JPH02121377A - 磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果素子の製造方法Info
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- JPH02121377A JPH02121377A JP63274295A JP27429588A JPH02121377A JP H02121377 A JPH02121377 A JP H02121377A JP 63274295 A JP63274295 A JP 63274295A JP 27429588 A JP27429588 A JP 27429588A JP H02121377 A JPH02121377 A JP H02121377A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ１発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気式エンコーダなどの磁気記録層の磁界を
検出するための磁気センサに用いる磁気抵抗効果素子の
製造方法に関する。
検出するための磁気センサに用いる磁気抵抗効果素子の
製造方法に関する。
第２図は磁気抵抗効果素子の基本形状を示す平面図であ
るが、従来磁気抵抗効果素子上を構成する電極部２には
、Ａｕなどの耐食性、耐酸化性がよく比抵抗の小さい金
属膜を用い、主に次の２つの製造方法により磁気抵抗効
果素子を形成していた。
るが、従来磁気抵抗効果素子上を構成する電極部２には
、Ａｕなどの耐食性、耐酸化性がよく比抵抗の小さい金
属膜を用い、主に次の２つの製造方法により磁気抵抗効
果素子を形成していた。
１つは磁界を検出するＮｉ−Ｆｅ合金薄膜などの感磁部
３の上に第３図に示すようなＡｕなどの電極部を構成す
る膜を被着させ、電極部２、感磁部３の順にエツチング
によって磁気抵抗効果素子の形を形成する方法、他の例
は第４図に示す前記感磁部を構成する膜を非磁性体基板
上に被着し、先ずエツチングに依り磁気抵抗効果素子を
形成して感磁部３を作った後電極膜を被着させ、同じく
エツチングを施し電極部２を形成する方法である。これ
ら従来の方法によると、どちらの方法を取っても薄いＮ
ｉ−Ｆｅ合金薄膜、Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜で作られ、感磁
部は電極部を形成する際のエツチング液にさらされるこ
とになり、信頼性が著しく低下すると云う問題があった
。
３の上に第３図に示すようなＡｕなどの電極部を構成す
る膜を被着させ、電極部２、感磁部３の順にエツチング
によって磁気抵抗効果素子の形を形成する方法、他の例
は第４図に示す前記感磁部を構成する膜を非磁性体基板
上に被着し、先ずエツチングに依り磁気抵抗効果素子を
形成して感磁部３を作った後電極膜を被着させ、同じく
エツチングを施し電極部２を形成する方法である。これ
ら従来の方法によると、どちらの方法を取っても薄いＮ
ｉ−Ｆｅ合金薄膜、Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜で作られ、感磁
部は電極部を形成する際のエツチング液にさらされるこ
とになり、信頼性が著しく低下すると云う問題があった
。
本発明は、従来の磁気抵抗効果素子の製造工程において
、電極部形成時に形状を作るためのエツチングの際に生
ずる感磁部を腐食して感磁部を形成する際に生ずる信頼
性を低下することを防止するための強磁性体の磁気抵抗
効果素子とその製造方法を提供することを目的とする。
、電極部形成時に形状を作るためのエツチングの際に生
ずる感磁部を腐食して感磁部を形成する際に生ずる信頼
性を低下することを防止するための強磁性体の磁気抵抗
効果素子とその製造方法を提供することを目的とする。
本発明による磁気抵抗効果素子の製造方法は、感磁部と
電極部とを一体で形成し、後電極部形成部を除き感磁郡
全体をポリイミド樹脂で覆い、加熱硬化後、電極を形成
する部分の強磁性体薄膜上に重ねて電極形成材のＡｕを
蒸着又はスパッタにより形成し、後電極形成部分をウェ
ットエツチングし、信頼性の高い磁気抵抗効果素子とす
るものである。
電極部とを一体で形成し、後電極部形成部を除き感磁郡
全体をポリイミド樹脂で覆い、加熱硬化後、電極を形成
する部分の強磁性体薄膜上に重ねて電極形成材のＡｕを
蒸着又はスパッタにより形成し、後電極形成部分をウェ
ットエツチングし、信頼性の高い磁気抵抗効果素子とす
るものである。
口８発明の構成
〔課題を解決するための手段〕
本発明は感磁部を形成するＮｉ−Ｆｅ、又はＮｉ−Ｃｏ
の強磁性体薄膜を非磁性基板上全面に成膜し、感磁部、
電極部を同一組成、同一膜厚でエツチング等の手法によ
り一体形成する。その後、感磁部のみを耐溶剤、耐酸性
に強いポリイミド樹脂等の安定した樹脂で覆い、この後
電極膜を成膜する。
の強磁性体薄膜を非磁性基板上全面に成膜し、感磁部、
電極部を同一組成、同一膜厚でエツチング等の手法によ
