JPH02110842A - Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method - Google Patents
Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording methodInfo
- Publication number
- JPH02110842A JPH02110842A JP26350488A JP26350488A JPH02110842A JP H02110842 A JPH02110842 A JP H02110842A JP 26350488 A JP26350488 A JP 26350488A JP 26350488 A JP26350488 A JP 26350488A JP H02110842 A JPH02110842 A JP H02110842A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- recording medium
- group
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 16
- 229910021472 group 8 element Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 87
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 17
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 Group 3B elements Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017112 Fe—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 229910018654 Mn Ox Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行なう光磁気記録ディスク等の光磁気記録媒
体および光磁気記録媒体に光磁気記録を行なう光磁気記
録方法に関する。[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention relates to a magneto-optical recording medium such as a magneto-optical recording disk, which records and reproduces information using heat and light such as a laser beam, and a magneto-optical recording medium. The present invention relates to a magneto-optical recording method for performing magneto-optical recording.
〈従来の技術〉
光磁気記録媒体の記録層には、希土類元素−遷移金属の
非晶質磁性薄膜が用いられている。<Prior Art> A rare earth element-transition metal amorphous magnetic thin film is used in the recording layer of a magneto-optical recording medium.
希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ等、遷移金属と
しては、Ｆｅ、Ｃｏ等が好ましく用いられ、特に、Ｃ／
Ｎ比が高いことから、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏからなる記録層が提案されている。As rare earth elements, Gd, Tb, Dy, etc. are preferably used, as transition metals, Fe, Co, etc. are preferably used, and in particular, C/
Since the N ratio is high, GdDyFeCo, TbDyFe
A recording layer made of Co has been proposed.
例えば、特開昭６０−８３３０５号公報では、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｄｙ系においてＤｙの一部をＴｂまたはＧｄで置換
しており、その実施例には、（Ｆｅ＋＋Ｉ、Ｃｏｂ ）
７ａＴｂ６Ｇｄ＋ｅ （ただし、ｏ＜ｂ≦０．４）が
記載されている。 そして、その効果は、カー回転角の
増大によるＣ／Ｎ比の向上である。For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-83305, Fe-C
In the o-Dy system, a part of Dy is replaced with Tb or Gd, and examples thereof include (Fe++I, Cob)
7aTb6Gd+e (however, o<b≦0.4) is described. The effect is an improvement in the C/N ratio due to an increase in the Kerr rotation angle.
また、特開昭６０−９８５５号公報には、ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏが開示されており、その実施例には、ＣＯ３ａ、ｓ
Ｆ ｅ ａｅ、ｓＤ ｙ＋ｘ、ａＴ ｂ ９．２、ＣＯ
＋ 、ｏＦ ｅ ｇ２．５Ｄ ｙ！、７ Ｔ ｂ １０
．２が記載されている。 そして、その効果は、磁歪値
の減少とカー回転角の増大との相乗効果によるＳ／Ｎ比
の向上である。Furthermore, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-9855, TbDyFe
Examples include CO3a, s
F e ae, sD y+x, aT b 9.2, CO
+ , oF e g2.5D y! , 7 T b 10
．． 2 is listed. The effect is an improvement in the S/N ratio due to the synergistic effect of the decrease in the magnetostriction value and the increase in the Kerr rotation angle.
さらに、特開昭６０−１０７７５１号
公報の実施例には、（Ｄ ｙｏ、 Ｔ ｂ ｏ、 ｙ
）（Ｆ ８ ｏ、ｙ ＣＯｏ、ｓ ）。８、すなわち、
Ｄ Ｖ ｓ Ｔ ｂ １４Ｆ ｅ ｓａＣＯ２４が記載
されている。Furthermore, in the example of JP-A-60-107751, (D yo, T b o, y
) (F8o,yCOo,s). 8, i.e.
D V s T b 14F e saCO24 is described.
そして、その効果は、キューリー温度の低下とカー回転
角の増大によるＳ／Ｎ比の向上である。The effect is an improvement in the S/N ratio due to a decrease in the Curie temperature and an increase in the Kerr rotation angle.
さらにまた、特開昭６０−２３３８１０号公報には、比
較例として（Ｆ ｅ ｏ、ｓ ＣＯｏｌ）ｏ、ａ（Ｔｂ
ｏ、 Ｄ３１０．ｓ）。 および（Ｆ ｅ 。Furthermore, in JP-A-60-233810, (F e o, s COol) o, a (Tb
o, D310. s). and (F e .
ＣＯＯ，ｌ）０．７９ （Ｔ ｂ ｏ、ｓ Ｄ ３’
ｏ、ｓ）ｏ、ａ＋、すなわち、それぞれＦ ８ｔｚＣＯ
ａ Ｔ ｂ ＋ｏＤ ５’ ＋ｏおよびＦ ｅ ７１Ｃ
Ｏａ Ｔ ｂ ＋ｏ、ｓＤ ｙ＋ｏ、ｓが記載されてい
る。COO,l)0.79 (T b o,s D 3'
o, s) o, a+, i.e. F 8tzCO respectively
a T b +oD 5' +o and F e 71C
Oa T b +o, sD y+o, s are described.
これらの他、特開昭６０−９８６１１号公報、同５９−
２１７２４９号公報にもＴｂＤｙＦ３Ｃ０は開示されて
いるが、その効果としては、カー回転角の増大、飽和磁
化の向上、キュリー温度の低下等である。In addition to these, JP-A No. 60-98611, JP-A No. 59-
TbDyF3C0 is also disclosed in Japanese Patent No. 217249, and its effects include an increase in Kerr rotation angle, an improvement in saturation magnetization, and a decrease in Curie temperature.
しかし、上記公報に記載されている組成範囲では、Ｃ／
Ｎ比の向上が不十分であったり、情報記録・消去時に必
要とされる磁界強度が大きなものとなる。However, in the composition range described in the above publication, C/
The improvement in the N ratio may be insufficient, or the magnetic field strength required during information recording/erasing becomes large.
すなわち、光磁気記録媒体は、情報記録時および消去時
に外部から磁界が印加されるが、これらに必要な磁界強
度（以下、Ｈｅｘｔという）は、上記の各公報に記載さ
れているような組成のものでは、比較的大きな磁界、例
えば３０００ｅ以上必要であるため磁界発生装置が大型
化し、従って、光磁気記録媒体の記録・再生装置も大型
化してしまう。 また、上記組成の記録層では、情報消
去時に必要な磁界強度も当然高いものとなる。In other words, a magnetic field is externally applied to a magneto-optical recording medium when recording and erasing information, and the magnetic field strength (hereinafter referred to as "Hext") required for these is determined by the composition described in each of the above-mentioned publications. However, since a relatively large magnetic field, for example, 3000 e or more is required, the magnetic field generating device becomes large in size, and therefore the recording/reproducing device for the magneto-optical recording medium also becomes large. Furthermore, in the recording layer having the above composition, the magnetic field strength necessary for erasing information is naturally high.
また、近年、独立した消去過程を設けず情報の重ね書き
により消去を行なういわゆるオーバーライド法に対する
要求から、一定の強度の光を照射しながら変調された磁
界により記録を行なう磁界変調記録が注目されているが
、この場合、上記の各公報に記載の記録層では大きな印
加磁界強度を必要とするためにインダクタンスの大きな
コイルを用いる必要がある。 インダクタンスの大きな
コイルでは磁界反転時間を短くできないため、高速記録
が困難である。In addition, in recent years, magnetic field modulation recording, which performs recording using a modulated magnetic field while irradiating light with a constant intensity, has attracted attention due to the demand for the so-called override method, which erases information by overwriting information without providing an independent erasing process. However, in this case, since the recording layer described in each of the above-mentioned publications requires a large applied magnetic field strength, it is necessary to use a coil with a large inductance. High-speed recording is difficult because a coil with large inductance cannot shorten the magnetic field reversal time.
このため、本発明者等は、Ｔｂ、ＤｙおよびＣｏの原子
％で表わされる含有量が
２０．５≦Ｔｂ＋Ｄｙ≦３１．０
０．０８８≦Ｔｂ／（Ｔｂ＋Ｄｙ）≦０．２２６．０≦
Ｃｏ≦１５．０
であり、残部が実質的にＦｅである記録層を有する光磁
気記録媒体およびこの光磁気記録媒体を用いた高速記録
可能な磁界変調型光磁気記録方法を提案している（特願
昭６３−７７３９４号） この光磁気記録媒体は、Ｃ
／Ｎ比が高く、しかも、Ｈｅｘｔを低く押えることがで
きるものである。Therefore, the present inventors determined that the content expressed in atomic percent of Tb, Dy, and Co is 20.5≦Tb+Dy≦31.0 0.088≦Tb/(Tb+Dy)≦0.226.0≦
We have proposed a magneto-optical recording medium having a recording layer in which Co≦15.0 and the remainder is substantially Fe, and a magnetic field modulation type magneto-optical recording method that enables high-speed recording using this magneto-optical recording medium ( (Japanese Patent Application No. 63-77394) This magneto-optical recording medium is
/N ratio is high, and Hext can be kept low.
