JPH0147A - カルボン酸の製造法 - Google Patents

カルボン酸の製造法

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JPH0147A
JPH0147A JP63-31140A JP3114088A JPH0147A JP H0147 A JPH0147 A JP H0147A JP 3114088 A JP3114088 A JP 3114088A JP H0147 A JPH0147 A JP H0147A
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正昭 工藤
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素又は複
素環式炭化水素の環上に少なくとも1個の塩素原子を有
する有機塩化物を、パラジウム化合物及びホスフィン化
合物を触媒とし、無機塩基の存在下一酸化炭素と又は有
機塩基の任在下一酸化炭素及び水と、150℃乃至50
0℃の反応r1度で反応させることを特徴とするカルボ
ン酸の製造法に関し、更に詳しくは一般式(■):R1
・ct             (II)(式中、R
1は置換基を有してもよい芳香族炭化水素又は複素環式
炭化水素を示す。)で表わされる有機塩化物を、パラジ
ウム化合物及びトリアルキルホスフィン、トリアリール
ホスフィン、下記一般式(lit)、(IV)及び(V
)から選択される1種以上のホスフィン化合物からなる
カルボニル化触媒。
一般式(■): (R)、 −P−X −P−(R)、     (li
t)(式中、Rはアルキル基又は置換基を有してもよい
フェニル基を示し、Xは炭素原子数1〜又はビナフチル
基を示す。) 一般式(■): (式中、Rは前記に同じ) 一般式(V): (式中、nは1〜5の整数を示す。) 及び無機塩基又は有機塩基/水の存在下に一酸化炭素と
150℃〜500℃の反応温度で反応させることを特徴
とする一般式(I): R1・C0OH(1) (式中、R1は前記に同じ。) で表されるカルボン酸の製造法に関するものである。
本発明による一般式tl)で表されるカルボン酸は、医
襖、農薬はもとよシ種々の工業用原料として有用であり
、本発明はこれらの化合物の新規な製造法を提供するも
のである。
従来カルボン酸を製造する方法としては、米国特許第5
988558号明細書にパラジウム/ホスフィン系の触
媒の存在下に芳香族ノーライドを一酸化炭素及び水と反
応させることによりカルボン酸を得る方法が記載されて
いる。しかしながら、本発明で触媒として使用するホス
フィン化合物は該明細書の実施例はもとより、発明の詳
細な説明の欄にも全く記載されておらず1しかも本発明
の如く置換基を有してもよい芳香族 ′炭化水素又は複
素環式炭化水素の環上に直接少なくとも1個の塩素原子
を有する有機塩化物を使用した実施例は皆無である。又
J、O,C。
1981.46.4614−4617には、アリールハ
ライドからのカルボン酸の製法が記載されているが、臭
化物から目的とするカルボン酸は得られるが、塩化物か
らは反応が進行せず目的物は得られていない。
又特開昭61−255648号公報には、コバルトカル
ボニルを触媒として光照射下でアリールポリカルボン酸
を製造する方法が開示されているが、この方法は光照射
下で行なわnるため、設備面で工業化には多大の費用を
要する。しかもコバルトカルボニルを使用するので毒性
の面でも課題がある。芳香族塩化物をカルボニル化する
方法としては、特開昭61−293950号公報にクロ
ル若しくはブロムアレンカルボニルクロム化合物を使用
してカルボン酸を製造する方法が開示されているが、反
応基質としてのトリカルボニルクロム錯体の製造に課題
がある0以上のようK、芳香族ヨウ化物や臭化物と一酸
化炭素の反応は知られているが、芳香族又は複素環塩化
物と一酸化炭素との反応により芳香族又は複素環カルボ
ン酸を合成する方法は全く知られていない。
本発明者らは上記の状況に鑑がみ、芳香族又は複素環塩
化物と一酸化炭素との反応を鋭意検討した結果、収率良
く芳香族又は複素環カルボン酸を得る方法を確立し本発
明を完成するに到った。
本発明のカルボン酸の製造法を図式的に示すと、例えば
下記の如く表わすことができる。
(式中、R1は前記に同じくし、Mは塩基の残基を示す
。) 即ち、一般式III)で表わされる有機塩化物を、パラ
ジウム化合物及びホスフィン化合物からなるカルボニル
