０に接続されている。抵抗Ｒｐの第２リ
ード４６は、ポンディングパッド４８に接続されている
；この第２リードは抵抗値を有し、第２図に抵抗Ｒとし
て表しである。並列抵抗網Ｒｂの共通８５０も、抵抗Ｒ
を介してバッド４８に接続されている。

抵抗Ｒｐは、直列に接続された３つの抵抗部分Ｒｐ＋、
　Ｒｐｚ、Ｒｐｚを含む。リード４０は、抵抗部分Ｒ１
１＋の外端に接続されている。抵抗部分Ｒｐ＋の他端は
、抵抗４２を介して抵抗部分Ｒｐｚの一端に接続されて
いる。抵抗部分Ｒｐ２の他端は、抵抗４４を介して抵抗
部分Ｒｐ３の一端に接続されている。抵抗部分Ｒｐ３の
他端は、リード４６の抵抗Ｒに接続されている。

抵抗Ｒｂは５つの並列抵抗ストリップ６１〜６５を含み
、これら抵抗ストリップはＲｂの共通塵５０に対して直
角に延びると共Ｋ、絶縁ストリップ５６によって共通塵
５０から絶縁分離されている。しかし、抵抗ストリンプ
ロ１〜６５の各先端は、接触破断点７１〜７５で共通塵
５０のフィンガ５１〜５５へ電気的に結合されている。

また抵抗ストリップ６１〜６５は、レール１８からスラ
イダ２０内へと延び、ポンディングパッド３４に接続さ
れた導電リード７８に終端している。

ＥＬＧＩＯは多層状の装置で、スライダ２０の他の機能
的構造がウェハ上に形成されるのと同時に生成される。

特に薄膜ヘッドの処理では、ヘッド１３．１５の第１極
が各々薄いシード（種）層と同時に被着された後、厚い
パーマロイ層でメツキされることが知られている。本発
明の実施に際しては、脚４０．４６．５０　（フィンガ
５１〜５５を含む）、導体４２と４４、及び抵抗部分Ｒ
ｆｌ＋、Ｒｐｚ、Ｒｐｆｆのシード成分が、まずシード
層内にエッチ形成される。（ソード層は、パーマロイ素
材からなる０、　２ミクロンの層厚とし得る）。

その後、例えば２．８ミクロン厚の追加のパーマロイ層
が上記のシードパターン」二にメツキされるが、抵抗部
分Ｒｐ＋、Ｒｐ２及びＲＩ］３はそれ以上メツキされな
い。但し、これらの抵抗部分は、Ａ　１　ｚ　０３など
適切な絶縁体によって後で被覆し得る。（長くて厚いス
トリップが剥離する傾向を避けるため、抵抗Ｒｐは複数
の薄い抵抗区分に分割されている。：５つのフィンガ５
１〜５５は、フォトレジスト絶縁層５８で覆われている
。この絶縁層はステップ状にパターン形成されているた
め、空気ベアリング面が所望ののど高さへとラップされ
るにつれ破断点７５から始まって破断点７１に終るよう
Ｋ、スライダ２０の空気ベアリング面における連続的な
ラッピングが破断点’７５〜７１を順番に開かせる。

ヘッド１３．１５の極先端と同様にＥＬＧｌｏを効率的
に構成すると共Ｋ、抵抗Ｒｂの形成における機械的な補
助を与えるため、“ダミーコイル”構造５７を抵抗Ｒｂ
内に組み入れてもよい。すなわち、ダミーコイル５７に
よって、フォトレジスト層５８はそのエツジ５９がヘッ
ド１３．１５の極先端におけるフォトレジスト形成と一
致するように配置される。ダミーコイル５７は、その部
分°１８で−・、フド１３．１５のコイル１２．１４の
第１巻線７７．７９の部分とほぼ同じ速度でラップされ
るようＫ、銅またはその他適切な素材で形成し得る。従
って、フォトレジスト層５８はヘッド１３．１５と同じ
数のフォトレジスト層及び同じ素材で構成されるのが好
ましく、“ダミーコイル”５７は空気ベアリング面を横
切って−様なラッピングを与えるようにフォトレジスト
層５８内に埋設される。この構成の一様性は、第３図に
示されているようＫ、各部分７７．７８．７９の位置と
、空気軸受面で各レール面を横切る点線とによって示さ
れている。

抵抗導体６１〜６５は、ヘッド１３．１５の第２極のメ
ツキと同時にメツキされる。これらのパーマロイ導体は
、所望の抵抗値を達成するようＫ、長く且つ狭く形成さ
れる。