特願昭６３−７７３９４号に記載の光磁気記録媒体の記
録層はＨｅｘｔが小さいため、インダクタンスの小さな
コイルを用いることができ、高速記録が可能であるが、
さらに高速記録を行なうために、よりインダクタンスの
小さなコイルを用いる場合、コイルと記録層との距離を
近接させなければならない。Since the recording layer of the magneto-optical recording medium described in Japanese Patent Application No. 63-77394 has a small Hext, a coil with small inductance can be used and high-speed recording is possible.
Furthermore, when a coil with a smaller inductance is used to perform high-speed recording, the distance between the coil and the recording layer must be made close.
しかし、記録層を有する一対の基板を、記録層を内側に
して張り合せて構成される両面記録型の光磁気記録媒体
、あるいは、片面記録型であっても基板の記録層上に基
板と同程度の厚さの保護板を有する光磁気記録媒体では
、基板あるいは保護板の厚さのために、コイルと記録層
とを近接させることが困難である。 このため、よりイ
ンダクタンスの小さなコイルを用いる場合は、記録層上
に、例えば、有機系物質から構成される厚さ１〜１００
μｍの保護コートを設けた片面記録型の光磁気記録媒体
として用いることが好ましい。 しかし、このような保
護コートでは耐食性が十分とはいえない。However, a double-sided recording type magneto-optical recording medium is constructed by laminating a pair of substrates each having a recording layer with the recording layer on the inside, or even in a single-sided recording type, the recording layer is placed on the same substrate as the substrate. In a magneto-optical recording medium having a protective plate with a certain thickness, it is difficult to bring the coil and the recording layer close to each other due to the thickness of the substrate or the protective plate. For this reason, when using a coil with smaller inductance, for example, a coil with a thickness of 1 to 100 mm made of an organic material is coated on the recording layer.
It is preferable to use it as a single-sided recording type magneto-optical recording medium provided with a protective coat of μm. However, such a protective coat cannot be said to have sufficient corrosion resistance.
このため、本発明者等は、特願昭６３−７７３９４号に
記載の光磁気記録媒体の記録層に、４Ａ族元素、５Ａ族
元素、６Ａ族元素、８族元素、３Ｂ族元素、Ｃ，Ｓｔお
よびＰのうちから選ばれる少なくとも１種以上の元素を
、添加元素として添加した光磁気記録媒体を提案してい
る（特願昭６３−１４０７６４号） この光磁気記録
媒体は、上記添加元素の添加により記録層の耐食性を向
上させたものである。For this reason, the present inventors added a group 4A element, a group 5A element, a group 6A element, a group 8 element, a group 3B element, C, We have proposed a magneto-optical recording medium in which at least one element selected from St and P is added as an additive element (Japanese Patent Application No. 140764/1983). This addition improves the corrosion resistance of the recording layer.
また、本発明者等は、特願昭６３−７７３９４号および
特願昭６３−１４０７６４号に記載°の光磁気記録媒体
の記録層に、Ｇｅおよび／またはＳｒを添加元素として
添加した光磁気記録媒体を提案している（特願昭６３−
１４２４６２号） この光磁気記録媒体は、高温・高
湿下での保存後あるいは繰り返し再生後においても、記
録層の感度変化がきわめて小さいものである。In addition, the present inventors have developed a magneto-optical recording medium in which Ge and/or Sr are added as additive elements to the recording layer of the magneto-optical recording medium described in Japanese Patent Application No. 63-77394 and Japanese Patent Application No. 63-140764. We are proposing a medium (patent application 1986-
No. 142462) This magneto-optical recording medium exhibits extremely small changes in the sensitivity of the recording layer even after storage under high temperature and high humidity conditions or after repeated reproduction.
さらに、本発明者等は、特願昭６３−７７３９４号、特
願昭６３−１４０７６４号および特願昭６３−１４２４
６２号に記載の光磁気記録媒体の記録層に、Ｂｉ、Ｃｕ
、ＳｎおよびＰｂから選択される元素の１種以上を添加
元素として添加した光磁気記録媒体を提案している（特
願昭６３−１４３３３５号）。 この光磁気記録媒体は
、Ｃ／Ｎ比がさらに向上している。Furthermore, the present inventors have disclosed that
In the recording layer of the magneto-optical recording medium described in No. 62, Bi, Cu
has proposed a magneto-optical recording medium in which one or more elements selected from , Sn, and Pb are added as an additive element (Japanese Patent Application No. 143335/1982). This magneto-optical recording medium has a further improved C/N ratio.
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比に対する要求は厳し
く、さらに高いＣ／Ｎ比を有する光磁気記録媒体が求め
られている。<Problems to be Solved by the Invention> However, there are strict requirements for the C/N ratio of magneto-optical recording media, and a magneto-optical recording medium having an even higher C/N ratio is required.
本発明は、情報記録時および消去時に外部から印加され
る磁界の強度を低（押えることができ、しかもＣ／Ｎ比
がきわめて高い光磁気記録媒体およびこの光磁気記録媒
体を用いた高速記録可能な磁界変調型光磁気記録方法を
提供することを目的とする。The present invention provides a magneto-optical recording medium that can reduce the intensity of the magnetic field applied from the outside when recording and erasing information and has an extremely high C/N ratio, and a magneto-optical recording medium that enables high-speed recording using this magneto-optical recording medium. The purpose of the present invention is to provide a magnetic field modulation type magneto-optical recording method.
く課題を解決するための手段〉 このような目的は、下記の本発明により達成される。Means to solve problems〉 Such objects are achieved by the invention described below.
すなわち、本発明は、下記（１）〜（９）■ある。That is, the present invention has the following (1) to (9).
（１）Ｔｂ、ＤｙおよびＣｏの原子％で表わされる含有
量が
２０．５≦Ｔｂ＋Ｄｙ≦３１．０
０．０８８≦Ｔｂ／（Ｔｂ＋Ｄｙ）≦０．２２６．０≦
Ｃｏ≦１５．０
であり、残部が実質的にＦｅである記録層を基板上に有
し、前記基板と前記記録層との間に中間層を有する光磁
気記録媒体であって、前記中間層が、金属または半金属
の２種以上と、酸素および窒素とを含有することを特徴
とする光磁気記録媒体。(1) The content expressed in atomic percent of Tb, Dy and Co is 20.5≦Tb+Dy≦31.0 0.088≦Tb/(Tb+Dy)≦0.226.0≦
A magneto-optical recording medium having a recording layer on a substrate in which Co≦15.0 and the remainder being substantially Fe, and an intermediate layer between the substrate and the recording layer, wherein the intermediate layer 1. A magneto-optical recording medium characterized in that the medium contains two or more metals or metalloids, oxygen and nitrogen.
（２）前記金属または半金属が、ケイ素とアルミニウム
とである上記（１）に記載の光磁気記録媒体。(2) The magneto-optical recording medium according to (1) above, wherein the metal or metalloid is silicon and aluminum.
（３）前記中間層が、Ｙ、ランタノイド元素およびアク
チノイド元素から選ばれる１種以上の元素を含有する上
記（１）または（２）に記載の光磁気記録媒体。(3) The magneto-optical recording medium according to (1) or (2) above, wherein the intermediate layer contains one or more elements selected from Y, a lanthanide element, and an actinide element.
（４）上記（１）ないしく３）のいずれかに記載の光磁
気記録媒体の記録層に対し、４Ａ族元素、５Ａ族元素、
６Ａ族元素、８族元素、３Ｂ族元素、Ｃ，ＳｉおよびＰ
のうちから選ばれる少なくとも１種以上の元素を、添加
元素として添加したことを特徴とする光磁気記録媒体。(4) A group 4A element, a group 5A element,
Group 6A elements, Group 8 elements, Group 3B elements, C, Si and P
A magneto-optical recording medium characterized in that at least one element selected from among these is added as an additive element.
