JPH02117780A - セラミックス粒子分散金属被覆電極およびその製造法 - Google Patents
セラミックス粒子分散金属被覆電極およびその製造法Info
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- JPH02117780A JPH02117780A JP27175688A JP27175688A JPH02117780A JP H02117780 A JPH02117780 A JP H02117780A JP 27175688 A JP27175688 A JP 27175688A JP 27175688 A JP27175688 A JP 27175688A JP H02117780 A JPH02117780 A JP H02117780A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は1例えばスポット溶接電極材料、摺動電極材料
等に好適なセラミックス粒子分散金属被覆電極およびそ
の製造法に関する。
等に好適なセラミックス粒子分散金属被覆電極およびそ
の製造法に関する。
「従来の技術」
電気スポット溶接において、従来の電極チップ1cu−
Cr電極、 Cu−A11a3電極)で亜鉛メッキ鋼板
を溶接すると、溶接時に発生する熱により溶接した亜鉛
と電極母材の銅とが反応して、電極先端部分が母材より
融点の低い銅−亜鉛合金となるため。
Cr電極、 Cu−A11a3電極)で亜鉛メッキ鋼板
を溶接すると、溶接時に発生する熱により溶接した亜鉛
と電極母材の銅とが反応して、電極先端部分が母材より
融点の低い銅−亜鉛合金となるため。
先端形状が変化しやすくなり、電極寿命が普通鋼板を溶
接した場合よりも著しく短くなることが知られている。
接した場合よりも著しく短くなることが知られている。
また、亜鉛との反応を抑止する目的で電極チップ表面に
C01Ni、 Cr、TiNをコーティングした電極等
も提案されている(抵抗溶接委員会資料Rト337−8
61 、 Lかし、 Co、Ni、 (:rの比較的靭
性のある材料を被覆した電極の場合は、被覆層が短時間
に摩耗し、母材と亜鉛が反応する。一方、 TiNのよ
うな硬質の被覆層には亀裂が生じやすく、亜鉛が亀裂よ
り侵入して反応する。
C01Ni、 Cr、TiNをコーティングした電極等
も提案されている(抵抗溶接委員会資料Rト337−8
61 、 Lかし、 Co、Ni、 (:rの比較的靭
性のある材料を被覆した電極の場合は、被覆層が短時間
に摩耗し、母材と亜鉛が反応する。一方、 TiNのよ
うな硬質の被覆層には亀裂が生じやすく、亜鉛が亀裂よ
り侵入して反応する。
一二のように、亜鉛メッキ鋼板のスポット溶接において
は、電極母材と亜鉛とが容易に反応し、電極寿命は著し
く短くなっていた。また、コーティング電極にしても、
耐摩耗性が乏しかったり、亀裂等が生じやすいなどの問
題点があり、電極寿命も通常のCu−Cr電極の1〜2
倍程度にとどまっていた。
は、電極母材と亜鉛とが容易に反応し、電極寿命は著し
く短くなっていた。また、コーティング電極にしても、
耐摩耗性が乏しかったり、亀裂等が生じやすいなどの問
題点があり、電極寿命も通常のCu−Cr電極の1〜2
倍程度にとどまっていた。
[発明が解決しようとする課題J
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、スポット溶接電極、摺動電極等の
電極、特には亜鉛メッキ鋼板のスポット溶接電極に用い
たときに、電極寿命を飛躍的に高めることができるよう
にしたセラミックス粒子分散金属被覆電極およびその製
造法を提供することにある。
であり、その目的は、スポット溶接電極、摺動電極等の
電極、特には亜鉛メッキ鋼板のスポット溶接電極に用い
たときに、電極寿命を飛躍的に高めることができるよう
にしたセラミックス粒子分散金属被覆電極およびその製
造法を提供することにある。
[課題を解決するための手段」
上記目的を達成するため1本発明によるセラミックス粒
子分散金属被覆電極は、Co、Ni、 Fe。
子分散金属被覆電極は、Co、Ni、 Fe。
Mo、Nb、 Ti、 Ta、 W、 VおよびZ「か
ら選ばれた少なくとも一種以上からなる金属層中に、酸
化物、窒化物、炭化物および硼化物から選ばれた少なく
とも一種以上のセラミックス粒子が分散してなる被覆層
が、電極基材表面に形成されていることを特徴とする。
ら選ばれた少なくとも一種以上からなる金属層中に、酸
化物、窒化物、炭化物および硼化物から選ばれた少なく
とも一種以上のセラミックス粒子が分散してなる被覆層