化触媒、無機塩基又は有機塩基/水の存在下、溶媒の存
在下又は不存在下に一酸化炭素と150℃〜300℃の
反応温度で反応させることにより目的とする一般式(1
)で表わされるカルボン酸を得ることができる。
本発明の反応で塩基として無機塩基を使用する場合、反
応系中に反応から生成する水が存在するので特に水の添
加を必要としないが、有機塩基を使用する場合水の使用
は必須となり、使用量は一般式(If)で表わされる有
機塩化物に対し、等モル乃至過剰に使用すれば良い。
本発明の一般式(II)で表わされる有機塩化物として
は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素又は複素環式
炭化水素の環上に少なくとも1個の塩素原子を有する有
機′塩化物であれば良く、又縮合環炭化水素及び縮合複
素環炭化水素をも包含するものであり、代表例を示すと
例えばクロロヘンセン、ジクロロベンゼン、トリクロロ
ベンゼン、テトラクロロベンゼン、ペンタクロロベンゼ
ン、ヘキサクロロベンゼン、クロロフルオロベンゼン、
クロロジフルオロベンゼン、クロロジフルオロベンゼン
、クロロテトラフルオロペンゼ/、クロロペンタフルオ
ロベンゼン、トリフルオロメチルクロルベンゼン、クロ
ロトルエン、ジクロロトルエン、トリクロロトルエン、
クロロキシレン、シクロロー1r’/V7、トリクロロ
キシレン、クロロフェノール、クロ07ニソール、クロ
ロニトロベンゼン、ジクロロニトロベンゼン、クロロシ
アノベンゼン、クロロフェニル酢酸エステル、N−アセ
チルクロロアニリン、クロロアセトフエ7ノ、クロロペ
ンシフエノン、クロロメチルチオベンゼン、クロロ安、
l[[エステル、クロロジフェニルエーテル、ジクロロ
ジフェニルエーテル、ジクロロペンシフエノン、ジクロ
ロジフェニルメタン、ジクロロジフェニルメタン、ジク
ロロジフェニル、クロロナフタレン、クロロメチルナフ
タレン、クロロアントラキノ/等の芳香族有機塩化物、
クロロチオフェン、クロロフラン、クロロインドール、
クロロピリジン、ジクロロビリジ/、クロロピコリン、
クロロキノリン、クロロキノリンリ/、ジクロロキノキ
サリン等の複素環有機塩化物を挙げることができる。有
機塩化物は所定量使用しても良く、過剰に使用して溶媒
としても使用することができる。
本発明でカルボニル化触媒として使用するパラジウム化
合物はホスフィン化合物と組合せて使用すれば良く、パ
ラジウム化合物としては例えば金属パラジウム、パラジ
ウムカーボン、パラジウムアルミナ、塩化パラジウム、
臭化パラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビスシア7
′フエニルパラジウム、ジクロロビストリフェニルホス
フィンパラジウム、テトラキストリフェニルホスフィン
パラジウム等を挙げることができる。好ましくは、パラ
ジウム金属、固体に担持された0価、2価若しくは4価
の錯体、また更にパラジウム−カーボン、塩化パラジウ
ム又社酢酸パラジウムが挙げられる。
ホスフィン化合物としては、例えばトリイソプロピルホ
スフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフ
ィン、トリパラフルオロフェニルホスフィン、トリーペ
ンタフルオロフェニルホスフィン、トリオルソトリルホ
スフィン、トリパラトリルホスフィン、トリオルソジメ
チルアミノフェニルホスフィン、トリフエノキシホスフ
ィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジペ/タフルオロ
フェニルホスフィン等ヲ、一般式(III)で表される
ホスフィン化合物としては、例えば1,1−ビス(ジメ
チルホスフィノ)メタン、1.1−ビス(ジエチルホス
フィノ)メタン、1.2−ビス(ジメチルホスフィノ)
エタン、1゜1−ビス(ジエチルホスフィノ)エタ7.
1.3−ビス(ジメチルホスフィノ)プロパン、1.4
−ビス(ジメチルホスフィノ)ブタン等のビス(ジアル
キルホスフィノ)アルカン類、1.1−ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)メタン、1.2−ビス(ジエチルホスフ
ィノ)エタン、1.3−ビス(ジフェニルホスフィノ)
フロパン、1.4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタ
ン、1.5−ビス(ジフェニルホスフィノ)べブタン、
1.6−ビス(ジフェニルホスフィノ)ヘキサン、2.