前記の実施例において、Ｒｐの各抵抗部分Ｒｐ＋〜Ｒ１
）３は長さ２５ミクロン、幅２０ミクロンであるのが好
ましい。シード層が０．２ミクロンの厚さで、シード及
びパーマロイ両層が抵抗率の文献値を有するものとすれ
ば、Ｒｐの抵抗は３オームと計算される。（しかし、抵
抗率は文献値より高いことがあり、また追加の抵抗が厚
いパーマロイ導体４０．４２．４４．４６に加えられる
ことがあるので、実際のＲｐ抵抗値はもっと高くなるこ
とがある。） 抵抗Ｒｂの５つの抵抗（Ｒｉ−Ｒｖ）は、各々異なる抵
抗値を有する。従って導体６１〜６５の幅は、第２図中
で右から左に見て、抵抗Ｒｖ＝Ｒｉ（すなわち第４図の
抵抗６５〜６１）は次の抵抗値を有する：２．８．４．
２．５．８．８．９及び４．５オーム。これらの値は、
各破断が生じる毎Ｋ、抵抗値がほぼ５０％変化するよう
に選ばれている。ラッピングの開始前で、５つの抵抗全
てが接続されていれば、全抵抗は約０．９１オームであ
る。第１フインガ５５が接触点７５で導体６５から切断
されると、抵抗Ｒｂは約１．３４オームに増加する。

第２フインガ５４が接触点７４で切断されると、抵抗Ｒ
ｈは約１．９７オームに増加する。第３接触点７３が切
断されると、抵抗Ｒｂは約３オームに増加する。接触点
７２が開くと、抵抗Ｒｂは約４．５オームになる。最後
の接触点７１が開くと、抵抗読取値は無限大になる。

第２図は、以上で詳しく論じなかった別の抵抗を示して
いる。それは、第４図中脚４６の一部として形成され、
約９．３オームの公称値を有する抵抗Ｒである。この抵
抗は、それが接続されるパッド４８に至る脚４６を長く
薄い経路とすることによって形成される。抵抗Ｒは抵抗
Ｒｈと同時に作製される、すなわち第２極が形成される
ときと同じパーマロイメツキ工程で作製される。つまり
Ｒｂ対Ｒの比は、全ての抵抗要素Ｒｂがそのままであれ
ば、スライダ毎に常に同じであるべきである。

この比が抵抗Ｒｂの抵抗要素に関する導通チエツクとし
て測定可能なようＫ、抵抗Ｒが設けられている。つまり
、Ｒ／Ｒｂがウェハについて測定されることで１．ラッ
ピング中にのど高さの誤った値をＥＬＧが与える原因と
なるかもしれない欠陥が抵抗Ｒｂの各要素に存在しない
ことを保証する。

ＥＬＧの制御下におけるラッピングの成功如何は、抵抗
ＲｂとＲｐを正確に測定できるかどうかに依有する。こ
の測定は、抵抗がかなり低いことによって複雑化されて
いる。事実、これらの抵抗は、測定に含まれる接点及び
リードの抵抗よりもはるかに大きくない。こうした外部
抵抗の影響を取り除くため、各抵抗ＲｐまたはＲｂ毎に
“４１０−ブ測定が行われねばならない。さらにＲｐと
Ｒｂ共にラッピング中に測定されるので、５つのプロー
ブが必要である。第５図Ｋ、５つのプローブ８５〜８９
が示してあり、プローブ８５は電流′ａ９０の片側を、
またプローブ８６は電圧計９１の片側をバンド３０　（
ＴＰ２）を介して抵抗Ｒｐの一方の脚４６にそれぞれ接
続している。プローブ８７は電圧計９１の他側をパッド
４８　（ＴＰ５）と抵抗Ｒを介して抵抗Ｒｐの他方の脚
４６Ｋ、また抵抗Ｒｂの共通脚５０にそれぞれ接続して
いる。

プローブ８９は電流源９０の他側を、またプローブ８８
は電圧計９２の片側をパッド３４（ＴＰ４）を介して抵
抗Ｒｂの一方の脚７８にそれぞれ接続している。電圧計
９２の他側は同様Ｋ、パッド４８（ＴＰ５）を介して各
抵抗Ｒｐ、Ｒ及びＲｂに接続されている。上記の代わり
Ｋ、プローブ８５はパッド２８（ＴＰＩ）とコイル１２
を介して脚４０に接続し、プローブ８９はパッド３６（
ＴＰ３）とコイル１３を介して脚７８に接続して、５つ
のプローブ゛の１つだけをそれぞれ割り当てられた１つ
の接触バンド試験点に接続してもよい。