が、電極基材表面に形成されていることを特徴とする。
また、本発明によるセラミックス粒子分散金属VL醪電
極の製造法は、酸化物、窒化物、炭化物および硼化物か
ら選ばれた少なくとも一種以上のセラミックス粒子を、
Go、 Ni、 Fe、 No、Nb、 Ti、Ta、
W、 Vおよび2「から選ばれた少なくとも一種以上
の金属のメッキ液中に分散させて、電極基材表面に電気
メッキまたは無電解メッキを施し、前記金属層中に前記
セラミック粒子が分散した被覆層を前記電極基材表面に
形成する工程と、前記被覆層が形成された前記電極基材
表面を熱処理して、前記被覆層中の金属と前記電極基材
中の金属とを相互拡散させた拡散層を形成する工程とを
含むことを特徴とする。
極の製造法は、酸化物、窒化物、炭化物および硼化物か
ら選ばれた少なくとも一種以上のセラミックス粒子を、
Go、 Ni、 Fe、 No、Nb、 Ti、Ta、
W、 Vおよび2「から選ばれた少なくとも一種以上
の金属のメッキ液中に分散させて、電極基材表面に電気
メッキまたは無電解メッキを施し、前記金属層中に前記
セラミック粒子が分散した被覆層を前記電極基材表面に
形成する工程と、前記被覆層が形成された前記電極基材
表面を熱処理して、前記被覆層中の金属と前記電極基材
中の金属とを相互拡散させた拡散層を形成する工程とを
含むことを特徴とする。
以下1本発明について好ましい態様を挙げながらより詳
細に説明する。
細に説明する。
電極基材としては、特に限定されないが、 Cuまたは
Cu合金が好ましく使用される。この中でも。
Cu合金が好ましく使用される。この中でも。
前記拡散層を形成する際の熱処理において硬度低下が少
ない材質が好ましく1例えばCu−Aln(in系。
ない材質が好ましく1例えばCu−Aln(in系。
Cu−TiB□系等の分散強化型Cu合金が好ましく使
用される。また、 Cu−Cr 、 Cu−Cr−Zr
、 Cu−Zr 、 Cu−Be、 Cu−Ti等の析
出硬化型Cu合金なども、後から時効処理などを行なえ
ば好ましく使用できる。
用される。また、 Cu−Cr 、 Cu−Cr−Zr
、 Cu−Zr 、 Cu−Be、 Cu−Ti等の析
出硬化型Cu合金なども、後から時効処理などを行なえ
ば好ましく使用できる。
被覆層の金属層としては、 Go、Ni、 Fe、 M
o。
o。
Nb、 Ti、 Ta、 W、 VおよびZrから選ば
れた少なくとも一種以上からなるものが使用される。こ
れらの金属は、電気メッキまたは無電解メッキが可能で
融点が高い、この中でも、特にCo、 Ni、 Crは
。
れた少なくとも一種以上からなるものが使用される。こ
れらの金属は、電気メッキまたは無電解メッキが可能で
融点が高い、この中でも、特にCo、 Ni、 Crは
。
電気メッキ法により短時間で所望の厚膜が形成できるの
で望ましい。
で望ましい。
被覆層の金属層中に分散させるセラミックス粒子として
は、酸化物、窒化物、炭化物および硼化物から選ばれた
少なくとも−#!以上のものが使用される。窒化物とし
てはTiN、 Tag、 ZrN、 NbN、Si2N
4などが挙げられ、fill化物としてはA1m0n、
Zr0t、 TjOt、 Yx03などが挙げられ、硼
化物トシテは丁jBx、 ZrBz、 TaBn、 N
bBg、 18.14oB、CrBなどが挙げられ、炭
化物としては肛、 TiC,VC,NbC,・MoxC
,MoCなどが挙げられる。この中でも、 TiN、Z
rN、 5isN4などの窒化物、Al*Os 、 Z
rO,、Ties。
は、酸化物、窒化物、炭化物および硼化物から選ばれた
少なくとも−#!以上のものが使用される。窒化物とし
てはTiN、 Tag、 ZrN、 NbN、Si2N
4などが挙げられ、fill化物としてはA1m0n、
Zr0t、 TjOt、 Yx03などが挙げられ、硼
化物トシテは丁jBx、 ZrBz、 TaBn、 N
bBg、 18.14oB、CrBなどが挙げられ、炭
化物としては肛、 TiC,VC,NbC,・MoxC
,MoCなどが挙げられる。この中でも、 TiN、Z
rN、 5isN4などの窒化物、Al*Os 、 Z
rO,、Ties。
Ylo、などの酸化物、TiBm、 ZrBa、MoB
などの硼化物、 Ticなとの炭化物が特に好ましい、
これらのセラミックス粒子は、高硬度、耐Zn性がよい
、比較的軽量、被覆層の金属と反応し難いなどの長所を
有している。
などの硼化物、 Ticなとの炭化物が特に好ましい、
これらのセラミックス粒子は、高硬度、耐Zn性がよい
、比較的軽量、被覆層の金属と反応し難いなどの長所を
有している。
セラミックス粒子の粒径は、o、 oos〜lOμm程