り一体形成する。その後、感磁部のみを耐溶剤、耐酸性
に強いポリイミド樹脂等の安定した樹脂で覆い、この後
電極膜を成膜する。
即ち本発明は、非磁性基板上にＮｉ−Ｆｅ合金膜、又は
Ｎ１−Ｇｏ合金膜の強磁性体薄膜から成る感磁部と電極
部とを形成した後、感光性のポリイミド樹脂により強磁
性体薄膜を覆い、電極形成部のみポリイミド樹脂層を露
光除去し加熱して感磁部上を樹脂成膜して覆い、Ａｕな
どの金属膜を感磁部と一体に形成されている強磁性体薄
膜に被着させて電極部を形成することを特徴とした強磁
性体の磁気抵抗効果素子の製造方法。
Ｎ１−Ｇｏ合金膜の強磁性体薄膜から成る感磁部と電極
部とを形成した後、感光性のポリイミド樹脂により強磁
性体薄膜を覆い、電極形成部のみポリイミド樹脂層を露
光除去し加熱して感磁部上を樹脂成膜して覆い、Ａｕな
どの金属膜を感磁部と一体に形成されている強磁性体薄
膜に被着させて電極部を形成することを特徴とした強磁
性体の磁気抵抗効果素子の製造方法。
本発明の磁気抵抗効果素子は磁気を検出するＮｉ−Ｆｅ
合金薄膜、又は及びＮｉ−Ｃｏ合金薄膜を非磁性基板上
に真空蒸着により成膜し、イオンビームエツチング装置
を用いたドライエツチング法か、ウェットエツチング法
を用い、磁気抵抗効果素子の感磁部と電極部を同時に成
形する。ついで感光性液状のポリイミド樹脂を強磁性体
薄膜上に薄く塗布し、露光現像により感磁部のみにポリ
イミド樹脂を残し、樹脂を熱硬化した後電極部を形成す
るためのＡｕを蒸着し、後電極形状をウェットエツチン
グにより整形する。
合金薄膜、又は及びＮｉ−Ｃｏ合金薄膜を非磁性基板上
に真空蒸着により成膜し、イオンビームエツチング装置
を用いたドライエツチング法か、ウェットエツチング法
を用い、磁気抵抗効果素子の感磁部と電極部を同時に成
形する。ついで感光性液状のポリイミド樹脂を強磁性体
薄膜上に薄く塗布し、露光現像により感磁部のみにポリ
イミド樹脂を残し、樹脂を熱硬化した後電極部を形成す
るためのＡｕを蒸着し、後電極形状をウェットエツチン
グにより整形する。
従って、後工程である電極部を形成するためのエツチン
グの際にはμｍの寸法で予め形成されている感磁部はポ
リイミド樹脂により保護されているため、電極部形成時
のエツチング液にさらされることがなく、信頼性の高い
磁気抵抗効果素子とすることが出来る。
グの際にはμｍの寸法で予め形成されている感磁部はポ
リイミド樹脂により保護されているため、電極部形成時
のエツチング液にさらされることがなく、信頼性の高い
磁気抵抗効果素子とすることが出来る。
本発明による製造方法の、工程毎の断面形状を第１図に
示す。
示す。
非磁性基板４は表面を酸化したＳｉ、又はガラス等の非
磁性絶縁物を用い、本実施例では良好な表面状態を得易
いガラス基板を用いた。５はＮｉ−Ｆｅ、又はＮｉ−Ｃ
ｏ合金の強磁性体薄膜であり１本発明において感磁部３
、電極部２を形成する。本実施例においては、Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金を電子ビームによる真空蒸着で形成したが、成膜
方法は例えば抵抗加熱法などの他の蒸着方法やスパッタ
法を用いても良い。
磁性絶縁物を用い、本実施例では良好な表面状態を得易
いガラス基板を用いた。５はＮｉ−Ｆｅ、又はＮｉ−Ｃ
ｏ合金の強磁性体薄膜であり１本発明において感磁部３
、電極部２を形成する。本実施例においては、Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金を電子ビームによる真空蒸着で形成したが、成膜
方法は例えば抵抗加熱法などの他の蒸着方法やスパッタ
法を用いても良い。
この時の膜厚は約７ｏｏＸである。膜厚は膜が充分連続
になり、欠陥が発生し難い３００Å以上の膜厚で反磁界
の影響を受は難い１０００Å以下であれば良い。この膜
をフォトリソグラフィなどの手法を用い、感磁部、電極
部を必要な形状にエツチングして形成する。本実施例に
おいては、感磁部を形成する微細形状の最小寸法は３μ
ｍであり寸法精度は１μｍ以下の精度を要求されるため
、微細形状を精度良く形成出来るイオンビームエツチン
グ装置を用いたドライエツチング法でパターン形成を行
ったが、ウェットエツチング法を用いても構わない。こ
の様に感磁部と電極部を同一組成、同一膜厚の膜で一体
形成するのは、以下の工程を経た時に断線が発生するこ
とを未然に防止するためである。
になり、欠陥が発生し難い３００Å以上の膜厚で反磁界
の影響を受は難い１０００Å以下であれば良い。この膜
をフォトリソグラフィなどの手法を用い、感磁部、電極
部を必要な形状にエツチングして形成する。本実施例に
おいては、感磁部を形成する微細形状の最小寸法は３μ
ｍであり寸法精度は１μｍ以下の精度を要求されるため
、微細形状を精度良く形成出来るイオンビームエツチン
グ装置を用いたドライエツチング法でパターン形成を行
ったが、ウェットエツチング法を用いても構わない。こ
の様に感磁部と電極部を同一組成、同一膜厚の膜で一体
形成するのは、以下の工程を経た時に断線が発生するこ