尚、上記の電圧計９１と９２は、適切に多重化した構成
の単一計器で置き換えてもよいことが理解されよう。そ
のようにしても、Ｒｐの値は一方の電圧読取値から得ら
れ、Ｒｂの値は他方の電圧読取値から得られる。どうら
の読取値も、Ｒの存在によって影響されない、Ｒは既知
の定数で、無視できるからである。前記したようＫ、抵
抗Ｒはフィンガの完全性に関するウェハ上でのチエツク
にしか使われないので、ラッピング中に測定しなくとも
よい。

抵抗Ｒｐの測定に伴って可能性のある問題は、この抵抗
の一縁がラップされている表面に露出することである。

同じく、フィンガ５１＝５５及び導体６１〜６５の端部
も同様に露出される。ラップ工具の素材は銅なので、抵
抗がショートし、ラッピング中における正確な測定を妨
げることが考えられる。幸いなことにかかるショートは
、ラップ工具上にオイル及びダイヤモンドブリットが存
在すれば、非常に小さい電圧に対して有効な絶縁層が与
えられるため、非常に小さい電圧を用いることによって
回避できる。しかし、電圧が７００ミリボルトよりも大
きいとラップ工具へのある程度の漏れが生じることを、
本発明者等は見いだした。従って、測定電圧を７００ミ
リボルトより低い値、恐らく約１００ミリボルト以下の
値に制限するのが好ましい。

ラッピング中にＥ　Ｌ　Ｇで４プローブの抵抗測定を行
うためには、安定な電流源と正確な電圧測定回路を必要
とする。本発明者等は、ＬＭ１３４型集積回路の電流制
御器を介し絶縁電源によって都合よく得られることを見
いだした。

必要とされる正確な電圧測定を行うため、本発明者等は
、小電圧の測定用に専用に設計された市販の計測モジュ
ールを選択した。このモジュール、Ｄａｔｅｌ　５ＤＡ
Ｓ　−８は、外部のデジタルコマンドに従って８つの入
力のいずれかを測定する。測定が行われると、デジタル
の形で表された電圧は５ＤＡＳの出力に現れる。かかる
機能を利用できないその他のモジュールと異なり、Ｄａ
ｔｅｌ　は非常に低いドリフト値と人力間での優れた絶
縁を有する。モジュールは幾つかの異なるＦ、ＬＧに接
続されるので、上記後者の特性は重要である。適切に絶
縁されていないと、１つのＥＬＧについて得られる電圧
測定値が、他の全てのＥＬＧに存在する電圧によって影
響されてしまう。５ＤＡＳの別の利点は、電圧の差測定
を行えることである。つまり、幾つかのＥＬＧを直列に
接続しておけば、１つのＥＬＧ両端での電圧降下を、他
のＥＬＧ両端での電圧降下によって影響されることなく
測定可能である。

第６図は、１本のバー用の測定装置の接続を示す。尚、
各ＥＬＧ毎に５ＤＡＳの２つのチャネルが使われ、従っ
て各バー毎に合計４つのチャネルが使われる。ダイオー
ド９１が設けられ、ＥＬＧに印加される電圧を約７００
ミリボルトより低く保つ。高精度の直列抵抗Ｒｘ両端で
の電圧降下を測定することによって電流を測定するのＫ
、第５のチャネルが使われる。５ＤＡＳの残りのチャネ
ルは、他のバー上のその他のＥＬＧ用に使われる。

本発明者等が用いたＥＬＧ制御式のラッピングマシンで
は、各“スピンドル”がラップすべき４本のバーと、測
定を行う３つのＳ　Ｄ　Ａ、　Ｓを有する。

５ＤＡＳからの電圧読取値は、のど高さを直接与えない
。この情報を得るためには、幾つかの算術計算がなされ
ねばならない。これらの計算はホストコンピュータで行
われ、その結果が端宋上に表示可能である。ラップすべ
き加工片を支持するスピンドルは通常ラッピング処理中
に回転するので、５ＤＡＳとコンピュータ間で必要な接
続はスリップリングを介してなされねばならない。本発
明者等が用いた構成のブロック図が第７図に示してあり
、それぞれのバーの各対のＥＬＧがマルチプレクサ９２
、増幅器９３、Ａ／Ｄ変換器９４及びスリップリング９
６を介してホストコンピュータ９８と接続可能である。