度か好ましく、0.01〜5μm程度がさらに好ましい
。
度か好ましく、0.01〜5μm程度がさらに好ましい
。
被覆層中に分散させるセラミックス粒子の総量は、被覆
層全体の0.1〜20体積%が適当であり。
層全体の0.1〜20体積%が適当であり。
0.2〜lO体積%がより好ましく、O,S〜5体積%
がさらに好ましい、上記範囲とすることにより。
がさらに好ましい、上記範囲とすることにより。
より優れた耐摩耗性、耐溶着性を付与することができる
。
。
金属層中にセラミックス粒子を分散させてなる被覆層の
厚みは、1〜300μmが適当であり、3〜50μmが
より好ましく、5〜50μmがさらに好ましい、上記範
囲とすることにより、電気抵抗や密着強度などからより
有利となる。
厚みは、1〜300μmが適当であり、3〜50μmが
より好ましく、5〜50μmがさらに好ましい、上記範
囲とすることにより、電気抵抗や密着強度などからより
有利となる。
また1本発明の好ましい態様においては、被覆層と電極
基材との界面に、被覆層中の金属と電極基材中の金属と
が相互拡散してなる拡散層が形成される。この拡散層の
厚みは、0.1〜20μmとされることが好ましい。
基材との界面に、被覆層中の金属と電極基材中の金属と
が相互拡散してなる拡散層が形成される。この拡散層の
厚みは、0.1〜20μmとされることが好ましい。
本発明の製造法においては、前記セラミックス粒子を前
記金属のメッキ液中に分散させて、電極基材表面に電気
メッキまたは無電解メッキを施し、金属層中にセラミッ
ク粒子が分散した被覆層を電極基材表面に形成する0例
えばセラミックス粒子を金属のメッキ液中に分散させ、
スターラ撹拌または空気撹拌等により攪拌しながら、陰
極電流密度2〜IOA/da” 、メッキ時間lO分か
ら2時間位で電気メッキすることにより、金属層中にセ
ラミックス粒子が分散した5〜200μm厚さの被覆層
を形成することができる。
記金属のメッキ液中に分散させて、電極基材表面に電気
メッキまたは無電解メッキを施し、金属層中にセラミッ
ク粒子が分散した被覆層を電極基材表面に形成する0例
えばセラミックス粒子を金属のメッキ液中に分散させ、
スターラ撹拌または空気撹拌等により攪拌しながら、陰
極電流密度2〜IOA/da” 、メッキ時間lO分か
ら2時間位で電気メッキすることにより、金属層中にセ
ラミックス粒子が分散した5〜200μm厚さの被覆層
を形成することができる。
さらに1本発明の好ましい態様において、被覆層と電極
基材との界面に、被覆層中の金属と電極基材中の金属と
が相互拡散してなる拡散層を形成するには、上記被覆層
を形成した後、熱処理を行なう、この熱処理は、650
〜900℃で30分〜2時間程度行なうことが好ましい
。
基材との界面に、被覆層中の金属と電極基材中の金属と
が相互拡散してなる拡散層を形成するには、上記被覆層
を形成した後、熱処理を行なう、この熱処理は、650
〜900℃で30分〜2時間程度行なうことが好ましい
。
本発明によるセラミックス粒子分散金属被覆電極は1例
えばスポット溶接電極、摺動電極などとして利用できる
が、特にスボ・ント溶接電極として好適であり、さらに
はZnメッキ鋼板のスポット溶接電極として好適である
。
えばスポット溶接電極、摺動電極などとして利用できる
が、特にスボ・ント溶接電極として好適であり、さらに
はZnメッキ鋼板のスポット溶接電極として好適である
。
「作用」
セラミックス粒子は、硬度や融点が高く、Znとの反応
性も少ない、したがって、被覆層中のセラミックス粒子
は、金属の摩耗や溶着を防ぎ、Znとの反応をおさえる
働きをする。一方、被覆層中の金属層は、被覆層に導電
性を付与すると共に、柔軟性に富むので被覆層に亀裂等
が発生することを防止する働きをする。このように、セ
ラミックス粒子と金属層が協同して、電極寿命を飛躍的
に高めることができる。
性も少ない、したがって、被覆層中のセラミックス粒子
は、金属の摩耗や溶着を防ぎ、Znとの反応をおさえる
働きをする。一方、被覆層中の金属層は、被覆層に導電
性を付与すると共に、柔軟性に富むので被覆層に亀裂等
が発生することを防止する働きをする。このように、セ
ラミックス粒子と金属層が協同して、電極寿命を飛躍的
に高めることができる。
また、本発明の好ましい態様において、被覆層と電極基
材との界面に、被覆層中の金属と電極基材中の金属とが
相互拡散してなる拡散層を形成した場合には、電極基材
と被覆層との密着性が良好となり、電極基材表面から被
覆層が剥落することがより確実に防止される。このため
、電極寿命をより一層高めることができる。
材との界面に、被覆層中の金属と電極基材中の金属とが
