JPH0198254A - Ｍｏｓ型半導体装置 - Google Patents
Ｍｏｓ型半導体装置Info
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- JPH0198254A JPH0198254A JP25584087A JP25584087A JPH0198254A JP H0198254 A JPH0198254 A JP H0198254A JP 25584087 A JP25584087 A JP 25584087A JP 25584087 A JP25584087 A JP 25584087A JP H0198254 A JPH0198254 A JP H0198254A
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- JP
- Japan
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- generation circuit
- voltage generation
- substrate voltage
- substrate
- voltage
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- Pending
Links
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 4
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- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＯ８型半導体装置に関し、特に基板電圧発生
回路を有するＭＯ８型半導体装置に関する。
回路を有するＭＯ８型半導体装置に関する。
従来、かかる基板電圧発生回路はチップ内に配置されて
おシ、この基板電圧特性などを試験するときはペレット
の検査時にモニターすることにより行っていた。
おシ、この基板電圧特性などを試験するときはペレット
の検査時にモニターすることにより行っていた。
上述したように、従来は基板電圧の測定およびその他の
基板電圧特性のチエツクをペレット検査時に行っている
が、チップをパッケージに組立てた後基板電圧等を測定
しモニターするということは非常に困難であるという欠
点がある。また、パッケージのあきピンに基板電圧発生
回路の出力を接続すると、実装時にあきピン（基板電圧
出力ピン）と他の信号線とが短絡を起こし、半導体装置
が動作しなくなるという欠点もある。
基板電圧特性のチエツクをペレット検査時に行っている
が、チップをパッケージに組立てた後基板電圧等を測定
しモニターするということは非常に困難であるという欠
点がある。また、パッケージのあきピンに基板電圧発生
回路の出力を接続すると、実装時にあきピン（基板電圧
出力ピン）と他の信号線とが短絡を起こし、半導体装置
が動作しなくなるという欠点もある。
本発明の目的は、ペレットの検査時ではなくパッケージ
の組立後に基板電圧のモニターを可能とするＭＯ８型半
導体装置を提供することにある。
の組立後に基板電圧のモニターを可能とするＭＯ８型半
導体装置を提供することにある。
本発明のＭＯ８ｍ半導体装置は、基板電圧の発生回路と
、負電圧発生回路と１前記基板電圧を外部よりモニター
するためのパッケージあきピンに前記基板電圧を出力す
る回路とを有して構成され、特に前記基板電圧を出力す
る回路はトランジスタＱｏ 、Ｑ（２および入力ピン、
あきピンによって構成され、前記入力ビンＰ１に電位を
印加するととＫより前記あきピン（ＯＵＴ）より基板電
圧をモニターすることにある。
、負電圧発生回路と１前記基板電圧を外部よりモニター
するためのパッケージあきピンに前記基板電圧を出力す
る回路とを有して構成され、特に前記基板電圧を出力す
る回路はトランジスタＱｏ 、Ｑ（２および入力ピン、
あきピンによって構成され、前記入力ビンＰ１に電位を
印加するととＫより前記あきピン（ＯＵＴ）より基板電
圧をモニターすることにある。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の第一の実施例を説明
するためのＭＯ８屋半導体装置の電圧発生回路図および
その内部電圧波形図である。
するためのＭＯ８屋半導体装置の電圧発生回路図および
その内部電圧波形図である。
第１図（ａ）に示すように、このＭＯ８半導体装置の電
圧発生回路は負電圧発生回路１と、基板電圧発生回路２
と、この基板電圧発生回路２に接続されハイ、ローの電
圧を供給するリングオミレータからなる発振回路３とを
有し、ｎチャネルＭＯ８型トランジスタＱｌｌとＱ １
２の接続点に負電圧発生回路１を接続し、且つＱ１２側
に基板電圧発生回路２を接続して構成される。また、基
板電圧を取シ出すため前記Ｑｓｓには入力ピンＰ１が接
続され、前記ＱｕにはあきピンＯＵＴが接続される。
圧発生回路は負電圧発生回路１と、基板電圧発生回路２
と、この基板電圧発生回路２に接続されハイ、ローの電
圧を供給するリングオミレータからなる発振回路３とを
有し、ｎチャネルＭＯ８型トランジスタＱｌｌとＱ １
２の接続点に負電圧発生回路１を接続し、且つＱ１２側
に基板電圧発生回路２を接続して構成される。また、基
板電圧を取シ出すため前記Ｑｓｓには入力ピンＰ１が接
続され、前記ＱｕにはあきピンＯＵＴが接続される。
次に、第１図（ｂ）に示すように、かかる電圧発生回路
の動作状態においては、接続点Ｎ２が基板電圧で負電位
に保たれ、また接続点Ｎ１が負電圧発生回路の出力電圧
で負電位に保たれるので、おきピンＯＵＴに表われる出
力はトランジスタＱｓｔのオフ状態によ）フローティン
グ状態になる。
の動作状態においては、接続点Ｎ２が基板電圧で負電位
に保たれ、また接続点Ｎ１が負電圧発生回路の出力電圧
で負電位に保たれるので、おきピンＯＵＴに表われる出
力はトランジスタＱｓｔのオフ状態によ）フローティン
グ状態になる。
ここで、パッケージの基板電圧を測定するときは、入力
ビンＰ１に正の電位を印加することになるので、第一電
源φ１に接続されたトランジスタＱｌｌがオン状態にな
シ、接続点ＮｌがＧＮｉ）レベルに上昇する。この接続
点Ｎ１がＧＮＤレベルになると、トランジスタＱ１！が
オン状態になるので、その結果として出力ピンＯＵＴに
は基板電圧レベルが出力される。淘、接続点Ｎ２は入力
ビンＰＩＫ電位を印加する前後で変化なく常時一定の基
板電圧に維持される。
ビンＰ１に正の電位を印加することになるので、第一電
源φ１に接続されたトランジスタＱｌｌがオン状態にな
シ、接続点ＮｌがＧＮｉ）レベルに上昇する。この接続
点Ｎ１がＧＮＤレベルになると、トランジスタＱ１！が
オン状態になるので、その結果として出力ピンＯＵＴに
は基板電圧レベルが出力される。淘、接続点Ｎ２は入力