面この構成は、低レベルの信号がスリップリングを通過
しなくてもよいという利点も有する。ＥＬＧ両端での電
圧は、ラップされるバーと共に回転するスピンドルに装
着されたＳ　］）　Ａ　Ｓによってデジタル化される。

スリップリングを通って通過しなければならないのは、
５ＤＡＳの高レベルのデジタルか出力（と電力及び制御
信号）である。第７図に示してないが、コンピュータか
らの信号をスピンドルへ戻すのＫ、追加のスリップリン
グが使われている。これらの信号が、ラップされる各バ
ーの各端に加えられる圧力の量を決めるソレノイド操作
式の空気弁を制御する。つまり、これらの圧力はバー全
体にわたって−様なのど高さを達成するように制御可能
である。所望ののど高さに達すると、各バー毎の別のソ
レノイドが作動され、バーをラッピングプレートから後
退させる。特別のラッピング制御のため、追加の空気弁
を用いてバーの中心近くに圧力を加えてもよい。これは
、バー毎に２より多いＥＬＧを用いることによって容易
化される。

センサＲｐの抵抗Ｒｐを求めるための基本式は次の通り
である： （１１Ｒｐ　＝　Ｐ　Ｌ　／　Ａ 但し、Ｒｐは抵抗、 Ｐは抵抗が作られている素材の抵抗率、Ｌは抵抗の長さ
、及び Ａは抵抗の断面積である。

抵抗が矩形の断面積を有していれば、上式は次のように
なる： （２１Ｒｐ　＝　Ｐ　Ｌ　／　ｈ　Ｔ 但し：ｈは抵抗Ｒ１）の高さ、及び Ｔは抵抗Ｒｐの厚さである。

式（２）を抵抗Ｒｐに適用すれば、大幅な簡単化が行え
る。Ｐ、Ｌ、ｈ、Ｔのうちラッピング中に変化するパラ
メータは、空気ベアリング面がラップ除去されるにつれ
て変わる抵抗Ｒｐの高さｈだげである。このため、次の
弐がＲｐについて書ける：（３）　　Ｒｐ　＝　Ｋ　／
　ｈ 但しＫは定数。

この式は、ゼロののど高さ面からある程度の距離Ｇだけ
ずれたＲｐの遠縁１７　（第２及び３図に示しである）
の位置に対するのど高さの項で書き直せる。この遠縁１
７は、ゼロののど箭さ位置を越えて公称２００ミクロイ
ンチだけずれているののが望ましい。実際のずれ距離Ｇ
は、もちろんウェハ毎に変化する。また、ゼロののど高
さ面に対するのと高さを文字２で表せば、ｈ＝ｚ＋Ｑで
あるから、Ｒｐの式は次のようになる： （４）　　Ｒｐ＝Ｋ／　（ｚ＋Ｇ） この式を逆に２について解けば： ｆ５）　　ｚ　＝　Ｋ　／　Ｒｐ　−０式（５）が、抵
抗Ｒｐの測定値からのど高さを求めるのに使える。しか
しこの計算を行うためには、ＫとＧが分かっていなけれ
ばならない。Ｋのイ直は、バーのラップ前、あるいはウ
ェハをバーへ切断する前にでも、Ｒｐの抵抗を測定する
ことによって求めることができる。抵抗Ｒｐの高さｈは
、リソグラフィツク処理の精度によって求められるので
、極めて正確に分かる。上記の実施例において、この高
さは８００ミクロインチで、リソグラフインク公差はこ
の数字に比べれば確実に小さい。つまり、Ｒｐと１１は
ラップの開始前共に既知となるので、Ｋの値は式（３）
を用いて容易に計算できる。実際には、ラッピング前各
ＥＬＧ毎にＲｐが測定され、このデータがコンピュータ
９８によって記憶される。このデータは、後でにを計算
するためコンピュータによって検索される。

本実施例において、リソグラフインクマスクは、ずれＧ
が２００ミクロインチとなるように設計されるのが好ま
しい。位置合わせ及びその他の公差がこの猾に影響を及
ぼすので、このずれは特定のＥＬＧについて正確には分
からない。しかし、ゼロののと高さ面に対する接触点の
位置はリソグラフィツク処理で正確に確定されるため、
空気ベアリング面のゼロののど高さ面に対する相対的位
置は、ランピングが第１の破断発生地点にまで進行すれ
ば（すなわち第１接触点７５が破断ずれば）直ちに分か
るので、ゼロののど高さ面より上の高さ２を求めるのに
センサＲｂを使うことができる。