（５）前記４Ａ族元素がＴｉ、ＺｒおよびＨｆであり、
前記５Ａ族元素がＶ、ＮｂおよびＴａであり、前記６Ａ
族元素がＣｒ、ＭｏおよびＷであり、前記８族元素がＮ
ｉおよびＰｔであり、前記３Ｂ族元素がＢおよびＡβで
ある上記（４）に記載の光磁気記録媒体。(5) the Group 4A elements are Ti, Zr and Hf;
The 5A group elements are V, Nb and Ta, and the 6A
The group elements are Cr, Mo and W, and the group 8 element is N.
The magneto-optical recording medium according to (4) above, wherein the group 3B elements are B and Aβ.
（６）上記（１）ないしく５）のいずれかに記載の光磁
気記録媒体の記録層に対し、Ｇｅおよび／またはＳｒを
添加元素として添加したことを特徴とする光磁気記録媒
体。(6) A magneto-optical recording medium characterized in that Ge and/or Sr are added as additional elements to the recording layer of the magneto-optical recording medium according to any one of (1) to 5) above.
（７）上記（１）ないしく６）のいずれかに記載の光磁
気記録媒体の記録層に対し、Ｂｉ、Ｃｕ、ＳｎおよびＰ
ｂから選択される元素の１種以上を添加元素として添加
したことを特徴とする光磁気記録媒体。(7) For the recording layer of the magneto-optical recording medium according to any one of (1) to 6), Bi, Cu, Sn and
A magneto-optical recording medium characterized in that one or more of the elements selected from b. is added as an additive element.
（８）記録層中の前記添加元素の含有量の合計が、１〜
２０ａｔ％である上記（４）ないしく７）のいずれかに
記載の光磁気記録媒体。(8) The total content of the additive elements in the recording layer is 1 to
The magneto-optical recording medium according to any one of (4) to 7) above, wherein the content is 20 at%.
（９）上記（１）ないしく８）のいずれかに記載の光磁
気記録媒体に光磁気記録を行なう方法であって、光を照
射しながら、変調された磁界を印加することにより光磁
気記録を行なうことを特徴とする光磁気記録方法。(9) A method for performing magneto-optical recording on the magneto-optical recording medium according to any one of (1) to 8) above, wherein the magneto-optical recording is performed by applying a modulated magnetic field while irradiating light. A magneto-optical recording method characterized by performing the following.
以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。Hereinafter, the specific configuration of the present invention will be explained in detail.
第１図に、本発明の光磁気記録媒体の好適実施例を示す
。FIG. 1 shows a preferred embodiment of the magneto-optical recording medium of the present invention.
第１図に示される光磁気記録媒体１は、基板２上に保護
層３、中間層４、記録層５、保護層６、保護コート７を
順次有する。The magneto-optical recording medium 1 shown in FIG. 1 has a protective layer 3, an intermediate layer 4, a recording layer 5, a protective layer 6, and a protective coat 7 on a substrate 2 in this order.
中間層４は、カー回転角を増大させ、Ｃ／Ｎ比の向上の
ために設けられるものであり、本０発明では、２種以上
の金属または半金属と、酸素および窒素とを含有する。The intermediate layer 4 is provided to increase the Kerr rotation angle and improve the C/N ratio, and in the present invention contains two or more metals or metalloids, oxygen and nitrogen.
これらの元素を含有することにより、Ｃ／Ｎ比が向上し
、また、耐食性も向上する。By containing these elements, the C/N ratio is improved and the corrosion resistance is also improved.
このような２種以上の金属または半金属の対象となりつ
るものとしては、Ｓｉ、Ａβ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｂ、Ｙ、ラ
ンタノイド元素、アクチノイド元素等が挙げられる。Examples of such two or more metals or metalloids include Si, Aβ, Ti, Zn, B, Y, lanthanide elements, actinide elements, and the like.
これらのうち、Ｓｉおよび、４１２を必須元素として含
むことが好ましく、特に、ＳＬおよびＡＩ２に加え、Ｙ
、ランタノイド元素およびアクチノイド元素から選ばれ
る１種以上の元素を含有することが好ましい。Among these, it is preferable to include Si and 412 as essential elements, and in particular, in addition to SL and AI2, Y
, lanthanide elements, and actinide elements.
このような中間層において、ケイ素とアルミニウムは、
通常酸化物および窒化物の形で含有され、非晶質を形成
する。In such an intermediate layer, silicon and aluminum are
Usually contained in the form of oxides and nitrides, forming an amorphous substance.
また、イツトリウム、ランタノイド元素およびアクチノ
イド元素のうちから選ばれる１種以上の元素のうち、特
にイツトリウムおよびランタノイド元素のうちの１種類
以上が含有されるのが好ましい。Furthermore, among one or more elements selected from yttrium, lanthanide elements, and actinide elements, it is particularly preferable that one or more of yttrium and lanthanide elements be contained.
これらを含有することによって、記録感度やＣ／Ｎ比が
より良好なものになる。By containing these, recording sensitivity and C/N ratio become better.
そして、特にイツトリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、
セリウム（Ｃｅ） プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム
（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）およびユーロピウム（Ｅ
ｕ）からなる群から選ばれた元素の１種以上が含有され
ると、より一層好ましい結果が得られる。 このとき、
記録感度、Ｃ／Ｎ比等の記録、再生特性のみならず、耐
久性、耐食性等の面でもより良好な結果が得られるから
である。In particular, yttrium (Y), lanthanum (La),
Cerium (Ce) Praseodymium (Pr), Neodymium (Nd), Samarium (Sm) and Europium (E
When one or more elements selected from the group consisting of u) is contained, even more favorable results can be obtained. At this time,
This is because better results can be obtained not only in terms of recording and reproducing characteristics such as recording sensitivity and C/N ratio, but also in terms of durability, corrosion resistance, etc.
また、スパッタリングに用いるターゲットにこれらの元
素を含有させることにより緻密なターゲットが得られ、
その結果、ターゲットの冷却効率が向上し、スパッタリ
ング時の輻射熱が抑えられる。In addition, by including these elements in the target used for sputtering, a dense target can be obtained.
As a result, the cooling efficiency of the target is improved and radiant heat during sputtering is suppressed.
これら、イツトリウム、ランクメイド元素およびアクチ
ノイド元素のうちの１種以上（以下これらをＲとする）
は、保護層中にて上記非晶質と混合含有されるものであ
るが、元素単体あるいは化合物いずれの形で含有されて
もよい。One or more of these, yttrium, rank-maid elements, and actinide elements (hereinafter referred to as R)
is contained in a mixture with the amorphous substance in the protective layer, but it may be contained in the form of either a single element or a compound.
化合物として含有される場合は、通常酸化物の形で含有
されることが好ましい。When contained as a compound, it is usually preferably contained in the form of an oxide.
中間層中の上記化合物は、その組成において化学量論的
な組成比をはずれていてよい。The compounds in the intermediate layer may deviate from the stoichiometric ratio in their composition.
これらの元素と酸素および窒素とを含有することにより
、Ｃ／Ｎ比および耐食性が向上する他、中間層の光透過
率が向上して反射光量が増加するため、サーボ信号強度
が大きくなり、安定なサーボを行なうことができる。By containing these elements and oxygen and nitrogen, in addition to improving the C/N ratio and corrosion resistance, the light transmittance of the intermediate layer is improved and the amount of reflected light is increased, so the servo signal strength is increased and stable. It is possible to perform various servo operations.
なお、この場合、これらの元素の１種でも欠けたときに
は、このような効果は実現しない。In this case, if even one of these elements is missing, such an effect will not be achieved.
本発明において、中間層中のＳｉ＋Ｎの含有量は、好ま
しくは２０〜９５ａｔ％、より好ましくは２０〜８４ａ
ｔ％である。In the present invention, the content of Si+N in the intermediate layer is preferably 20 to 95 at%, more preferably 20 to 84 at%.
t%.
この値が上記範囲未満であると屈折率が低くなりエンハ
ンス効果が低下してしまう他、耐食性が低下する。If this value is less than the above range, the refractive index will be low and the enhancement effect will be reduced, as well as the corrosion resistance will be reduced.
この値が上記範囲を超えると膜応力が大きくなるため、
膜形成装置の使用回数が多くなると装置の真空槽内にダ
ストが生じ、中間層にピンホールが生じる。 また、光
透過率が低下するため反射率が低下してしまい、サーボ
信号強度が低（なり、安定なサーボを行なうことが困難
になる。If this value exceeds the above range, the membrane stress will increase, so
When the film forming apparatus is used many times, dust is generated in the vacuum chamber of the apparatus, and pinholes are formed in the intermediate layer. Furthermore, since the light transmittance decreases, the reflectance decreases, and the servo signal strength becomes low, making it difficult to perform stable servo.
