JPH0137725Y2 - - Google Patents

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JPH0137725Y2
JPH0137725Y2 JP20269283U JP20269283U JPH0137725Y2 JP H0137725 Y2 JPH0137725 Y2 JP H0137725Y2 JP 20269283 U JP20269283 U JP 20269283U JP 20269283 U JP20269283 U JP 20269283U JP H0137725 Y2 JPH0137725 Y2 JP H0137725Y2
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JP
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surface treatment
treatment agent
volatile
substrate
gas
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JP20269283U
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Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は表面処理剤の塗布装置に関する。
(ロ) 従来技術 所定の形状を有する蒸着薄膜、例えば、超伝導
磁束計に用いる薄膜型のジヨセフソン素子をリフ
ト・オフ法により製作する場合には、第1図に示
すように、表面にフオトレジスト1をコートした
フオトレジスト基板(a)に先づ所定のパターンを画
いて露光処理をほどこした後(b)、フオトレジスト
1の表面をクロルベンゼンで表面処理し、そこに
フオトレジストの硬化層2を形成させる(c)。次の
現像過程でフオトレジストの不要部分を除去し
(d)、超伝導物質を蒸着して(e)、フオトレジストの
除かれた基板上の部分に所定のパターンを示す超
伝導蒸着膜3を形成させる。その後、表面に不要
な蒸着膜3aを有する残留フオトレジストを「リ
フト・オフ」することにより、超伝導蒸着膜3で
構成されたジヨセフソン素子が得られる(f)。
以上の工程においてフオトレジスト1の表面を
クロルベンゼンで処理する際、従来は換気設備の
ある部屋で、開放容器にいれたクロルベンゼン中
にフオトレジスト基板を漬けるか、あるいは、ク
ロルベンゼンをフオトレジスト面に塗布し、適当
な時間の経過後、ドライヤーで残留クロルベンゼ
ンを蒸発除去する方法がとられてきた。
しかし、このような方法では、第二種有機溶剤
であるクロルベンゼンの有害で可燃性の蒸気が作
業場に充満する危険があり、また、上記のような
方法ではフオトレジストの処理時間を正確にコン
トロールすることができず、フオトレジスト硬化
層の特性を一定に保つことは不可能である。
(ハ) 目的 本考案の目的は、クロルベンゼンのような可燃
性有害ガスの発生を伴う表面処理剤を、従来技術
によりフオトレジスト基板等の板状材料の表面に
塗布する場合に生ずる、上記のような欠点を排除
し、表面処理剤およびその揮発性ガスが直接外気
に触れ、または混入することのない完全密閉型の
表面処理剤塗布装置を提供することにある。
(ニ) 構成 上記の目的を達成するため、本考案による装置
は、表面処理剤を塗布するために基板を収納・保
持する密閉型の基板保持容器と、表面処理剤を貯
蔵するタンクと、上記表面処理剤の揮発ガスを補
獲するガスフイルタと、当該装置の系内で上記表
面処理剤を移送するための圧縮ガスを供給する圧
縮ガス供給手段とが、配管系を介して上記表面処
理剤の揮発ガスに対する閉鎖系を形成して成り、
上記揮発ガスが当該装置の系外に排出されないよ
う構成されたことを特徴としている。
(ホ) 実施例 以下に本考案の実施例を、その構成を示す第2
図に基づいて説明する。同図において、四方弁6
の操作位置は、表面処理剤移送用圧縮窒素ガス供
給源よりの配管5と表面処理剤貯蔵タンク9の内
圧コントロール用配管7の間、および排気管16
と基板保持容器の内圧コントロール用配管15の
間をそれぞれ連通させた状態に画かれているが、
この四方弁6は、90゜の回転操作により、圧縮ガ
ス供給配管15を基板保持容器の内圧コントロー
ル用配管15に、そしてまた、表面処理剤貯蔵タ
ンクの内圧コントロール用配管7を排気管16に
連通させるよう切り換えることができる。
ところで、第2図に示した四方弁6の操作位置
において、圧縮窒素ガスは、その供給源の配管5
より、貯蔵タンク内圧コントロール配管7を通じ
て、表面処理剤貯蔵タンク9に導入され、表面処
理剤8の液面を加圧する。この圧力により表面処