次いで、ラフピングマシンのコンビエータ９８は式（５
）に基づき、Ｒｐ、Ｋ及び２の既知の値を用いてずれＧ
を求めるこ六ができる。正確を期すため、このずれＧの
計算は各破断の発生毎に繰り返される。破断と破断の間
、コンビエータは式（５）を用いて瞬間的なのど高さ２
とずれＧの最新破断による値とを連続的に計算して表示
する。

上記の手順は、前記の式では無視していたがＲｐと直列
に存在するリード抵抗Ｒｓを補償するものである。つま
り実際に測定されるのは、Ｒｐ＝Ｒｐ＋Ｒｓである。必
要なら、抵抗Ｒｓを式に含め、上記処理の一部として評
価することもできる。このような精度は、一部の高度な
設計で必要になることがある。この場合上式（１１〜（
５）は、次のように書ける： （ｌａ）　　Ｒｐ’＝Ｒｓ＋ＰＬ／Ａ。

（２ａ）　　Ｒｐ’＝Ｒｓ＋ＰＬ／ｈＴ。

（３ａ）　　Ｒｐ　’　＝Ｋ／ｈ＋Ｒｓ。

Ｃ４ａ）　　Ｒｐ’＝Ｋ／（ｚ十Ｇ）−１−Ｒｓ。

（５ａ）　　ｚ＝　（Ｋ／　（Ｒｐ　’−Ｒｓ））−Ｇ
上式（ｌａ〜５ａ）を適用するための手ｊ頃は、（既知
の高さｈｏでの）ラッピング前に抵抗を測定すること（
時点０）、第１の校正事象が検出されるまでラフピング
しＲｐ’を測定すること（時点１：既知の高さｚ１）、
第２の校正事象が検出されるまでラフピングしＲｐ’を
測定すること（時点２：既知の高さｚ２）、次式をＧ、
Ｋ、Ｒｓについて同時に解くこと： Ｒｐ　’　　（０）　＝　Ｋ　／　ｈ　＋　ＲＳ　。

Ｒｐ　’　　（１）＝Ｋ／　（ｚ　１　＋Ｇ）＋Ｒｓ。

Ｒｐ　’　　（２）＝Ｋ／　（ｚ　２＋Ｇ）＋Ｒｓ。

ラッピング高さの現在値ｚｃｕｒｒｅｎ　ｔを、Ｒｐ’
の現在読取値（現時点）と上記で求められたＧ、Ｋ。

ＲｓＯ値を用い、次式を解くことによって計算すること
を含む： ｚｃｕｒｒｅｎｔ＝Ｋ／　（Ｒｐ　′ｃｕｒｒｅｎｔ　
−Ｒｓ）　−ＧコンピュータがＲｂをモニターし、破断
が行われた時点を決める。この方法は、当初思われたほ
ど簡単でない。各破断の発生後にセンサＲｂが有する抵
抗は、正確に分からない。しかし、各接触点が開くと、
抵抗Ｒｂの抵抗値は約５０％増加することば知られてい
る。また、破断は瞬間的に生ぜず、少なくとも数ミクロ
ンののど高さの変化にわたって徐々に発生する。従って
、どの接触点が開いているかに関する誤りをコンピュー
タが行わないことを補償するため、かなり複雑なアルゴ
リズムが呼び出されねばならない。

コンピュータは何とかして、接触点の開による抵抗の変
化が結果したとき、及びその後に続く変化が次の抵抗の
破断事象によるものであるときを知らねばならない。前
記したようＫ、抵抗Ｒｂは各破断でその抵抗値が約５０
％増加するように設計されるのが好ましい。このため、
コンピュータは抵抗をモニターし、抵抗Ｒｂの抵抗値が
そのラッピング前の値から２５％増加したら、第１の破
断事象が生じたという判断を開始するようにプログラム
されている。

実際上、Ｒｂの抵抗はその最初の値の約１５０％に達す
るまで増加し続けるが、コンピュータはこの追加の変化
を無視する。２５％の増加を検出した後、コンピュータ
は式（５）で得られるのど高さ２の値をモニターする。

のど高さ２が次の破断事象までに測定されると見込まれ
る量の半分だけ変化したら、コンピュータはそのときの
ラッピングの値に注目する。

この時点までＫ、第１の破断事象による抵抗変化は全て
完了しているはずである。従って、コンピュータはこの
ＲｂＯ値（例えば１．３４オーム）を新たな標準とし、
て見なすことができる。次いで、今度はこの値の２５％
増加を求め始める。最後の破断事象が生じるまで、前記
と同じプロセスが繰り返される。