相互拡散してなる拡散層を形成した場合には、電極基材
と被覆層との密着性が良好となり、電極基材表面から被
覆層が剥落することがより確実に防止される。このため
、電極寿命をより一層高めることができる。
「実施例」
実施例l
Cu−2wt%A1□03分散強化型合金からなる電極
基材表面に、A1.01分分散電気Coメッキ施して約
lOμmの厚さの被覆層を形成した後、アルゴン雰囲気
中で700℃で1時間加熱して拡散処理を施し電極を作
成した。第1図はこの電極の拡大断面図である。すなわ
ち、この電極は、電極基材11表面に拡散層!2を介し
て被覆層I3が形成されている。破開13は、 Coか
らなる金属層13a中にAl−0sからなるセラミック
ス粒子13bが均一に分散してできている。また、拡散
層12は、金属層13aのCOと電極基材11のCu−
2wt%A1.Osとが相互に固溶した層からなり、厚
さは約1〜2μmであった。電極基材11の硬度(ビッ
カース硬度)は、H,l50kg/■■露であった。
基材表面に、A1.01分分散電気Coメッキ施して約
lOμmの厚さの被覆層を形成した後、アルゴン雰囲気
中で700℃で1時間加熱して拡散処理を施し電極を作
成した。第1図はこの電極の拡大断面図である。すなわ
ち、この電極は、電極基材11表面に拡散層!2を介し
て被覆層I3が形成されている。破開13は、 Coか
らなる金属層13a中にAl−0sからなるセラミック
ス粒子13bが均一に分散してできている。また、拡散
層12は、金属層13aのCOと電極基材11のCu−
2wt%A1.Osとが相互に固溶した層からなり、厚
さは約1〜2μmであった。電極基材11の硬度(ビッ
カース硬度)は、H,l50kg/■■露であった。
実施例2
Cu−2,6wt%Ties分散強化型合金からなる電
極基材表面に、 TiN分散電気Niメッキを施して約
20μmの厚さの被rfi層を形成した後、アルゴン雰
囲気中で700℃で1時間加熱して拡散処理を施し電極
を作成した。この電極は、電極基材表面に拡地層を介し
て被覆層が形成されている。被覆層は。
極基材表面に、 TiN分散電気Niメッキを施して約
20μmの厚さの被rfi層を形成した後、アルゴン雰
囲気中で700℃で1時間加熱して拡散処理を施し電極
を作成した。この電極は、電極基材表面に拡地層を介し
て被覆層が形成されている。被覆層は。
Ni層中にTiN粒子が均一に分散してできている。
拡散層は、Ni層と電極基材とが相互に固溶した層から
なり、厚さは約1〜2μmであった。電極基材の硬度(
ビッカース硬度)は、)1v145kg/lがであった
。
なり、厚さは約1〜2μmであった。電極基材の硬度(
ビッカース硬度)は、)1v145kg/lがであった
。
実施例3
Cu−2wt%A1.O,分散強化型合金からなる電極
基材表面に、^1203分散電気分散電気Coメッキ約
10umの厚さの被覆層を形成した後、アルゴン雰囲気
中で800℃で1時間加熱して拡散処理を施し電極を作
成した。この電極は、電極基材表面に拡散層を介して被
覆層が形成されている。被覆層は、Cr層中にA1.0
.粒子が均一に分散してできている。拡散層は、Cr層
と電極基材とが相互に固溶した層からなっていた。電極
基材の硬度(ビッカース硬度)は、 Hv150kg/
as”であった。
基材表面に、^1203分散電気分散電気Coメッキ約
10umの厚さの被覆層を形成した後、アルゴン雰囲気
中で800℃で1時間加熱して拡散処理を施し電極を作
成した。この電極は、電極基材表面に拡散層を介して被
覆層が形成されている。被覆層は、Cr層中にA1.0
.粒子が均一に分散してできている。拡散層は、Cr層
と電極基材とが相互に固溶した層からなっていた。電極
基材の硬度(ビッカース硬度)は、 Hv150kg/
as”であった。
実施例4
Cu−0,4wt%Cr−0,3wt%Z「析出強化型
合金からなる電極基材表面に、TiO*分散電気Goメ
ッキを施して約20umの厚さの被覆層を形成した後、
アルゴン雰囲気中で950℃で1時間加熱して拡散処理
を施し、水冷した後、再び450℃で2時間加熱して電
極を作成した。この電極は、電極基材表面に拡散層を介
して被覆層が形成されている。被覆層は、Co層中にT
ies粒子が均一に分散してできている。拡散層は、C
o層と電極基材とが相互に固溶した層からなり、厚さは
約2〜3μmであった。電極基材の硬度(ビッカース硬
度)は、Hv135kg/w+m”であった。
合金からなる電極基材表面に、TiO*分散電気Goメ
ッキを施して約20umの厚さの被覆層を形成した後、
アルゴン雰囲気中で950℃で1時間加熱して拡散処理
を施し、水冷した後、再び450℃で2時間加熱して電