理剤8は配管10、開放状態になつている開閉弁
11を通つて基板保持器12に送入される。この
とき、この容器内の圧力は、基板保持容器内圧コ
ントロール配管15、四方弁6、および排気管1
6を経てガスフイルタ14に導かれ、そこで表面
処理剤からの揮発ガス成分がトラツプされ、窒素
ガス成分のみとなつて外気に開放されている。基
板保持容器12に導入された表面処理剤の液面
は、排液管13の垂直立上り部(透明ガラス管で
できている)が液面計の働きを兼ね、そこに表示
される。基板保持容器12の中にあらかじめ収容
されている被処理基板17を浸すに充分な高さま
で表面処理剤がたまれば、開閉弁11を閉じて表
面処理剤の注入を断ち、基板17の表面処理に必
要な所定の時間放置する。
その後四方弁6に90゜の回転操作をし、配管5
を基板保持容器内圧コントロール配管15に、貯
蔵タンク内圧コントロール配管7を排気管16に
連通させると、圧縮窒素ガスが基板保持容器12
に導入され、その中の残留表面処理剤は排液管1
3を経てガスフイルタ14に排出される。ガスフ
イルタ14は表面処理剤およびその揮発ガスをト
ラツプし、窒素ガスのみを外気中に放出する。表
面処理剤排出後も基板表面が完全に乾燥するまで
窒素ガスの供給を続ける。一方、表面処理剤貯蔵
タンク9内の圧力は、導管7が四方弁6を介して
排気管16に連通しているので、これらの通路を
経てガスフイルタ14に導かれ、揮発ガス成分は
そこでトラツプされ、窒素ガス成分だけとなつて
外気中に開放される。
(ヘ) 効果 以上の説明から明らかなように、本考案によれ
ば、表面処理剤は、それ自体およびその揮発ガス
に関して完全なクローズドシステム内で取り扱わ
れるので、可燃性有害ガスが外気中に混入する危
険が防止され、また、基板面の処理時間もバルブ
の操作だけで自由にコントロールできるので、表
面処理の品質管理が容易となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はリフトオフ法によるフオトレジストの
処理工程を示す図である。第2図は本考案実施例
の構成を示す図である。 5……圧縮ガス供給管、6……四方弁、7……
タンク内圧のコントロール用配管、8……表面処
理剤、9……表面処理剤貯蔵タンク、10……導
管、11……開閉弁、12……気密容器、13…
…排液管、14……ガスフイルタ、15……基板
保持容器の内圧コントロール用配管。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 揮発性の表面処理剤を基板面に塗布するための
    装置であつて、表面処理剤を塗布するために基板
    を収納・保持する密閉型の基板保持容器と、表面
    処理剤を貯蔵するタンクと、上記表面処理剤の揮
    発ガスを捕獲するガスフイルタと、当該装置の系
    内で上記表面処理剤を移送するための圧縮ガスを
    供給する圧縮ガス供給手段とが、配管系を介して
    上記表面処理剤の揮発ガスに対する閉鎖系を形成
    して成り、上記揮発ガスが当該装置の系外に排出
    されないよう構成されたことを特徴とする、表面
    処理剤塗布装置。
JP20269283U 1983-12-28 1983-12-28 表面処理剤塗布装置 Granted JPS60112380U (ja)

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JP20269283U JPS60112380U (ja) 1983-12-28 1983-12-28 表面処理剤塗布装置

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JP20269283U JPS60112380U (ja) 1983-12-28 1983-12-28 表面処理剤塗布装置

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JPS60112380U JPS60112380U (ja) 1985-07-30
JPH0137725Y2 true JPH0137725Y2 (ja) 1989-11-14

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2898318B2 (ja) * 1989-11-10 1999-05-31 三菱電機株式会社 有機薄膜の形成方法および形成装置

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JPS60112380U (ja) 1985-07-30

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