JPH02130880A - 磁気抵抗素子とその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子とその製造方法Info
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- JPH02130880A JPH02130880A JP63283724A JP28372488A JPH02130880A JP H02130880 A JPH02130880 A JP H02130880A JP 63283724 A JP63283724 A JP 63283724A JP 28372488 A JP28372488 A JP 28372488A JP H02130880 A JPH02130880 A JP H02130880A
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Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、磁気エンコーダ等に使用され、強磁性磁気抵
抗効果を利用して磁気信号を検出する磁気抵抗素子とそ
の製造方法に関する。
抗効果を利用して磁気信号を検出する磁気抵抗素子とそ
の製造方法に関する。
「従来の技術」
従来、磁気抵抗素子を製造する場合、磁気抵抗効果を有
する強磁性体を薄膜状に蒸着し、その薄膜に第４図に示
すようにＩＮＣ相、Ｚ相、ＡＢＳ相のストライプパター
ンを形成させている。また強磁性体を蒸着させるときに
は、基板の両側に永久磁石を配置させて、薄膜全体にそ
の磁界方向に誘導磁気異方性をもたせている。そのため
、従来の磁気抵抗素子は、ＩＮＣ相、Ｚ相、ＡＢＳ相の
各部分とも誘導磁気異方性の方向が同一になっている。
する強磁性体を薄膜状に蒸着し、その薄膜に第４図に示
すようにＩＮＣ相、Ｚ相、ＡＢＳ相のストライプパター
ンを形成させている。また強磁性体を蒸着させるときに
は、基板の両側に永久磁石を配置させて、薄膜全体にそ
の磁界方向に誘導磁気異方性をもたせている。そのため
、従来の磁気抵抗素子は、ＩＮＣ相、Ｚ相、ＡＢＳ相の
各部分とも誘導磁気異方性の方向が同一になっている。
「発明が解決しようとする課題」
従来のように強磁性体の薄膜全体に、ＩＮＣ相とＺ相と
のストライプパターンと同方向の磁界を持たせると、Ａ
ＢＳ相にはそのストライプパターンと垂直方向に誘導磁
気異方性がかかることになる。そのため、ＡＢＳ相では
磁区構造が３軸となってヒステリシスが発生しやすく、
磁気抵抗素子の検出値に誤差が生じるという問題があっ
た。
のストライプパターンと同方向の磁界を持たせると、Ａ
ＢＳ相にはそのストライプパターンと垂直方向に誘導磁
気異方性がかかることになる。そのため、ＡＢＳ相では
磁区構造が３軸となってヒステリシスが発生しやすく、
磁気抵抗素子の検出値に誤差が生じるという問題があっ
た。
そこで本発明は、ＩＮＣ相等と同様、ＡＢＳ相にも誘導
磁気異方性がストライプパターンに平行に作用するよう
にして、磁気抵抗素子にヒステリシスが生じないように
するとともに、外部応力に対する劣化を防止することを
目的とする。
磁気異方性がストライプパターンに平行に作用するよう
にして、磁気抵抗素子にヒステリシスが生じないように
するとともに、外部応力に対する劣化を防止することを
目的とする。
「課題を解決するための手段」
本発明の磁気抵抗素子の製造方法は、強磁性体を薄膜状
に蒸着させる際、ＩＮＣ相とＺ相との部分への蒸着と、
ＡＢＳ相の部分への蒸着とを別個に行なう、そして、Ｉ
ＮＣ相とＺ相との部分に蒸着するときには、ＡＢＳ相を
マスキングしてＩＮＣ相とＺ相とのストライプパターン
と同方向の磁界を作用させ、ＡＢＳ相の部分に蒸着させ
るときには、ＩＮＣ相と２相との部分をマスキングして
ＡＢＳ相のストライプパターンと同方向の磁界を作用さ
せる。
に蒸着させる際、ＩＮＣ相とＺ相との部分への蒸着と、
ＡＢＳ相の部分への蒸着とを別個に行なう、そして、Ｉ
ＮＣ相とＺ相との部分に蒸着するときには、ＡＢＳ相を
マスキングしてＩＮＣ相とＺ相とのストライプパターン
と同方向の磁界を作用させ、ＡＢＳ相の部分に蒸着させ
るときには、ＩＮＣ相と２相との部分をマスキングして
ＡＢＳ相のストライプパターンと同方向の磁界を作用さ
