JPH02102191A - 半導体結晶成長方法 - Google Patents
半導体結晶成長方法Info
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- JPH02102191A JPH02102191A JP25527688A JP25527688A JPH02102191A JP H02102191 A JPH02102191 A JP H02102191A JP 25527688 A JP25527688 A JP 25527688A JP 25527688 A JP25527688 A JP 25527688A JP H02102191 A JPH02102191 A JP H02102191A
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- JP
- Japan
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- melt
- epitaxial growth
- reservoir
- wafer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はｍ−マ族化合物を用いた半導体結晶成長方法
に関するものである。
に関するものである。
第２図は工ｎＧａＡｓフォトダイオード（ＦＤ）の製造
を行う際、工ｎＰ基板つェハ上に多層膜を連続してエピ
タキシャル成長するために用いられるスライドボートの
断面図である。
を行う際、工ｎＰ基板つェハ上に多層膜を連続してエピ
タキシャル成長するために用いられるスライドボートの
断面図である。
図において、夏はスライダー ２は融液溜め、ｓＶｉ成
長用融液、４は基板ウェハである。
長用融液、４は基板ウェハである。
次に、このボートを用いてＰＤ用のエピタキシャル成長
を行う場合を例に説明する。まず、融液溜め８の各種に
Ｉｎを溶媒として、多結晶の工ｆｌＡａ、ＧａＡｓ、工
ｎｐ 等を入れた後ｓ ＩｎＰ基板ウェハ４１を所定
の位置に設置する。そして、このボートを水素雰囲気中
の高温のエピタキシャル成長炉の中に挿入し、一定時間
保持した後。
を行う場合を例に説明する。まず、融液溜め８の各種に
Ｉｎを溶媒として、多結晶の工ｆｌＡａ、ＧａＡｓ、工
ｎｐ 等を入れた後ｓ ＩｎＰ基板ウェハ４１を所定
の位置に設置する。そして、このボートを水素雰囲気中
の高温のエピタキシャル成長炉の中に挿入し、一定時間
保持した後。
〜１℃／−程度の降温速度で冷却し、成長開始温度まで
下った時点で、融液溜め８をｌ検分だけ移動し、基板ウ
ェハ４と融液８が接触する様にする。
下った時点で、融液溜め８をｌ検分だけ移動し、基板ウ
ェハ４と融液８が接触する様にする。
基板ウェハ４上には融液中の過飽和分が単結晶となって
エピタキシャル成長し、所定の時間保持することによっ
て所望の厚みを成長することができる。さらに、融液溜
め２を１ ＋９３分だけ移動すると次の新らしい融液８
が基板ウェハ４と接触しあらたに組成又はキャリア濃度
の異なるエピタキシャル層が成長できる。
エピタキシャル成長し、所定の時間保持することによっ
て所望の厚みを成長することができる。さらに、融液溜
め２を１ ＋９３分だけ移動すると次の新らしい融液８
が基板ウェハ４と接触しあらたに組成又はキャリア濃度
の異なるエピタキシャル層が成長できる。
この様に、スライドボートを用いるとＩｎＰ基板ウェハ
４上に工ｎＰ、工ｎＧａＡｓ等の薄膜を連続的に結晶を
成長させることができる。
４上に工ｎＰ、工ｎＧａＡｓ等の薄膜を連続的に結晶を
成長させることができる。
従来の半導体結晶成長方法は基板ウエノ１上の融液が完
全にぬぐい切れずにエピタキシャル成長後に基板ウェハ
の表面に部分的に融液が残る場合があり、後工程におけ
る処理（加工）が複雑になると共に処理工程の自動化が
碓かしくなるなどの問題点があった。
全にぬぐい切れずにエピタキシャル成長後に基板ウェハ
の表面に部分的に融液が残る場合があり、後工程におけ
る処理（加工）が複雑になると共に処理工程の自動化が
碓かしくなるなどの問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、エピタキシャル収長時において最終槽の融液が
基板ウェハ表面に残らない様にした半導体結晶成長方法
を得ることを目的とするものである。
もので、エピタキシャル収長時において最終槽の融液が
基板ウェハ表面に残らない様にした半導体結晶成長方法
を得ることを目的とするものである。
この発明ＶＣよる半導体結晶成長方法は最終槽の融液で
エピタキシャル成長を行った後、融液溜めを移動させる
とウェハホルダーが傾き、基板ウェハ上の融液がすべて
、廃液溜めに落ちるシャル成長中に融液溜めを移動させ
た時に所定の位置においてウェハホルダーのストツノ（
−がはずれ、ホルダー自身が傾くことによって、基板ウ
ェハ上の融液がすべり落ち、残らないようにすることに
よって後工程の処理を容易にし自動化を可能にする。
エピタキシャル成長を行った後、融液溜めを移動させる
とウェハホルダーが傾き、基板ウェハ上の融液がすべて
、廃液溜めに落ちるシャル成長中に融液溜めを移動させ
た時に所定の位置においてウェハホルダーのストツノ（
−がはずれ、ホルダー自身が傾くことによって、基板ウ
ェハ上の融液がすべり落ち、残らないようにすることに
よって後工程の処理を容易にし自動化を可能にする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、ｌはスライダー ２は融液溜め、８は成長
用融液、４は工ｎＰ基板ウェハ ５はウェハホルダー
６はホルダー５のストッパーである。
図において、ｌはスライダー ２は融液溜め、８は成長
用融液、４は工ｎＰ基板ウェハ ５はウェハホルダー
６はホルダー５のストッパーである。
上記融液溜めの一部にはストッパー６を動かすための凸
部があり、所定の位置まで移動させるとストッパー６を
動かし、ウエノ１ホルダー５が支えを失って傾く様な構
造にしたものである。
部があり、所定の位置まで移動させるとストッパー６を
動かし、ウエノ１ホルダー５が支えを失って傾く様な構