本発明は、少なくとも３つの接触パッド、好ましくは第
２図の５つの試験点ＴＰ　１−ＴＰ　５にそれぞれ対応
した５つの接触パッド２８．３０．３６．３４及び４８
を必要とする。いずれにせよ、本発明は２ヘツドのスラ
イダに追加される１つの追加接触パッド４８、あるいは
シングルヘッドのスライダにおける２つの追加パッドを
必要とすることが理解されるべきである。つまり、本Ｅ
ＬＧは最小の追加処理ステップで形成され、また必須の
表面積の要求が最小となるので、ＥＬＧは本発明の実施
に際し、はとんどまたは全く追加のオーバヘッドを必要
とせずにウェハ上の各スライダ内に作製し得る。

前記以外の実施例は、特許請求の範囲に記載されている
。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ、］、Ｂ、ＩＣ，ＩＤ図は３つの従来のセンサの
構成と従来の２つのヘッドスライダの図、第２図はＥＬ
Ｇの概略図、第３図はスライダ２０の平面図の形で示し
た第２図のＥＬＧ回路１０の図、第４図は第３図のスラ
イダ２０のレール１８内のＥＬＧ回路１０の図、第５図
は４１０一ブ測定方式の概略図、第６図はＥＬＧモニタ
ー回路の図、及び第７図はＥＬＧモニターシステムのブ
ロック図である。 １０・・・・・・電子的加工（ラッピング）ガイド（Ｅ
ＬＧ）、１３．１５・・・・・・トランスデユーサ（薄
膜ヘッド）、１７−１１９・・・・・・近、遠面（縁）
、１８．２３．２４・・・・・・部位（レール）、７１
〜７５・・・・・・接触（破断）展、Ｒｐ・・・・・・
アナログ抵抗センサ、Ｒｐ・・・・・・デジタル抵抗セ
ンサ、Ｒ・・・・・・完全性センサ、ＡＢＳ・・・・・
・加工面（空気ベアリング面）、ＺＴＨ面・・・・・・
最小高さ面、ＴＰＩ〜ＴＰ５・・・・・・試験パッド（
点）。 〕 ゝＮ５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、加工物の表面を最小高さ面より上方のある高さにま
   で加工する加工方法で、前記加工物が加工面と実質上平
   行で且つ加工面に対する近面及び遠面を備えたアナログ
   抵抗センサと、加工中にそれぞれ較正事象として破断さ
   れるようになされた複数の接触点を有する離散抵抗セン
   サとを有する電子的加工ガイドを持ち、加工中に前記最
   小高さ面に対する前記表面の加工高さを求める方法にお
   いて： （ａ）加工前に、前記アナログセンサの抵抗値Ｒｐをア
   ナログセンサの既知の高さｈと関連付ける定数にを求め
   るステップ、及び （ｂ）前記定数にを考慮して、前記最小高さ面の位置に
   対する現加工高さｚを求めるステップ、を含む方法。 ２、前記ステップ（ａ）の後でステップ（ｂ）の前に：
   （ａ１）第１の較正事象に応じて、前記最小高さ面から
   前記遠面までの距離Ｇを求めることによって、前記ステ
   ップ（ｂ）がＫとＧ両方を考慮して求められるようにす
   るステップ、をさらに含む請求項１記載の方法。 ３、（ｃ）第２の較正事象に応じて、Ｒｐの新しい値を
   測定するステップ、及び （ｄ）前記Ｒｐの新しい値から現ラップ高さｚを求め直
   すステップ、をさらに含む請求項２記載の方法。 ４、前記ステップ（ａ）が下記の式をＫについて解くこ
   とを含み： Ｒｐ＝Ｋ／ｈ、 前記ステップ（ａ１）が下記の式をＧについて解くこと
   を含み： Ｒｐ＝Ｋ／（ｚ＋Ｇ）、及び 前記ステップ（ｂ）が下記の式をｚについて解くことを
   含む： ｚ＝（Ｋ／Ｒｐ）−Ｇ、 請求項２記載の方法。 ５、前記ステップ（ｄ）がＲｐの新しい値を用いて下記
   の式をｚについて解くことを含む： ｚ＝（Ｋ／Ｒｐ）−Ｇ、 請求項３記載の方法。 ６、加工物の表面を最小高さ面より上方のある高さにま
   で加工する方法で、前記加工物が、高さｈと抵抗Ｒｐを
   有すると共に、加工面と実質上平行で且つ加工面に対す
   る近面及び遠面を有するアナログ抵抗センサと、直列抵