5−0−インプロピリデン−2,3−ジヒドロキシ−1
,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、ビス(ジ
フェニルホスフィノ)フエロセ/、ビス(ジフェニルホ
スフィノ)ビナフチル、l’1゜2−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)ベンゼン等を、一般式(IV)で表される
ホスフィン化合物としては、例えばエチルジペンゾホス
ホール、エチルジペンゾホスホール、プロピルジペンゾ
ホスホール、エチルジペンゾホスホール、ペンチルジペ
ンゾホスホール及びフエニルジベンゾホスホール等を、
一般式(V)で表されるホスフイン化合物としては、例
えば1,1−ビス(ジペンゾホスホリル)メタ7.1.
2−ビス(ジペンゾホスホリル)エタン、1.3−ビス
(ジペンゾホスホリル)グロパン、1.4−ビス(ジペ
ンゾホスホリル)ブタ/及び1.5−ビス(ジペンゾホ
スホリル)べエタン等を挙げることができるが本発明は
これらに限定されるものではない。
ホスフィン化合物の添加量はパラジウム化合物に対して
0.01〜10000倍モル使用すれば良く、好ましく
はα1〜100倍モルの範囲から選択すれば良い。
本発明はパラジウム化合物とホスフィン化合物を組み合
わせて使用すれば良く、反応系にそれぞれ単独で使用し
ても良く、予め錯体の形に調整して使用して本良い。
添加量は特に限定されるものではないが、パラジウム化
合物及びホスフィン化合物を反応系に添加する量として
、一般式(117で表される有機塩化物1モルに対して
0.0001倍モル〜0.5倍モル使用すれば良く、好
ましくはα001倍モル〜Q1倍モルの範囲から選択す
れば良い。
本発明で使用する無機塩基としては炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を挙
げることができ、有機塩基としてはトリエチルアミン、
トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ
イソオクチルアミン、ピリジン、N−メチルピロリジン
、N−メチルモルホリン、Nl−エチルモルホリン等を
挙げることができる。好ましくは、無機塩基では炭酸す
) IJウム又は炭酸カリウムが挙げ 。
られ、有機塩基では、トリブチルアミン又はN−二チル
モルホリンが挙けられる。
使用する塩基の量としては、生成する塩化゛水素を中和
するのく必要な量を使用するのが好ましいが、もちろん
これより少なくともよいし、多くても良い。
有機塩基を使用する場合、水の使用は必須となるが、水
の使用量は有機塩化物に対して0.1倍モル〜100倍
モルの範囲で使用すれば良い。
本発明における反応祉溶媒の存在下又は不存在下に反応
を行なわしめることができ、使用できる溶媒としては本
反応を著しく阻害しない溶媒であれば良く、例えばヘキ
サン、ベンゼン、エーテル、テトラヒドロフラン、アセ
トニトリル、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホス
ホトリアミド、アセトン等の有機溶媒を挙げることがで
きる。
本発明の反応は常圧〜加圧下に行なわれ、一酸化炭素の
圧力は1〜200気圧の範囲で適宜選択され、好ましく
は1〜50気圧の範囲で行なわれる。
本発明の反応温度は150℃〜300℃の範囲であり、
好ましくは150℃〜250℃の範囲である。
本発明で用いられる反応容器としては、通常用いられる
もので良く、加圧反応の場合反応圧力に耐えるものであ
れば何でも良く、通常金属製またはガラス製の容器が用
いられる。
反応時間は反応試剤の量及び反応温度によって一定しな
いが、数分乃至48時間の範囲から選択すれば良い。
又、本発明は一般式(II)で表わされる有機塩化物が
有機ポリ塩素化物の場合、順次選択的に環上の塩素原子
を酸にすることもできる。
反応終了後常法によって処理することくより目的とする
化合物を得ることができる。
以下に本発明の実施例を示すが本発明はこれらに限定さ
れるもので蝶ない。
実施例1 安息香酸の調造 金属製オートクレーブにクロロベンゼン(112F)、
塩化パラジウA(17,5115j)、ビスジフェニル
ホスフィノブタン(427s?)、炭酸カリウム(五1