また、Ｓｉ＋Ｎは２０〜６５ａｔ％であると光透過率の
点でより好ましい。Moreover, it is more preferable that Si+N is 20 to 65 at% from the viewpoint of light transmittance.
ＳＬの含有量は、５〜４５ａｔ％であることが好ましい
。The content of SL is preferably 5 to 45 at%.
Ａｆｆの含有量は、１〜３３ａｔ％であることが好まし
い。 このとき膜質は安定かつ緻密となり耐食性が向上
する。The content of Aff is preferably 1 to 33 at%. At this time, the film quality becomes stable and dense, and corrosion resistance improves.
Ｒの含有量は、０．１〜３５ａｔ％であることが好まし
い。 ０．１ ａｔ％未満であると上記のような効果が
実現せず、３５ａｔ％を超えると耐食性が低下してしま
う。The content of R is preferably 0.1 to 35 at%. If it is less than 0.1 at%, the above effects will not be achieved, and if it exceeds 35 at%, corrosion resistance will deteriorate.
なお、保護層中の各元素の含有量は、オージェ、ＥＳＣ
Ａ、ＳＩＭＳ等によって測定すればよい。The content of each element in the protective layer is Auger, ESC
A. It may be measured by SIMS or the like.
これら各元素のさらに好ましい含有量の組み合わせを、
下記（１）および（２）に示す。A more preferable combination of contents of each of these elements,
This is shown in (1) and (2) below.
（１）Ｓｉ＋Ｎの含有量は２０〜９５ａｔ％、好ましく
は２０〜８４ａｔ％、さらに好ましくは２０〜６５ａｔ
％である。(1) The content of Si+N is 20 to 95 at%, preferably 20 to 84 at%, more preferably 20 to 65 at%
%.
Ｓｉの含有量は５〜４５ａｔ％、より好ましくは５〜３
８ａｔ、％である。The content of Si is 5 to 45 at%, more preferably 5 to 3
8at.%.
Ａｆｌの含有量は１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜
１ｏａｔ％である。The content of Afl is 1 to 20 at%, more preferably 2 to 20 at%.
It is 1oat%.
Ｒの含有量は、２〜３５ａｔ％、より好ましくは６〜３
５ａｔ％である。The content of R is 2 to 35 at%, more preferably 6 to 3
It is 5at%.
（２）Ｓｉ＋Ｎの含有量は２０〜９０ａｔ％、好ましく
は２０〜８４ａｔ％、さらに好ましくは２０〜６５ａｔ
％である。(2) The content of Si+N is 20 to 90 at%, preferably 20 to 84 at%, more preferably 20 to 65 at%
%.
Ｓｉの含有量は８〜４０ａｔ％、より好ましくは８〜３
６ａｔ％である。The content of Si is 8 to 40 at%, more preferably 8 to 3
It is 6at%.
Ａｊ２の含有量は３〜３３ａｔ％、より好ましくは３〜
２５ａｔ％である。The content of Aj2 is 3 to 33 at%, more preferably 3 to 33 at%.
It is 25at%.
Ｒの含有量は、０．１〜２ａｔ％、より好ましくは０．
１ａｔ％以上２ａｔ％未満、さらに好ましくは０．２〜
１．９ａｔ％である。The content of R is 0.1 to 2 at%, more preferably 0.
1 at% or more and less than 2 at%, more preferably 0.2 to
It is 1.9at%.
なお、このような中間層材質を、後述する記録層の上（
基板反対側）に保護層として設けて、前記中間層４と併
用することもできる。Note that such an intermediate layer material is used on the recording layer (described later).
It can also be provided as a protective layer on the opposite side of the substrate and used in combination with the intermediate layer 4.
併用する場合には、これら中間層と保護層の組成はそれ
ぞれ同一であっても、また本発明の所定の範囲内でそれ
ぞれ異なった組成としてもよい。When used together, the compositions of the intermediate layer and the protective layer may be the same or different within the prescribed range of the present invention.
このような中間層は、各種気相成膜法、例えば、２種以
上の異なる組成からなるターゲットを用いた多元スパッ
タ法あるいは酸素を用いる反応性スパッタ法等のスパッ
タ法、蒸着法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶ
Ｄ、光ＣＶＤ等によって形成される。Such an intermediate layer can be formed by various vapor phase deposition methods, for example, sputtering methods such as multi-source sputtering method using targets with two or more different compositions or reactive sputtering method using oxygen, vapor deposition method, and ion blating method. law, plasma CV
D. Formed by photo-CVD or the like.
そして、特に、上記各元素を含有する焼結体をターゲッ
トとして用いるスパッタ法あるいは複数のターゲットを
用いる多元スパッタ法を用いることが好ましい。In particular, it is preferable to use a sputtering method using a sintered body containing each of the above elements as a target or a multi-source sputtering method using a plurality of targets.
そして、このような中間層の厚さは、３０〜３００ｎｍ
、特に５０〜２００ｎｍとすることが好ましい。The thickness of such an intermediate layer is 30 to 300 nm.
, particularly preferably from 50 to 200 nm.
さらに、膜厚をλ／４ｎ（λは使用レーザー波長、ｎは
中間層の屈折率）に設定したとき、エンハンス効果の点
で、より好ましい結果を得る。Furthermore, when the film thickness is set to λ/4n (λ is the wavelength of the laser used and n is the refractive index of the intermediate layer), more favorable results are obtained in terms of the enhancement effect.
また、中間層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在す
るＡｒ、Ｎ＊等が入ってもよい。Furthermore, Ar, N*, etc. present in the film forming atmosphere may be included as impurities in the intermediate layer.
その他、Ｆｅ２０ｓ 、ＣｕＯ１ＣｒｚＯａ、Ｍ ｎ
Ｏｘ ％Ｃｏ ０１Ｎｉｐ、Ａｓ５ｅｓ等が全体の１．
０ｗｔ％程度以下含有されてもよい。Others: Fe20s, CuO1CrzOa, Mn
Ox %Co 01Nip, As5es, etc. are 1.
It may be contained in an amount of about 0 wt% or less.
保護層３および保護層６は、記録層５の耐食性向上のた
めに設けられるものであり、これらは少なくとも一方、
好ましくは両方が設けられることが好ましい。 これら
保護層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物あるい
はこれらの混合物からなる無機薄膜から構成されること
が好ましい。 また、前述したように、上記の中間層材
質で形成してもよい。 保護層の層厚は３０〜３００ｎ
ｍ程度であることが耐食性向上の点から好ましい。The protective layer 3 and the protective layer 6 are provided to improve the corrosion resistance of the recording layer 5, and at least one of them is
Preferably both are provided. These protective layers are preferably composed of inorganic thin films made of various oxides, carbides, nitrides, sulfides, or mixtures thereof. Further, as described above, the intermediate layer may be formed of the above-mentioned materials. The thickness of the protective layer is 30-300n
From the viewpoint of improving corrosion resistance, it is preferable that the thickness is about m.
このような保護層は、スパッタ法等の各種気相成膜法等
によって形成されることが好ましい。Such a protective layer is preferably formed by various vapor phase deposition methods such as sputtering.
本発明において、記録層５は、上記組成を有する。In the present invention, the recording layer 5 has the above composition.
Ｔｂ、 ＤｙおよびＣｏの組成範囲を上記のように限定
した理由は、以下のとおりである。The reason why the composition ranges of Tb, Dy and Co are limited as described above is as follows.
Ｔｂ＋Ｄｙが上記範囲未満であると、磁場感度が低下し
てＨｅｘｔが３０００ｅ程度以上必要となり、また、Ｈ
ｃが低下し、Ｃ／Ｎ比の低下を招く。If Tb+Dy is less than the above range, the magnetic field sensitivity will decrease and Hext will need to be about 3000e or more, and H
c decreases, leading to a decrease in the C/N ratio.
Ｔｂ＋Ｄｙが上記範囲を超えると、磁場感度が低下して
Ｈｅｘｔが３０００ｅ程度以上必要となり、また、Ｈｃ
が低下し、Ｃ／Ｎ比の低下を招く他、信頼性が低下する
。When Tb+Dy exceeds the above range, magnetic field sensitivity decreases, Hext needs to be about 3000e or more, and Hc
This causes a decrease in the C/N ratio and also decreases reliability.
Ｔｂ／ （Ｔｂ＋Ｄｙ）が上記範囲未満であると、Ｈｅ
ｘｔが３０００ｅ程度以上となり、また、キュリー点が
低下して熱安定性が低下する。When Tb/(Tb+Dy) is less than the above range, He
xt becomes approximately 3000e or more, and the Curie point decreases, resulting in a decrease in thermal stability.