極を作成した。この電極は、電極基材表面に拡散層を介
して被覆層が形成されている。被覆層は、Co層中にT
ies粒子が均一に分散してできている。拡散層は、C
o層と電極基材とが相互に固溶した層からなり、厚さは
約2〜3μmであった。電極基材の硬度(ビッカース硬
度)は、Hv135kg/w+m”であった。
実施例5
実施例1のA1□01分散電気GoメッキをZrO□分
散電気Coメッキに変えて同様にして電極を作成した。
散電気Coメッキに変えて同様にして電極を作成した。
実施例6
実施例2のTiN分散電気NiメッキをTiC分故分電
電気Niメッキえて同様にして電極を作成した。
電気Niメッキえて同様にして電極を作成した。
実施例7
実施例4のTiO□分散電気GoメッキをTiN分敢電
気C「メッキに変えて同様にして電極を作成した。
気C「メッキに変えて同様にして電極を作成した。
実施例8
実施例1のAIJs分散電分散電気CキメッキB−分散
電気Niメッキに変えて同様にして電極を作成した。
電気Niメッキに変えて同様にして電極を作成した。
実施例9
実施例!のAll0.分散電気CoメッキをCrB分散
電気Niメッキに変えて同様にして電極を作成した。
電気Niメッキに変えて同様にして電極を作成した。
実施例1〇
一実施例2のTtN分散電気NiメッキをMoB分散電
気Coメッキに変えて同様にして電極を作成した。
気Coメッキに変えて同様にして電極を作成した。
比較例l
Cu−0,6wt%Crからなる電極を作成した。
比較例2
Cu−2wt%A1ヨ0.からなる電極を作成した。
比較例3
Cu−1et%AItoz分散強化型合金からなる電極
基材表面に、電気COメッキを施して約lOμmの厚さ
のGo層を形成して電極を作成した。
基材表面に、電気COメッキを施して約lOμmの厚さ
のGo層を形成して電極を作成した。
比較例4
Cu−1wL%^1□03分散強化型合金からなる電極
基材表面に、電気Niメッキを施して約10umの厚さ
のNi層を形成して電極を作成した。
基材表面に、電気Niメッキを施して約10umの厚さ
のNi層を形成して電極を作成した。
試験例
これらの電極の寿命を調べるため、連続スポット溶接試
験を実施した。試験は、定置式の定格容量25KVAの
溶接機を用い、溶接電流10500A、加圧力250k
g 、溶接時間12サイクル、20打点/分で。
験を実施した。試験は、定置式の定格容量25KVAの
溶接機を用い、溶接電流10500A、加圧力250k
g 、溶接時間12サイクル、20打点/分で。
板厚08− の溶融亜鉛メッキ鋼板(両面メッキ、目
付量45g/■1−片面)と板厚0.8m腸の5PC2
8Gを20枚ずつの交互に溶接を行なった。電橋寿命は
、ナゲツト径が4Jt (t:板厚)以下になった最初
の打点数を電極寿命とした。テストピースは、δO打点
ごとに調べた。この結果を次表に示す。
付量45g/■1−片面)と板厚0.8m腸の5PC2
8Gを20枚ずつの交互に溶接を行なった。電橋寿命は
、ナゲツト径が4Jt (t:板厚)以下になった最初
の打点数を電極寿命とした。テストピースは、δO打点
ごとに調べた。この結果を次表に示す。
(以下、余白)
表(連続スポット溶接試験の結果)
[発明の効果]
以上説明したように1本発明によれば、被覆層中のセラ
ミックス粒子が、金属の摩耗や溶着を防ぎ、Znとの反
応をおさえる働きをし、被覆層中の金属層が、その柔軟
性により被覆層に亀裂等が発生することを防止するので
、これらが協同して電極寿命を飛躍的に高めることがで
きる。また、被覆層と電極基材との界面に拡散層を形成
することにより、被覆層と電極基材との密着性を向上さ
せて電極寿命をさらに高めることができる。そして、耐
亜鉛性、耐摩耗性、耐溶着性に優れているので、特にス
ポット溶接に対して好適であり、他への応用も可能であ
り、その実用的価値は多大である。
ミックス粒子が、金属の摩耗や溶着を防ぎ、Znとの反
応をおさえる働きをし、被覆層中の金属層が、その柔軟
性により被覆層に亀裂等が発生することを防止するので
、これらが協同して電極寿命を飛躍的に高めることがで
きる。また、被覆層と電極基材との界面に拡散層を形成
することにより、被覆層と電極基材との密着性を向上さ
せて電極寿命をさらに高めることができる。そして、耐
亜鉛性、耐摩耗性、耐溶着性に優れているので、特にス
ポット溶接に対して好適であり、他への応用も可能であ
り、その実用的価値は多大である。
第1図は本発明によるセラミックス粒子分散金属被覆電
極を模式的に示す部分断面図である。 図中、 11は電極基材、 12は拡散層、13は被覆
層、 13aは金属層、13bはセラミックス粒子であ