   抗Ｒｓ、但しＲｐ′＝Ｒｐ＋Ｒｓ、を有するアナログセ
   ンサに付属のリードと、抵抗Ｒｂを有すると共に、加工
   中にそれぞれ較正事象として破断されるようになされた
   複数の接触点を備えた離散抵抗センサとを有する電子的
   加工ガイドを持ち、前記センサがそれぞれの端部で試験
   点において相互に接続されており、加工高さｚの現在値
   を求める方法において： （Ａ）加工前（既知の高さｈ）に、抵抗Ｒｐを測定する
   （時点０）ステップ、 （Ｂ）第１の較正事象が検出されるまで加工し、既知の
   高さｚ＿１におけるＲｐ′を測定する（時点１）ステッ
   プ、 （Ｃ）第２の較正事象が検出されるまで加工し、既知の
   高さｚ＿２におけるＲｐ′を測定する（時点２）ステッ
   プ、 （Ｄ）下記の式をＧ、Ｋ、Ｒｓについて同時に解くステ
   ップ、 Ｒｐ（０）＝Ｋ／ｈ＋Ｒｓ、 Ｒｐ（１）＝Ｋ／（ｚ＿１＋Ｇ）＋Ｒｓ、 Ｒｐ（２）＝Ｋ／（ｚ＿２＋Ｇ）＋Ｒｓ、及び（Ｅ）（
   現時点における）Ｒｐ′の現読取値と、前記ステップ（
   Ｄ）で求められたＧ、Ｋ、Ｒｓの各値とを用い、下記の
   式をｚｃｕｒｒｅｎｔについて解くことによって加工高
   さｚの現在値を計算するステップ、 ｚｃｕｒｒｅｎｔ＝Ｋ／（Ｒｐ′ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｒｓ
   ）−Ｇを含む方法。 ７、アナログ抵抗センサＲｐと離散抵抗センサＲｂを有
   し、前記アナログ抵抗センサが近面と遠面を有し、該両
   面が最小の高さ面に対して所望の高さに加工されるべき
   面と平行であり、前記離散抵抗センサＲｂが複数の離散
   接触点を有し、該接触点の各々が前記最小高さ面に対す
   る既知の較正位置を有している電子的加工ガイドを用い
   る際に、前記接触点の少なくとも１つの位置を参照する
   ことによって前記最小高さ面に対する前記遠面の位置を
   較正し、またＲｐの値を参照することによって前記接触
   点の少なくとも１つの識別を確認する方法において： （ａ）Ｒｂをモニターするステップ、 （ｂ）Ｒｂの値の増加を用いて、前記少なくとも１つの
   接触点の連続性の実質的破断を指示するステップ、 （ｃ）前記接触点の既知位置を用いて、前記最小高さ面
   に対する前記遠面の位置を求めるステップ、 （ｄ）Ｒｐの値をモニターするステップ、及び（ｅ）Ｒ
   ｐの値の増加を用いて、前記接触点の少なくとも１つの
   識別を確認するステップ、を含む方法。 ８、電子的なラッピングガイドを備えた加工物に対して
   導電性のラップ工具を用いる方法において： （ａ）前記ガイドを通じて電圧を印加し、ラッピングの
   進行を求めるステップ、及び （ｂ）前記電圧を、前記ガイドから前記ラップ工具への
   電気ショートを実質上避けられる値に制限するステップ
   、を含む方法。 ９、前記電圧が７００ミリボルトより低い請求項８記載
   の方法。 １０、加工物の所望高さまでの加工中に現時点の加工高
   さを求める電子的加工ガイドにおいて：アナログ抵抗セ
   ンサ、 離散抵抗センサ、 前記離散抵抗センサにおいて並列に接続された複数の抵
   抗要素、 前記抵抗要素が割り当てられた異なる抵抗値と、総合抵
   抗値Ｒｂとを有し、前記各抵抗要素の一端が共通点に接
   続される一方、前記各抵抗要素の他端がそれぞれ離間し
   た接触点で共通の導体へ別々に接続されており、前記接
   触点のうち少なくとも第１接触点の連続性の破断によっ
   て、抵抗値Ｒｂがほぼ所定の増分だけ増加すること、及
   び 前記各センサが相互に接続され、現時点での加工高さが
   求められること、を備えた電子加工ガイド。 １１、前記アナログセンサが少なくとも第１及び第２の
   抵抗部分と導体とを有する直列抵抗を含み、前記第１の
   抵抗部分が前記導体を介して前記第２の抵抗部分へ直列
   に接続され、 前記両抵抗部分が各々第１縁と第２縁を有し、前記第２
