JPH02119241A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH02119241A JPH02119241A JP27343088A JP27343088A JPH02119241A JP H02119241 A JPH02119241 A JP H02119241A JP 27343088 A JP27343088 A JP 27343088A JP 27343088 A JP27343088 A JP 27343088A JP H02119241 A JPH02119241 A JP H02119241A
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- Japan
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- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuit device
- ball
- cells
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路装置に関するものである。
従来の技術
従来の半導体集積回路装置は、円板状の半導体ウェハー
面上に平面的に形成されていた。
面上に平面的に形成されていた。
発明が解決しようとする課題
以上のような従来の半導体集積回路装置では、平面的に
半導体回路を集積していたため、周辺部の基本セル間の
配線に比べて、内部の基本セル間の配線の配線密度が高
くなり、最悪の場合、未配線の問題が生じて配線をやり
直さなければならな(なり、半導体集積回路装置におけ
るボトルネックとなっていた。したがって半導体集積回
路の集積度をなかなか上げられなかった。
半導体回路を集積していたため、周辺部の基本セル間の
配線に比べて、内部の基本セル間の配線の配線密度が高
くなり、最悪の場合、未配線の問題が生じて配線をやり
直さなければならな(なり、半導体集積回路装置におけ
るボトルネックとなっていた。したがって半導体集積回
路の集積度をなかなか上げられなかった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、簡単な構
成で、半導体集積回路内部に配線が集中するのを防ぎ、
集積度の高い半導体集積回路装置を提供することを目的
としている。
成で、半導体集積回路内部に配線が集中するのを防ぎ、
集積度の高い半導体集積回路装置を提供することを目的
としている。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するため、複数の基本セルから
なるセル球殻を同心球状1′ニー配列形成するよう構成
した半導体集積回路装置である。
なるセル球殻を同心球状1′ニー配列形成するよう構成
した半導体集積回路装置である。
作用
本発明は上記した構成により、半導体集積回路内部に配
線が集中するのを防ぎ、集猜度の高い半導体集積回路装
置を構成することができる。
線が集中するのを防ぎ、集猜度の高い半導体集積回路装
置を構成することができる。
実施例
本発明の一実施例を第1図を用いて説明する。
まず第1図は本発明の一実施例における同心球状の半導
体集積回路装置の構造図である。図中、11は本発明に
おける半導体集積回路装置の外枠である。12は半導体
集積回路装置における球形の半導体基板である。13は
複数の基本セルからなる基本セル球殻を示す。第1図で
本発明における半導体集積回路装置では、基本セルが球
殻状に配列構成されているため、周辺部き、内部の区別
がなく、したがって従来の平面的な半導体基板上で構成
した半導体集積回路装置においてよ(起こる、半導体集
積回路装置内部と周辺部の配線混雑度のアンバランスが
起こらない。また各基本セル間の配線も、各基本セルが
球状に並んでいるため、様々な配線経路が考えられ、未
配線の問題も起こりにくい。
体集積回路装置の構造図である。図中、11は本発明に
おける半導体集積回路装置の外枠である。12は半導体
集積回路装置における球形の半導体基板である。13は
複数の基本セルからなる基本セル球殻を示す。第1図で
本発明における半導体集積回路装置では、基本セルが球
殻状に配列構成されているため、周辺部き、内部の区別
がなく、したがって従来の平面的な半導体基板上で構成
した半導体集積回路装置においてよ(起こる、半導体集
積回路装置内部と周辺部の配線混雑度のアンバランスが
起こらない。また各基本セル間の配線も、各基本セルが
球状に並んでいるため、様々な配線経路が考えられ、未
配線の問題も起こりにくい。
発明の効果
本発明によれば、半導体集積回路装置に配線が集中する
のを防ぎ、集積度の高い半導体集積回路装置を構成する
ことができる。
のを防ぎ、集積度の高い半導体集積回路装置を構成する
ことができる。
第1図は本発明の一実施例における同心球状の半導体集
積回路装置の構造図である。 11・・・・・・外枠、12・・・・・・球形の半導体
基板、13・・・・・・基本セル球殻。
積回路装置の構造図である。 11・・・・・・外枠、12・・・・・・球形の半導体
基板、13・・・・・・基本セル球殻。
Claims (1)
- 複数の基本セルからなるセル球殻を同心球状に配列形成
することを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27343088A JPH02119241A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27343088A JPH02119241A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02119241A true JPH02119241A (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=17527795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27343088A Pending JPH02119241A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02119241A (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6117772A (en) * | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Ball Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for blanket aluminum CVD on spherical integrated circuits |
WO2000062349A1 (en) * | 1999-04-09 | 2000-10-19 | Ball Semiconductor, Inc. | Heterostructure spherical shaped semiconductor device |
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US6444135B1 (en) | 2000-01-14 | 2002-09-03 | Ball Semiconductor, Inc. | Method to make gas permeable shell for MEMS devices with controlled porosity |
US6505409B2 (en) | 1999-05-31 | 2003-01-14 | Ball Semiconductor, Inc. | Inclinometer |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP27343088A patent/JPH02119241A/ja active Pending
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