せる。
そして上記の蒸着が終了後に、薄膜におけるそれぞれ所
定の位置にＩＮＣ相とＺ相とＡＢＳ相とのストライプパ
ターンを設ければ磁気抵抗素子となる。
定の位置にＩＮＣ相とＺ相とＡＢＳ相とのストライプパ
ターンを設ければ磁気抵抗素子となる。
本発明の磁気抵抗素子は、磁気抵抗効果を有する強磁性
体の薄膜に、ＩＮＣ相、Ｚ相、ＡＢＳ相のストライプパ
ターンが設けられ、ＩＮＣ相、Ｚ相、ＡＢＳ相の各部分
の誘導磁気異方性の方向がそれぞれのストライプパター
ンの方向と平行になっていることを特徴とする磁気抵抗
素子。
体の薄膜に、ＩＮＣ相、Ｚ相、ＡＢＳ相のストライプパ
ターンが設けられ、ＩＮＣ相、Ｚ相、ＡＢＳ相の各部分
の誘導磁気異方性の方向がそれぞれのストライプパター
ンの方向と平行になっていることを特徴とする磁気抵抗
素子。
「作用」
上記手段により製造した磁気抵抗素子ではＩＮＣ相とＺ
相はもちろん、ＡＢＳ相にもそのストラブパターン方向
と同方向に誘導磁気異方性がかかる。このため、磁気抵
抗素子にヒステリシスが生じにくくなる。また、その誘
導磁気異方性のため磁気抵抗素子は外部応力に対して弱
い部分もなく、特性の劣化を防止できる。
相はもちろん、ＡＢＳ相にもそのストラブパターン方向
と同方向に誘導磁気異方性がかかる。このため、磁気抵
抗素子にヒステリシスが生じにくくなる。また、その誘
導磁気異方性のため磁気抵抗素子は外部応力に対して弱
い部分もなく、特性の劣化を防止できる。
なお、蒸着を２度に分けて行なうが、最初に蒸着した薄
膜は後の蒸着時にマスキングされること及び、蒸着時の
基板温度が低いことにより、先の薄膜の特性が変化する
ようなことはない。
膜は後の蒸着時にマスキングされること及び、蒸着時の
基板温度が低いことにより、先の薄膜の特性が変化する
ようなことはない。
「実施例」
本発明の実施例を第１〜３図により説明する。
初めに磁気抵抗効果を有する強磁性体（例えばパーマロ
イ８３Ｎｉ−１７Ｆｅ）を薄膜状に蒸着させる基板の両
側位置に、永久磁石ｌ、２を配置しく第１図）、後でス
トライプパターンを作成するＩＮＣ相とＺ相とに平行な
方向に磁界を作用させる。また後でストライプパターン
を作成するＡＢＳ相に相当する部分にマスク３でマスキ
ングする。マスク材としては、Ｍｏが熱膨張係数が小さ
いために適切である。この状態で、マスキングした部分
以外の基板上に強磁性体を薄膜状に蒸着し、その薄膜４
に前記永久磁石により作用された方向に誘導磁気異方性
をもたせる。
イ８３Ｎｉ−１７Ｆｅ）を薄膜状に蒸着させる基板の両
側位置に、永久磁石ｌ、２を配置しく第１図）、後でス
トライプパターンを作成するＩＮＣ相とＺ相とに平行な
方向に磁界を作用させる。また後でストライプパターン
を作成するＡＢＳ相に相当する部分にマスク３でマスキ
ングする。マスク材としては、Ｍｏが熱膨張係数が小さ
いために適切である。この状態で、マスキングした部分
以外の基板上に強磁性体を薄膜状に蒸着し、その薄膜４
に前記永久磁石により作用された方向に誘導磁気異方性
をもたせる。
次に、前記マスク３を取り除き、永久磁石ｌ。
２はそのままにするか間隔のみを変え、前記の蒸着をし
た基板を９０°向きを変えて永久磁石１゜２間に配置す
る（第２図）、この状態ではＡＢＳ相のストライプパタ
ーンと平行に磁界が作用するまた前記蒸着をした、ＩＮ
Ｃ相とＺ相に相当する部分を前記同様にマスキングし、
ＡＢＳ相に相当する部分に強磁性体を蒸着して薄膜５を
作成した。
た基板を９０°向きを変えて永久磁石１゜２間に配置す
る（第２図）、この状態ではＡＢＳ相のストライプパタ
ーンと平行に磁界が作用するまた前記蒸着をした、ＩＮ
Ｃ相とＺ相に相当する部分を前記同様にマスキングし、
ＡＢＳ相に相当する部分に強磁性体を蒸着して薄膜５を
作成した。
前記２回の蒸着が終了した後、薄膜４．５における所定
の位置に、ＩＮＣ相６とＺ相７とＡＢＳ相８との各パタ
ーンを作成する（第３図）。
の位置に、ＩＮＣ相６とＺ相７とＡＢＳ相８との各パタ
ーンを作成する（第３図）。
なお、以上の実施例ではＡＢＳ相に相当する部分の蒸着
を後にしたが、先にしてもよいものである。また、磁界
を印化する方法として永久磁石に限るものではなく、コ
イルによる方法でも良い。
を後にしたが、先にしてもよいものである。また、磁界
を印化する方法として永久磁石に限るものではなく、コ