る。
極を模式的に示す部分断面図である。 図中、 11は電極基材、 12は拡散層、13は被覆
層、 13aは金属層、13bはセラミックス粒子であ
る。
Claims (12)
- (1)Co、Ni、Fe、Mo、Nb、Ti、Ta、W
、VおよびZrから選ばれた少なくとも一種以上からな
る金属層中に、酸化物、窒化物、炭化物および硼化物か
ら選ばれた少なくとも一種以上のセラミックス粒子が分
散してなる被覆層が、電極基材表面に形成されているこ
とを特徴とするセラミックス粒子分散金属被覆電極。 - (2)前記被覆層の厚みが1〜300μmである請求項
1記載のセラミックス粒子分散金属被覆電極。 - (3)前記被覆層と前記電極基材との界面に、前記被覆
層中の金属と前記電極基材中の金属とが相互拡散してな
る拡散層が形成されている請求項1または2記載のセラ
ミックス粒子分散金属被覆電極。 - (4)前記拡散層の厚みが0.1〜20μmである請求
項3記載のセラミックス粒子分散金属被覆電極。 - (5)前記被覆層中の金属層がCo、NiおよびCrか
ら選ばれた少なくとも一種からなる請求項1〜4のいず
れか1つに記載のセラミックス粒子分散金属被覆電極。 - (6)前記被覆層中に分散している前記セラミックス粒
子の総量が、前記被覆層全体の0.1〜20体積%であ
る請求項1〜5のいずれか1つに記載のセラミックス粒
子分散金属被覆電極。 - (7)前記被覆層中に分散している前記セラミックス粒
子の総量が、前記被覆層全体の0.2〜10体積%であ
る請求項6記載のセラミックス粒子分散金属被覆電極。 - (8)前記電極基材がCuまたはCu合金からなる請求
項1〜7のいずれか1つに記載のセラミックス粒子分散
金属被覆電極。 - (9)スポット溶接電極として用いる請求項1〜8のい
ずれか1つに記載のセラミックス粒子分散金属被覆電極
。 - (10)Znメッキ鋼板のスポット溶接電極として用い
る請求項9記載のセラミックス粒子分散金属被覆電極。 - (11)酸化物、窒化物、炭化物および硼化物から選ば
れた少なくとも一種以上のセラミックス粒子を、Co、
Ni、Fe、Mo、Ti、Ta、W、VおよびZrから
選ばれた少なくとも一種以上の金属のメッキ液中に分散
させて、電極基材表面に電気メッキまたは無電解メッキ
を施し、前記金属層中に前記セラミック粒子が分散した
被覆層を前記電極基材表面に形成する工程と、前記被覆
層が形成された前記電極基材表面を熱処理して、前記被
覆層中の金属と前記電極基材中の金属とを相互拡散させ
た拡散層を形成する工程とを含むことを特徴とするセラ
ミックス粒子分散金属被覆電極の製造法。 - (12)前記熱処理を650〜900℃で30分〜2時
間行なう請求項11記載のセラミックス粒子分散金属被
覆電極の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27175688A JPH02117780A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | セラミックス粒子分散金属被覆電極およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27175688A JPH02117780A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | セラミックス粒子分散金属被覆電極およびその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02117780A true JPH02117780A (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=17504401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27175688A Pending JPH02117780A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | セラミックス粒子分散金属被覆電極およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02117780A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006004073A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Nisshin Steel Co., Ltd. | スポット溶接用電極 |