ｒｂ／（Ｔｂ＋Ｄｙ）が上記範囲を超えると、Ｈｅｘｔ
が３０００ｅ程度以上となる。When rb/(Tb+Dy) exceeds the above range, Hext
is about 3000e or more.
なお、２．５≦Ｔｂ≦５．０かつ１８．０≦Ｄｙ≦２６
．０であると、さらに良好な特性を得ることができ、特
にＨｅｘｔが低下する。In addition, 2.5≦Tb≦5.0 and 18.0≦Dy≦26
．． When it is 0, even better characteristics can be obtained, and especially Hext is reduced.
ｃｏが上記範囲未満であると、記録層の耐食性が不十分
となり信頼性が低下する。 また、キュリー点が低下し
、熱安定性が低くなる。If co is less than the above range, the corrosion resistance of the recording layer will be insufficient and reliability will decrease. In addition, the Curie point is lowered and the thermal stability is lowered.
ｃｏが上記範囲を超えると、Ｃ／Ｎ比が低下し、Ｈｅｘ
ｔも増大してしまう。When co exceeds the above range, the C/N ratio decreases and Hex
t also increases.
そして、これらの元素を除いた残部が、実質的にＦｅと
される。The remainder after removing these elements is substantially Fe.
本発明では、このような構成の記録層に、下記Ｘ群、Ｙ
群および２群から選択される元素が、少なくとも１種以
上添加されていてもよい。In the present invention, the following X group and Y group are added to the recording layer having such a configuration.
At least one element selected from Group 2 and Group 2 may be added.
Ｘ群；４Ａ族元素、５Ａ族元素、６Ａ族元素、８族元素
、３Ｂ族元素、Ｃ，ＳｉおよびＰのうちから選ばれる少
なくとも１種以上の元素。Group X: at least one element selected from Group 4A elements, Group 5A elements, Group 6A elements, Group 8 elements, Group 3B elements, C, Si, and P.
なお、この場合、４Ａ族元素としてはＴｉ、Ｚｒおよび
Ｈｆが、５Ａ族元素としてはＶ、ＮｂおよびＴａが、６
Ａ族元素としてはＣｒ、ＭｏおよびＷが、８族元素とし
てはＮｉおよびＰｔが、３Ｂ族元素としてはＢおよびＡ
Ｊ２が好ましい。In this case, the 4A group elements are Ti, Zr and Hf, the 5A group elements are V, Nb and Ta, and the 6A group elements are V, Nb and Ta.
Group A elements include Cr, Mo, and W, Group 8 elements include Ni and Pt, and Group 3B elements include B and A.
J2 is preferred.
Ｙ群二Ｇｅおよび／またはＳ ｒ 。Y group 2 Ge and/or Sr.
２群：Ｂｉ、Ｃｕ、ＳｎおよびＰｂから選択される元素
の１種以上。Group 2: one or more elements selected from Bi, Cu, Sn, and Pb.
上記Ｘ群を添加することにより、記録層の耐食性が向上
する。By adding the above group X, the corrosion resistance of the recording layer is improved.
上記Ｙ群を添加することにより、記録層の非晶質状態が
安定化するという効果が実現する。By adding the above Y group, the effect of stabilizing the amorphous state of the recording layer is realized.
すなわち、高温・高温状態下で保存された場合に生じる
記録層の感度変化（アニール効果）が防止される。 ま
た、繰り返し再生による記録層の感度変化も防止される
。 なお、上記Ｘ群のうち、Ｂおよび／またはＳｉの添
加によっても、この効果は実現する。In other words, changes in sensitivity of the recording layer (annealing effect) that occur when the recording layer is stored at high temperatures and under high temperature conditions are prevented. Furthermore, changes in sensitivity of the recording layer due to repeated reproduction are also prevented. Note that this effect can also be achieved by adding B and/or Si among the above-mentioned group X.
上記２群を添加することにより、カー回転角が増大し、
Ｃ／Ｎ比が向上する。 なお、上記Ｘ群のうち、Ｃｒお
よび／またはＮｉの添加によっても、この効果は実現す
る。By adding the above two groups, the Kerr rotation angle increases,
C/N ratio improves. Note that this effect can also be achieved by adding Cr and/or Ni among the above-mentioned group X.
これら添加元素の記録層中における含有量比、すなわち
、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｏ、Ｆｅおよび添加元素の含有量の合
計に対する添加元素の含有量の比率は、１〜２０ａｔ％
、特に２〜１０ａｔ％であることが好ましい。 含有量
がこの範囲であると、上記各効果はきわめて高いものと
なる。The content ratio of these additive elements in the recording layer, that is, the ratio of the content of the additive element to the total content of Tb, Dy, Go, Fe, and the additive element is 1 to 20 at%.
, particularly preferably 2 to 10 at%. When the content is within this range, each of the above effects will be extremely high.
このような記録層５は、気相成膜法、特にスパッタ法に
より設層されることが好ましく、通常、非晶質状態であ
る。Such a recording layer 5 is preferably formed by a vapor phase deposition method, particularly a sputtering method, and is usually in an amorphous state.
また、記録層５の層厚は、通常、ｌＯ〜１１０００ｎ程
度である。Further, the thickness of the recording layer 5 is usually about 10 to 11,000 nm.
基板２は、ガラスあるいは樹脂製、特にアクリル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン
樹脂等から構成されることが好ましく、記録光および再
生光に対して透明なものである。 また、その厚さは通
常０．５〜３ｍｍ程度とされ、外形形状は、ディスク状
あるいはその他目的に応じて選定される。The substrate 2 is made of glass or resin, especially acrylic resin,
It is preferably made of polycarbonate resin, epoxy resin, polyolefin resin, etc., and is transparent to recording light and reproduction light. Further, the thickness thereof is usually about 0.5 to 3 mm, and the external shape is selected to be disc-shaped or other depending on the purpose.
保護コート７は耐食性の向上のために設けられるもので
あり、種々の有機系の物質から構成されることが好まし
いが、特に、電子線、紫外線等の放射線により硬化可能
なアクリル系二重結合を有する放射線硬化型化合物を、
放射線硬化させた物質から構成されることが好ましい。The protective coat 7 is provided to improve corrosion resistance, and is preferably made of various organic substances, but in particular, it is made of acrylic double bonds that can be cured by radiation such as electron beams and ultraviolet rays. A radiation-curable compound having
Preferably, it is constructed from radiation-cured material.
また、保護コート７の厚さは、通常、１〜１００μｍ程
度とすることが好ましい。Moreover, it is preferable that the thickness of the protective coat 7 is usually about 1 to 100 μm.
これらの各層から構成される光磁気記録媒体ｌは、記録
層５を内側にして２組の光磁気記録媒体１が接着されて
両面記録型の媒体とすることができ、また、保護コート
７上に保護板を接着して片面記録型の媒体とすることが
できる。The magneto-optical recording medium 1 composed of these layers can be made into a double-sided recording medium by bonding two sets of magneto-optical recording media 1 with the recording layer 5 on the inside. A protective plate can be attached to the media to create a single-sided recording medium.
しかし、磁気ヘッドと媒体との距離を小さ（することが
でき高速記録が可能であることから、保護板を設けない
構成の片面記録型の媒体とすることが好ましい。However, since the distance between the magnetic head and the medium can be kept small and high-speed recording is possible, it is preferable to use a single-sided recording type medium without a protective plate.
なお、保護板を設ける場合、保護板としては、通常、基
板２と同質のものを用いればよいが、透明である必要は
なく、その他の材質も用いることができる。 また、接
着は、公知のいずれの接着剤を用いてもよく、例えばホ
ットメルト系接着剤、熱硬化性接着剤、嫌気性接着剤等
である。In addition, when a protective plate is provided, it is usually sufficient to use the same material as the substrate 2, but it does not have to be transparent, and other materials can also be used. Further, any known adhesive may be used for adhesion, such as a hot melt adhesive, a thermosetting adhesive, an anaerobic adhesive, etc.
次に、上記の本発明の光磁気記録媒体を用いた本発明の
光磁気記録方法について説明する。Next, the magneto-optical recording method of the present invention using the magneto-optical recording medium of the present invention described above will be explained.
本発明の光磁気記録方法は、光を照射しながら変調され
た磁界を印加することにより記録を行なう磁界変調型の
記録方法である。The magneto-optical recording method of the present invention is a magnetic field modulation type recording method in which recording is performed by applying a modulated magnetic field while irradiating light.