p)を入れ、一酸化炭素で数回置換した後50 kg/
aiで充填し、塩浴で浴温210℃とし攪拌しつつ3時
間反応させる。反応後室温まで冷却し、水を加え、水層
を分離した後酸を加え、析出した結晶をP集し乾燥した
後、目的物である安息香酸が0.977得られた。
融点122〜123℃ 実施例2 オルソクロロ安息香酸の製造実M例1のクロ
ロベンゼン(1t2I) をyFkソージクロロベンゼ
ン(14,77) KLtた他は実施例1と同様に行っ
た。目的とするオルソ−クロロ安息香酸が177I得ら
れた。
融点138〜140℃ 実施例3 オルソメチル安息香酸の製造実施例1のクロ
ロベンゼン(112F ) ヲオbツークロロトルエン
(12,67)K換えた他は実施例1と同様に行った。
目的とするオルソ−メチル安息香酸が2.551得られ
た。
融点103〜105℃ 実施例4 パラクロロ安息香酸の製造 金属製オートクレーブにパラ−ジクロロベンゼン(2,
781)、塩化パラジウム(17,5呼)、ビスジフェ
ニルホスフィノブタン(427ツ)、炭酸カリウム(s
−1p ) 、アセトニトリル(50m1)を入れ、一
酸化炭素で数回置換した後50kp/a+!で充填し、
塩浴で浴温250℃とし攪拌しつつ3時間反応させる。
反応後室温まで冷却し、水を加え、水層を分離した後酸
を加え水層からエーテルで抽出した。エーテル層を乾燥
した後、濃縮するとパラクロロ安息香酸がα61得られ
た。
融点239〜241℃ 実施例52.5−ジクロロ安息香酸の製造実施例4のパ
ラ−ジクロロベンゼン(2,78JF)を1.2.5−
トリクロロベンゼン(1&1F )に換え九個は実施例
4と同様に行りた。目的とする2、3−ジクロロ安息香
酸が145P得られた。
融点167−169℃ 実施例6 オルソトリフルオロメチル安息香酸の製造 金属製オートクレーブにオルンークロロペンゾトリフル
オライド(18I)、塩化パラジウム(五5呼)、ビス
ジフェニルホスフィノブタン(1701qp)、炭酸カ
リウム(五1/)を入れ一酸化炭素で数回置換した後3
0 時7cdで充填し、塩浴で浴温240℃とし攪拌し
つつ5時間反応させる。反応後室温まで冷却し、水を加
え、水層を分離した後酸を加え、水層からエーテルで抽
出した。エーテル層を乾燥した後、濃′縮するとオルソ
−トリフルオロメチル安息香酸がi9 F得られた。
融点109〜113’C 実施例7 オルソトリフルオロ安息香酸の製造金属製オ
ートクレーブにオルソ−クロロベンシトリフルオライド
(111JF)、塩化パラジウム(xslIF) 、ビ
スジフェニルホスフィノブタン(1701mlり、炭酸
ナトリウム(2,31)を入れ、一酸化炭素で数回置換
した後50kg/cdで充填し、塩浴で浴温210℃と
し攪拌しつつ5時間反応させる。反応後室温まで冷却し
、水を加え、水層を分離した後酸を加え、水層からエー
テルで抽出し丸。エーテル層を乾燥した後、濃縮すると
オルソトリフルオロメチル安息香酸が2.8p得られた
実施例8 メタメチル安息香酸の製造 金属製オートクレーブにメタクロロトルエン(2,53
7)、塩化パラジウム(ss、sv)、ビスジフェニル
ホスフィノブタン(42611P)、炭酸カリウム(五
〇4I)を入れ、一酸化炭素で数回置換した後50に7
/adで充填した。塩浴で浴温210℃とし、攪拌しつ
つ3時間反応させる。反応後、室温まで冷却し、水を加
えた。水層を分離した後、酸を加え析出した結晶をF集
し乾燥した。目的物であるメタメチル安息香酸が110
1得られた。
融点107〜110℃ 実施例9 実施例8の塩化物及び塩基を第1表に示す塩化物及び塩
基Kかえて実施例8と同様に行った。
結果を第1表に示す。
実施例10 パラメトキシ安息香酸の製造金属製オート
クレーブにバラメトキシクロロベンゼン(2,85F 
)、塩化パラジウム(55,511P)、ビスジフェニ
ルホスフィノブタン(426IIJP)、炭酸カリウム
(104F )及びベンゼン(soIRl)を入れ、一
酸化炭素で数回置換した後40kf/c11で充填し、
塩浴で浴温220℃とし攪拌下3時間反応を行った。
反応終了後室温まで冷却し、水を加え、ベンゼン層及び
水層を分離し、水層に酸を加え析出する結晶をF集し、
乾燥後目的物1571を得た。
融点18五5〜184℃ 実施例11 チオフェ/−2−カルボン酸の製法 金属製オートクレーブに2−クロロチオフェ:/(7:
IJF)、塩化パラジウA(17,59)、ビスジフェ
ニルホスフィノブタン(426g)、炭酸カリウム(′
5.Oり及びベンゼン(9d)を入れ、一酸化炭素で数
回置換した後30kfZcI&で充填し、塩浴で浴温2
25℃とし、攪拌下3時間反応を行う。反応後室温まで
冷却し、水を加えベンゼン層及び水層を分離し、水層に
酸を加え析出する結晶f:F集し乾燥させ目的物である
チオ7エンー2−力、ルボン酸αsspを得た。
融点127〜154℃

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)置換基を有してもよい芳香族炭化水素又は複素環
    式炭化水素の環上に少なくとも1個の塩素原子を有する
    有機塩化物を、パラジウム化合物及びホスフィン化合物
    を触媒とし、無機塩基の存在下一酸化炭素と150℃乃
    至300℃の反応温度で反応させることを特徴とするカ
    ルボン酸の製造法。
  2. (2)パラジウム化合物がパラジウム金属、固体に担持
    された0価、2価若しくは4価の錯体である請求項第1
    項記載のカルボン酸の製造法。
  3. (3)パラジウム化合物がパラジウム−カーボン、塩化
    パラジウム又は酢酸パラジウムである請求項第2項記載
    のカルボン酸の製造法。
  4. (4)ホスフィン化合物がトリアルキルホスフィン、ト
    リアリールホスフィン、下記一般式(III)、(IV)及
    び(V)から選択される1種以上のホスフィン化合物で
    あることを特徴とする請求項第1項記載のカルボン酸の
    製造法。 一般式(III): (R)_2−P−X−P−(R)_2(III)(式中、
    Rはアルキル基又は置換基を有してもよいフェニル基を
    示し、Xは炭素原子数1〜6のアルキレン基、▲数式、
    化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 又はビナフチル基を示す。) 一般式(IV): ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは前記に同じ) 一般式(V): ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (式中、nは1〜5の整数を示す。)
  5. (5)置換基を有してもよい芳香族炭化水素又は複素環
    式炭化水素の環上に少なくとも1個の塩素原子を有する
    有機塩化物を、パラジウム化合物及びホスフィン化合物
    を触媒とし、有機塩基の存在下一酸化炭素及び水と15
    0℃乃至300℃の反応温度で反応させることを特徴と
    するカルボン酸の製造法。
  6. (6)パラジウム化合物がパラジウム金属、固体に担持
    された0価、2価若しくは4価の錯体である請求項第5
    項記載のカルボン酸の製造法。
  7. (7)パラジウム化合物がパラジウム−カーボン、塩化
    パラジウム又は酢酸パラジウムである請求項第6項記載
    のカルボン酸の製造法。
  8. (8)ホスフィン化合物がトリアルキルホスフィン、ト
    リアリールホスフィン、下記一般式(III)、(IV)及
    び(V)から選択される1種以上のホスフィン化合物で
    あることを特徴とする請求項第5項記載のカルボン酸の
    製造法。 一般式(III): (R)_2−P−X−P−(R)_2(III)(式中、
    Rはアルキル基又は置換基を有してもよいフェニル基を
    示し、Xは炭素原子数1〜6のアルキレン基、▲数式、
    化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 又はビナフチル基を示す。) 一般式(IV): ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、Rは前記に同じ) 一般式(V): ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (式中、nは1〜5の整数を示す。)
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