とを未然に防止するためである。
以上の様に形成された感磁部と電極部の内、第２図の破
線で示す感磁部３のみを感光性ボリイミド樹脂６で被覆
する。感光性液状のポリイミド樹脂をスピンナーにて塗
布し、露光現像により必要な感磁部のみを保持し感磁部
３を被覆した。この時ポリイミドの膜厚は約１０μｍで
ある。
線で示す感磁部３のみを感光性ボリイミド樹脂６で被覆
する。感光性液状のポリイミド樹脂をスピンナーにて塗
布し、露光現像により必要な感磁部のみを保持し感磁部
３を被覆した。この時ポリイミドの膜厚は約１０μｍで
ある。
本実施例においては、スプレー法を用いて約１０μｍの
厚さで塗布した。塗布後３５０℃で６０分間加熱し、ポ
リイミド樹脂を充分に乾燥・硬化し、ポリイミド樹脂６
を感磁部の膜上に形成する。この状態で電極膜２を形成
するが、本実施例ではＡｕを１５００ Ａの厚さに抵抗
加熱蒸着法によって成膜した。
厚さで塗布した。塗布後３５０℃で６０分間加熱し、ポ
リイミド樹脂を充分に乾燥・硬化し、ポリイミド樹脂６
を感磁部の膜上に形成する。この状態で電極膜２を形成
するが、本実施例ではＡｕを１５００ Ａの厚さに抵抗
加熱蒸着法によって成膜した。
もちろん成膜方法は他の方法を用いても良い。Ａｕ膜成
膜後ウつットエツチング法により、電極部のパターンを
形成する。本実施例では５％シアン化アンモニウム溶液
、又はシアン化カリウム溶液でスプレーエツチングした
。
膜後ウつットエツチング法により、電極部のパターンを
形成する。本実施例では５％シアン化アンモニウム溶液
、又はシアン化カリウム溶液でスプレーエツチングした
。
ハ１発明の効果
本発明によると、感磁部は形成後すぐに樹脂保護膜によ
り強固に覆われるので、後工程のウェットエツチング時
の腐食の影響を受けることなく、又、電極部は感磁部と
一体形成しているため、感磁部と電極部間で断線を起こ
す恐れのない信頼性の高い強磁性体抵抗素子を製造する
ことが出来る。
り強固に覆われるので、後工程のウェットエツチング時
の腐食の影響を受けることなく、又、電極部は感磁部と
一体形成しているため、感磁部と電極部間で断線を起こ
す恐れのない信頼性の高い強磁性体抵抗素子を製造する
ことが出来る。
第１図は本発明による磁気抵抗効果素子の製造方法を示
す各工程毎の素子形状の断面図。 第２図は磁気抵抗効果素子の基本形状を示す平面図。 第３図、第４図は従来の磁気抵抗効果素子の製造方法を
示す各工程毎の素子形状の断面図。 １・・・磁気抵抗効果素子、２・・・電極部、３・・・
感磁部、４・・・非磁性基板、５・・・感磁膜、６・・
・ポリイミド樹脂、７・・・電極膜。
す各工程毎の素子形状の断面図。 第２図は磁気抵抗効果素子の基本形状を示す平面図。 第３図、第４図は従来の磁気抵抗効果素子の製造方法を
示す各工程毎の素子形状の断面図。 １・・・磁気抵抗効果素子、２・・・電極部、３・・・
感磁部、４・・・非磁性基板、５・・・感磁膜、６・・
・ポリイミド樹脂、７・・・電極膜。
Claims (1)
- １、非磁性基板上にＮｉ−Ｆｅ合金膜、又はＮｉ−Ｃｏ
合金膜の強磁性体薄膜から成る感磁部と電極部とを形成
した後、感光性のポリイミド樹脂により強磁性体薄膜を
覆い、電極形成部のみポリイミド樹脂層を露光除去し加
熱して感磁部上を樹脂成膜して覆い、Ａｕなどの金属膜
を感磁部と一体に形成されている強磁性体薄膜に被着さ
せて電極部を形成することを特徴とした強磁性体の磁気
抵抗効果素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63274295A JPH02121377A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63274295A JPH02121377A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02121377A true JPH02121377A (ja) | 1990-05-09 |
Family
ID=17539654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63274295A Pending JPH02121377A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02121377A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226726A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63274295A patent/JPH02121377A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226726A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
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