通常、磁界は基板の記録層設層面側から印加される。
本発明では、磁界印加用の磁気ヘッドは、通常の非接触
型の磁気ヘッドあるいは空気浮上型の浮上型ヘッドのい
ずれを用いてもよいが、磁気ヘッドと媒体との距離を小
さ（することができ高速記録が可能であることから、浮
上型磁気ヘッドを用いることが好ましい。Usually, the magnetic field is applied from the side of the substrate on which the recording layer is provided.
In the present invention, the magnetic head for applying a magnetic field may be either a normal non-contact type magnetic head or an air floating type floating head, but it is possible to reduce the distance between the magnetic head and the medium. It is preferable to use a floating magnetic head because it enables high-speed recording.
なお、磁気ヘッドと記録層との距離は、通常の非接触型
のヘッドで０．５ｍｍ程度、浮上型ヘッドで５〜２０μ
ｍ程度であるため、本発明では、通常、保護板を設けな
い構成の片面記録型の媒体を用いる。The distance between the magnetic head and the recording layer is approximately 0.5 mm for a normal non-contact type head, and 5 to 20 μm for a floating type head.
Therefore, in the present invention, a single-sided recording medium without a protective plate is usually used.
本発明では、媒体の記録層面での磁界強度は、３０００
ｅ以下、好ましくは２５００ｅ以下、さらに好ましくは
２０００ｅ以下であることが好ましい。In the present invention, the magnetic field strength on the recording layer surface of the medium is 3000
It is preferably less than e, preferably less than 2500e, more preferably less than 2000e.
磁界強度をこの範囲とすることにより、インダクタンス
の小さいコイルを用いることができる。 そのため、磁
界反転時間を短くすることができ、例えば５ＭＨｚ以上
の高速記録が可能となる。By setting the magnetic field strength within this range, a coil with small inductance can be used. Therefore, the magnetic field reversal time can be shortened, and high-speed recording of, for example, 5 MHz or more is possible.
光は、通常、磁界と反対側から照射される。Light is typically emitted from the opposite side of the magnetic field.
記録パワーは、通常、１〜１０ｍＷ程度、記録層面での
光のスポット径は、通常、０．５〜３μｍ程度である。The recording power is usually about 1 to 10 mW, and the spot diameter of the light on the surface of the recording layer is usually about 0.5 to 3 μm.
〈実施例〉
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。<Example> Hereinafter, the present invention will be explained in further detail by giving specific examples of the present invention.
［実施例１］
直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系
の光デイスクグレードポリカーボネート樹脂からなる基
板２上に、ガラス製の保護層３を高周波マグネトロンス
パッタにより４０ｎｍの層厚に設層し、この保護層３上
に、下記表１に示される種々の組成を有する中間層４を
スパッタ法、場合により多元スパッタ法により設層した
。 なお、組成は、オージェ分光分析にて測定した。
また、膜厚は、各サンプルについて全てえ／４で算出し
たエンハンスの最適膜厚（８０〜１５０ｎｍ）とした。[Example 1] On a substrate 2 made of bisphenol A-based optical disk grade polycarbonate resin with a diameter of 130 mm and a thickness of 1.2 mm, a protective layer 3 made of glass was deposited to a layer thickness of 40 nm by high-frequency magnetron sputtering. On this protective layer 3, an intermediate layer 4 having various compositions shown in Table 1 below was formed by a sputtering method, and in some cases a multi-source sputtering method. Note that the composition was measured by Auger spectroscopy.
Further, the film thickness was the optimum film thickness for enhancement (80 to 150 nm) calculated using E/4 for each sample.
次に、中間Ｎ４上に、下記表２に示される組成の記録層
５を、スパッタにより層厚８０ｎｍに設層した。 なお
、Ｔｂ、Ｄ、ｙおよびＣｏの含有量比（ａｔ％）は、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、ＣｏおよびＦｅの含有量の合計を１００とし
たときの値である。 また、添加元素の含有量比（ａｔ
％）は、Ｔｂ％Ｄｙ、ｃｏ、Ｆｅおよび添加元素の含有
量の合計を１００としたときの値である。Next, a recording layer 5 having a composition shown in Table 2 below was formed on the intermediate layer N4 by sputtering to a thickness of 80 nm. Note that the content ratio (at%) of Tb, D, y, and Co is T
This is the value when the total content of b, Dy, Co and Fe is set to 100. In addition, the content ratio (at
%) is a value when the total content of Tb%Dy, co, Fe and additional elements is set to 100.
さらに、記録層５上に、保護層３と同組成の保護層６を
高周波マグネトロンスパッタにより層厚１１００ｎに設
層し、この保護層６上に、保護コート７を設層した。
なお、保護コート７は、多官能オリゴエステルアクリレ
ートと光増感剤とを含む塗布組成物をスピンナーコート
により保護層６上に塗布し、その後、紫外線を１５秒間
照射して架橋硬化させることにより設層した。 保護コ
ート７の厚さは５μｍとした。Further, a protective layer 6 having the same composition as the protective layer 3 was formed on the recording layer 5 to a thickness of 1100 nm by high-frequency magnetron sputtering, and a protective coat 7 was formed on this protective layer 6.
The protective coat 7 is formed by applying a coating composition containing a polyfunctional oligoester acrylate and a photosensitizer onto the protective layer 6 using a spinner coat, and then cross-linking and curing it by irradiating it with ultraviolet rays for 15 seconds. Layered. The thickness of the protective coat 7 was 5 μm.
このようにして、各種組成の中間層および記録層を有す
る光磁気記録媒体サンプルを得た。In this way, magneto-optical recording medium samples having intermediate layers and recording layers of various compositions were obtained.
なお、サンプルＮｏ、９は、中間層４を設層しない比較
サンプルとした。Note that sample No. 9 was a comparative sample in which the intermediate layer 4 was not provided.
上記サンプルに対し、下記の測定を行なった。The following measurements were performed on the above sample.
（１）Ｃ／Ｎ比
線速４．Ｏｍ／ｓｅｃ
周波数］、 Ｍ Ｈｚ
記録パワー（８３０ｎｍ）２．０〜６．０ｍＷ再生パワ
ー（８３０ｎｍ）１．０ｍＷ
ＲＢ Ｗ ３０ ｋ Ｈｚ
Ｖ Ｂ Ｗ １００ Ｈｚ
にて測定した。 なお、記録時の磁界強度は、３０００
ｅとした。(1) C/N ratio linear velocity 4. Om/sec frequency], MHz recording power (830 nm) 2.0 to 6.0 mW reproducing power (830 nm) 1.0 mW RB W 30 kHz V B W 100 Hz. The magnetic field strength during recording was 3000
It was set as e.
（２）反射率
平坦部での波長８３０ｎｍに対する反射率を、分光光度
計にて測定した。(2) Reflectance Reflectance at a wavelength of 830 nm at a flat portion was measured using a spectrophotometer.
（３）耐食性
初期のピットエラーレート（ＢＥＲ）と８０℃・８０％
ＲＨにて１０００時間保存した後のＢＥＲを測定し、そ
の増加量（ΔＢＥＲ）を求めた。 表２に示す評価は、
下記の通りである。(3) Corrosion resistance Initial pit error rate (BER) and 80℃/80%
The BER after storage at RH for 1000 hours was measured, and the amount of increase (ΔBER) was determined. The evaluation shown in Table 2 is
It is as follows.
０：変化なし ○：増加量が２倍以下 △：増加量が２倍より大きく５倍以下 Ｘ：増加量が５倍より大きい （４）Ｈｅｘｔ 下記■および■のうち、大きい方をＨｅｘｔとした。0: No change ○: Increase amount is less than double △: Increase amount is greater than 2 times and less than 5 times X: Increase amount is greater than 5 times (4) Hext Among the following ■ and ■, the larger one was designated as Hext.
■印加する磁界強度を増加させながら記録を行ない、Ｃ
／Ｎ比が一定値に達したときの磁界強度
■最適記録パワーにて印加磁界強度３０００ｅで記録し
た信号に対し、同じ（最適記録パワーにて印加磁界を変
化させて消去を行ない、消し残りが１ｄＢ以下となった
ときの磁界強度（５）保磁力（Ｈｃ）
（６）キュリー点（Ｔｃ）
結果を表２に示す。■ Recording is performed while increasing the applied magnetic field strength, and C
/Magnetic field strength when the N ratio reaches a certain value ■For the signal recorded with the applied magnetic field strength of 3000e at the optimum recording power, the same (erasing is performed by changing the applied magnetic field at the optimum recording power, and no unerased remains) Magnetic field strength when it becomes 1 dB or less (5) Coercive force (Hc) (6) Curie point (Tc) The results are shown in Table 2.