造にしたものである。
次に、この発明によるスライドボートを用いてエピタキ
シャル成長を行う方法について説明する。まず、従来例
の場合と同じく融液溜めでの６槽にＩｎ を溶媒として
多結晶のＩｎＡｌ！ｌ、 Ｇ＆ＡＢ。
シャル成長を行う方法について説明する。まず、従来例
の場合と同じく融液溜めでの６槽にＩｎ を溶媒として
多結晶のＩｎＡｌ！ｌ、 Ｇ＆ＡＢ。
ＩｎＰ等を入れた後、所定の位置にウエノ１ホ々ダ−５
を設置しストツバ−５１に入れてウエノ１ホルダー６を
水平に保つ。その上に基板ウエノ″−４を雫せた後、ボ
ートを水素雰囲気中の高温のエピタキシャル成長炉の中
に挿入し、従来の場合と同じ方法で多層のエピタキシャ
ル成長を連続的に行う（第１図（＆）） 最終槽によるエピタキシャル成長が終了した後、融液溜
め２をさらに第１図１ｂｌの図示矢印ＩＪＬ１方向に移
動させると融液溜め８の凸部がストッパー６を押し、ウ
ェハホルダー５が支えを失ってｌｔｎ図の様に傾き、基
板ウエノ１４上の融液８がすべて下部の廃ｇ溜めの中に
すべり落ちる。
を設置しストツバ−５１に入れてウエノ１ホルダー６を
水平に保つ。その上に基板ウエノ″−４を雫せた後、ボ
ートを水素雰囲気中の高温のエピタキシャル成長炉の中
に挿入し、従来の場合と同じ方法で多層のエピタキシャ
ル成長を連続的に行う（第１図（＆）） 最終槽によるエピタキシャル成長が終了した後、融液溜
め２をさらに第１図１ｂｌの図示矢印ＩＪＬ１方向に移
動させると融液溜め８の凸部がストッパー６を押し、ウ
ェハホルダー５が支えを失ってｌｔｎ図の様に傾き、基
板ウエノ１４上の融液８がすべて下部の廃ｇ溜めの中に
すべり落ちる。
コノ様にして、エピタキシャル成長終了後のウェハ表面
には従来の様な融液残りがなくなり平担な面が得られる
。
には従来の様な融液残りがなくなり平担な面が得られる
。
なお、上記実施例では工ｎＧａＡｓフォトダイオードの
液相エピタキシャル成長に使用するスライドボートの場
合について説明したが、他の液相エピタキシャル成長に
おいても上記と同様な効果が得られる。
液相エピタキシャル成長に使用するスライドボートの場
合について説明したが、他の液相エピタキシャル成長に
おいても上記と同様な効果が得られる。
以上の様ｒにの発明によれば、エピタキシャル成長後に
ウェハ表面に融液が残ることがないので、後工程におけ
る処理（加工）が簡単になり、処理工程の自動化を計る
ことが可能になる。
ウェハ表面に融液が残ることがないので、後工程におけ
る処理（加工）が簡単になり、処理工程の自動化を計る
ことが可能になる。
第１図１＆＋ １１）ｌはこの発明の一実施例によるス
ライドボート各工程を示す断面側面図、第２図は従来の
スライＦボー）？示す断面側面図である。 図中、ｌはスライダー ２Ｆｉ融液溜め、３は成長用融
液、４は基板ウエノ１．５はウニノーホルダー ６はス
トッパーを示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
ライドボート各工程を示す断面側面図、第２図は従来の
スライＦボー）？示す断面側面図である。 図中、ｌはスライダー ２Ｆｉ融液溜め、３は成長用融
液、４は基板ウエノ１．５はウニノーホルダー ６はス
トッパーを示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- 化合物半導体のエピタキシャル成長の１つである液相エ
ピタキシャル成長方法において、スライドボートを用い
る場合にエピタキシャル成長中に融液溜めを所定の位置
に移動させた時に基板ウェハを乗せたウェハホルダーが
傾き、融液を落とす様にしたことを特徴とする半導体結
晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25527688A JPH02102191A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 半導体結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25527688A JPH02102191A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 半導体結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102191A true JPH02102191A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17276502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25527688A Pending JPH02102191A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 半導体結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02102191A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102383190A (zh) * | 2011-11-10 | 2012-03-21 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种可连续生长多层膜的防止母液残留的液相外延石墨舟 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP25527688A patent/JPH02102191A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102383190A (zh) * | 2011-11-10 | 2012-03-21 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种可连续生长多层膜的防止母液残留的液相外延石墨舟 |
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