JP2006015349A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Nisshin Steel Co Ltd | スポット溶接用電極 |
JP2006095549A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Nisshin Steel Co Ltd | Mg成分含有Zn系合金めっき鋼板スポット溶接用電極 |
JP2006102775A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Nippon Tungsten Co Ltd | スポット溶接用電極 |
JPWO2006057052A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2008-06-05 | 三菱電機株式会社 | 抵抗溶接用電極及び溶接抵抗電極製造方法、並びに抵抗溶接装置、抵抗溶接ライン |
EP2027964A1 (en) * | 2006-06-08 | 2009-02-25 | Nippon Tungsten Co., Ltd. | Electrode for spot welding |
CN104831151A (zh) * | 2015-05-09 | 2015-08-12 | 芜湖鼎瀚再制造技术有限公司 | 一种焊接用Co-Ti-Mo-W纳米焊层及其制备方法 |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP27175688A patent/JPH02117780A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006004073A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Nisshin Steel Co., Ltd. | スポット溶接用電極 |
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JP2006095549A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Nisshin Steel Co Ltd | Mg成分含有Zn系合金めっき鋼板スポット溶接用電極 |
JP4683890B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2011-05-18 | 日新製鋼株式会社 | Mg成分含有Zn系合金めっき鋼板スポット溶接用電極 |
JP2006102775A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Nippon Tungsten Co Ltd | スポット溶接用電極 |
JP4683896B2 (ja) * | 2004-10-05 | 2011-05-18 | 日本タングステン株式会社 | スポット溶接用電極 |
JPWO2006057052A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2008-06-05 | 三菱電機株式会社 | 抵抗溶接用電極及び溶接抵抗電極製造方法、並びに抵抗溶接装置、抵抗溶接ライン |
JP4575924B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2010-11-04 | 三菱電機株式会社 | 抵抗溶接用電極及び溶接抵抗電極製造方法、並びに抵抗溶接装置、抵抗溶接ライン |
EP2027964A1 (en) * | 2006-06-08 | 2009-02-25 | Nippon Tungsten Co., Ltd. | Electrode for spot welding |
EP2027964A4 (en) * | 2006-06-08 | 2010-04-28 | Nippon Tungsten | ELECTRODE FOR STITCH WELDING |
US8471169B2 (en) | 2006-06-08 | 2013-06-25 | Nippon Tungsten Co., Ltd. | Electrode for spot welding |
CN104831151A (zh) * | 2015-05-09 | 2015-08-12 | 芜湖鼎瀚再制造技术有限公司 | 一种焊接用Co-Ti-Mo-W纳米焊层及其制备方法 |
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