［実施例２］
実施例１で作製した各光磁気記録媒体サンプルに対し、
磁界変調によりオーバーライド記録（独立した消去過程
を設けず、重ね書きにより消去すること）を行ない、記
録後の各サンプルのＣ／Ｎ比を測定した。[Example 2] For each magneto-optical recording medium sample produced in Example 1,
Override recording (erasing by overwriting without providing an independent erasing process) was performed by magnetic field modulation, and the C/N ratio of each sample after recording was measured.
磁界変調記録は、一定強度のレーザー光を基板の記録層
設層面の反対側から照射しながら、基板の記録層設層面
側に設けた小型コイルにより５００ｋＨｚの矩形波交番
磁界を記録層面に印加することにより行なった。 記録
層面と小型コイルとの距離は０．２ｍｍ、記録層面での
磁界強度は２５００ｅ、線速は４．０ｍ／ｓとした。In magnetic field modulation recording, a 500 kHz square wave alternating magnetic field is applied to the recording layer surface using a small coil installed on the recording layer layer side of the substrate while irradiating a constant intensity laser beam from the side opposite to the recording layer layer surface of the substrate. This was done by doing this. The distance between the recording layer surface and the small coil was 0.2 mm, the magnetic field strength at the recording layer surface was 2500 e, and the linear velocity was 4.0 m/s.
なお、記録層面での磁界強度を上げるために記録層面と
小型コイルとの距離を０．１ｍｍとしたところ、基板の
フレやソリのために小型コイルが保護コート７に接触し
、記録が不可能であった。In addition, when the distance between the recording layer surface and the small coil was set to 0.1 mm in order to increase the magnetic field strength on the recording layer surface, the small coil came into contact with the protective coat 7 due to deflection and warpage of the substrate, making recording impossible. Met.
このような磁界変調記録を、同一トラックに対し１０回
行なった。Such magnetic field modulation recording was performed 10 times on the same track.
Ｃ／Ｎ比は、実施例１と同様に、再生パワー１．０ｍＷ
にて再生を行ない測定した。The C/N ratio is the same as in Example 1, with a reproduction power of 1.0 mW.
It was regenerated and measured.
４５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比が得られた場合を○、Ｃ／Ｎ比
が４５ｄＢ未満の場合をＸとして評価した。A case where a C/N ratio of 45 dB or more was obtained was evaluated as O, and a case where the C/N ratio was less than 45 dB was evaluated as X.
結果を、表２に示す。 なお、表２に示される各サンプ
ルが有する中間層の組成を表１に示す。The results are shown in Table 2. Note that Table 1 shows the composition of the intermediate layer of each sample shown in Table 2.
表 １ 中間層 Ｎｏ。Table 1 middle class No.
ｔ
中間層組成 （ａｔ％）
ＡＡ ＯＮ Ｒ
３Ｌ＋Ｎ
Ｉ
Ｉ
１、ａＩ
Ｉ
ａ １２
ム ４
Ｙ＋Ｓ１ｍ１８
［実施例３］
実施例１で作製した各サンプルを用いて、再生パワー１
．５ｍＷにて連続再生試験を行なった。t Intermediate layer composition (at%) AA ON R 3L+N I I 1, aI I a 12 M 4 Y+S1m18 [Example 3] Using each sample prepared in Example 1, the reproduction power 1
．． A continuous reproduction test was conducted at 5 mW.
サンプルＮｏ、１０６では、約５００回の連続再生によ
りＣ／Ｎ比が劣化しはじめたが、その他のサンプルでは
、１０００回以上の連続再生を行なってもＣ／Ｎ比の劣
化はみられなかった。For sample No. 106, the C/N ratio began to deteriorate after approximately 500 continuous playbacks, but for the other samples, no deterioration in the C/N ratio was observed even after 1000 or more continuous playbacks. .
［実施例４］
上記サンプルＮｏ、２〜８の記録層に、前記した添加元
素Ｘ群、７群および７群の１種以上を添加したサンプル
を作製し、上記と同様な耐食性測定およびＣ／Ｎ比の測
定を行なった。[Example 4] Samples were prepared in which one or more of the above-mentioned additive elements X group, 7 group, and 7 group were added to the recording layers of sample Nos. 2 to 8 above, and the same corrosion resistance measurements and C/ The N ratio was measured.
また、８０℃・８０％ＲＨにて１０００時間保存後の感
度の変化率および繰り返し再生後の感度の変化率も測定
した。In addition, the rate of change in sensitivity after storage for 1000 hours at 80° C. and 80% RH and the rate of change in sensitivity after repeated playback were also measured.
添加元素に前記Ｘ群中から選択された元素が含まれた場
合、耐食性はさらに向上した。Corrosion resistance was further improved when the additive element included an element selected from Group X.
また、添加元素に前記Ｙ群中から選択された元素が含ま
れた場合、感度の変化率は、きわめて小さいものであっ
た。 なお、上記Ｘ群のうち、Ｂおよび／またはＳＬの
添加によっても。Furthermore, when the additive element included an element selected from the Y group, the rate of change in sensitivity was extremely small. In addition, also by adding B and/or SL among the above-mentioned group X.
この効果は実現した。This effect was achieved.
添加元素に前記２群中から選択された元素が含まれた場
合、Ｃ／Ｎ比がさらに向上した。When the additive element included an element selected from the above two groups, the C/N ratio was further improved.
なお、上記Ｘ群のうち、Ｃｒおよび／またはＮｉの添加
によっても、この効果は実現した。Note that this effect was also achieved by adding Cr and/or Ni among the above-mentioned group X.
上記各実施例の結果から、本発明の効果が明らかである
。The effects of the present invention are clear from the results of the above examples.
すなわち、本発明サンプルは、Ｃ／Ｎ比がきわめて高い
。 また、反射率が高（、耐食性も高いものである。That is, the sample of the present invention has an extremely high C/N ratio. It also has high reflectance (and high corrosion resistance).
しかも、Ｈｅｘｔが２５００ｅ以下と低（、Ｈｃが高く
、また、Ｔｃが１００℃より高いため熱安定性が高い。Moreover, the Hext is low at 2500e or less (Hc is high, and the Tc is higher than 100°C, so the thermal stability is high.
また、記録層面の磁界強度２５００ｅにて磁界変調によ
りオーバーライド記録を行なった場合、本発明サンプル
はオーバーライド後も良好なＣ／Ｎ比を示し、オーバー
ライドにより消去が良好に行なわれていることがわかる
。Further, when override recording was performed by magnetic field modulation at a magnetic field strength of 2500e on the recording layer surface, the sample of the present invention showed a good C/N ratio even after overriding, indicating that erasing was performed well by overriding.
く作用〉
光磁気記録媒体は、レーザー光等の照射により、所定の
組成を有する記録層の温度なキュリー点付近まで上昇さ
せ、このとき外部から磁界を印加することにより情報の
記録を行なう。Effect> In a magneto-optical recording medium, information is recorded by raising the temperature of a recording layer having a predetermined composition to around the Curie point by irradiation with laser light or the like, and applying a magnetic field from the outside at this time.
情報の記録は、一定強度の磁界を印加しながら、変調さ
れた光により記録を行なう光変調記録、あるいは一定の
強度の光を照射しながら、変調された磁界により記録を
行なう磁界変調記録によりなされる。Information is recorded using optical modulation recording, which records using modulated light while applying a magnetic field of a certain intensity, or magnetic field modulation recording, which records using a modulated magnetic field while applying light of a certain intensity. Ru.
光磁気記録媒体の情報の消去は、外部から記録層のＨｃ
以上の−様な磁界を印加して消去を行なう全面消去（バ
ルクイレーズ）法によるか、レーザー光等の照射により
記録層の温度を上昇させ、記録層の磁化反転に必要な強
度の外部磁界を印加して行なう。Information on a magneto-optical recording medium can be erased by externally applying Hc to the recording layer.
Either by the bulk erase method, which erases by applying a magnetic field similar to the one described above, or by raising the temperature of the recording layer by irradiating it with laser light, etc., an external magnetic field of the strength necessary to reverse the magnetization of the recording layer is applied. Apply it.
また、磁界変調により記録を行なう場合、独立した消去
過程を設けず、情報の重ね書きにより消去を行なういわ
ゆるオーバーライド法により記録・消去を行なうことが
できる。Further, when recording is performed by magnetic field modulation, recording and erasing can be performed by a so-called override method in which erasing is performed by overwriting information without providing an independent erasing process.