イルによる方法でも良い。
「発明の効果」
本発明の磁気抵抗素子あるいは本発明の製造方法による
磁気抵抗素子は、ＩＮＣ相とＺ相だけでなくＡＢＳ相に
も誘導磁気異方性が平行に作用するので、磁気抵抗素子
にヒステリシスが発生しにくく、かつ誘導磁気異方性が
垂直方向に作用する部分がないことから外部応力に強（
て、特性劣化を防止することができる。
磁気抵抗素子は、ＩＮＣ相とＺ相だけでなくＡＢＳ相に
も誘導磁気異方性が平行に作用するので、磁気抵抗素子
にヒステリシスが発生しにくく、かつ誘導磁気異方性が
垂直方向に作用する部分がないことから外部応力に強（
て、特性劣化を防止することができる。
第１図および第２図は本発明の磁気抵抗素子の製造工程
を示す説゛明図、第３図は蒸着して得た薄膜にＩＮＣ相
等のストライプパターンを形成した状態の平面図、第４
図は従来の磁気抵抗素子の製造方法を示す説明図である
。 ３：マスク ４：薄膜 ６：ＩＮＣ相 ７：Ｚ相 ８：ＡＢＳ相出願出願人
日立金属 株式会社
を示す説゛明図、第３図は蒸着して得た薄膜にＩＮＣ相
等のストライプパターンを形成した状態の平面図、第４
図は従来の磁気抵抗素子の製造方法を示す説明図である
。 ３：マスク ４：薄膜 ６：ＩＮＣ相 ７：Ｚ相 ８：ＡＢＳ相出願出願人
日立金属 株式会社
Claims (2)
- （１）磁気抵抗効果を有する強磁性体を薄膜状に蒸着さ
せて作成する磁気抵抗素子の製造方法において、ＩＮＣ
相とＺ相との部分への蒸着とＡＢＳ相の部分への蒸着と
を別個にするとともに、ＩＮＣ相とＺ相との部分に蒸着
するときには、ＡＢＳ相をマスキングしてＩＮＣ相とＺ
相とのストライプパターンと同方向の磁界を作用させ、
ＡＢＳ相の部分に蒸着させるときには、ＩＮＣ相とＺ相
との部分をマスキングしてＡＢＳ相のストライプパター
ンと同方向の磁界を作用させることを特徴とする磁気抵
抗素子の製造方法。 - （２）磁気抵抗効果を有する強磁性体を蒸着して得た薄
膜に、ＩＮＣ相と、Ｚ相とＡＢＳ相とのストライプパタ
ーンを設けた磁気抵抗素子において、ＩＮＣ相、Ｚ相、
ＡＢＳ相の各部分の磁界方向がそれぞれのストライプパ
ターンの方向と平行になっていることを特徴とする磁気
抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283724A JPH02130880A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283724A JPH02130880A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130880A true JPH02130880A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17669270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63283724A Pending JPH02130880A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02130880A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4865913A (en) * | 1987-03-13 | 1989-09-12 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thermal transfer ink sheet |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP63283724A patent/JPH02130880A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4865913A (en) * | 1987-03-13 | 1989-09-12 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thermal transfer ink sheet |
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