ビンＰＩＫ電位を印加する前後で変化なく常時一定の基
板電圧に維持される。
第２図は本発明の第二の実施例を説明するための電圧発
生回路図である。
生回路図である。
第２図に示すように、第二の実施例は負電圧発生回路１
の電圧源であるリングオミレータからなる発振回路３を
基板電圧発生回路２に共用した例である。
の電圧源であるリングオミレータからなる発振回路３を
基板電圧発生回路２に共用した例である。
賞、Ｎ ｌ 〜Ｎ ３はＱｌｌ ＋ Ｑｕと同様にｎチ
ャネル型ＭＯＳトランジスタである。その他は第１図（
ａ）に示す回路と同様であシ、このように構成しても前
述の第一の実施例と同様の結果が得られる。
ャネル型ＭＯＳトランジスタである。その他は第１図（
ａ）に示す回路と同様であシ、このように構成しても前
述の第一の実施例と同様の結果が得られる。
以上説明したように、本発明のＭＯａ型半導体装置は基
板電圧発生回路と負電圧発生回路とベレットの入力ビン
よりミ圧を印加しパッケージのあきピンに前記基板電圧
を出力させる回路とを有することにより、ペレットを組
立だ後においても基板電圧をモニターし且つモニター時
以外は半導体装置の動作に悪影響を与えないようにする
ことができるという効果がある。
板電圧発生回路と負電圧発生回路とベレットの入力ビン
よりミ圧を印加しパッケージのあきピンに前記基板電圧
を出力させる回路とを有することにより、ペレットを組
立だ後においても基板電圧をモニターし且つモニター時
以外は半導体装置の動作に悪影響を与えないようにする
ことができるという効果がある。
第１図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ本発明の第一の実施
例を説明するためのＭＯ８型半導体装置の電圧発生回路
図および内部電圧波形図、第２図は本発明の第二の実施
例を説明するための電圧発生回路図である。 １・・・・・・負電圧発生回路、２・・・・・・基板電
圧発生回路、３・・・・・・発振回路（リングオシレー
タ） ％ Ｑｌｌ ｒＱｔ＊ 、 Ｎ ｉ〜Ｎ３・・・
・・・ｎチャネルＭＯ８製）ランジスタ、ＰＩ・・・・
・・外部端子、ＯＵＴ・・・・・・あきピン、φ１・・
・・・・第一電源。 代理人 弁理士 内 原 晋
例を説明するためのＭＯ８型半導体装置の電圧発生回路
図および内部電圧波形図、第２図は本発明の第二の実施
例を説明するための電圧発生回路図である。 １・・・・・・負電圧発生回路、２・・・・・・基板電
圧発生回路、３・・・・・・発振回路（リングオシレー
タ） ％ Ｑｌｌ ｒＱｔ＊ 、 Ｎ ｉ〜Ｎ３・・・
・・・ｎチャネルＭＯ８製）ランジスタ、ＰＩ・・・・
・・外部端子、ＯＵＴ・・・・・・あきピン、φ１・・
・・・・第一電源。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 基板電圧の発生回路と、負電圧発生回路と、前記基板
電圧を外部よりモニターするためのパッケージあきピン
に前記基板電圧を出力する回路とを有することを特徴と
するＭＯＳ型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25584087A JPH0198254A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25584087A JPH0198254A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198254A true JPH0198254A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17284320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25584087A Pending JPH0198254A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0198254A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034445A1 (en) * | 1997-12-26 | 1999-07-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP25584087A patent/JPH0198254A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7321252B2 (en) | 1997-11-21 | 2008-01-22 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor integrated circuit |
| WO1999034445A1 (en) * | 1997-12-26 | 1999-07-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| US6337593B1 (en) | 1997-12-26 | 2002-01-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| US6483374B1 (en) | 1997-12-26 | 2002-11-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| US6600360B2 (en) | 1997-12-26 | 2003-07-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| US6707334B2 (en) | 1997-12-26 | 2004-03-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| US6987415B2 (en) | 1997-12-26 | 2006-01-17 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor integrated circuit |
| US7046075B2 (en) | 1997-12-26 | 2006-05-16 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor integrated circuit |
| US7598796B2 (en) | 1997-12-26 | 2009-10-06 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor integrated circuit including charging pump |
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