   縁が前記第１縁と実質上平行であり、前記抵抗部分の第
   １縁が少なくとも加工後に実質上同一面内に位置し、前
   記抵抗部分の第２縁が他の実質上同一面内に位置し、さ
   らに 前記センサが、加工中に現時点の加工高さを求めること
   のできる抵抗読取値を与える請求項１０記載の電子的加
   工ガイド。 １２、前記直列抵抗がさらに、第３の抵抗部分と第２の
   導体を備え、該第３の抵抗部分が第２の導体を介して前
   記第２の抵抗部分に接続されている請求項１１記載の電
   子的加工ガイド。 １３、前記離散抵抗センサが： ５つの抵抗要素からなり、前記所定の増分が約５０％で
   ある請求項１２記載の電子的加工ガイド。 １４、前記離散抵抗センサに接続され、加工前に離散抵
   抗センサの完全性試験を独立に可能とする完全性センサ
   をさらに備えた請求項１０記載の電子的加工ガイド。 １５、前記離散抵抗センサに接続され、加工前に離散抵
   抗センサの完全性試験を独立に可能とする完全性センサ
   をさらに備え、該完全性センサが抵抗値Ｒを有し、Ｒ／
   Ｒｂの比が前記離散抵抗センサの完全性を指示する請求
   項１３記載の電子的加工ガイド。 １６、最小高さ面に対する所望の高さ面にまでラップす
   べき表面を有し、電子的ラッピングガイドが組み込まれ
   た積層装置において： 特別部位、 前記特別部位に付設されたアナログ抵抗センサと離散抵
   抗センサ、 前記各センサの抵抗値の読取を可能とする回路、 前記アナログ抵抗センサが近面と遠面を有し、該近面が
   ラップすべき表面と平行で且つ隣接して既知の高さに配
   設されていること、 前記離散抵抗センサが、前記最小高さ面に対して異なる
   既知の高さに前記装置内で階層状に位置された破断点を
   それぞれ限定する異なる値で且つ並列な抵抗指示脚を有
   し、前記破断点の識別とラップすべき表面の前記最小高
   さ面に対する現高さが前記両センサの読取抵抗値から認
   識可能であること、を備えた積層装置。 １７、前記装置がラップすべき表面に位置した第１部位
   をさらに備え、前記両センサの付設された特別部位が、
   第１部位のラップ速度とほぼ同じ速度でラップされるよ
   うに構成されている請求項１６記載の積層装置。 １８、第２部位をさらに含み、前記第１、第２及び特別
   部位がそれぞれ第１レール、第２レール及び第３レール
   からなり、該各レールがラッピング前に、ラップすべき
   前記表面で前記装置から突出しており、前記ガイドの少
   なくとも一部分が前記第３レール内に位置している請求
   項１７記載の積層装置。 １９、第１及び第２トランスデューサをさらに含み、前
   記第１及び第２レールに前記第１及び第２トランスデュ
   ーサがそれぞれ付設されており、前記装置がさらに前記
   トランスデューサと前記ガイドに共通な複数のフォトレ
   ジスト層をさらに備えている請求項１８記載の積層装置
   。 ２０、各々のレール内におけるフォトレジストの形成が
   類似するような少なくとも１つの特徴を、前記ガイドが
   備えている請求項１９記載の積層装置。 ２１、ラッピング前に、前記離散抵抗センサの完全性を
   チェックする抵抗完全性センサをさらに備えている請求
   項１６記載の積層装置。 ２２、前記完全性センサが抵抗値Ｒを有し、Ｒ対前記離
   散抵抗センサの抵抗値Ｒｂの比が前記離散抵抗センサの
   完全性を指示する請求項２１記載の積層装置。 ２３、スライダ上の電子的ラッピングガイドで、前記ス
   ライダが各々少なくとも２つの動作電気リードを与える
   ２つのトランスデューサを有するものにおいて： ５つの試験パッド、 前記少なくとも２つのリードが各々前記試験パッドのう
   ち４つの各々にそれぞれ電気的に接続され、前記ガイド
   が５つの試験パッドの各々にそれぞれ電気的に接続され
   ていることを備えた電子的ラッピングガイド。