〈発明の効果〉
本発明の光磁気記録媒体は、所定の組成の中間層を有す
るため、Ｃ／Ｎ比がきわめて高い。<Effects of the Invention> Since the magneto-optical recording medium of the present invention has an intermediate layer having a predetermined composition, the C/N ratio is extremely high.
また、本発明の光磁気記録媒体は、情報の記録および消
去時に外部から印加される磁界の強度（Ｈｅｘｔ）を比
較的低（抑えることができる。 従って、本発明によれ
ば、光磁気記録媒体の記録・再生装置を小型化できる。Further, the magneto-optical recording medium of the present invention can suppress the intensity (Hext) of the magnetic field applied from the outside when recording and erasing information. Therefore, according to the present invention, the magneto-optical recording medium The recording/playback device can be downsized.
また、本発明の光磁気記録媒体を用いて磁界変調記録を
行なう本発明の光磁気記録方法によれば、Ｈｅｘｔを低
（抑えることができるためにインダクタンスの小さなコ
イルを用いることができ、磁界反転時間を短（して高速
記録を行なうことができる。Furthermore, according to the magneto-optical recording method of the present invention in which magnetic field modulation recording is performed using the magneto-optical recording medium of the present invention, Hext can be kept low (suppressed), so a coil with small inductance can be used, and magnetic field reversal is possible. It is possible to perform high-speed recording in a short amount of time.
第１図は、本発明の光磁気記録媒体の好適実施例を示す
断面図である。
符号の説明
ｌ・・・光磁気記録媒体、
２・・・基板、
３・・・保護層、
４・・・中間層、
５・・・記録層、
６・・・保護層、
７・・・保護コート
ＦＩＧ、１FIG. 1 is a sectional view showing a preferred embodiment of the magneto-optical recording medium of the present invention. Explanation of symbols 1... Magneto-optical recording medium, 2... Substrate, 3... Protective layer, 4... Intermediate layer, 5... Recording layer, 6... Protective layer, 7... Protective coat FIG, 1
Claims (1)
量が ２０．５≦Ｔｂ＋Ｄｙ≦３１．０ ０．０８８≦Ｔｂ／（Ｔｂ＋Ｄｙ）≦０．２２６．０≦
Ｃｏ≦１５．０ であり、残部が実質的にＦｅである記録層を基板上に有
し、前記基板と前記記録層との間に中間層を有する光磁
気記録媒体であって、 前記中間層が、金属または半金属の２種以上と、酸素お
よび窒素とを含有することを特徴とする光磁気記録媒体
。 （２）前記金属または半金属が、ケイ素とアルミニウム
とである請求項１に記載の光磁気記録媒体。 （３）前記中間層が、Ｙ、ランタノイド元素およびアク
チノイド元素から選ばれる１種以上の元素を含有する請
求項１または２に記載の光磁気記録媒体。 （４）請求項１ないし３のいずれかに記載の光磁気記録
媒体の記録層に対し、４Ａ族元素、５Ａ族元素、６Ａ族
元素、８族元素、３Ｂ族元素、Ｃ、ＳｉおよびＰのうち
から選ばれる少なくとも１種以上の元素を、添加元素と
して添加したことを特徴とする光磁気記録媒体。 （５）前記４Ａ族元素がＴｉ、ＺｒおよびＨｆであり、
前記５Ａ族元素がＶ、ＮｂおよびＴａであり、前記６Ａ
族元素がＣｒ、ＭｏおよびＷであり、前記８族元素がＮ
ｉおよびＰｔであり、前記３Ｂ族元素がＢおよびＡｌで
ある請求項４に記載の光磁気記録媒体。 （６）請求項１ないし５のいずれかに記載の光磁気記録
媒体の記録層に対し、Ｇｅおよび／またはＳｒを添加元
素として添加したことを特徴とする光磁気記録媒体。 （７）請求項１ないし６のいずれかに記載の光磁気記録
媒体の記録層に対し、Ｂｉ、Ｃｕ、ＳｎおよびＰｂから
選択される元素の１種以上を添加元素として添加したこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 （８）記録層中の前記添加元素の含有量の合計が、１〜
２０ａｔ％である請求項４ないし７のいずれかに記載の
光磁気記録媒体。 （９）請求項１ないし８のいずれかに記載の光磁気記録
媒体に光磁気記録を行なう方法であって、光を照射しな
がら、変調された磁界を印加することにより光磁気記録
を行なうことを特徴とする光磁気記録方法。[Claims] (1) The content expressed in atomic % of Tb, Dy and Co is 20.5≦Tb+Dy≦31.0 0.088≦Tb/(Tb+Dy)≦0.226.0≦
A magneto-optical recording medium having a recording layer on a substrate in which Co≦15.0 and the remainder being substantially Fe, and an intermediate layer between the substrate and the recording layer, the intermediate layer 1. A magneto-optical recording medium characterized in that the medium contains two or more metals or metalloids, oxygen and nitrogen. (2) The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the metal or metalloid is silicon and aluminum. (3) The magneto-optical recording medium according to claim 1 or 2, wherein the intermediate layer contains one or more elements selected from Y, a lanthanide element, and an actinide element. (4) For the recording layer of the magneto-optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, a group 4A element, a group 5A element, a group 6A element, a group 8 element, a group 3B element, C, Si, and P are added. A magneto-optical recording medium characterized in that at least one element selected from among these is added as an additive element. (5) the Group 4A elements are Ti, Zr and Hf;
The 5A group elements are V, Nb and Ta, and the 6A
The group elements are Cr, Mo and W, and the group 8 element is N.
5. The magneto-optical recording medium according to claim 4, wherein the group 3B elements are B and Al. (6) A magneto-optical recording medium characterized in that Ge and/or Sr are added as additional elements to the recording layer of the magneto-optical recording medium according to any one of claims 1 to 5. (7) The recording layer of the magneto-optical recording medium according to any one of claims 1 to 6 is characterized in that one or more elements selected from Bi, Cu, Sn, and Pb are added as an additive element. magneto-optical recording medium. (8) The total content of the additive elements in the recording layer is 1 to
8. The magneto-optical recording medium according to claim 4, wherein the content is 20 at%. (9) A method for performing magneto-optical recording on the magneto-optical recording medium according to any one of claims 1 to 8, wherein the magneto-optical recording is performed by applying a modulated magnetic field while irradiating light. A magneto-optical recording method characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26350488A JPH02110842A (en) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26350488A JPH02110842A (en) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110842A true JPH02110842A (en) | 1990-04-24 |
Family
ID=17390447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26350488A Pending JPH02110842A (en) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110842A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02195544A (en) * | 1989-01-24 | 1990-08-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Magneto-optical disk |
| US7416794B2 (en) | 2004-03-25 | 2008-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium, method for manufacturing recording medium and magnetic recording apparatus |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP26350488A patent/JPH02110842A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02195544A (en) * | 1989-01-24 | 1990-08-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Magneto-optical disk |
| US7416794B2 (en) | 2004-03-25 | 2008-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium, method for manufacturing recording medium and magnetic recording apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2960824B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| EP0470546B1 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| WO2000013178A1 (en) | Opto-magnetic recording medium and its manufacturing method, and opto-magnetic information recording/reproducing device | |
| JPH02110842A (en) | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method | |
| US5710746A (en) | Magneto-optical recording medium and reading method with magnetic layers of different coercivity | |
| JPS60124901A (en) | Metal oxide magnetic material and magnetic film | |
| JPH01311438A (en) | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method | |
| JP2743184B2 (en) | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method | |
| JP2770027B2 (en) | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method | |
| JPH01312755A (en) | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method | |
| JPH03156753A (en) | Optical recording medium | |
| JP2918889B2 (en) | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method | |
| JPH02110843A (en) | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method | |
| JPH0233745A (en) | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method | |
| JPH0660452A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH01251350A (en) | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method | |
| JPS6189604A (en) | Metal oxide magnetic substance and magnetic film | |
| JPS60211903A (en) | Magnetic substance and magnetic film for photomagnetic recording medium | |
| JPS60211904A (en) | Magnetic substance and magnetic film of metal oxide | |
| JPS60164302A (en) | Magnetic material and magnetic film of metal oxide | |
| JPH01311439A (en) | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording method | |
| JPS60214506A (en) | Metal-oxide magnetic body and magnetic film | |
| JPH01118244A (en) | Magneto-optical recording film | |
| JPH01136947A (en) | Amorphous alloy thin film | |
| JPS60163408A (en) | Metallic oxide magnetic material and magnetic film |